JP2008187083A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 309
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 129
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 88
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 88
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【解決手段】開口部521のうちノズル挿入孔52に挿入されたノズル3に対して液吐出方向X側に位置する部位531が液吐出方向X側に拡張される。したがって、ノズル挿入孔52に移動してきた液滴DLは拡張部位531を介してノズル3に対して液吐出方向X側の内壁面、つまり傾斜部位532に付着する。しかも、この傾斜部位532はノズル挿入孔52の中央部から拡張部位531に向けて傾斜しながら基板Wの表面中央部側から離れるように設けられているため、付着した液滴DLは傾斜部位532に沿って液吐出方向X側に流れ、ノズル挿入孔52の開口部521から排出される。
【選択図】図5
Description
図1はこの発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図2は図1の基板処理装置の主要な制御構成を示すブロック図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の略円形基板Wの表面Wfの周縁部を洗浄する装置、具体的には基板Wの表面Wfの周縁部に存在する薄膜(不要物)または該周縁部および基板裏面Wbに存在する薄膜をエッチング除去する装置である。ここで、処理対象となっている基板Wには、SiN膜又はHigh―k膜等の薬液に対して難溶性を示す薄膜が基板表面Wfに形成された基板や上記薄膜が表裏面Wf,Wbに形成された基板Wが含まれる。そこで、基板表面Wfのみに薄膜が形成されている場合には、基板表面Wfの周縁部TR(本発明の「表面周縁部」に相当)に薬液および純水やDIW(=deionized water)などのリンス液(以下、薬液およびリンス液を総称して「処理液」という)を供給して周縁部TRから薄膜をエッチング除去するとともに、基板裏面Wbに処理液を供給して裏面Wbを洗浄する。また、基板Wの表裏面Wf,Wbに薄膜が形成されている場合には、表面周縁部TRおよび裏面Wbに処理液を供給して表面周縁部TRおよび裏面Wbから薄膜をエッチング除去する。なお、この実施形態では、基板表面Wfとはデバイスパターンが形成されるデバイス形成面を意味している。
図9および図10はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、ガイド機構53としてノズル挿入孔52の開口部近傍に溝部位533が追加形成されている点であり、その他の構成は第1実施形態と同一である。そこで、以下においては、追加構成を中心に説明する一方、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第2実施形態では、ガイド機構53として拡張部位531、傾斜部位532および溝部位533を設けているが、溝部位533のみを設けてもよい。すなわち、第1および第2実施形態では、ノズル挿入孔52の当接面522よりも下側の孔部523をいわゆるブーツ形状に仕上げているが、図11および図12に示すように単なる円筒形状に仕上げてもよい。そして、開口部521のうちノズル挿入孔52に挿入されたノズル3に対して液吐出方向X側に位置する液吐出方向側開口部位の近傍位置に溝部位533を液滴移動方向Yに延設することができる。
3…ノズル
5…対向部材
13…チャック回転機構(回転手段)
15…スピンベース
52…ノズル挿入孔
53…ガイド機構
501…基板対向面
521…開口部
531…拡張部位(液吐出方向側開口部位)
532…傾斜部位
533…溝部位
534…液吐出方向側開口部位
DL…液滴
TR…表面周縁部
Wf...基板表面
W…基板
X…液吐出方向
Y…液滴移動方向
Claims (7)
- 基板の表面周縁部に処理液を供給して該表面周縁部に対して所定の表面処理を施す基板処理装置において、
基板の表面を上方に向けた状態で該基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段により保持された基板の表面に対向して離間配置され、しかも前記基板表面と対向する基板対向面に開口部を有するノズル挿入孔が設けられた対向部材と、
前記ノズル挿入孔に挿入された状態で前記ノズル挿入孔から前記基板の表面周縁部に向う液吐出方向に前記処理液を吐出して前記表面周縁部に供給するノズルとを備え、
前記ノズル挿入孔に、前記開口部近傍で前記ノズル挿入孔に付着する前記処理液の液滴を前記液吐出方向側に案内するガイド機構が設けられたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記ガイド機構は、前記開口部のうち前記ノズル挿入孔に挿入された前記ノズルに対して前記液吐出方向側の開口部位を前記液吐出方向側に拡張してなる拡張部位と、前記ノズル挿入孔の内壁面のうち前記ノズルに対して前記液吐出方向側で前記ノズル挿入孔の中央部から前記拡張部位に向けて傾斜しながら前記基板の表面中央側から離れるように設けられた傾斜部位とを有する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記基板対向面は前記基板表面とほぼ同一またはそれ以上の平面サイズを有し、前記基板表面全体を覆っており、しかも、前記拡張部位は前記基板の表面周縁部を超えて前記基板の径方向側に延設されている請求項2記載の基板処理装置。
- 前記液吐出方向に吐出された前記処理液が前記基板の表面周縁部から液滴状態で前記ノズル挿入孔に向けて移動可能となっている請求項1または2記載の基板処理装置であって、
前記ガイド機構は、前記開口部のうち前記ノズル挿入孔に挿入された前記ノズルに対して前記液吐出方向側に位置する液吐出方向側開口部位の近傍で前記ノズル挿入孔に対して前記液滴の移動方向に延設された溝部位を有する基板処理装置。 - 前記基板対向面は前記基板表面とほぼ同一またはそれ以上の平面サイズを有し、前記基板表面全体を覆っており、しかも、前記溝部位は前記基板の表面周縁部を超えて前記基板の径方向側に延設されている請求項4記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段により保持された基板を回転させる回転手段をさらに備えた請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板の表面を上方に向けた状態で該基板を保持する基板保持工程と、
前記基板の表面に対向して対向部材を離間配置する配置工程と、
前記対向部材に設けられたノズル挿入孔にノズルを挿入する挿入工程と、
前記ノズル挿入孔から前記基板の表面周縁部に向う液吐出方向に前記ノズルから前記処理液を吐出して前記表面周縁部に供給して前記表面周縁部に対して所定の表面処理を施す供給工程とを備え、
