JP2001201756A - 液晶表示装置の製造方法と製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 大型アクティブマトリックス型液晶表示装置
の製造工程において、製造工程の省略化による大幅な製
造時間の短縮化をはかり、生産効率を大幅に向上する。 【構成】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記基板
間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置の製
造工程において、２層以上の異なる金属や合金を用い
て、走査線を形成する時に、ホトマスクの透過光量を変
調させポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変
調し、ウェットエッチング処理と、プラズマ・アッシン
グ処理を交互におこなうことで走査線のエッジ部を階段
状に加工することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、低コスト、大画面のア
クティブマトリックス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型大型液
晶表示装置では、走査線の抵抗値をさげるためにアルミ
ニウム系の金属材料を用いるが、端子部の接続抵抗値を
さげるために図４０にあるようにアルミニウム配線の上
に高融点金属膜を被覆していた。アルミニウム系の金属
配線は熱処理後にヒロックを発生しやすく表面が凹凸に
なりショートの発生原因となるが、高融点金属膜で被覆
することでヒロックの発生も完全におさえることができ
た。走査線を形成するためには、このために２回のホト
マスク工程が必要であった。

【０００３】従来のアクティブマトリックス素子基板の
ウェットエッチング処理装置は、基板を水平に保持した
状態または、基板を水平から１０度程度固定傾斜させた
状態のまま、エッチング液をスプレーしていた。ホトレ
ジストの露光後の現像処理装置や、ホトレジストのはく
り処理装置などのウェット処理装置もほぼ同様の構造で
あった。

【０００４】従来のアクティブマトリックス素子基板の
ウェット処理後の基板の乾燥方式としてスピンドライ方
式が用いられている。基板ホルダーの下部に排気口が複
数個設置されている。基板が回転中に基板から飛ばされ
た純水がカップの側壁にあたりミストが発生するが、排
気口にすいこまれる構造になっている。

【０００５】従来のプラズマアッシング装置は図４１に
あるように平行平板放電電極構造を採用しており反応ガ
スは平板電極にあけられた多数の穴をとうしてチェンバ
ー内に導入されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】図４０にあるように従
来の走査線構造ではホトマスク工程を２回必要とするた
め、製造コストが高くなる問題があった。ホトマスク工
程が多い場合、高価な露光装置の台数も多く必要となり
初期投資の金額も大きくなるし、ホトレジストコーター
や現像装置、ホトレジストはくり装置などの設置面積の
大きな装置も多数必要となるのでクリーンルーム面積も
大きくしなければならずランニングコストも大きな問題
であった。

【０００７】従来のアクティブマトリックス素子基板の
ウェットエッチング処理装置において、基板がメートル
サイズ程度まで大きくなってくると、基板を水平に保持
したままの方式では、基板の周辺部の方がエッチング液
のいれかわり速度が速いために周辺部のエッチング速度
が速くなる。基板の中央部は、エッチング液が滞留して
しまいエッチング速度が遅くなり、不均一エッチング現
象をさけることができない。基板を水平に対して１０度
から１５度程度固定傾斜させた状態のまま、エッチング
液をスプレーしてエッチング液の滞留を防止する方法も
あるが、この場合には、図１４にあるように傾斜の上側
と下側でのエッチング速度が異なってくるためパターン
のエッジ部の断面形状に差が生じてしまう。

【０００８】従来のアクティブマトリックス素子基板の
ウェット処理後の基板の乾燥方法として、スピンドライ
方式が用いられているが、基板と基板ホルダーが回転を
はじめると空気の乱流のために排気口に、発生したミス
トがすいこまれにくくなる。ガラス基板が大型化すれば
するほど乱流の問題は大きくなり、発生したミストが基
板に再付着しやすくなり歩留りを大きく低下させる原因
となっていた。

【０００９】従来のプラズマアッシング装置で用いられ
ていた平行平板放電電極では基板が大型化してくると基
板の周辺と中央部でのアッシングレートに差が生じてく
る。アッシングレートを大きくするために反応ガス圧を
高くすると放電が平行平板電極のエッジ部分にのみかた
よってしまい使用できなくなってしまう。

【００１０】本発明は、これらの課題を解決する手段を
提供するもので、その目的とするところは、アクティブ
マトリックス型大型液晶表示装置の製造工場の投資効率
を高め、超大型液晶表示装置を安価に歩留り良く製造で
きる方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明では以下の手段を用いる。

【００１２】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記
基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置
の製造工程において、 〔手段１〕２層以上の異なる金属や合金を用いて、走査
線を形成する時に、透過光量を多段階に変調させたホト
マスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を
多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプラズマア
ッシング処理やプラズマエッチング処理を交互におこな
うことで走査線のエッジ部を階段状またはテーパー状に
加工する。

【００１３】〔手段２〕２層以上の異なる半導体層を用
いて、薄膜半導体素子のチャネル部分をパターン形成す
る時に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用
いて、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変
調し、プラズマエッチング処理とプラズマアッシング処
理を交互におこなうことで、薄膜半導体層のエッジ部を
階段状またはテーパー状に加工する。

【００１４】〔手段３〕２層以上の異なる金属や合金を
用いて、映像信号配線を形成する時に透過光量を多段階
に変調させたホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジスト
の現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング
処理やプラズマエッチング処理とプラズマアッシング処
理を交互におこなうことで、映像信号配線のエッジ部を
階段状または、テーパー状に加工する。

【００１５】〔手段４〕ガラス基板にパターンを形成す
る時の現像処理またはウェットエッチング処理または、
レジストはくり処理などの枚葉式ウェット処理装置に関
して、ガラス基板の進行方向とガラス基板の回転振動軸
方向を平行にして、ガラス基板を回転軸を中心に時計回
り、反時計回りに交互に回転揺動させる。

【００１６】〔手段５〕手段４に記載のガラス基板回転
揺動装置に関して、ガラス基板に現像液またはウェット
エッチング液またはレジストはくり液をふきつけるスプ
レーノズルもガラス基板と同様に回転揺動し、ガラス基
板に対して平行に配置されるようにした。

