JP4493444B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
上述したように、従来、半導体基板の洗浄後に半導体基板に残された液滴が乾燥すると、その部分にシミ(ウォーターマーク)が形成される。ここでは、そのウォーターマークについて得られた知見(メカニズム)と、そのモデルに基づいたウォーターマークを抑制するための洗浄方法について説明する。
ここでは、本発明に係る窒素ガスを溶解させた洗浄液による洗浄方法の有効性を確認するために行なった従来の洗浄方法との比較評価について説明する。本発明例では、乾燥前に窒素ガスを溶解させた洗浄液を半導体基板に供給した。一方、比較例として、前述した特許文献1および特許文献2に開示された窒素ガスを吹付ける洗浄方法とした。半導体基板としてSiOC基板を用いた。窒素ガスを溶解させた洗浄液を半導体基板に供給する時間を60秒とした。乾燥条件を半導体基板の回転数3000rpm、時間20秒とした。乾燥後の各半導体基板表面におけるウォーターマークの形成状況を異物検査装置にて測定した。なお、異物検査には各条件2枚の半導体基板について評価した。
ここでは、種々のガスについてそれぞれを超純水に溶解させた洗浄液を用いて行なったウォーターマークの形成抑制効果について説明する。ガス種以外の評価条件は、実施の形態1において説明した条件と同じとした。その結果を図6に示す。図6に示すように、不活性ガスである窒素ガス、ヘリウムを溶解させた洗浄液、あるいは、還元性ガスである水素ガスを溶解させた洗浄液をそれぞれ半導体基板に供給した場合のウォーターマークの数は、ガスを溶解させない洗浄液(溶存ガスなし)および酸化性ガスである酸素あるいは二酸化炭素を溶解させた洗浄液をそれぞれ半導体基板に供給した場合のウォーターマークの数よりも、大幅に少ないことがわかった。
ここでは、半導体基板としてCu配線とLow−k膜が形成された半導体基板に対して、実施の形態3の場合と同様に、種々のガスをそれぞれ溶解させた洗浄液を供給して、Cu配線におけるCuの溶出について行なった評価について説明する。
一方、不活性ガスを溶解させた洗浄液の場合には、電位差やイオンが存在しないのでCuの溶出は抑制されると考えられる。また、還元性ガスを溶解させた洗浄液の場合にも、酸化反応が抑制されてCuの溶出は抑制されると考えられる。
前述した各評価では、種々のガスを溶解させた洗浄液としては、各ガスについて飽和レベルにまで溶解させた洗浄液を用いた。ここでは、溶解度の異なる洗浄液を半導体基板に供給することにより行なったウォーターマークの形成抑制効果について説明する。ガスとして窒素ガスを用い、窒素ガスの溶解度以外の評価条件は、実施の形態1において説明した条件と同じとした。その結果を図9に示す。
ここでは、上述した半導体基板の洗浄方法に適用される半導体基板処理装置の一例について説明する。図10に示すように、半導体処理装置1には、半導体基板3を収容して半導体基板3に洗浄処理を施すための洗浄処理室2が設けられている。洗浄処理室2には半導体基板3に洗浄液を供給するための洗浄液供給配管5が接続されている。
ここでは、上述した半導体基板の洗浄方法に適用される半導体基板処理装置の他の例について説明する。図11に示すように、半導体基板処理装置1には、半導体基板に化学的機械研磨処理を施すためのCMP処理室7と、そのCMP処理室7にて研磨処理が施された半導体基板を洗浄するための洗浄処理室2が設けられている。この洗浄処理室2は、図10に示される半導体基板処理装置1における洗浄処理室2と同じ機能を有する。したがって、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
ここでは、上述した半導体基板処理装置を用いて製品ウェハについて行なった評価とその結果について説明する。そのフローを図13に示す。まず、ステップS1のCMP工程では、半導体基板にCu配線が形成される。次に、ステップS2の洗浄工程では、Cu配線が形成された半導体基板の表面にブラシ等による洗浄処理が施される。次に、ステップS3の洗浄工程では、不活性ガスを溶解させた洗浄液が半導体基板に供給される。そして、ステップS4の乾燥工程では、半導体基板に乾燥処理が施される。
Claims (6)
- 半導体基板の主表面に、疎水性を示すLow−k膜を形成する工程と、
前記疎水性を示すLow−k膜に配線パターンに対応した所定の溝を形成する工程と、
前記溝を埋め込むように前記疎水性を示すLow−k膜上に銅膜を形成する工程と、
前記銅膜に化学的機械研磨処理を施して前記溝内に前記銅膜を選択的に残すことにより、前記溝内に銅配線を形成する工程と、
前記化学的機械研磨処理の後、前記半導体基板の表面を洗浄する第1の洗浄工程と、
前記第1の洗浄工程の後に、前記半導体基板の表面を洗浄する第2の洗浄工程と、
前記第2の洗浄工程の後に前記半導体基板の表面を乾燥する工程と
を備え、
前記第2の洗浄工程では、還元性ガスおよび不活性ガスの少なくともいずれかのガスを溶解させた洗浄液を用いる、半導体装置の製造方法。 - 前記第1の洗浄工程は、ブラシを用いて前記半導体基板の表面を洗浄するスクラブ洗浄処理を含み、
前記第2の洗浄工程は、前記半導体基板を回転させながら洗浄するスピン洗浄処理を含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記疎水性を示すLow−k膜の誘電率は2.0〜3.7である、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記洗浄液に溶解させる前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの前記洗浄液に対する飽和溶解度の少なくとも40%以上である、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記洗浄液に溶解させる前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの前記洗浄液に対する飽和溶解度の少なくとも60%以上である、請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記洗浄液に溶解させる前記ガスの溶解度は、溶解させる前記ガスの前記洗浄液に対する飽和溶解度の少なくとも80%以上である、請求項5記載の半導体装置の製造方法。
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