JP2001210615A - 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 - Google Patents
電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置Info
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- JP2001210615A JP2001210615A JP2000019133A JP2000019133A JP2001210615A JP 2001210615 A JP2001210615 A JP 2001210615A JP 2000019133 A JP2000019133 A JP 2000019133A JP 2000019133 A JP2000019133 A JP 2000019133A JP 2001210615 A JP2001210615 A JP 2001210615A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングの程度を均一化することにより、
エッチングにより形成されるパターン幅の均一性を著し
く改善する。 【解決手段】 エッチング対象材料である基板の表面濡
れ性を向上させるために、エッチング液を塗布する前
に、基板を回転させながらエッチング対象の基板上に水
を塗布する（Ｓ１）。次に、ステップＳ１で塗布した基
板表面の水が乾燥しないように、薬液供給ノズルからエ
ッチング用の薬液塗布を行う（Ｓ２）。その後、基板を
リンス（洗浄）する（Ｓ３）とともに、基板を乾燥する
（Ｓ４）。
エッチングにより形成されるパターン幅の均一性を著し
く改善する。 【解決手段】 エッチング対象材料である基板の表面濡
れ性を向上させるために、エッチング液を塗布する前
に、基板を回転させながらエッチング対象の基板上に水
を塗布する（Ｓ１）。次に、ステップＳ１で塗布した基
板表面の水が乾燥しないように、薬液供給ノズルからエ
ッチング用の薬液塗布を行う（Ｓ２）。その後、基板を
リンス（洗浄）する（Ｓ３）とともに、基板を乾燥する
（Ｓ４）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電気光学装置の
製造方法および電気光学装置の製造装置に関する。特
に、エッチング工程の改良に関する。
製造方法および電気光学装置の製造装置に関する。特
に、エッチング工程の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学装置の製造に用いられる装置と
して、枚葉式ウエットエッチング装置が知られている。
枚葉式ウエットエッチング装置を用いてエッチングする
ときは、まず、回転板の表面に半導体ウエハー（基板）
を載置し、上方に設けた薬液ノズルから基板上にエッチ
ング液を滴下しまたは吹き付けながら回転させる。この
とき基板及び回転板を所定の回転数で回転させる。これ
によりエッチングが行われる。
して、枚葉式ウエットエッチング装置が知られている。
枚葉式ウエットエッチング装置を用いてエッチングする
ときは、まず、回転板の表面に半導体ウエハー（基板）
を載置し、上方に設けた薬液ノズルから基板上にエッチ
ング液を滴下しまたは吹き付けながら回転させる。この
とき基板及び回転板を所定の回転数で回転させる。これ
によりエッチングが行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電気光学素子として液
晶表示装置が知られている。液晶表示装置には、プロジ
ェクタのライトバルブとして使用するものがあるが、こ
のＴＦＴ液晶基板において表示ムラの発生が観測され
た。この表示ムラは特に特徴がなく、発生するチップ位
置、ムラの方向性などに傾向は見つからなかった。ＴＦ
Ｔ基板の完成段階においてマクロ観察でムラが確認され
ていた。
晶表示装置が知られている。液晶表示装置には、プロジ
ェクタのライトバルブとして使用するものがあるが、こ
のＴＦＴ液晶基板において表示ムラの発生が観測され
た。この表示ムラは特に特徴がなく、発生するチップ位
置、ムラの方向性などに傾向は見つからなかった。ＴＦ
Ｔ基板の完成段階においてマクロ観察でムラが確認され
ていた。
【０００４】原因究明のために表示ムラの発生工程を追
いかけると、アルミニウム（Ａｌ）エッチング時のフッ
酸エッチング処理工程から発生していることがわかっ
た。この工程において、何らかの理由でＡｌ配線を微妙
に不均一にエッチングしていると考えられる。配線幅を
計っても規格内に収まる程度であり、ごくわずかの不均
一しか認められなかった。
いかけると、アルミニウム（Ａｌ）エッチング時のフッ
酸エッチング処理工程から発生していることがわかっ
た。この工程において、何らかの理由でＡｌ配線を微妙
に不均一にエッチングしていると考えられる。配線幅を
計っても規格内に収まる程度であり、ごくわずかの不均
一しか認められなかった。
【０００５】このようなごくわずかの不均一、すなわち
Ａｌ配線幅のごくわずかなばらつきは、従来はあまり問
題にならなかった。しかし、プロジェクタのライトバル
ブ用の液晶表示装置においてこのような微妙な不均一が
生じると、画像が拡大投影されるためにこの不均一が拡
大表示され、肉眼で識別できるようになる。したがっ
て、高品位の液晶表示装置においては、係る微妙な不均
一を除去する必要がある。また、通常の表示装置として
用いられる液晶表示装置においても、今後品質が向上し
さらに解像度が高まると、やはり係る微妙な不均一を除
去する必要があると考えられる。そのためには従来にな
い製造方法及び製造装置を新たに開発する必要がある。
Ａｌ配線幅のごくわずかなばらつきは、従来はあまり問
題にならなかった。しかし、プロジェクタのライトバル
ブ用の液晶表示装置においてこのような微妙な不均一が
生じると、画像が拡大投影されるためにこの不均一が拡
大表示され、肉眼で識別できるようになる。したがっ
て、高品位の液晶表示装置においては、係る微妙な不均
一を除去する必要がある。また、通常の表示装置として
用いられる液晶表示装置においても、今後品質が向上し
さらに解像度が高まると、やはり係る微妙な不均一を除
去する必要があると考えられる。そのためには従来にな
い製造方法及び製造装置を新たに開発する必要がある。
【０００６】この発明は係る課題を解決するためになさ
