JP4495022B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、基板を薬液および純水で処理する基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

半導体装置の製造プロセスでは、半導体基板（ウエハ）を処理するために基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置は、たとえば、基板を保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に向けて薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板に向けて純水を供給する純水ノズルとを備えている。

薬液ノズルおよび純水ノズルからの薬液および純水の供給は、図３に示すタイミングで行われるのが一般的である。すなわち、基板表面に対して所定時間だけ薬液が供給された後に、この薬液の供給が停止される。その後、基板表面に対して所定時間だけ純水が供給され、この純水の供給が停止される。基板表面に供給された薬液および純水は、基板上において遠心力の作用により回転中心から外方へと広がり、基板表面の全域に至る。こうして、薬液によって基板表面を処理した後に、この基板表面の薬液が純水によって置換される。
特開２００５−２６４８９号公報

ところが、このような基板処理では、基板の表面内における薬液処理の不均一が生じるという問題があった。より具体的には、たとえば、ふっ酸のようなエッチング液を薬液として用いる場合に、薬液吐出開始時に勢いよく薬液ノズルから吐出されたエッチング液により、基板表面の着液点付近（一般には回転中心付近）において、急激な濃度変化が生じ、急激にエッチングが進行する。これにより、着液点付近とそれ以外の領域との間でエッチング不均一が生じる。

薬液吐出終了時には、着液点付近ではエッチング液の供給がただちに停止されるのに対して、その周辺の基板表面では、エッチング液が徐々に基板の外方へと排除されていく。これによっても、エッチングのばらつきが生じる。
薬液吐出開始時と終了時とのエッチングの進行の面内ばらつきが互いに補い合う関係にあることは期待できず、実際、処理後の基板上にはエッチングばらつきが見られる。

そこで、この発明の目的は、エッチング液による基板処理の面内不均一を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、基板保持回転機構（１）で基板を保持して回転させる基板回転工程と、この基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する前純水供給工程と、前記基板回転工程によって回転されている基板の表面に薬液としてのエッチング液を供給する薬液供給工程とを含み、前記薬液供給工程に先だって前記前純水供給工程を開始するとともに、前記薬液供給工程開始後にも前記前純水供給工程を継続した後に当該前純水供給工程を終了し、その後も前記薬液供給工程を継続した後に当該薬液供給工程を終了し、前記前純水供給工程は、この前純水供給工程の末期において、前記薬液供給工程の開始後に、前記基板への純水の供給流量を、前記薬液供給工程の開始前と等しい一定流量に保持した後に漸減（Ｂ１）させる工程を含み、前記薬液供給工程は、この薬液供給工程の初期において前記純水の供給流量が漸減される前に開始され、前記基板への薬液の供給流量を漸増させる薬液流量漸増工程（Ａ１）を含むことを特徴とする基板処理方法である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

この方法では、基板保持回転機構によって保持されて回転させられている基板に向けて薬液としてのエッチング液を供給する以前から、この基板の表面に純水が供給されており、この純水の供給が、薬液供給開始後も継続される。そのため、基板上におけるエッチング液の濃度は、急激に変化するのではなく、徐々に上昇していくことになる。そして、純水の供給を停止した後は、純水による希釈を受けてないエッチング液のみによって基板の表面が処理されることになる。
さらに、この発明によれば、前純水供給工程の末期において純水の供給流量が漸減させられるので、エッチング液の供給を開始した後に、基板上におけるエッチング液の濃度を漸増させることができる。これにより、基板上でのエッチング液濃度の変化をさらに緩慢にすることができるから、より均一なエッチング処理が可能になる。
さらにまた、この発明では、薬液供給工程の初期において、薬液供給流量が漸増させられるので、基板に供給されるエッチング液と純水との混合比率が徐々に変化していき、エッチング液の濃度が基板上で漸増することになる。その結果、基板上でのエッチング液の濃度変化をさらに緩慢にできるから、薬液処理の面内均一性をさらに向上することができる。