【００１７】〔手段６〕手段４，５に記載のガラス基板
回転揺動装置に関して、スプレーノズルをガラス基板の
進行移動方向と平行にいったりきたり往復揺動させる。

【００１８】〔手段７〕手段４，５に記載のガラス基板
回転揺動装置に関して、ガラス基板をガラス基板の進行
方向と平行にいったりきたり往復揺動させる。

【００１９】〔手段８〕手段４に記載のガラス基板回転
揺動装置に関して、ひとつのウェット処理槽から別のウ
ェット処理槽へ、ガラス基板が移動する時には、ガラス
基板は傾斜しておらず水平にたもたれた状態で移動させ
る。

【００２０】〔手段９〕ガラス基板をウェット処理して
から洗浄後、回転させて乾燥させる装置に関して、回転
するガラス基板ホルダーの下部に排気口の数の整数倍の
整流板を配置した。

【００２１】〔手段１０〕手段９に記載のガラス基板回
転乾燥装置に関して、排気口に設置された整流板とガラ
ス基板ホルダーの中間位置にフィンを排気口の数の整数
倍配置した。

【００２２】〔手段１１〕サセプターと前記サセプター
に水平に対向している放電電極から構成されるプラズマ
発生装置において、前記放電電極が複数の電極から構成
されており、それぞれの電極は、２本を１組として対を
なしており、２本の電極には、互いに極性の異なる高周
波電圧が印加され、サセプターに対して水平に帯状の放
電を生じさせた。

【００２３】〔手段１２〕手段１１に記載のプラズマ発
生装置に関して、２本を１組とした放電電極が複数組サ
セプターに水平に配置されており、それぞれ１対の電極
と１対の電極のあいだに穴またはスリットをもうけて、
ここから反応ガスを反応チェンバー内におくりこめるよ
うにした。

【００２４】〔手段１３〕少なくとも一方が透明な一対
の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる
液晶表示装置の製造工程において、２層以上の異なる金
属や合金を用いて共通電極を形成する時に、透過光量を
多段階に変調させたホトマスクを用いてポジ型ホトレジ
ストの現像後の膜厚を多段階に変調する。その後、ウェ
ットエッチング処理とプラズマ・アッシング処理を交互
におこなうことで、表示画素領域の共通電極部分を基板
に接触している下層の金属または合金だけのパターンと
して残す。

【００２５】〔手段１４〕少なくとも一方が透明な一対
の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる
液晶表示装置の製造工程において、２層以上の異なる金
属や合金を用いて映像信号配線と表示画素領域の液晶駆
動電極を形成する時に、透過光量を多段階に変調させた
ホトマスクを用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚
を多段階に変調する。その後ウェットエッチング処理と
プラズマ・アッシング処理を交互におこなうことで液晶
駆動電極部分を基板に接触している下層の金属または合
金だけのパターンとして残す。

【００２６】〔手段１５〕少なくとも一方が透明な一対
の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる
液晶表示装置の製造工程において、片側の基板にホトリ
ソグラフィーを用いてスペーサーを形成する時に、透過
光量を多段階に変調させたホトマスクを用いて、ポジ型
ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、スペー
サーのエッジ部をテーパー状または階段状に形成した。

【００２７】〔手段１６〕少なくとも一方が透明な一対
の基板と前記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる
液晶表示装置の製造工程において、片側の基板にホトリ
ソグラフィーを用いて垂直配向制御用突起物を形成する
時に透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用いて
ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、
垂直配向制御用突起物の断面形状を三角形または台形に
形成した。

【００２８】

【作用】手段１を用いることで従来ホトマスク工程が２
階必要であった大型液晶表示パネルの走査線形成プロセ
スが１回のホトマスク工程で実現できる。基板が小さい
場合には、透過光量変調ホトマスクを使用しないで酸素
プラズマアッシング方法を用いてホトレジストをアッシ
ングしてパターンを基板全面に均一に細くすることが可
能であるが、基板がメートルサイズほど大きくなってく
ると均一なアッシングがむずかしくなり加工精度の点で
問題が生じていた。手段１を用いることで現像後のポジ
レジストの膜厚の薄い領域は、ホトマスクの精度で決ま
るため、精度の高いアッシング処理が、メートルサイズ
の基板でも可能となる。これにより基板全面での走査線
のエッジ部の階段状加工の精度を高めることができ、ア
ルミ系金属を走査線に用いた時のサイドヒロックの発生
をおさえることができる。走査線の階段状加工やテーパ
ー加工によりゲート絶縁膜の静電気による破壊電圧を高
めることができるし、ゲート絶縁膜をかいして走査線と
交差している映像信号配線の断線も防止できる。手段１
を用いることで走査線の形成プロセスを短縮しても、歩
留りの低下は生じない。

【００２９】手段２を用いることでテーパー加工のむず
かしい薄膜半導体層のパターン加工も装置依存性がなく
なり基板全体を均一にテーパー加工できるようになる。
手段２は、テーパー加工のほかにステップ加工もやりや
すく基板がメーターサイズになっても精度良いステップ
加工が可能である。薄膜半導体層をテーパー加工した
り、ステップ加工したりすることで映像信号配線やドレ
イン電極の断線を防止することができ、大幅な歩留り向
上が可能となる。手段２を用いると薄膜半導体層のドラ
イエッチングガスに酸素を混入する割合を低下できるの
でエッチングチェンバー内でのパーティクル発生を低減
できる。これによりドライエッチング時のパターン加工
不良も低減する。

【００３０】手段３，手段１３，手段１４を用いること
で表示画素領域の凹凸をなめらかにしたり、平坦化でき
る。表示画素領域の共通電極や液晶駆動電極の膜厚をで
きるかぎり薄くすることで横電界液晶表示モードの液晶
配向処理がやりやすくなり配向不良の発生を大幅に低減
できる。従来は、配向不良の発生を低減することを優先
したためにホトマスク工程が増加しコスト上昇をさけら
れなかった。本発明の上記手段によりホトマスク工程を
削減しても配向不良の発生の増加は生じない。