れたもので、エッチングの程度を均一化することによ
り、エッチングにより形成されるパターン幅の均一性を
著しく改善することができる電気光学装置の製造方法お
よび電気光学装置の製造装置を提供することを目的とす
る。
れたもので、エッチングの程度を均一化することによ
り、エッチングにより形成されるパターン幅の均一性を
著しく改善することができる電気光学装置の製造方法お
よび電気光学装置の製造装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】係る課題を解決するため
に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学
装置を製造するためのエッチング処理方法であって、表
面濡れ性が改善するように基板に水を塗布する水塗布工
程と、前記水塗布工程で塗布した基板表面の水が乾燥し
ないうちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を
行う薬液塗布工程とを備える。
に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学
装置を製造するためのエッチング処理方法であって、表
面濡れ性が改善するように基板に水を塗布する水塗布工
程と、前記水塗布工程で塗布した基板表面の水が乾燥し
ないうちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を
行う薬液塗布工程とを備える。
【０００８】エッチング処理において水溶性エッチング
薬液塗布前に基板全面を一様に水で濡らし、その状態で
薬液を塗布するので、エッチングのムラをなくすことが
できる。本発明によれば、何ら悪影響を与えることな
く、簡単かつ安全な方法により、ウエットエッチングに
より形成されるアルミニウムのパターン幅の均一性を著
しく改善することができる。したがって、電気光学素子
で問題となる表示ムラを大幅に軽減することができる。
また、本発明の装置及び工程は、石英基板及びシリコン
基板上の配線材料のエッチング全般に効果があるととも
に、コンタクトホールエッチング時の面内の均一性の改
善にも効果がある。
薬液塗布前に基板全面を一様に水で濡らし、その状態で
薬液を塗布するので、エッチングのムラをなくすことが
できる。本発明によれば、何ら悪影響を与えることな
く、簡単かつ安全な方法により、ウエットエッチングに
より形成されるアルミニウムのパターン幅の均一性を著
しく改善することができる。したがって、電気光学素子
で問題となる表示ムラを大幅に軽減することができる。
また、本発明の装置及び工程は、石英基板及びシリコン
基板上の配線材料のエッチング全般に効果があるととも
に、コンタクトホールエッチング時の面内の均一性の改
善にも効果がある。
【０００９】好ましくは、本発明に係る電気光学装置の
製造方法は、前記水塗布工程が、水を塗布するときに基
板を回転させる回転工程を含み、前記基板の回転数は遠
心力により前記基板表面が一様に水で覆われる程度であ
る。
製造方法は、前記水塗布工程が、水を塗布するときに基
板を回転させる回転工程を含み、前記基板の回転数は遠
心力により前記基板表面が一様に水で覆われる程度であ
る。
【００１０】好ましくは、本発明に係る電気光学装置の
製造方法は、前記水塗布工程において、前記基板表面が
一様に水で覆われるように、少なくとも所定時間よりも
長い時間水を塗布する。
製造方法は、前記水塗布工程において、前記基板表面が
一様に水で覆われるように、少なくとも所定時間よりも
長い時間水を塗布する。
【００１１】好ましくは、本発明に係る電気光学装置の
製造方法は、前記水塗布工程から前記薬液塗布工程に移
行する際の待機時間を、前記水塗布工程で塗布した基板
表面の水が乾燥しないように、少なくとも所定時間より
も短い時間とする。
製造方法は、前記水塗布工程から前記薬液塗布工程に移
行する際の待機時間を、前記水塗布工程で塗布した基板
表面の水が乾燥しないように、少なくとも所定時間より
も短い時間とする。
【００１２】この発明に係る電気光学装置の製造装置
は、エッチング処理の対象である基板を載置するための
回転板と、前記回転板を回転するための駆動手段と、表
面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布する水塗
布手段と、前記水塗布手段で塗布した基板表面の水が乾
燥しないうちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗
布を行う薬液塗布手段とを備える。
は、エッチング処理の対象である基板を載置するための
回転板と、前記回転板を回転するための駆動手段と、表
面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布する水塗
布手段と、前記水塗布手段で塗布した基板表面の水が乾
燥しないうちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗
布を行う薬液塗布手段とを備える。
【００１３】この発明に係る電気光学装置の製造装置
は、エッチング処理を行うための電気光学装置の製造装
置であって、エッチング処理の対象である基板を載置す
るとともに、前記基板を順次搬送するための複数の回転
棒と、表面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布
する水塗布手段と、前記水塗布手段の後に設けられ、前
記水塗布手段で塗布した基板表面の水が乾燥しないうち
に、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を行う薬液
塗布手段とを備える。
は、エッチング処理を行うための電気光学装置の製造装
置であって、エッチング処理の対象である基板を載置す
るとともに、前記基板を順次搬送するための複数の回転
棒と、表面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布
する水塗布手段と、前記水塗布手段の後に設けられ、前
記水塗布手段で塗布した基板表面の水が乾燥しないうち
に、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を行う薬液
塗布手段とを備える。
【００１４】好ましくは、本発明に係る電気光学装置の