こうして、薬液処理開始時における基板上でのエッチング液濃度の急変を抑制することができるから、エッチング液による基板処理（エッチング処理）の面内均一性を向上することができる。特に、高温および／または高濃度のエッチング液のように、強力な処理力を有する高性能エッチング液を用いる場合でも、薬液処理の面内不均一を抑制することができる。換言すれば、面内不均一を生じさせることなく、高温および／または高濃度の高性能なエッチング液を用いて基板を処理することができ、これにより、基板処理時間の短縮に寄与することができる。

高温および／または高濃度の高性能なエッチング液を用いる場合であっても、エッチング処理の面内不均一を低減できるので、高性能なエッチング液を用いることによって、短時間で高品質のエッチング処理を行うことができる。

前記エッチング液の例としては、ふっ酸（酸化膜または窒化膜のエッチング液）、ふっ硝酸（シリコンのエッチング液）、水酸化カリウム等のアルカリ液（シリコンのエッチング液）、および燐酸（窒化シリコンのエッチング液）を例示することができる。
前記前純水供給工程および薬液供給工程は、基板保持回転機構によって保持されている基板に純水を供給する純水ノズルおよび薬液としてのエッチング液を供給する薬液ノズルをそれぞれ用いて行われてもよい。また、前記基板保持回転機構によって保持されている基板に向けて処理液を供給する処理液ノズルが設けられ、この処理液ノズルに対して薬液としてのエッチング液および／または純水を共通に供給することによって、前記前純水供給工程および薬液供給工程が行われるようになっていてもよい。

さらに、基板の両面に処理液を供給するようにしてもよい。具体的には、たとえば、前記基板保持回転機構が基板をほぼ水平に保持して回転させるものである場合に、基板の上面および下面の両方に、純水および／または薬液（エッチング液）を供給することとしてもよい。

請求項２記載の発明は、前記前純水供給工程の終了後であって、前記薬液供給工程の終了前に開始され、前記基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する後純水供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法である。

この方法では、エッチング液供給の終了前から、基板表面への純水の供給が始められるようになっている。これにより、薬液供給工程の末期において、基板上のエッチング液の濃度（特に着液点におけるエッチング液の濃度）を漸減させることができる。これによって、薬液供給工程の末期におけるエッチング液濃度の急変に起因するエッチング処理の面内不均一を抑制することができる。そして、薬液供給工程後も純水の供給を継続することにより、基板表面のエッチング液を純水で置換するリンス処理を行うことができる。

請求項３記載の発明は、前記後純水供給工程は、この後純水供給工程の初期において、前記薬液供給工程の終了前に、前記基板への純水の供給流量を漸増させる純水流量漸増工程（Ｂ２）を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理方法である。
この方法により、薬液供給工程の末期において、基板上におけるエッチング液の濃度（特に着液点におけるエッチング液の濃度）が漸減することになる。これにより、基板上におけるエッチング液濃度の変化をさらに緩慢にすることができ、より均一なエッチング液処理が可能になる。

請求項４記載の発明は、前記薬液供給工程は、この薬液供給工程の末期において、前記後純水供給工程の開始後に、前記基板への薬液（エッチング液）の供給流量を漸減させる薬液流量漸減工程（Ａ２）を含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理方法である。
この方法では、薬液（エッチング液）の供給流量を薬液供給工程の末期に漸減させることにより、エッチング液と純水との混合比率が徐々に変化していき、その結果、基板上におけるエッチング液の濃度が漸減することになる。これにより、基板上におけるエッチング液濃度の変化をさらに緩慢にできるから、面内均一性の向上されたエッチング液処理が実現される。

請求項５記載の発明は、１枚の基板（Ｗ）を保持して回転させる基板保持回転機構（１）と、この基板保持回転機構に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給機構（２，１７，１８；４，１５，２６，２７）と、前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に薬液としてのエッチング液を供給する薬液供給機構（３，５，１９，２０；４，１５，２８，２９）と、前記純水供給機構および薬液供給機構を制御し、前記薬液供給機構による薬液供給開始前から前記純水供給機構によって基板の表面に純水を供給させるとともに、前記薬液供給機構による薬液の供給を開始させた後も前記純水供給機構による純水の供給を継続させ、その後に、前記純水供給機構による純水の供給を停止させる制御手段（３０）とを含み、前記制御手段は、前記薬液供給機構による薬液供給開始後に、前記純水供給機構による純水の供給流量を薬液供給開始前と等しい一定流量に保持した後に漸減させ、前記純水の供給流量を漸減する前から前記薬液供給機構による薬液の供給流量を漸増させることを特徴とする基板処理装置である。