【００３１】手段４，５，６，７，８を用いることでガ
ラス基板がメートルサイズになってもウェットエッチン
グ時の薬液の基板中央部での滞留問題が生じなくなり、
基板全面の均一エッチングが可能となった。ガラス基板
を固定傾斜させず回転揺動させることでパターンのエッ
ジ部の断面形状も均一化できエッチング加工精度を向上
できるようになった。上記手段を現像装置やレジストは
くり装置、基板洗浄装置に用いることで薬液の滞留問題
を同様に解決できるので歩留り向上と処理時間の短縮化
を実現できる。

【００３２】手段９，１０を用いることでスピンドライ
方式でガラス基板を乾燥させる時、基板ホルダーが回転
しても空気の乱流はおさえられスムーズに排気口にミス
トがすいこまれるようになる。基板が大型化すればする
ほどこの効果は大きくなり発生したミストの基板への再
付着が激減する。ミスト再付着が原因のパターン不良が
減少し歩留りが大幅に向上する。

【００３３】手段１１，１２を用いることで反応ガス圧
を高くしても放電が局所的に片よったりせずチェンバー
内全領域に帯状に広がるために均一なアッシングやエッ
チングが可能となる。従来の平行平板放電電極を用いた
プラズマ反応装置にくらべて、ガラス基板のプラズマイ
オンダメージを大幅に低減できるため放電パワーを大き
くして処理時間を短縮することができる。さらに基板が
メートルサイズまで大きくなると高周波放電の周波数が
高くなると電極の抵抗や容量が大きくなり放電の安定化
がむずかしくなるが、手段１１，１２を用いるとイオン
ダメージが発生しないために放電の周波数を大幅に低下
させることが可能となり放電電源回路が簡単でコストの
安いものとなり装置コストを低減できる。

【００３４】手段１３，１４を用いることで横電界液晶
駆動方式の液晶パネルをホトマスク工程３回で製作して
も液晶表示画素領域の凹凸を低減できるようになるの
で、ラビング処理時の不良発生を大幅に低減できる。走
査線や映像信号配線の端子接続部分に手段１３，１４を
用いることでＴＡＢ接続不良が発生してもリペアーしや
すくなるので実装歩留りを大幅に向上できる。

【００３５】手段１５を用いることで均一なゆるやかな
テーパー角がつけられるので、なめらかな配向処理がお
こなえる。液晶注入速度を大きくしてもスペーサーの移
動やアワの発生がなくなるので生産効率と歩留りを向上
できる。横電界液晶駆動方式の液晶パネルに手段１５を
用いると、スペーサー周辺の配向不良による光もれがな
くなるので明暗のコントラストが大幅に改善され、コン
トラストの均一性も向上するので画質がいちじるしく向
上する。液晶パネルにはげしい振動が長時間印加されて
もスペーサーの移動がまったく生じないのでバスや列車
の車内表示装置として用いても長期間画質の品質悪化が
生じない。このために液晶パネルの用途分野を拡大でき
る。

【００３６】手段１６を用いることで、垂直配向モード
の液晶分子の配向方向を安定してそろえることができ
る。垂直配向制御用突起物の突起幅を大幅に低減するこ
とが可能となるので突起物の上にスペーサービーズがは
さまりセルギャップ不良となることがなくなるので歩留
りも向上する。

【００３７】

【実施例】〔実施例１〕図１，図２，図３，図４は、本
発明で使用するホトマスクの断面図と平面図である。露
光の光が完全に透過しない部分と現像した時に未露光の
ホトレジストがわずかに残るように透過光量を変調した
部分から形成されており、図１，図３はホトマスク金属
材料を用いて作られている。マスクパターンの両側のエ
ッジ部分のＵＶ光線の透過光量を自由にコントロールで
きるパターンであればどのようなパターンでも良い。図
２，図４はＵＶ光線を必要な量だけ吸収できる半透過膜
を堆積したホトマスクに関するものである。半透過膜
の材質としてプラズマＣＶＤやスパッタリングによって
大面積に堆積可能のシリコン窒化膜やチタンやジルコニ
ウムやモリブデンなどの高融点金属シリサイド膜などが
使用されるが、ＵＶ光線の透過光量を調整できＵＶ光に
より変質変化しない膜であればどのような材質でもよ
い。図３，図４の透過光量調整ホトマスクを用いて露光
現像したポジ型レジストの断面図が図５である。図６
は、透過光量調整ホトマスクを用いて走査線を形成する
本発明のプロセスフローである。アルミニウム系合金ま
たは純アルミニウムと高融点金属または高融点金属の合
金の２層を堆積した後ポジ型レジストをコートする。図
３または、図４の透過光量調整ホトマスクを用いて露光
現像した後、ウェットエッチングを用いて２層の金属膜
をエッチングする。２層の金属膜が同じエッチング液で
溶解できる時には、２種類の金属間に局部電池反応が生
じ２種類の金属の界面部分で、異常にエッチ速度が速く
なる。このために２０００〜３０００オングストローム
の２層金属膜をエッチングすると界面部は４０００〜５
０００オングストローム以上エッチングされてしまいテ
ーパーエッチング形状が得られず界面部分では逆テーパ
ー形状になってしまう。ここで透過光量変調領域を１〜
２ミクロンの幅で走査線のパターンの両側に形成してお
くと１〜２ミクロンの幅で薄くポジ型レジストが残る。
光が完全に透過しない部分のレジストの膜厚の１／１０
〜１／４程度の膜厚が残るように透過光量を調整すると
よい。次にプラズマアッシング装置を用いて薄く現像さ
れた透過光量変調領域のポジレジストを完全にアッシン
グして除去した後、露出した上層金属をドライエッチン
グまたはウェットエッチングを用いて選択的にエッチン
グする。その後残ったポジ型ホトレジストをはくりして
走査線が完成する。