製造装置は、水を塗布してから薬液を塗布するまでの間
に、塗布した基板表面の水が乾燥しないように、前記薬
液塗布手段の放出範囲を前記水塗布手段の放出範囲の少
なくとも一部に重ねて配置したものである。
製造装置は、水を塗布してから薬液を塗布するまでの間
に、塗布した基板表面の水が乾燥しないように、前記薬
液塗布手段の放出範囲を前記水塗布手段の放出範囲の少
なくとも一部に重ねて配置したものである。
【００１５】好ましくは、本発明に係る電気光学装置の
製造装置は、前記水塗布手段が、前記基板全体に均一に
水を塗布するように、シャワータイプの塗布手段であ
る。
製造装置は、前記水塗布手段が、前記基板全体に均一に
水を塗布するように、シャワータイプの塗布手段であ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．図１は、こ
の発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を
説明するためのフローチャートである。図２及び図３
は、この発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造
装置の概略構造を示す。この装置は、電気光学装置のア
ルミニウム（Ａｌ）配線のエッチング、単板のＴＦＴ液
晶製造ラインのエッチング工程、及び、半導体製造工程
のエッチング処理における利用が考えられる。以下の説
明において、電気光学装置の一例として液晶表示装置
（ＬＣＤ）を製造する場合について説明する。
の発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造方法を
説明するためのフローチャートである。図２及び図３
は、この発明の実施の形態１に係る電気光学装置の製造
装置の概略構造を示す。この装置は、電気光学装置のア
ルミニウム（Ａｌ）配線のエッチング、単板のＴＦＴ液
晶製造ラインのエッチング工程、及び、半導体製造工程
のエッチング処理における利用が考えられる。以下の説
明において、電気光学装置の一例として液晶表示装置
（ＬＣＤ）を製造する場合について説明する。
【００１７】図２は、電気光学装置を製造するための枚
葉式ウエットエッチング装置の斜視図である。説明に必
要な部分のみを示し、それ以外の表示は省略している。
枚葉式ウエットエッチング装置は、必要なパターンに応
じてフォトレジストで覆った半導体ウエハー（基板）を
一枚づつウエハーチャックにセットし、ウエハーチャッ
クをスピン回転させながら、ノズルからウエハー上にエ
ッチング液を滴下してエッチングを行い、その後、水洗
および乾燥までを実施する装置である。この枚葉式ウエ
ットエッチング装置は、Ｓｉ層およびＳｉＯ2層のエッ
チング、並びにウエハの洗浄に用いられる。
葉式ウエットエッチング装置の斜視図である。説明に必
要な部分のみを示し、それ以外の表示は省略している。
枚葉式ウエットエッチング装置は、必要なパターンに応
じてフォトレジストで覆った半導体ウエハー（基板）を
一枚づつウエハーチャックにセットし、ウエハーチャッ
クをスピン回転させながら、ノズルからウエハー上にエ
ッチング液を滴下してエッチングを行い、その後、水洗
および乾燥までを実施する装置である。この枚葉式ウエ
ットエッチング装置は、Ｓｉ層およびＳｉＯ2層のエッ
チング、並びにウエハの洗浄に用いられる。
【００１８】図２において、枚葉式ウエットエッチング
装置は、基板を載置して回転させるための回転板２を備
える。回転板２の周囲には、基板を固定するための複数
の（図では６つの）ツメ３が設けられている。基板が回
転板２に載置されると、ツメ３により保持されるので、
基板が回転してもずれたり外れたりすることはない。回
転板２の下側には駆動モーター９が設けられている。駆
動モーター９は回転軸８に結合され、回転板２を回転さ
せる。図２の枚葉式ウエットエッチング装置は、回転板
２に保持された基板に純水を供給するための純水ノズル
４及び薬液ノズル５を、回転板２の上側に備える。純水
ノズル４及び薬液ノズル５により、必要に応じて基板の
表面濡れ性を向上させるための純水及び基板をエッチン
グするための薬液が供給される。純水ノズル４及び薬液
ノズル５は、それぞれ、純水供給パイプ６及び薬液供給
パイプ７により液体を供給される。なお、純水ノズル４
の形状は、通常のパイプ形状のストレートタイプである
か、あるいは細かい水流を基板全体に降り注ぐような、
細かい穴を多数備えるシャワータイプである。
装置は、基板を載置して回転させるための回転板２を備
える。回転板２の周囲には、基板を固定するための複数
の（図では６つの）ツメ３が設けられている。基板が回
転板２に載置されると、ツメ３により保持されるので、
基板が回転してもずれたり外れたりすることはない。回
転板２の下側には駆動モーター９が設けられている。駆
動モーター９は回転軸８に結合され、回転板２を回転さ
せる。図２の枚葉式ウエットエッチング装置は、回転板
２に保持された基板に純水を供給するための純水ノズル
４及び薬液ノズル５を、回転板２の上側に備える。純水
ノズル４及び薬液ノズル５により、必要に応じて基板の
表面濡れ性を向上させるための純水及び基板をエッチン
グするための薬液が供給される。純水ノズル４及び薬液
ノズル５は、それぞれ、純水供給パイプ６及び薬液供給
パイプ７により液体を供給される。なお、純水ノズル４
の形状は、通常のパイプ形状のストレートタイプである
か、あるいは細かい水流を基板全体に降り注ぐような、
細かい穴を多数備えるシャワータイプである。
【００１９】図３は、図２の装置の平面図及び断面図を
示す。図３において、図２に示された部分と同一あるい
は相当する部分には、同一の符号を附している。図３
（ａ）は、図２の装置の上面図であり、図３（ｂ）は、
Ａ−Ａ矢視断面図である。説明の都合上、図３（ａ）の
縮尺と図３（ｂ）の縮尺とは同じではない。
示す。図３において、図２に示された部分と同一あるい
は相当する部分には、同一の符号を附している。図３
（ａ）は、図２の装置の上面図であり、図３（ｂ）は、
Ａ−Ａ矢視断面図である。説明の都合上、図３（ａ）の
縮尺と図３（ｂ）の縮尺とは同じではない。
【００２０】図３は、回転板２上に基板１が載置された
状態を示す。同図（ｂ）の断面図からわかるように、回
転板２の下側に、使用済みの純水やエッチング液を排出
するための廃液口（ドレイン）１０が設けられている。
回転板２の側面に、側壁１１が設けられている。側壁１
