JP2006351736A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板を希フッ酸を用いて洗浄する第1の工程(S1,S2)と、酸化膜が除去された基板を過酸化水素水を用いて化学酸化膜を形成する第2の工程(S3,S4)と、化学酸化膜が形成された基板表面に残存する水分をスピンドライにて除去する第3の工程(S5)と、水分が除去された基板表面を硫酸過酸化水素水で洗浄する第4の工程(S6)とを行う。これは、従来より行われている第1の工程と第4の工程との間に、第1の工程の希フッ酸洗浄で露出するSi面を化学酸化膜で被覆する第2の工程と、その表面の水分を除去する第3の工程とを追加したものである。これにより、水に対するSiの溶解、及び硫酸過酸化水素水と水との混合による発熱を回避し、ウォータマークの発生を抑制することが連続処理で可能となった。
【選択図】図2
Description
また第1から第4の工程を単一の処理槽内でスプレーノズルを用いて連続的に行うことを特徴とする。また第1から第4の工程で半導体基板の表面が大気に曝されないようにする。
フッ化水素の濃度は0.1wt%以上とすることができる。化学酸化膜の厚みは0.5nmから0.9nmとすることができる。
フッ化水素処理後にリンスおよび乾燥処理を実施して一旦処理を完了させ、その後に硫酸処理を実施する場合には、ウォーターマークの発生は特に問題とならないが、フッ化水素処理後に連続して硫酸処理する場合に、本発明方法が有用となる。一般に、スループット向上や洗浄コスト削減のために、1回のランニングで複数薬液を幾つかのステップに分けて適用することが望まれるが、本発明方法によって、フッ化水素処理後に連続して硫酸処理することが可能になる。
図1は本発明で使用するウェハ洗浄装置の概略構成を示す断面図である。
このウェハ洗浄装置は、スプレー式ウェハ洗浄装置と呼ばれるものであって、密閉型の処理槽1内に、複数のウェハWを保持可能な有底筒状のウェハホルダー2が回転軸3により下方から支持されて回転軸3の軸芯廻りに回転自在に配置されるとともに、ウェハホルダー2内に、薬液等の流体4aを吐出可能なスプレーノズル4が回転軸3と同軸状に配置されていて、ウェハホルダー2内のウェハWはスプレーノズル4の周りを公転し、スプレーノズル4はウェハWに向けて薬液等の流体4aを噴射する。
複数のウェハWをセットしたカセットホルダー6をウェハホルダー2に装着し、ウェハホルダー2を回転軸3の軸芯廻りに回転させることにより、複数のウェハWを同時にスプレーノズル4の周りを公転させる。
1 処理槽
2 ウェハホルダー
3 回転軸
4 スプレーノズル
4a 薬液等の流体
11 シリコン基板
12 自然酸化膜
13 化学酸化膜
Claims (8)
- 半導体基板を洗浄する際に、
基板表面のシリコン層上をフッ化水素を含んだ薬液で浄化する第1の工程と、
前記薬液によって酸化膜が除去されたシリコン層の表面を酸化剤を含んだ薬液で処理して化学酸化膜を形成する第2の工程と、
前記化学酸化膜が形成された基板表面に残存する水分を除去する第3の工程と、
前記水分が除去された基板表面を硫酸を含んだ薬液で浄化する第4の工程と
を行う半導体基板の洗浄方法。 - 第1、第2、および第4の工程で、薬液に次いで水を供給する請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 第1から第4の工程を単一の処理槽内でスプレーノズルを用いて連続的に行う請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 第1から第4の工程で半導体基板の表面が大気に曝されない請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 第3の工程で、半導体基板を回転させて水分を除去する請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- フッ化水素の濃度が0.1wt%以上である請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- 化学酸化膜の厚みが0.5nmから0.9nmである請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
- フッ化水素を含んだ薬液が希フッ酸であり、酸化剤を含んだ薬液が過酸化水素水であり、硫酸を含んだ薬液が硫酸過酸化水素水である請求項1記載の半導体基板の洗浄方法。
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JP2009158531A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体基板の処理方法及び半導体装置の製造方法 |
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