この構成により、薬液供給機構によるエッチング液の供給開始時において、基板表面上でのエッチング液の濃度（特に着液点におけるエッチング液の濃度）が急変することを抑制できる。その結果、面内均一性の向上されたエッチング処理を実現することができる。
また、薬液供給開始時における基板上でのエッチング液濃度の急変を抑制できるので、高温および／または高濃度のエッチング液を使用しても、処理の面内不均一を抑制できる。これにより、高温および／または高濃度のエッチング液を用いて、基板処理の所要時間を短縮することが可能となる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す概念図である。この基板処理装置は、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置であり、基板Ｗをほぼ水平に保持して鉛直軸線まわりに回転させるスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの回転中心に向けて純水を供給する純水ノズル２と、スピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの回転中心に向けて一定濃度の薬液（エッチング液）を供給する薬液ノズル３とを備えている。さらに、この基板処理装置は、スピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの下面の中心に向けて処理液を供給する下面処理液ノズル４を備えている。

スピンチャック１は、円板状のスピンベース１１と、このスピンベース１１に立設され、基板Ｗを挟持するための複数のチャックピン１２と、スピンベース１１をほぼ水平に支持する回転軸１３と、この回転軸１３に回転力を与える回転駆動機構（たとえばモータを含むもの）１４とを備えている。回転軸１３は、鉛直方向に沿って配置された中空軸からなり、その内部には、処理液供給管１５が挿通されている。この処理液供給管１５の先端部は、スピンベース１１を貫通してスピンチャック１に保持された基板Ｗの下面中央に対向する前記下面処理液ノズル４を形成している。

純水ノズル２には、純水供給源に接続された純水供給路１７を介して純水（脱イオン水）が供給されるようになっている。純水供給路１７には、純水の供給／停止を切り換える純水バルブ１８が介装されている。薬液ノズル３には、薬液供給源５からの薬液が薬液供給路１９を介して供給されるようになっている。この薬液供給路１９には、薬液の供給／停止を切り換える薬液バルブ２０が介装されている。薬液供給源５は、実質的に一定濃度の薬液を貯留する薬液タンク６と、この薬液タンク６から薬液を汲みだして薬液供給路１９へと送出するポンプ７と、送出される薬液中の異物を取り除くフィルタ８と、送出される薬液の温度を調節する温度調節ユニット９とを備えている。

一方、処理液供給管１５には、処理液混合部２５が結合されている。この処理液混合部２５には、純水供給源からの純水が、純水供給路２６を介して供給されるようになっている。この純水供給路２６には、純水の供給／停止を切り換える純水バルブ２７が介装されている。さらに、処理液混合部２５には、薬液供給源５からの薬液が、薬液供給路２８を介して供給されるようになっていて、この薬液供給路２８には薬液の供給／停止を切り換える薬液バルブ２９が介装されている。

そして、上記回転駆動機構１４およびポンプ７の動作、ならびに純水バルブ１８，２７および薬液バルブ２０，２９の開閉が、制御装置３０によって制御されるようになっている。
図２は、前記基板処理装置による基板処理工程を説明するための図であり、図２(a)は薬液ノズル３から基板Ｗの上面に供給される薬液の供給流量の時間変化を示し、図２(b)は、純水ノズル２から基板Ｗの上面に供給される純水の供給流量の時間変化を示し、図２(c)は、スピンチャック１の回転速度（すなわち基板Ｗの回転速度）の時間変化を示している。

図２に示すように、基板処理工程は、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給工程と、この薬液供給工程に先立って基板Ｗに純水の供給を開始する前純水供給工程と、薬液供給工程の末期から基板Ｗに純水の供給を開始して薬液供給工程後も純水の供給を継続する後純水供給工程とを含む。これらの工程が行われる期間中、図２(c)に示すように、スピンチャック１の回転によって基板Ｗは回転状態とされていて、この回転状態の基板Ｗに対して、純水および薬液が供給されることになる。

