JP2009266951A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1または第2の薬液供給源211,212から供給されるエッチング液を下面処理ノズル2から吐出するのに先立って、DIWを下面処理ノズル2から吐出させてウエハ裏面Wbに供給しておく。エッチング液の非等方的な広がりはDIWの層によって修正されるため、エッチング液の局所的な集中に起因するエッチングむらが防止される。このため、ウエハ回転速度を上げたりエッチング液の供給量を少なくすることができ、エッチング幅を小さくすることができる。
【選択図】図1
Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Wの上面端部に存在する薄膜(不要物)をエッチング除去する装置である。または、この基板処理装置は、基板Wの上面端部および基板裏面Wbに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。ここで、処理対象となっている基板Wには、金属膜、シリコン窒化膜(SiN膜)やシリコン酸化膜等の薄膜が基板表面Wfに形成された基板や上記薄膜が表裏面Wf,Wbに形成された基板が含まれる。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面を意味している。
図10はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。この実施形態の基板処理装置は、第1実施形態のもの(図1)と比較すると、スピンベース15の外周部近傍にチャックリンスノズル4が設けられている点が最も大きな違いである。チャックリンスノズル4は制御ユニット8により制御される開閉バルブ224を介してDIW供給源213に接続されており、スピンベース15の側方から回転軸J方向にDIWを吐出する。チャックリンスノズル4は、スピンベース15上に設けられた支持ピン152に付着する薬液を洗い流す際に使用される。この点を除く他の構成は第1実施形態と同じであるため、ここでは同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
次に、この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態について説明する。第2実施形態の装置では薬液の回収効率を高めてこれを有効に再利用することができるが、前処理のためにDIWを供給するための構成(チャックリンスノズル4)が別途必要となる。以下に説明する第3実施形態の装置は、チャックリンスノズルを設けない装置において第2実施形態と同様の高い薬液回収効率を実現するものである。
以上説明したように、上記した各実施形態では、スピンベース15および対向部材5がそれぞれ本発明の「基板保持手段」および「対向部材」として機能している。また、スピンベース15に設けられた支持ピン152が本発明の「支持部」として機能している。また、ガス供給ユニット18およびガス供給路57が一体として本発明の「気流形成手段」として機能している。
5…対向部材
15…スピンベース(基板保持手段)
18…ガス供給ユニット(気流形成手段)
21…処理液供給管(給送管)
57…ガス供給路(気流形成手段)
152…支持ピン(支持部)
211,212…第1および第2の薬液供給源(エッチング液供給手段)
213…DIW供給源(前液供給手段)
221,222…開閉バルブ(エッチング液供給手段)
223…開閉バルブ(前液供給手段)
S101,S102…基板保持工程
S103…前処理工程
S104…エッチング工程
W…ウエハ(基板)
Claims (12)
- 基板を略水平状態に保持し略鉛直軸周りに回転させる基板保持工程と、
回転する前記基板下面のエッチング液供給領域に向けてエッチング液を供給し前記基板の上面端部に前記エッチング液を回り込ませることにより前記基板の上面端部をエッチングするエッチング工程と
を備え、
前記エッチング工程の実行前に、前記基板下面に前液を供給して、該基板下面のうち前記エッチング液供給領域の周囲を取り囲む周囲領域を前液により濡れた状態にする前処理工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 - 前記前処理工程では、前記基板の下面端部を含む前記周囲領域を前液により濡れた状態とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程では、前記基板の上面端部近傍に、前記基板の回転中心から外側に向かう気流を形成する請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程では、前記基板上面に対向部材を近接配置させ、前記対向部材と前記基板上面とに挟まれる空間に前記気流を形成する請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記前処理工程では、前記基板下面の略中央部に向けて前液を供給する請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記前処理工程では、前記基板下面の周縁部に向けて前液を供給する請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記エッチング工程では、前記前処理工程よりも前記基板の回転速度を高くする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板を略水平状態に保持し略鉛直軸周りに回転させる基板保持手段と、
回転する前記基板下面のエッチング液供給領域に向けてエッチング液を供給することで前記基板の上面端部に前記エッチング液を回り込ませ前記基板の上面端部をエッチングするエッチング液供給手段と、
前記エッチング液供給手段からのエッチング液の供給に先立って、前記基板下面に前液を供給して該基板下面のうち前記エッチング液供給領域の周囲を取り囲む周囲領域を前液により濡れた状態にする前液供給手段と
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板の上面と対向する基板対向面を有し前記基板の上面に近接配置される対向部材と、
前記対向部材と前記基板上面とに挟まれる空間に前記基板の回転中心から外側に向かう気流を形成する気流形成手段と
をさらに備える請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段には、前記基板の下面に当接して前記基板を下方から支持するための支持部が上向きに突設されており、
前記支持部により支持された前記基板の上面に対し前記対向部材が近接配置され、前記気流形成手段が前記対向部材の下面から気体を吐出することで前記気流を形成するとともに該気流により前記基板を前記支持部に押し付けることによって前記基板が保持される請求項9に記載の基板処理装置。 - 前記エッチング液供給手段は、前記基板の下面に向けて開口し該開口部に向けて前記エッチング液を給送する給送管を備える一方、
前記前液供給手段は、前記給送管の内部空間のうち前記開口部に接する一部空間に前液を注入する請求項8ないし10のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記前液供給手段は、前記基板下面の周縁部に向けて前液を供給する請求項8ないし10のいずれかに記載の基板処理装置。
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