１は、基板１が回転したときに遠心力で飛ばされる純水
やエッチング液を受けて飛び散らないようにするための
ものである。また、回転板２の上側にカバー１２が設け
られている。
状態を示す。同図（ｂ）の断面図からわかるように、回
転板２の下側に、使用済みの純水やエッチング液を排出
するための廃液口（ドレイン）１０が設けられている。
回転板２の側面に、側壁１１が設けられている。側壁１
１は、基板１が回転したときに遠心力で飛ばされる純水
やエッチング液を受けて飛び散らないようにするための
ものである。また、回転板２の上側にカバー１２が設け
られている。
【００２１】次に製造方法の詳細及び製造装置の動作に
ついて図１乃至図３に基づき説明する。
ついて図１乃至図３に基づき説明する。
【００２２】まず、エッチングの前段階の処理として、
半導体ウェハー（基板）１にフォトレジストを塗布す
る。次に、所望のパターンを形成したマスクをかぶせて
紫外線を照射し、パターンに応じたフォトレジストを半
導体ウェハー（基板）１上に設ける。
半導体ウェハー（基板）１にフォトレジストを塗布す
る。次に、所望のパターンを形成したマスクをかぶせて
紫外線を照射し、パターンに応じたフォトレジストを半
導体ウェハー（基板）１上に設ける。
【００２３】枚葉式ウエットエッチング装置を用いてエ
ッチングするときは、まず、回転板２の表面に、フォト
レジストを設けた半導体ウエハー（基板）１を載置し、
ツメ３に係止させた状態でセットする。次いで、上方に
設けた薬液ノズル５から基板１上にエッチング液を滴下
し、または吹き付けながら回転軸８を回転させる。この
とき基板１及び回転板２は所定の回転数（例えば、０〜
１０００ｒｐｍ）で回転する。これによりフォトレジス
トが設けられていない個所についてエッチングが行われ
る。
ッチングするときは、まず、回転板２の表面に、フォト
レジストを設けた半導体ウエハー（基板）１を載置し、
ツメ３に係止させた状態でセットする。次いで、上方に
設けた薬液ノズル５から基板１上にエッチング液を滴下
し、または吹き付けながら回転軸８を回転させる。この
とき基板１及び回転板２は所定の回転数（例えば、０〜
１０００ｒｐｍ）で回転する。これによりフォトレジス
トが設けられていない個所についてエッチングが行われ
る。
【００２４】この発明の実施の形態１に係る枚葉式ウエ
ットエッチング装置は、薬液ノズル５からエッチング用
薬液を基板１に対して塗布する前に、エッチング対象材
料である基板１の表面濡れ性を向上させることを特徴と
する。そのために、薬液を塗布する前に、回転させなが
らエッチング対象の基板１上に水を塗布する。すなわ
ち、基板１が載置された状態において、基板表面全体が
濡れるように基板１上に純水ノズル４から適量の純水を
塗布する（Ｓ１）。ここで、エッチャントを吹き付ける
前にウエハーが一様に濡れていることが必要である。純
水ノズル４で供給する水量を調整することにより、以下
のステップにおけるエッチング液の濃度を調整すること
ができる。この点からすれば、純水ノズル４は水スプレ
ーであることが望ましい。
ットエッチング装置は、薬液ノズル５からエッチング用
薬液を基板１に対して塗布する前に、エッチング対象材
料である基板１の表面濡れ性を向上させることを特徴と
する。そのために、薬液を塗布する前に、回転させなが
らエッチング対象の基板１上に水を塗布する。すなわ
ち、基板１が載置された状態において、基板表面全体が
濡れるように基板１上に純水ノズル４から適量の純水を
塗布する（Ｓ１）。ここで、エッチャントを吹き付ける
前にウエハーが一様に濡れていることが必要である。純
水ノズル４で供給する水量を調整することにより、以下
のステップにおけるエッチング液の濃度を調整すること
ができる。この点からすれば、純水ノズル４は水スプレ
ーであることが望ましい。
【００２５】次に、ステップＳ１で塗布した基板表面の
水が乾燥しないように、水の塗布中に薬液供給ノズル５
からエッチング用の薬液塗布を行う（Ｓ２）。あるい
は、ステップＳ１の水塗布が終了した後、約３０秒以内
にエッチング薬液塗布を開始する（Ｓ２）。このとき、
すばやくエッチング液が出ることが望ましい。また、ス
テップＳ１からＳ２へ移行するときの待機時間を極力減
らすために、純水を出すノズルと薬液を出すノズルがオ
ーバーラップするように配置されることが望ましい（例
えば、図３（ａ）参照）。
水が乾燥しないように、水の塗布中に薬液供給ノズル５
からエッチング用の薬液塗布を行う（Ｓ２）。あるい
は、ステップＳ１の水塗布が終了した後、約３０秒以内
にエッチング薬液塗布を開始する（Ｓ２）。このとき、
すばやくエッチング液が出ることが望ましい。また、ス
テップＳ１からＳ２へ移行するときの待機時間を極力減
らすために、純水を出すノズルと薬液を出すノズルがオ
ーバーラップするように配置されることが望ましい（例
えば、図３（ａ）参照）。
【００２６】次に、基板１をリンス（洗浄）する（Ｓ
３）。基板１上に純水あるいはリンス液を滴下あるいは
吹き付けながら、基板１を所定の回転数（例えば、０〜
１０００ｒｐｍ）の速度でスピン回転させて洗浄を行
う。
３）。基板１上に純水あるいはリンス液を滴下あるいは
吹き付けながら、基板１を所定の回転数（例えば、０〜
１０００ｒｐｍ）の速度でスピン回転させて洗浄を行
う。
【００２７】次に、基板１を乾燥する（Ｓ４）。基板１
への純水あるいはリンス液の供給をやめてから、さらに
所定の回転数（例えば、２０００〜３０００ｒｐｍ）の
高速でスピン回転させることにより、純水あるいはリン
ス液を振り切って乾燥させる。
への純水あるいはリンス液の供給をやめてから、さらに
所定の回転数（例えば、２０００〜３０００ｒｐｍ）の
高速でスピン回転させることにより、純水あるいはリン
ス液を振り切って乾燥させる。
【００２８】なお、基板上１にフォトレジストを設けて
行う一般のエッチングだけでなく、スパッタや の前の
ライトエッチングを行うときにも本実施の形態を用いる
ことができる。ライトエッチングの場合、ウェットエッ
チング装置に入れる基板１上にはフォトレジストが設け
られておらず、基板の表面全体を薄くエッチングするも
のである。この場合も上記説明と同様にパターンを均一
にエッチングすることができる。
行う一般のエッチングだけでなく、スパッタや の前の
ライトエッチングを行うときにも本実施の形態を用いる
ことができる。ライトエッチングの場合、ウェットエッ
チング装置に入れる基板１上にはフォトレジストが設け