より詳細に説明すると、基板搬送ロボット（図示せず）によって、スピンチャック１に未処理の基板Ｗが受け渡されると、制御装置３０は、回転駆動機構１４を制御し、スピンチャック１の回転を開始させ、基板Ｗの回転速度を液処理回転速度まで加速する。その後に、制御装置３０は、純水バルブ１８を開いて、前純水供給工程を開始する。これにより、スピンチャック１に保持されて回転されている基板Ｗの上面において、遠心力を受けた純水は、回転中心から外方へ向けて広がり、基板Ｗの上面の全域に行き渡る。このような前純水供給工程の開始の後に、制御装置３０は、薬液バルブ２０を開いて、薬液供給工程を開始する。このとき、純水バルブ１８は開いたままであり、基板Ｗ上には、純水および薬液の両方が供給されることになる。そのため、薬液バルブ２０を開いて薬液ノズル３からの薬液供給を開始した直後においても、基板Ｗの表面（特に回転中心近傍の着液点付近）における薬液の濃度は、急激に上昇することなく、緩慢な変化を示す。

その後、一定時間が経過すると、制御装置３０は純水バルブ１８を閉じて前純水供給工程を終了する。その後も、制御装置３０は、薬液バルブ２０を開状態に保持して薬液供給工程を継続する。こうして、一定時間にわたり、基板Ｗの表面が薬液によって処理されることになる。
制御装置３０は、薬液供給工程の末期において、薬液バルブ２０を閉じるよりも一定時間だけ前に、純水バルブ１８を開いて後純水供給工程を開始する。これにより、基板Ｗ上における薬液の濃度（特に回転中心付近の着液点近傍の薬液の濃度）の急変が抑制され、薬液濃度は緩慢な変化を示しながら減少していく。制御装置３０は、薬液バルブ２０を閉じて薬液供給工程を終了した後にも、純水バルブ１８を引き続き一定時間だけ開状態に保持する。これにより、基板Ｗ上の薬液が純水によって置換され、いわゆるリンス処理が行われることになる。

その後、制御装置３０は、純水バルブ１８を閉じて後純水供給工程を完了し、その後に、回転駆動機構１４を制御して、スピンチャック１の回転速度を加速して、基板Ｗの回転速度を乾燥回転速度とする。これにより、基板Ｗ上の水分が遠心力によって振り切られ、基板Ｗ表面が乾燥されることになる。
制御装置３０は、基板Ｗの下面に処理液を供給する下面処理液ノズル４に関しても同様の制御を行う。すなわち、薬液バルブ２９および純水バルブ２７に対して、薬液バルブ２０および純水バルブ１８に対する制御と同様の制御が行われることになる。ただし、基板Ｗの下面側においては、基板表面（下面）において薬液の混合が生じるのではなく、処理液混合部２５において薬液および純水の混合が行われ、その混合された処理液が処理液供給管１５を介して、下面処理液ノズル４から基板Ｗの下面の回転中心に向けて吐出されることになる。むろん、薬液および純水の混合が生じるのは、薬液供給工程の初期および末期の各一定時間であって、その他の期間は、純水のみまたは薬液のみが下面処理液ノズル４から基板Ｗの下面中央に向けて吐出される。基板Ｗの下面中央に吐出された処理液は、遠心力を受けて外方側へと広がり、基板Ｗの下面全域に供給される。

以上のように、この実施形態によれば、薬液供給工程の初期に前純水供給工程が時間的にオーバラップしており、薬液供給工程の末期に後純水供給工程が時間的にオーバラップしている。これにより、薬液供給開始時および薬液供給停止時における基板Ｗ上での薬液濃度の急変を抑制することができる。その結果、特に基板Ｗ表面における着液点での薬液濃度の急変を抑制できるから、薬液処理の面内均一性を著しく改善することができる。

また、高温および／または高濃度の高性能な薬液を用いる場合でも、基板Ｗ上での薬液濃度の急変を抑制できるので、このような高性能薬液を用いることで、基板処理時間を短縮し、かつ、基板処理の面内不均一を抑制することができる。これにより、基板処理の品質を悪化させることなく、基板処理に要する時間を短縮することができる。
特に、薬液としてエッチング液を用いる場合に、高温および／または高濃度の高性能エッチング液を用いても、均一性の高いエッチング処理が可能になる。