【００３８】〔実施例２〕図７は２層以上の異なる薄膜
半導体層を用いて、薄膜半導体素子のチャネル部分を形
成するプロセスフローである。ハロゲン系のエッチング
ガスを用いてアモルファスシリコン薄膜をドライエッチ
ングするとホトレジストと接触している部分のｎ^＋アモ
ルファスシリコンのエッジ領域のテーパー角はほぼ直角
になっている。このような加工形状のアモルファスシリ
コンに映像信号配線用の金属をスパッタリングにより堆
積するとステップカバレージが悪るいために断線しやす
くなる。図７では、まず薄膜半導体素子のチャネル部の
露光に透過光量変調ホトマスクを用いパターンの周辺エ
ッジ部分のポジ型ホトレジストの膜厚を薄く現像して残
す。次にハロゲン系のドライエッチングガスを用いて薄
膜半導体素子をエッチング形成する。次に酸素ガスや水
蒸気（Ｈ_２Ｏ）を用いてアッシング処理して透過光量変
調ホトマスク領域のポジレジストを除去する。次に再度
ハロゲン系のエッチングガスを用いて薄膜半導体層の膜
厚の１／４〜１／２程度をドライエッチングした後ポジ
レジストを除去する。この工程によりエッジ部の形状を
階段状に加工できるので、映像信号配線の断線が激減す
る。

【００３９】〔実施例３〕図８は、３層以上の異なる薄
膜半導体層と金属薄膜層を用いて、横電界方式液晶モー
ドの映像信号配線と液晶駆動電極を形成する時のプロセ
スフローである。透過光量変調ホトマスクを用いパター
ンの周辺部分のポジ型ホトレジストの膜厚を薄く現像し
て残す。次にウェットエッチングにより金属薄膜層をエ
ッチングした後、ハロゲン系のガスを用いて２層の薄膜
半導体層をドライエッチングする。ポジレジストの薄い
部分を完全に除去するためにプラズマアッシング処理を
してから、再度露出した金属薄膜層をウェットエッチン
グする。以上のプロセスにより配線パターンのエッジ部
の形状を階段状に加工できる。このプロセスによりプラ
ズマシリコン窒化膜のパッシベーション膜を堆積しても
良好なカバレージ状態が実現でき、液晶セル工程で良好
なラビング処理をおこなえる。配向膜ハガレなどが生じ
にくくなるので歩留りが向上する。

【００４０】〔実施例４〕図９，図３２は２層以上の異
なる金属薄膜層を用いて、映像信号配線を形成するプロ
セスフローの断面図である。下層バリヤー金属膜にクロ
ムまたはチタンまたはモリブデン系合金（ＭｏＴａまた
はＭｏＴｉまたはＭｏＷなどのモリブデンと高融点金属
の合金）または、高融点金属のシリサイド化合物（Ｍｏ
ＳｉまたはＴｉＳｉなど）を用い、上層信号配線金属膜
にアルミニウムまたはアルミニウム系合金（ＡｌＴｉま
たはＡｌＴａまたはＡｌＮｄなど）を用いる。透過光量
変調ホトマスクを用いパターンの周辺エッジ部分のポジ
型ホトレジストの膜厚を薄く現像して残す。ウェットエ
ッチングにより上層金属膜▲１３▼をエッチングした後
下層金属膜▲１４▼を別の選択性のあるウェットエッチ
ング液やフッ素系ガスを用いたドライエッチングによっ
てエッチングする。次にポジレジストの薄い部分を完全
に除去するためにプラズマアッシング処理をした後再度
露出した上層金属層をスプレーエッチング法を用いてハ
ーフエッチングする。この工程によりエッジ部の形状を
階段状に加工できる。このプロセスによりプラズマシリ
コン窒化膜をパッシベーション膜として、この映像信号
配線の上に堆積しても良好なカバレージ状態が実現でき
る。

【００４１】〔実施例５〕図１０，図１１，図１２，図
１３は、本発明のガラス基板回転揺動ウェット処理装置
の動作断面図である。図１０，図１１は、スプレーノズ
ルは固定か、またはガラス基板進行方向に平行に揺動す
るようになっている。ガラス基板の進行方向とガラス基
板の回転揺動軸方向を平行にして、ガラス基板は、回転
軸を中心に時計回り、反時計回りと交互に回転揺動をく
りかえす構造となっている。回転角Ｑは±３度〜±２０
度程度が最適であるが、この角度より小さくても大きく
ても効果は同じである。図１２，図１３は、ガラス基板
だけでなくスプレーノズルも、ガラス基板と同様に回転
揺動機構を取りいれている。ガラス基板とスプレーノズ
ルは平行である。従来の固定傾斜エッチング方法で発生
していたサイドエッチング形状の問題は、図１４にある
ようにサイドエッヂ部のテーパー角度に大きな差が生じ
るものである。ガラス基板を固定傾斜した状態でのウェ
ットエッチングではこの現象をさけることはできない
が、本発明のようにガラス基板を時計回り、反時計回り
と交互に回転揺動させることでレジストパターンのサイ
ドエッヂ部のテーパー角度を同じ状態にそろえることが
可能となる。本発明によれば重力による液流がガラス基
板上に生じ、ガラス基板上の液滞留がなくなり、液置換
性能が大幅に向上する。これによりガラス基板がメート
ルサイズまで大型化しても均一なウェット処理が可能と
なる。ひとつのウェット処理室からべつのウェット処理
室へ、ガラス基板が移動する時は傾斜させたままでもよ
いが、ガラス基板を水平にもどして水平搬送した方が、
搬送トラブルが少なくなり、搬送速度を速めることがで
きる。回転揺動時に基板回転方向と平行にガラス基板を
往復揺動させたり、スプレーノズルを往復揺動させるこ
とでウェット処理の均一性をさらに向上することが可能
である。

【００４２】〔実施例６〕図１５，図１６，図１７，図
１８は、本発明のウェット処理後の基板回転乾燥装置の
内部の平面図である。回転乾燥装置の排気口は４個設置
してあるが、５個でも６個でも良い。図１９，図２０に
あるような排気口に接続する気流整流板を排気口の数と
同じ数設置した図が図１５，図１６である。図１７，図
１８は、さらに補助気流整流板を排気口の数だけ増加設
置した平面図である。ガラス基板とガラス基板ホルダー
が回転すると、これらの整流板により装置内部の大気の
乱流がおさえられ効率よく排気口から装置内部の大気が
排出される。基板ホルダーとガラス基板の回転によりガ
ラス基板よりふきとばされた液体が装置の壁にあたりく
だけちることによる発生するミストは、本発明の整流板
により効率よく排気口から排出されるため、ガラス基板
へのミストの再付着は大幅に減少する。本発明の場合装
置の上から見てガラス基板の回転方向は時計回りである
が、反時計回りの場合には、図１５，図１６図１７，図
１８の図のミラー反転した構造を用いれば良い。整流板
の数は排気口の数の整数倍あれば良いが、排気口の数が
多い場合には排気口の数より少なくても良い。