られておらず、基板の表面全体を薄くエッチングするも
のである。この場合も上記説明と同様にパターンを均一
にエッチングすることができる。
【００２９】以上の説明が、この発明の実施の形態１の
装置及び工程の説明である。次に、好ましい実施例につ
いて、実験結果をもとに説明する。
装置及び工程の説明である。次に、好ましい実施例につ
いて、実験結果をもとに説明する。
【００３０】
【表１】
【００３１】上記表１は、ステップＳ１における純水塗
布時の基板回転数を０、２００、５００、８００、１０
００、２０００ｒｐｍとしたときに、パターンムラが発
生するかどうかを実験した結果を示す。表１からわかる
ように、２００〜１０００ｒｐｍであれば良好な結果が
得られている。もっとも、後述のように０回転であって
も、純水ノズル４がシャワータイプであれば良好な結果
が得られる。表１によれば、ステップＳ１における回転
数は２００〜１０００ｒｐｍであることが望ましい。
布時の基板回転数を０、２００、５００、８００、１０
００、２０００ｒｐｍとしたときに、パターンムラが発
生するかどうかを実験した結果を示す。表１からわかる
ように、２００〜１０００ｒｐｍであれば良好な結果が
得られている。もっとも、後述のように０回転であって
も、純水ノズル４がシャワータイプであれば良好な結果
が得られる。表１によれば、ステップＳ１における回転
数は２００〜１０００ｒｐｍであることが望ましい。
【００３２】
【表２】
【００３３】上記表２は、ステップＳ１における純水塗
布時間を１、２、３、４、５、１０、３０秒としたとき
に、パターンムラが発生するかどうか実験した結果を示
す。表２からわかるように、３秒以上であれば良好な結
果が得られている。処理時間を短くしようとすれば、純
水塗布時間を３秒とすることが望ましい。
布時間を１、２、３、４、５、１０、３０秒としたとき
に、パターンムラが発生するかどうか実験した結果を示
す。表２からわかるように、３秒以上であれば良好な結
果が得られている。処理時間を短くしようとすれば、純
水塗布時間を３秒とすることが望ましい。
【００３４】
【表３】
【００３５】上記表３は、純水塗布後、エッチング用薬
液吐出までの待機時間を０、１、２、３、５、１０、３
０秒としたときに、パターンムラが発生するかどうか実
験した結果を示す。表３からわかるように、３秒以下で
あれば良好な結果が得られている。このことは純水塗布
と薬液吐出との間で時間をおかないことが望ましいこと
を意味するとともに、純水ノズル４と薬液ノズル５の放
出範囲がオーバーラップしていることが望ましいことを
意味すると考えられる。
液吐出までの待機時間を０、１、２、３、５、１０、３
０秒としたときに、パターンムラが発生するかどうか実
験した結果を示す。表３からわかるように、３秒以下で
あれば良好な結果が得られている。このことは純水塗布
と薬液吐出との間で時間をおかないことが望ましいこと
を意味するとともに、純水ノズル４と薬液ノズル５の放
出範囲がオーバーラップしていることが望ましいことを
意味すると考えられる。
【００３６】
【表４】
【００３７】上記表４は、ノズルの形状を変えたとき
に、適当な回転数がどのようになるかを実験した結果を
示す。ノズルの形状として、純水が基板上の一点にあた
るストレートタイプと、純水が基板全面にあたるシャワ
ータイプの２種類を用いた。表４からわかるように、シ
ャワータイプのノズルであれば、回転数が０ｒｐｍであ
っても良好な結果が得られる。
に、適当な回転数がどのようになるかを実験した結果を
示す。ノズルの形状として、純水が基板上の一点にあた
るストレートタイプと、純水が基板全面にあたるシャワ
ータイプの２種類を用いた。表４からわかるように、シ
ャワータイプのノズルであれば、回転数が０ｒｐｍであ
っても良好な結果が得られる。
【００３８】以上の結果を総合すると、基板を２００ｒ
ｐｍで回転させつつ、１０秒間純水を塗布し、その後、
待機時間０（ゼロ）秒でエッチング用薬液を吐出するこ
とが望ましい。併せて、純水用ノズル４と薬液用ノズル
５をその放出範囲がオーバーラップするように配置し、
このオーバーラップ吐出により待機時間を無くすことが
望ましい。
ｐｍで回転させつつ、１０秒間純水を塗布し、その後、
待機時間０（ゼロ）秒でエッチング用薬液を吐出するこ
とが望ましい。併せて、純水用ノズル４と薬液用ノズル
５をその放出範囲がオーバーラップするように配置し、
このオーバーラップ吐出により待機時間を無くすことが
望ましい。
【００３９】以上の条件は、結局、エッチング用薬液を
吹き付ける前に、基板１が一様に濡れているために必要
な条件であると考えられる。基板１が一様に濡れている
ことによりパターン均一性が向上する理由として、次の
ようなことが考えられる。レジストを溶かさないものと
して用いられる、フッ酸、リン酸、硝酸などエッチング
液は水溶性であるため、予め基板１の表面を純水により
一様に濡らしておくことにより、エッチングが均一に進
行する。また、純水は安価であるとともに、基板及びエ
ッチング液双方になんら悪影響を与えない。
吹き付ける前に、基板１が一様に濡れているために必要
な条件であると考えられる。基板１が一様に濡れている
ことによりパターン均一性が向上する理由として、次の
ようなことが考えられる。レジストを溶かさないものと
して用いられる、フッ酸、リン酸、硝酸などエッチング
液は水溶性であるため、予め基板１の表面を純水により
一様に濡らしておくことにより、エッチングが均一に進
行する。また、純水は安価であるとともに、基板及びエ
ッチング液双方になんら悪影響を与えない。
【００４０】以上の説明から明らかなように、本発明の
実施の形態１の装置及び工程によれば、何ら悪影響を与
えることなく、簡単かつ安全な方法により、ウエットエ
ッチングにより形成されるアルミニウムのパターン幅の
均一性を著しく改善することができる。したがって、Ｔ
ＦＴ液晶で問題となる表示ムラを大幅に軽減することが
できる。本発明の実施の形態１の装置及び工程は、石英
基板上の配線材料のエッチング全般に効果があるととも
に、コンタクトホールエッチング時の面内の均一性の改
善にも効果がある。アルミニウム（Ａｌ）以外にも、タ
ングステン、ポリシリコン、銅、チタン等の配線材料の
エッチングにおいても効果がある。
実施の形態１の装置及び工程によれば、何ら悪影響を与
えることなく、簡単かつ安全な方法により、ウエットエ