さらに、この実施形態においては、図２(a)において二点鎖線で示すように、薬液の供給開始時（とくに前純水供給工程の終了以前の期間）に薬液供給流量を漸増させる薬液流量漸増工程Ａ１が行われる。より具体的には、薬液バルブ２０として流量調整機能付きのバルブを用い、制御装置３０により、薬液供給開始時および／または薬液供給停止時における薬液バルブ２０の開度を漸増／漸減させる。これにより、基板Ｗ上における薬液濃度の変動をより緩慢にすることができるので、さらに均一性の高い基板処理が可能になる。基板Ｗの下面側の処理についても同様であり、薬液バルブ２９として流量調整機能付きバルブを用い、制御装置３０により、薬液供給開始時において、薬液バルブ２９の開度を漸増させればよい。

さらに、この実施形態では、図２(b)において二点鎖線で示すように、前純水供給工程の末期（とくに薬液供給工程の開始以後の期間）において、純水供給流量を漸減させる純水流量漸減工程Ｂ１が行われる。より具体的には、純水バルブ１８として、流量調整機能付きのバルブを用い、制御装置３０により、前純水供給工程の末期において、純水バルブ１８の開度を漸減させればよい。このようにすれば、基板Ｗ上における薬液濃度の変化をより緩慢にすることができるので、基板処理の面内均一性をさらに向上することができる。

この実施形態では、薬液供給工程の初期において、薬液供給流量の漸次的な変化と、純水供給流量の漸次的な変化とが併用されるので、さらに基板Ｗ上での薬液濃度をさらに緩慢に変動させることができるので、基板処理の面内均一性を一層向上できる。
図２の記載から明らかなとおり、この実施形態では、前純水供給工程は、この前純水供給工程の末期において、薬液供給工程の開始後に、基板Ｗへの純水の供給流量を、薬液供給工程の開始前と等しい一定流量に保持した後に漸減（Ｂ１）させる工程を含む。また、薬液供給工程は、この薬液供給工程の初期において純水の供給流量が漸減される前に開始され、基板Ｗへの薬液の供給流量を漸増させる薬液流量漸増工程（Ａ１）を含む。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、図２(a)において二点鎖線で示すように、薬液の供給停止時（とくに後純水供給工程の開始以後の期間）に、薬液供給流量を漸減させる薬液流量漸減工程Ａ２を行ってもよい。より具体的には、薬液バルブ２０として流量調整機能付きのバルブを用い、制御装置３０により、薬液供給停止時における薬液バルブ２０の開度を漸減させるようにすればよい。このようにすれば、薬液供給停止時における基板Ｗ上における薬液濃度の変動をより緩慢にすることができるので、さらに均一性の高い基板処理が可能になる。基板Ｗの下面側の処理についても同様であり、薬液バルブ２９として流量調整機能付きバルブを用い、制御装置３０により、薬液供給停止時において、薬液バルブ２９の開度を漸減させればよい。
さらに、図２(b)において二点鎖線で示すように、後純水供給工程の初期（とくに薬液供給工程の終了以前の期間）において、純水供給流量を漸増させる純水流量漸増工程Ｂ２を行ってもよい。より具体的には、純水バルブ１８として、流量調整機能付きのバルブを用い、後純水供給工程の初期の期間において、制御装置３０により純水バルブ１８の開度を漸増させればよい。このようにすれば、薬液供給停止時において基板Ｗ上での薬液濃度の変化をより緩慢にすることができるので、基板処理の面内均一性をさらに向上することができる。
むろん、薬液供給停止時に、薬液供給流量の漸次的な変化と、純水供給流量の漸次的な変化とを併用すれば、さらに基板Ｗ上での薬液濃度をさらに緩慢に変動させることができるので、基板処理の面内均一性を一層向上できる。
また、薬液供給工程の初期および末期において、薬液の供給を間欠的に行うようにして前述のような薬液流量漸増工程や薬液流量漸減工程を行うようにしてもよい。より具体的には、薬液バルブ２０を間欠的に開いたり、薬液タンク６から薬液を送り出すポンプ７（たとえばダイヤフラムポンプからなる。）の脈動を利用したりして、薬液の間欠供給を行うようにしてもよい。これによって、薬液供給工程の初期および末期における薬液供給流量が抑制されるので、基板Ｗ上における薬液濃度の変動を緩慢にすることができ、基板処理の面内均一化に寄与することができる。