【００４３】〔実施例７〕図２１，図２２，図２３は、
実施例６にある整流板と排気口の上部に設置されたフィ
ンの配置の平面図と回転乾燥装置の断面図である。排気
口の数の整数倍のフィンと整流板を本発明の図２１，図
２２のように配置することで、基板と基板ホルダーが回
転している時の排気口能力を最大に向上することが可能
となる。フィンの角度は１０度から４５度の範囲の内で
最適な角度に調整すれば良い。本発明のフィンと整流板
の組み合せにより基板回転時に発生するミストの数を大
幅に激減できる。図１７，図１８にあるように整流板と
補助整流板にフィンを組み合せることでメートルサイズ
の基板でもミストの発生を激減できる。

【００４４】〔実施例８〕図２５，図２６，図２７，図
２８，図２９，図３０，図３１は、本発明のプラズマ発
生装置の平面図と断面図である。棒状放電電極は、丸棒
でも四角棒でも三角棒でも良い。抵抗の低いアルミニウ
ムを陽極酸化表面処理したものや石英ガラス管やアルミ
ナセラミックス管の内部に銅の棒を封止したものを電極
として用いるとよい。２本の電極を一対とした構造が基
本電極となりプラズマ発生チェンバー内部に複数の対を
なした電極がサセプターに対して平行に配置されてい
る。対を形成する２本の電極には高周波電圧が印加され
サセプターに対して水平に帯状の放電が生じる。図２
６，図２７にあるように対をなす電極と電極のすきまか
ら反応ガスをチェンバー内部に放出することで反応ガス
放出口付近での異常放電を防止することができる。特に
放電ガス圧が高い場合でも本発明の電極構造と反応ガス
放出口の配置を採用すれば異常放電を防止できる。本発
明の放電電極構造により印加電圧の周波数を低下させて
もガラス基板のイオンダメージは発生しないので放電電
源回路も安く作ることができる。図２８のように垂直に
電極を配置することで細い電極を用いることが可能とな
る。図２９，図３０のように電極を複数の群に分離し、
それぞれに別々の放電電源回路をつなくことで大面積の
ガラス基板でも均一にプラズマ処理できるように調整が
可能である。図３１のようにマグネットを放電電極の背
後に配置して往復運動させることで放電ガス圧の非常に
低い領域でも、大面積のガラス基板を均一にプラズマ処
理することが可能である。可動マグネットは、２極のも
のでも３極のものでもどちらでも良い。本発明では、２
本で１組の電極を形成しているが、３本で１組の電極を
形成し、３相の高周波電圧を印加しても良い。

【００４５】〔実施例９〕図３３，図３４は、本発明の
第９番目の実施例である。本発明は横電界方式液晶モー
ドの走査線▲１５▼と共通電極▲１６▼と画素共通電極
▲１７▼を１回のホトマスク工程を用いて形成するプロ
セスに関するものである。下層金属膜にクロムまたはチ
タンまたはモリブデン系合金（ＭｏＴａまたはＭｏＴｉ
または、ＭｏＷなど）または、高融点金属のシリサイド
化合物（ＭｏＳｉまたはＴｉＳｉなど）を用い、上層金
属に銅または銅系の合金またはアルミニウム系合金（Ａ
ｌＴｉまたはＡｌＴａまたはＡｌＮｄなど）を用いる。
透過光量変調ホトマスクを用い実施例４と同じようにし
て走査線▲１５▼と共通電極▲１６▲を形成する。ここ
で画素共通電極▲１７▼はホトマスクの光量変調領域で
ポジレジストのレジスト膜厚の薄い部分で形成する。実
施例４でハーフエッチングした露出した上層金属を完全
にエッチングしてしまうのが図３３のプロセスフロー図
である。本発明を用いれば、画素共通電極▲１７▼は、
下層金属だけで形成されるため薄くできる。横電界方式
液晶モードの配向処理が非常にやりやすくなり配向不良
が生じなくなる。

【００４６】〔実施例１０〕図３３，図３５，図３７は
本発明の第１０番目の実施例である。本発明は、ＴＮ液
晶モードや垂直配向液晶モードの映像信号配線▲１８▼
と映像信号配線端子部▲２２▼とドレイン電極▲１９▼
を１回のホトマスク工程を用いて形成するプロセスに関
するものである。下層金属にクロムの単層膜またはクロ
ムとチタンの２層膜またはクロムとモリブデンの２層膜
またはクロムと高融点金属のシリサイド化合物の２層膜
を用い、上層金属に銅または銅系の合金またはアルミニ
ウムまたはアルミニウム系合金（ＡｌＴｉまたはＡｌＴ
ａまたはＡｌＮｄなど）を用いる。透過光量変調ホトマ
スクを用い実施例４と同じようにして映像信号配線▲１
８▼とドレイン電極▲１９▼を形成する。ここでドレイ
ン電極と透明画素電極をコンタクトさせるためのコンタ
クトホール▲２０▼を形成する部分に下層金属だけから
なるドレインを形成すること、および映像信号配線端子
部▲２２▼と端子部の透明電極層とをコンタクトさせる
ためのコンタクトホール▲２３▼を形成する部分に下層
金属だけからなる映像信号配線端子部を形成するプロセ
スフローが図３３である。ドレイン電極のコンタクト領
域と映像信号配線の端子部は、ホトマスク光量変調領域
を用いて、ポジレジストのレジスト膜厚の薄い部分で形
成される。アッシングして露出した上層金属を完全にエ
ッチングして除去してしまう。残った下層金属の上にパ
ッシベーションプラズマ窒化膜を堆積した後ドライエッ
チングによりコンタクトホールをあけて透明電極材料を
スパッタリングして下層金属と透明電極材料とをコンタ
クトさせる。上層金属がコンタクトホールの領域に残る
と、コンタクト不良や透明電極材料の膜はがれが生じる
こともあるので、コンタクトホール領域の上層金属は完
全に除去しなければならない。