ッチングにより形成されるアルミニウムのパターン幅の
均一性を著しく改善することができる。したがって、Ｔ
ＦＴ液晶で問題となる表示ムラを大幅に軽減することが
できる。本発明の実施の形態１の装置及び工程は、石英
基板上の配線材料のエッチング全般に効果があるととも
に、コンタクトホールエッチング時の面内の均一性の改
善にも効果がある。アルミニウム（Ａｌ）以外にも、タ
ングステン、ポリシリコン、銅、チタン等の配線材料の
エッチングにおいても効果がある。
【００４１】本発明の実施の形態１の装置及び工程をＡ
ｌ配線のエッチング工程に採用することにより、表示品
位の向上、歩留まり向上、高開口率化、コントラスト向
上を期待できる。また、単板のＴＦＴ液晶製造ライン、
エッチング工程に採用することにより、表示品位の向
上、歩留まり向上、高開口率化を期待できる。また、半
導体製造工程エッチング処理時に用いることにより、微
細プロセスでの断線防止、歩留まり向上、回路の集積
化、効率向上を期待できる。
ｌ配線のエッチング工程に採用することにより、表示品
位の向上、歩留まり向上、高開口率化、コントラスト向
上を期待できる。また、単板のＴＦＴ液晶製造ライン、
エッチング工程に採用することにより、表示品位の向
上、歩留まり向上、高開口率化を期待できる。また、半
導体製造工程エッチング処理時に用いることにより、微
細プロセスでの断線防止、歩留まり向上、回路の集積
化、効率向上を期待できる。
【００４２】発明の実施の形態２．上記発明の実施の形
態１の装置は枚葉式ウエットエッチング装置の例であっ
たが、本発明は、これに限らず他の種類の装置にも適用
できる。
態１の装置は枚葉式ウエットエッチング装置の例であっ
たが、本発明は、これに限らず他の種類の装置にも適用
できる。
【００４３】図４は、この発明の実施の形態２に係る電
気光学装置の製造装置の概略構造を示す。図４は、この
発明を水平搬送型ウエットエッチング装置に適用したも
のである。図４において、符号１は基板、符号４は純水
ノズル、符号５は薬液ノズル、符号２０は中心に沿って
回転する搬送棒（ローラ）である。搬送棒２０は基板の
進行方向に沿って多数設けられている。搬送棒２０は連
動して同一方向に回転することにより、上に置かれた基
板１が横方向に搬送される。符号２１はエッチングを行
うためのチャンバー、符号２２はフィルタ、符号２３は
ポンプ、符号２４はタンクである。フィルタ２２、ポン
プ２３、タンク２４は、製造コスト削減のためにエッチ
ング液を再使用するためのものである。スプレーされた
エッチング液をチャンバー２１内で回収し、フィルター
５を通してゴミ等を除去した上でタンク２４にため、そ
れをポンプ２３で再び薬液ノズルに供給する。
気光学装置の製造装置の概略構造を示す。図４は、この
発明を水平搬送型ウエットエッチング装置に適用したも
のである。図４において、符号１は基板、符号４は純水
ノズル、符号５は薬液ノズル、符号２０は中心に沿って
回転する搬送棒（ローラ）である。搬送棒２０は基板の
進行方向に沿って多数設けられている。搬送棒２０は連
動して同一方向に回転することにより、上に置かれた基
板１が横方向に搬送される。符号２１はエッチングを行
うためのチャンバー、符号２２はフィルタ、符号２３は
ポンプ、符号２４はタンクである。フィルタ２２、ポン
プ２３、タンク２４は、製造コスト削減のためにエッチ
ング液を再使用するためのものである。スプレーされた
エッチング液をチャンバー２１内で回収し、フィルター
５を通してゴミ等を除去した上でタンク２４にため、そ
れをポンプ２３で再び薬液ノズルに供給する。
【００４４】純水ノズル４は図４の左側に設けられ、薬
液ノズル５は図４の右側に設けられている。基板１が図
４の左から右側に運ばれることに伴い、図１のフローチ
ャートの工程を実現するための配置である。なお、図４
では純水ノズル４を２つ、薬液ノズルを７つ備えるが、
あくまでもこれは例示であり、この数に限定されるわけ
ではない。
液ノズル５は図４の右側に設けられている。基板１が図
４の左から右側に運ばれることに伴い、図１のフローチ
ャートの工程を実現するための配置である。なお、図４
では純水ノズル４を２つ、薬液ノズルを７つ備えるが、
あくまでもこれは例示であり、この数に限定されるわけ
ではない。
【００４５】純水ノズル４及び薬液ノズル５は、基板表
面を均一に濡らすようにシャワータイプである。純水ノ
ズル４と薬液ノズル５の数や間隔は、実施の形態１で示
した条件に適合するように選択される。すなわち、純水
ノズル４の数及びその配置間隔は、純水塗布時間が表２
の条件を満足するように設定され、純水ノズル４と薬液
ノズル５の間隔は、待機時間が表３の条件を満足するよ
うに設定される。また、純水ノズル４と薬液ノズル５の
放射範囲は、多少オーバーラップしてもよい。例えば、
純水ノズル４から薬液ノズル５への移行部において、純
水ノズル４と薬液ノズル５が入り混じっていてもよい
（例えば、・・・、純水ノズル４、純水ノズル４、薬液
ノズル５、純水ノズル４、薬液ノズル５、薬液ノズル
５、・・・）。
面を均一に濡らすようにシャワータイプである。純水ノ
ズル４と薬液ノズル５の数や間隔は、実施の形態１で示
した条件に適合するように選択される。すなわち、純水
ノズル４の数及びその配置間隔は、純水塗布時間が表２
の条件を満足するように設定され、純水ノズル４と薬液
ノズル５の間隔は、待機時間が表３の条件を満足するよ
うに設定される。また、純水ノズル４と薬液ノズル５の
放射範囲は、多少オーバーラップしてもよい。例えば、
純水ノズル４から薬液ノズル５への移行部において、純
水ノズル４と薬液ノズル５が入り混じっていてもよい
（例えば、・・・、純水ノズル４、純水ノズル４、薬液
ノズル５、純水ノズル４、薬液ノズル５、薬液ノズル
５、・・・）。
【００４６】この発明の実施の形態２の装置も、薬液ノ
ズル５からエッチング用薬液を基板１に対して塗布する
前に、エッチング対象材料である基板１の表面濡れ性を
向上させることを特徴とする。図４において、搬送棒２
０により基板１が左から右へ搬送されていくと純水ノズ
ル４の下を通過し、そこで基板表面全体が濡れるように
基板１上に適量の純水を塗布する（Ｓ１）。純水ノズル
４で供給する水量を調整することにより、以下のステッ
プにおけるエッチング液の濃度を調整することができ
る。
ズル５からエッチング用薬液を基板１に対して塗布する
前に、エッチング対象材料である基板１の表面濡れ性を