また、後純水供給工程は、必ずしも薬液供給工程の末期と時間的にオーバラップしている必要はない。この場合でも、薬液供給工程の初期に前純水供給工程が時間的にオーバラップしていることにより、薬液供給開始時の特に着液点における薬液濃度の急変を抑制できるから、基板処理の面内均一性を向上できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す概念図である。 前記基板処理装置による基板処理工程を説明するための図であり、(a)は薬液の供給流量の時間変化を示し、(b)は純水の供給流量の時間変化を示し、(c)は基板の回転速度の時間変化を示している。 従来技術を説明するためのタイムチャートである。

符号の説明

１ スピンチャック
２ 純水ノズル
３ 薬液ノズル
４ 下面処理液ノズル
５ 薬液供給源
６ 薬液タンク
７ ポンプ
８ フィルタ
９ 温度調節ユニット
１１ スピンベース
１２ チャックピン
１３ 回転軸
１４ 回転駆動機構
１５ 処理液供給管
１７ 純水供給路
１８ 純水バルブ
１９ 薬液供給路
２０ 薬液バルブ
２５ 処理液混合部
２６ 純水供給路
２７ 純水バルブ
２８ 薬液供給路
２９ 薬液バルブ
３０ 制御装置
Ａ１ 薬液流量漸増工程
Ａ２ 薬液流量漸減工程
Ｂ１ 純水流量漸減工程
Ｂ２ 純水流量漸増工程
Ｗ 基板

Claims (5)

1. 基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理方法であって、
   基板保持回転機構で基板を保持して回転させる基板回転工程と、
   この基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する前純水供給工程と、
   前記基板回転工程によって回転されている基板の表面に薬液としてのエッチング液を供給する薬液供給工程とを含み、
   前記薬液供給工程に先だって前記前純水供給工程を開始するとともに、前記薬液供給工程開始後にも前記前純水供給工程を継続した後に当該前純水供給工程を終了し、その後も前記薬液供給工程を継続した後に当該薬液供給工程を終了し、
   前記前純水供給工程は、この前純水供給工程の末期において、前記薬液供給工程の開始後に、前記基板への純水の供給流量を、前記薬液供給工程の開始前と等しい一定流量に保持した後に漸減させる工程を含み、
   前記薬液供給工程は、この薬液供給工程の初期において前記純水の供給流量が漸減される前に開始され、前記基板への薬液の供給流量を漸増させる薬液流量漸増工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記前純水供給工程の終了後であって、前記薬液供給工程の終了前に開始され、前記基板回転工程によって回転されている基板の表面に純水を供給する後純水供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記後純水供給工程は、この後純水供給工程の初期において、前記薬液供給工程の終了前に、前記基板への純水の供給流量を漸増させる純水流量漸増工程を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
4. 前記薬液供給工程は、この薬液供給工程の末期において、前記後純水供給工程の開始後に、前記基板への薬液の供給流量を漸減させる薬液流量漸減工程を含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理方法。
5. １枚の基板を保持して回転させる基板保持回転機構と、
   この基板保持回転機構に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給機構と、
   前記基板保持回転機構に保持された基板の表面に薬液としてのエッチング液を供給する薬液供給機構と、
   前記純水供給機構および薬液供給機構を制御し、前記薬液供給機構による薬液供給開始前から前記純水供給機構によって基板の表面に純水を供給させるとともに、前記薬液供給機構による薬液の供給を開始させた後も前記純水供給機構による純水の供給を継続させ、その後に、前記純水供給機構による純水の供給を停止させる制御手段とを含み、
   前記制御手段は、前記薬液供給機構による薬液供給開始後に、前記純水供給機構による純水の供給流量を薬液供給開始前と等しい一定流量に保持した後に漸減させ、前記純水の供給流量を漸減する前から前記薬液供給機構による薬液の供給流量を漸増させることを特徴とする基板処理装置。

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