前記供給工程は、前記表面処理と並行して、前記基板の表面周縁部から前記ノズル挿入孔に移動してきた前記処理液の液滴を前記液吐出方向側に案内することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007020743A JP4841451B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TW096142589A TWI325792B (en) | 2007-01-31 | 2007-11-09 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
KR1020070126686A KR100893998B1 (ko) | 2007-01-31 | 2007-12-07 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
CN2007101989938A CN101236889B (zh) | 2007-01-31 | 2007-12-11 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
US11/964,421 US8020570B2 (en) | 2007-01-31 | 2007-12-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007020743A JP4841451B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008187083A true JP2008187083A (ja) | 2008-08-14 |
JP4841451B2 JP4841451B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=39729910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007020743A Expired - Fee Related JP4841451B2 (ja) | 2007-01-31 | 2007-01-31 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8020570B2 (ja) |
JP (1) | JP4841451B2 (ja) |
KR (1) | KR100893998B1 (ja) |
CN (1) | CN101236889B (ja) |
TW (1) | TWI325792B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY160057A (en) | 2009-12-11 | 2017-02-15 | Kgt Graphit Tech Gmbh | Substrate support |
JP5270607B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-08-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
KR102091291B1 (ko) | 2013-02-14 | 2020-03-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
TWI622091B (zh) | 2015-06-18 | 2018-04-21 | 思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
WO2018200398A1 (en) | 2017-04-25 | 2018-11-01 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Semiconductor wafer processing chamber |
JP6842391B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2021-03-17 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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-
2007
- 2007-01-31 JP JP2007020743A patent/JP4841451B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-09 TW TW096142589A patent/TWI325792B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-07 KR KR1020070126686A patent/KR100893998B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-12-11 CN CN2007101989938A patent/CN101236889B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-26 US US11/964,421 patent/US8020570B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004079909A (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 |
JP2005116949A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Ses Co Ltd | ベベルエッチング処理法および処理装置 |
JP2006032891A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2006140385A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080254224A1 (en) | 2008-10-16 |
TW200836841A (en) | 2008-09-16 |
CN101236889A (zh) | 2008-08-06 |
KR100893998B1 (ko) | 2009-04-20 |
US8020570B2 (en) | 2011-09-20 |
JP4841451B2 (ja) | 2011-12-21 |
CN101236889B (zh) | 2010-06-16 |
KR20080071881A (ko) | 2008-08-05 |
TWI325792B (en) | 2010-06-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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