JP2009182136A - ポリシリコン膜の除去方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ポリシリコン膜41が形成されたウエハWにおけるベベル部42のポリシリコン膜41をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法は、ベベル部42のポリシリコン膜41を除去せずに親水化する工程と、エッチング境界43が平坦になる程度の回転数でウエハを回転させながら、親水化されたベベル部42のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液をエッチング液として供給する工程とを含む。
【選択図】 図3
Description
また、そのような方法を実施するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを目的とする。
図2は、このようなポリシリコン膜を除去する方法のフローチャートであり、図3はこの方法の各工程を説明するための模式図である。
ここでは、厚さ100nmの熱酸化膜の上に厚さ150nmのポリシリコン膜を形成した300mmSiウエハを用いた。
2;チャンバ
3;スピンチャック
4;モータ
5;カップ
6;排気・排液管
7;搬入出口
11;硝酸供給ノズル
12;エッチング液供給ノズル
13;純水供給ノズル
14;硝酸供給配管
15;硝酸供給源
17;エッチング液供給配管
18;エッチング液供給源
20;純水供給配管
21;純水供給源
16,19,22;バルブ
30;コントローラ
31;ユーザーインターフェース
32;記憶部
41;ポリシリコン膜
42;ベベル部
43;エッチング境界
44;エッチング残り
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (10)
- ポリシリコン膜が形成された基板における基板端部のポリシリコン膜をウエットエッチングにより除去するポリシリコン膜の除去方法であって、
基板端部のポリシリコン膜を除去せずに親水化する工程と、
エッチング境界の形状性が良好になる回転数で基板を回転させながら、前記親水化された基板端部のポリシリコン膜にフッ酸と硝酸の混合液からなるエッチング液を供給する工程と
を含むことを特徴とするポリシリコン膜の除去方法。 - 前記エッチング液を供給する工程は、基板を300rpm以上に回転させながら行うことを特徴とする請求項1に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記エッチング液は、フッ酸と硝酸の体積比で1:1〜1:30であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記エッチング液の供給量は、3〜50cm3/minであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記親水化工程は、基板端部のポリシリコン膜に硝酸を供給してポリシリコン膜を酸化させることにより行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記親水化工程は、基板を600rpm以下の回転数で回転させながら基板端部のポリシリコン膜に硝酸を供給することを特徴とする請求項5に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記親水化工程は、基板端部のポリシリコン膜に過酸化水素水、オゾン水、オゾンガスのいずれかを供給してポリシリコン膜を酸化させることにより行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- 前記親水化工程は、基板端部のポリシリコン膜に光を照射することにより行うことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- ポリシリコン膜に照射する光は紫外線であることを特徴とする請求項8に記載のポリシリコン膜の除去方法。
- コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項9のいずれかのポリシリコン膜の除去方法が行われるようにコンピュータに処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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