向上させることを特徴とする。図４において、搬送棒２
０により基板１が左から右へ搬送されていくと純水ノズ
ル４の下を通過し、そこで基板表面全体が濡れるように
基板１上に適量の純水を塗布する（Ｓ１）。純水ノズル
４で供給する水量を調整することにより、以下のステッ
プにおけるエッチング液の濃度を調整することができ
る。
【００４７】次に、基板１は薬液ノズル５のしたを通過
する。そこで、ステップＳ１で塗布した基板表面の水が
乾燥しないうちに、薬液供給ノズル５からエッチング用
の薬液塗布が行われる（Ｓ２）。あるいは、ステップＳ
１の水塗布が終了した後、約３０秒以内にエッチング薬
液塗布を開始する（Ｓ２）。このとき、すばやくエッチ
ング液が出ることが望ましい。。
する。そこで、ステップＳ１で塗布した基板表面の水が
乾燥しないうちに、薬液供給ノズル５からエッチング用
の薬液塗布が行われる（Ｓ２）。あるいは、ステップＳ
１の水塗布が終了した後、約３０秒以内にエッチング薬
液塗布を開始する（Ｓ２）。このとき、すばやくエッチ
ング液が出ることが望ましい。。
【００４８】次に、基板１をリンス（洗浄）する（Ｓ
３）。基板１上に純水（リンス液）を滴下あるいは吹き
付けて洗浄を行う。
３）。基板１上に純水（リンス液）を滴下あるいは吹き
付けて洗浄を行う。
【００４９】次に、基板１を乾燥する（Ｓ４）。
【００５０】本発明の実施の形態２の装置及び工程によ
れば、何ら悪影響を与えることなく、簡単かつ安全な方
法により、ウエットエッチングにより形成されるアルミ
ニウムのパターン幅の均一性を著しく改善することがで
きる。したがって、ＴＦＴ液晶で問題となる表示ムラを
大幅に軽減することができる。
れば、何ら悪影響を与えることなく、簡単かつ安全な方
法により、ウエットエッチングにより形成されるアルミ
ニウムのパターン幅の均一性を著しく改善することがで
きる。したがって、ＴＦＴ液晶で問題となる表示ムラを
大幅に軽減することができる。
【００５１】本発明は、以上の実施の形態に限定される
ことなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内
で、種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内
に包含されるものであることは言うまでもない。
ことなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内
で、種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内
に包含されるものであることは言うまでもない。
【図１】 この発明の実施の形態１に係る電気光学装置
の製造方法を説明するためのフローチャートである。
の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】 この発明の実施の形態１に係る、電気光学装
置を製造するための枚葉式ウエットエッチング装置の斜
視図である。
置を製造するための枚葉式ウエットエッチング装置の斜
視図である。
【図３】 この発明の実施の形態１に係る、電気光学装
置を製造するための枚葉式ウエットエッチング装置の平
面図及び断面図である。
置を製造するための枚葉式ウエットエッチング装置の平
面図及び断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態２に係る、電気光学装
置を製造するための水平搬送型ウエットエッチング装置
の断面図である。
置を製造するための水平搬送型ウエットエッチング装置
の断面図である。
１ 基板 ２ 回転板 ３ ツメ ４ 純水ノズル ５ 薬液ノズル ６ 純水供給パイプ ７ 薬液供給パイプ ８ 回転軸 ９ 駆動モーター １０ 廃液口 １１ 側壁 １２ カバー ２０ 搬送棒 ２１ チャンバー ２２ フィルタ ２３ ポンプ ２４ タンク
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３３８ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｒ ５Ｇ４３５ 9/30 ３３８ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H088 FA21 FA23 FA24 FA30 HA02 HA08 MA04 2H092 JA24 KA04 KA07 KA16 KA18 MA13 MA18 MA35 NA25 NA29 NA30 4K057 WA11 WB05 WC10 WE02 WE04 WE07 WM06 WN04 5C094 AA03 AA05 AA43 AA55 BA03 BA16 BA43 CA19 DA13 FB12 GB10 5F043 AA18 AA24 BB16 DD02 DD13 DD23 DD30 EE07 EE08 EE36 GG10 5G435 AA00 AA01 AA17 BB12 BB17 CC09 DD04 KK05 KK10
Claims (8)
- 【請求項１】 電気光学装置を製造するためのエッチン
グ処理方法であって、 表面濡れ性が改善するように基板に水を塗布する水塗布
工程と、 前記水塗布工程で塗布した基板表面の水が乾燥しないう
ちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を行う薬
液塗布工程とを備える電気光学装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記水塗布工程は、水を塗布するときに
基板を回転させる回転工程を含み、前記基板の回転数は
遠心力により前記基板表面が一様に水で覆われる程度で
あることを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記水塗布工程において、前記基板表面
が一様に水で覆われるように、少なくとも所定時間より
も長い時間水を塗布することを特徴とする請求項１記載
の電気光学装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記水塗布工程から前記薬液塗布工程に
移行する際の待機時間を、前記水塗布工程で塗布した基
板表面の水が乾燥しないように、少なくとも所定時間よ
りも短い時間とすることを特徴とする請求項１記載の電
気光学装置の製造方法。 - 【請求項５】 電気光学装置を製造するためのエッチン