【００４７】〔実施例１１〕図３３，図３６は、本発明
の第１１番目の実施例である。本発明は横電界方式液晶
モードの映像信号配線▲１８▼とドレイン電極▲１９▼
と液晶駆動用金属電極▲２１▼を１回のホトマスク工程
を用いて形成するプロセスに関するものである。使用す
る金属材料とプロセスは実施例９とまったく同じもので
ある。液晶駆動用金属電極▲２１▼は、ホトマスクの光
量変調領域でポジレジストのレジスト膜厚の薄い部分で
形成する。アッシングにより露出した上層金属を完全に
エッチングして除去してしまうことで液晶駆動電極▲２
１▼は、下層金属だけとなる。実施例９と本実施例の２
つを用いて画素共通電極▲１７▼と液晶駆動電極▲２１
▼を下層金属だけで形成することで画素領域の凹凸が小
さくなり配向処理が非常にやりやすくなり、安定した配
向が得られるため表示ムラが激減する。

【００４８】〔実施例１２〕図３８，図３９は、本発明
の第１２番目の実施例であり、ポジ型ホトレジストを用
いたホトリソスペーサーに関するものである。図３８
は、ホトリソスペーサーを形成するための透過光量変調
ホトマスクの平面図であり、図３９は、このホトマスク
を用いて形成したホトリソスペーサーの断面図である。
アクティブマトリックス型液晶パネル用カラーフィルタ
ーのブラックマスクの部分にポジ型ホトレジストを用い
てホトリソスペーサーを形成する。ホトリソスペーサー
の大きさは１０〜２０ミクロンメートル程度の円形のも
のか四角形のものが用いられる。ここでは円形のものを
形成するための透過光量変調ホトマスクの例を２つあげ
ておく。現像後のパターンのテーパー角度ができるだけ
小さくなるようにスペーサーの大きさを考えたうえで透
過光量変調ホトマスクを作る。横電界方式液晶モードの
液晶パネルに用いた場合、スペーサービースの周辺から
の光ぬけが完全になくなるために黒レベルが、改善さ
れ、大幅なコントラストの向上と、黒レベルの画面均一
性が得られる。本発明の透過光量変調ホトマスクを用い
たポジ型ホトレジストスペーサーはカラーフィルター側
でなくＴＦＴ基板側に形成しても良い。本発明の実施例
１２で用いられる透過光量変調ホトマスクは、図１にあ
るような、ホトマスク金属材料だけを用いてパターン形
状によりＵＶ光線の透過光量を調整する方法を用いて製
作すると良い。ホトリソスペーサーを階段状形状に加工
しても良い。

【００４９】〔実施例１３〕図４２，図４３は、本発明
の第１３番目の実施例であり、ポジ型ホトレジストを用
いたマルチドメイン垂直配向コントロール用突起パター
ン形成に関するものである。図４２は４ドメイン用透過
光量変調ホトマスクの平面図である。図４３はマルチド
メイン垂直配向コントロール用突起パターンの断面形状
図である。突起の高さは０．５〜２．０ミクロンメート
ル程度で突起物の底辺の幅は３〜１０ミクロンメートル
のものが用いられる。突起物と突起物のスペーサーは３
０ミクロン以上が良い。透過光量変調ホトマスクを用い
ることで突起物の頂点の幅を１ミクロンメートル程度ま
で細くでき、さらにテーパー形状の角度を調整すること
が可能となる。カラーフィルター側基板に本発明の突起
物を形成し、ＴＦＴ基板側の突起物に対応するＩＴＯ画
素電極部分をエッチングして細いスリットをもうけるこ
とで、安定した４ドメイン垂直配向液晶パネルを生産で
きる。本発明の実施例１３で用いられる透過光量変調ホ
トマスクは、図１にあるような、ホトマスク金属材料だ
けを用いて、パターンの形状によりＵＶ光線の透過光量
を調整する方法を用いて製作するとよい。

【００５０】

【発明の効果】透過光量変調ホトマスクを用いること
で、大型アクティブマトリックス結晶パネルの走査線形
成プロセスと映像信号配線形成プロセスを、それぞれホ
トマスク２回から１回にへらすことができる。透過光量
変調ホトマスク技術を薄膜半導体膜の加工や、ホトリソ
スペーサー形成工程、マルチドメイン垂直配向制御用突
起形成工程で用いることで大型基板全領域に均一なテー
パー加工や階段形状加工が可能となる。このことより映
像信号配線の断線を激減でき、液晶分子の安定した配向
を再現性良く実現できる。表示ムラの発生もおさえるこ
とができ歩留りを向上できる。生産工程の短縮により生
産性の向上、初期投資効率の改善、生産工場のランニン
グコストの低減などが実現でき、大型液晶パネルの価格
を低減できる。

【００５１】本発明の回転揺動型ウェット処理装置や、
回転乾燥装置、帯状プラズマ発生装置を液晶パネルの生
産に用いれば、メートルサイズの大型基板でも均一なウ
ェット処理、均一で、基板にダメージのないプラズマ処
理、パターン不良の発生しない良好な基板乾燥などが実
現できる。これらの装置により３０インチ以上の大型液
晶パネルの多面取り工程が実現し、製造コストを大幅に
低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透過光量調整ホトマスクの断面図

【図２】本発明の透過光量調整ホトマスクの断面図

【図３】本発明の透過光量調整ホトマスクの平面図

【図４】本発明の透過光量調整ホトマスクの平面図

【図５】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いて露光
・現像処理したポジ型レジストの断面図

【図６】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた走査
線のプロセスフロー

【図７】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた薄膜
半導体層の加工プロセスフロー

【図８】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた金属
膜付薄膜半導体層の加工プロセスフロー

【図９】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた多層
金属膜配線の加工プロセスフロー

【図１０】本発明の基板回転振動型ウェット処理装置の
断面図

【図１１】本発明の基板回転振動型ウェット処理装置の
断面図

【図１２】本発明の基板とスプレーノズルが回転振動す
るウェット処理装置の断面図

【図１３】本発明の基板とスプレーノズルが回転振動す
るウェット処理装置の断面図

【図１４】従来の基板傾斜角固定型ウェット処理装置を
用いた金属配線の加工断面図

【図１５】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板の配置図

【図１６】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板の配置図

【図１７】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板の配置図

【図１８】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板の配置図

【図１９】本発明の整流板

【図２０】本発明の整流板

【図２１】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板とフィンの配置図

【図２２】本発明のガラス基板回転乾燥機の排気口と整
流板とフィンの配置図

【図２３】本発明のガラス基板回転乾燥機の断面図

【図２４】従来の横電界放電電極の平面図

【図２５】本発明の対をなす横電界放電電極の平面図

【図２６】本発明の横電界方式プラズマ発生装置の断面
図

【図２７】本発明の横電界方式プラズマ発生装置の断面
図

【図２８】本発明の縦型横電界方式プラズマ発生装置の
断面図

【図２９】本発明の複数の電極群に分割した横電界方式
プラズマ発生装置の平面図

【図３０】本発明の１対の電極ごとに分割した横電界方
式プラズマ発生装置の平面図

【図３１】本発明の磁場を走査できる横電界方式プラズ
マ発生装置の平面図

【図３２】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた多
層金属膜配線の加工プロセスフロー

【図３３】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた多
層金属膜配線の加工プロセスフロー

【図３４】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた横
電界方式液晶モード用の走査線と画素共通電極の平面図

【図３５】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた映
像信号配線とドレイン電極の平面図

【図３６】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた横
電界方式液晶モード用の映像信号配線と液晶駆動電極の
平面図

【図３７】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた映
像信号配線の端子部の平面図

【図３８】本発明のホトリソスペーサーを形成するため
の透過光量調整ホトマスクの平面図

【図３９】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いたホ
トリソスペーサーの断面図

【図４０】従来の走査線の断面図

【図４１】従来の平行平板放電電極を用いたプラズマ発
生装置の断面図

【図４２】本発明の垂直配向制御用突起物を形成するた
めの透過光量調整ホトマスクの平面図

【図４３】本発明の透過光量調整ホトマスクを用いた垂
直配向制御用ポジ型ホトレジスト突起物の断面図

【符号の説明】

１…ホトマスク用石英硝子基板 ２…ホトマスク金属膜 ３…透過光量変調領域（半透過領域） ４…透過光量変調膜（半透過膜） ５…ＵＶ露光完全遮断領域のポジレジスト現像後の膜厚 ６…ＵＶ露光半透過領域のポジレジスト現像後の膜厚 ７…ハーフトーン露光法を用いた現像後のポジレジスト ８…上層金属膜 ９…基板側下層金属膜 １０…リンをドープしたｎ^＋半導体層 １１…薄膜半導体層（ノンドープ層） １２…映像信号配線用金属膜 １３…上層信号配線金属膜 １４…下層バリヤー金属膜 １５…走査線（ゲート電極） １６…共通電極 １７…画素共通電極 １８…映像信号配線 １９…ドレイン電極 ２０…液晶駆動電極（ＩＴＯ）コンタクトホール ２１…液晶駆動用金属電極 ２２…映像信号配線端子部 ２３…映像信号配線端子部コンタクトホール ２４…テーパー加工されたポジ型ホトレジスト・スペー
サー ２５…固定されたスプレーノズル ２６…薬液（エッチング液または洗浄液）スプレー ２７…ガラス基板 ２８…ガラス基板搬送用コロ ２９…回転傾斜揺動スプレーノズル ３０…配線用金属膜 ３１…スピンナーカップ ３２…排気口 ３３…排気口接続整流板 ３４…補助整流板 ３５…フィン ３６…回転基板ホルダー ３７…モーター ３８…棒状放電電極 ３９…対になった棒状放電電極 ４０…高周波電源 ４１…反応ガス放出口 ４２…サセプターに垂直方向に対を形成した棒状放電電
極 ４３…サセプターに水平方向に対を形成した棒状放電電
極 ４４…サセプター ４５…反応ガス導入口 ４６…マグネット ４７…平行平板放電電極 ４８…テーパー加工された垂直配向制御用ポジ型ホトレ
ジスト突起物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ ５Ｆ０３３ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ ５Ｆ１１０ 21/3213 21/88 Ｃ 29/786 29/78 ６１２Ｄ 21/336 ６１６Ｔ ６１７Ｋ ６１８Ｃ Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA24 FA30 HA01 HA02 MA20 2H089 LA10 NA14 QA12 TA01 TA02 TA09 2H092 GA24 GA26 GA32 GA33 GA51 JA28 JA29 JA34 JB22 JB31 KB24 MA08 MA14 MA18 MA19 MA35 NA27 NA29 PA03 PA08 5C094 AA03 AA42 AA43 AA44 AA46 AA55 BA03 BA43 CA19 DA13 EA04 EA05 EA07 EB02 EC03 FA01 FA02 GB10 5F004 AA02 AA16 BA06 BB13 BD01 CA05 CA09 EA10 EA28 EA40 5F033 GG04 HH04 HH07 HH08 HH09 HH11 HH12 HH17 HH18 HH20 HH22 HH27 HH29 MM05 MM08 MM17 MM19 MM20 QQ01 QQ08 QQ10 QQ12 QQ19 QQ21 XX33 XX34 5F110 AA16 AA26 BB01 CC01 DD02 EE02 EE05 EE06 EE14 GG02 GG15 HK09 HK25 HL02 HL03 HL04 HL05 HL06 HL11 HM02 HM03 HM18 NN02 NN24 NN72 QQ01