グ処理を行う製造装置であって、 エッチング処理の対象である基板を載置するための回転
板と、 前記回転板を回転するための駆動手段と、 表面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布する水
塗布手段と、 前記水塗布手段で塗布した基板表面の水が乾燥しないう
ちに、前記基板表面にエッチング用の薬液塗布を行う薬
液塗布手段とを備える電気光学装置の製造装置。 - 【請求項６】 電気光学装置を製造するためのエッチン
グ処理を行う製造装置であって、 エッチング処理の対象である基板を載置するとともに、
前記基板を順次搬送するための複数の回転棒と、 表面濡れ性が改善するように前記基板に水を塗布する水
塗布手段と、 前記水塗布手段の後に設けられ、前記水塗布手段で塗布
した基板表面の水が乾燥しないうちに、前記基板表面に
エッチング用の薬液塗布を行う薬液塗布手段とを備える
電気光学装置の製造装置。 - 【請求項７】 水を塗布してから薬液を塗布するまでの
間に、塗布した基板表面の水が乾燥しないように、前記
薬液塗布手段の放出範囲を前記水塗布手段の放出範囲の
少なくとも一部に重ねて配置したことを特徴とする請求
項５又は請求項６に記載の電気光学装置の製造装置。 - 【請求項８】 前記水塗布手段は、前記基板全体に均一
に水を塗布するように、シャワータイプの塗布手段であ
ることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電気
光学装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019133A JP2001210615A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000019133A JP2001210615A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210615A true JP2001210615A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18545890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019133A Withdrawn JP2001210615A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210615A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273064A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Fujitsu Ltd | 堆積物の除去装置及び除去方法 |
| JP2004294876A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Hoya Corp | 基板処理方法 |
| JP2005057263A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子を製造するためのエッチング方法 |
| JP2005191163A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法。 |
| JP2006278954A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2007284345A (ja) * | 2004-03-17 | 2007-11-01 | Nishiyama Stainless Chem Kk | フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法及びその装置 |
| JP2009266951A (ja) * | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2010243752A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、製造装置 |
| JP2011512645A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-04-21 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | シリコンウエハを処理するための方法及びデバイス |
| CN107316826A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿法蚀刻设备 |
| JP2020145289A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000019133A patent/JP2001210615A/ja not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2011512645A (ja) * | 2007-12-19 | 2011-04-21 | ゲブリューダー シュミット ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー | シリコンウエハを処理するための方法及びデバイス |
| US8623232B2 (en) | 2007-12-19 | 2014-01-07 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Method and device for treating silicon wafers |
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| CN107316826A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿法蚀刻设备 |
| CN107316826B (zh) * | 2017-06-09 | 2020-01-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 湿法蚀刻设备 |
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