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記
   基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置
   の製造工程において２層以上の異なる金属や合金を用い
   て、走査線を形成する時に、透過光量を多段階に変調さ
   せたホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像後
   の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処理とプ
   ラズマアッシング処理やプラズマエッチング処理を交互
   におこなうことで走査線のエッジ部を階段状またはテー
   パー状に加工することを特徴とする製造方法
2. 【請求項２】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記
   基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置
   の製造工程おいて２層以上の異なる半導体層を用いて、
   薄膜半導体素子のチャネル部分をパターン形成する時
   に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを用い
   て、ポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変調
   し、プラズマエッチング処理とプラズマアッシング処理
   を交互におこなうことで、薄膜半導体層のエッジ部を階
   段状またはテーパー状に加工することを特徴とする製造
   方法。
3. 【請求項３】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記
   基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置
   の製造工程において２層以上の異なる金属や合金を用い
   て、映像信号配線を形成する時に、透過光量を多段階に
   変調させたホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの
   現像後の膜厚を多段階に変調し、ウェットエッチング処
   理やプラズマエッチング処理とプラズマアッシング処理
   を交互におこなうことで映像信号配線のエッジ部を階段
   状または、テーパー状に加工することを特徴とする製造
   方法。
4. 【請求項４】請求項１または請求項２または請求項３の
   製造方法を用いることによって作られるアクティブマト
   リックス液晶表示装置。
5. 【請求項５】少なくとも一方が透明な一対の基板と前記
   基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装置
   の製造工程において、ガラス基板にパターンを形成する
   時の現像処理または、ウェットエッチング処理またはレ
   ジストはくり処理などの枚葉式ウェット処理工程で、ガ
   ラス基板の進行方向とガラス基板の回転揺動軸方向を平
   行にして、ガラス基板を回転軸を中心に時計回り、反時
   計回りに交互に回転揺動させながらウェット処理するこ
   とを特徴とする液晶パネル製造装
6. 【請求項６】請求項５に記載のガラス基板回転揺動装置
   に関して、ガラス基板の回転角度を水平に対して±３度
   から±３０度の範囲内としたことを特徴とする液晶パネ
   ル製造装置。
7. 【請求項７】請求項５に記載のガラス基板回転揺動装置
   に関して、ガラス基板に現像液またはウェットエッチン
   グ液またはレジストはくり液をふきつけるスプレーノズ
   ルもガラス基板と同様に回転揺動し、ガラス基板に対し
   て平行に配置されていることを特徴とする液晶パネル製
   造装置。
8. 【請求項８】請求項７に記載のガラス基板回転揺動装置
   に関して、スプレーノズルをガラス基板の進行移動方向
   と平行にいったりきたり往復揺動させることを特徴とす
   る液晶パネル製造装置。
9. 【請求項９】請求項７に記載のガラス基板回転揺動装置
   に関して、ガラス基板をガラス基板の進行移動方向と平
   行にいったりきたり往復揺動させることを特徴とする液
   晶パネル製造装置。
10. 【請求項１０】請求項５に記載のガラス基板回転揺動装
    置に関して、ひとつのウェット処理槽から別のウェット
    処理槽へ、ガラス基板が移動する時には、ガラス基板
    は、傾斜しておらず水平にたもたれた状態で移動するこ
    とを特徴とする液晶パネル製造装置。
11. 【請求項１１】ガラス基板をウェット処理してから洗浄
    後、回転させて乾燥させる装置に関して、回転するガラ
    ス基板ホルダーの下部に、排気口の数の整数倍の整流板
    を配置したことを特徴とする回転乾燥装置。
12. 【請求項１２】請求項１１に記載のガラス基板回転乾燥
    装置に関して、排気口に設置された整流板とガラス基板
    ホルダーの中間位置にフィンを排気口の数の整数倍配置
    したことを特徴とする回転乾燥装置。
13. 【請求項１３】サセプターと前記サセプターに水平に対
    向している放電電極から構成されるプラズマ発生装置に
    おいて、前記放電電極が複数の電極から構成されてお
    り、それぞれの電極は２本を１組として対をなしてお
    り、２本の電極には、互いに極性の異なる高周波電圧が
    印加され、サセプターに対して水平に帯状の放電が生じ
    ることを特徴とするプラズマ発生装置。
14. 【請求項１４】請求項１３に記載のプラズマ発生装置に
    関して、２本を１組とした放電電極が複数組サセプター
    に水平に配置されており、それぞれ１対の電極と１対の
    電極のあいだに穴または、スリットをもうけて、ここか
    ら反応ガスを反応チェンバー内におくりこむ構造を特徴
    とするプラズマ発生装置。
15. 【請求項１５】少なくとも一方が透明な一対の基板と前
    記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装
    置の製造工程において２層以上の異なる金属や合金を用
    いて共通電極を形成する時に、透過光量を多段階に変調
    させたホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジストの現像
    後の膜厚を多段階に変調する。その後ウェットエッチン
    グ処理とプラズマ・アッシング処理を交互におこなうこ
    とで、表示画素領域の共通電極部分を、基板に接触して
    いる下層の金属または合金だけのパターンとして残すこ
    とを特徴とする製造方法
16. 【請求項１６】少なくとも一方が透明な一対の基板と前
    記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装
    置の製造工程において２層以上の異なる金属や合金を用
    いて映像信号配線と表示画素領域の液晶駆動電極を形成
    する時に、透過光量を多段階に変調させたホトマスクを
    用いてポジ型ホトレジストの現像後の膜厚を多段階に変
    調する。その後ウェットエッチング処理とプラズマ・ア
    ッシング処理を交互におこなうことで液晶駆動電極部分
    を基板に接触している下層の金属または合金だけのパタ
    ーンとして残すことを特徴とする製造方法。
17. 【請求項１７】少なくとも一方が透明な一対の基板と前
    記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装
    置の製造工程において片側の基板にホトリソグラフィー
    を用いてスペーサーを形成する時に、透過光量を多段階
    に変調させたホトマスクを用いて、ポジ型ホトレジスト
    の現像後の膜厚を多段階に変調し、スペーサーのエッジ
    部をテーパー状または階段状に形成することを特徴とす
    る製造方法
18. 【請求項１８】少なくとも一方が透明な一対の基板と前
    記基板間にはさまれた液晶組成物層からなる液晶表示装
    置の製造工程において片側の基板にホトリソグラフィー
    を用いて垂直配向制御用突起物を形成する時に透過光量
    を多段階に変調させたホトマスクを用いて、ポジ型ホト
    レジストの現像後の膜厚を多段階に変調し、垂直配向制
    御用突起物の断面形状を三角形または台形の形状に形成
    することを特徴とする製造方法。
19. 【請求項１９】請求項１５または請求項１６または請求
    項１７または請求項１８の製造方法を用いることによっ
    て作られるアクティブマトリックス型液晶表示装置