JP7201494B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7201494B2 JP7201494B2 JP2019052732A JP2019052732A JP7201494B2 JP 7201494 B2 JP7201494 B2 JP 7201494B2 JP 2019052732 A JP2019052732 A JP 2019052732A JP 2019052732 A JP2019052732 A JP 2019052732A JP 7201494 B2 JP7201494 B2 JP 7201494B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- main surface
- gas
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 338
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 312
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 179
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 102
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 88
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
従来、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上に成膜が行われた基板の周縁領域（すなわち、ベベル部）に対してエッチング液を供給し、当該周縁領域の膜を除去するエッチング処理が行われる。特許文献１および特許文献２では、基板の成膜された主面を上側に向け、上面周縁領域に向けてノズルからエッチング液を吐出することにより、周縁領域の膜が基板から除去される。
また、特許文献３では、基板の成膜された主面を下方に向け、基板上面にエッチング液を供給して下面周縁領域に回り込ませることにより、周縁領域の膜が基板から除去される。特許文献４および特許文献５では、周縁領域のエッチングが行われる基板の上下が、特許文献３と反対になっている。
特許文献３では、基板の下面中央部にシールガスを供給し、当該下面に沿って径方向外方へと向かうシールガスの気流を形成することにより、基板の下面周縁領域におけるエッチング液の回り込み幅（すなわち、エッチング幅）を制御する技術が提案されている。特許文献４では、基板の下面にエッチング液を供給する前に、当該下面にＤＩＷ（Ｄｅ－ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）を供給しておくことにより、エッチング液の非等方的な広がりを抑制する技術が提案されている。
ところで、基板の上面および下面のうち一方の主面に薬液を供給し、他方の主面の周縁領域を薬液処理する場合、薬液の供給流量が大きいと、回転する基板から周囲に飛散する薬液がカップ部等にて跳ね返り、基板に付着するおそれがある。一方、薬液の供給流量が小さい場合、他方の主面への薬液の回り込み幅（すなわち、薬液処理幅）が不足するおそれがある。また、薬液の供給流量が小さい場合、他方の主面に供給されるガス（いわゆる、シールガス）と、他方の主面に回り込んだ薬液との境界が安定せず、薬液処理が不安定になるおそれもある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の周縁領域の薬液処理を、薬液の液跳ねを抑制しつつ好適に行うことを目的としている。
請求項１に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、ｃ）前記ｂ）工程に連続して回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う工程とを備え、前記薬液は、前記リンス液に溶質を溶解させたものである。
請求項２に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、ｃ）前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、備える。
請求項２に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、ｃ）前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、備える。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理方法であって、前記薬液は、前記リンス液に溶質を溶解させたものである。
請求項４に記載の発明は、基板処理方法であって、ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、ｃ）前記ｂ）工程よりも後に、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、を備え、ｄ）前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間に、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第３流量にて前記リンス液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませ、前記気液界面まで前記リンス液を供給する工程をさらに備える。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理方法であって、前記ｃ）工程における前記第２流量の前記薬液は、前記第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより生成される。
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理方法であって、前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間において、または、前記ｃ）工程の開始と並行して、前記基板の回転速度が低減される。
請求項７に記載の発明は、基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給に連続して、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部とを備え、前記薬液供給部は、前記第１流量よりも小流量の第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより前記第２流量の前記薬液を生成する薬液生成部を備える。
請求項８に記載の発明は、基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、を備える。
請求項８に記載の発明は、基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、を備える。
請求項９に記載の発明は、基板処理装置であって、水平状態で基板を保持する基板保持部と、上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、を備え、前記リンス液供給部による前記第１流量での前記リンス液の供給と、前記薬液供給部による前記薬液の供給との間において、前記リンス液供給部が、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第３流量にて前記リンス液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませ、前記気液界面まで前記リンス液を供給する。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の基板処理装置であって、前記薬液供給部は、前記第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより前記第２流量の前記薬液を生成する薬液生成部を備える。
本発明では、基板の周縁領域の薬液処理を、薬液の液跳ねを抑制しつつ好適に行うことができる。
図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す側面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板９に処理液を供給して処理を行う。図１では、基板処理装置１の構成の一部を断面にて示す。
基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、カップ部４と、処理液供給部５と、ガス供給部６と、制御部７と、ハウジング１１と、を備える。基板保持部３１、基板回転機構３３およびカップ部４等は、ハウジング１１の内部空間に収容される。図１では、ハウジング１１を断面にて描いている。ハウジング１１の天蓋部には、当該内部空間にガスを供給して下方に流れる気流（いわゆる、ダウンフロー）を形成する気流形成部１２が設けられる。気流形成部１２としては、例えば、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）が利用される。
制御部７は、ハウジング１１の外部に配置され、基板保持部３１、基板回転機構３３、処理液供給部５およびガス供給部６等を制御する。制御部７は、例えば、プロセッサと、メモリと、入出力部と、バスとを備える通常のコンピュータを含む。バスは、プロセッサ、メモリおよび入出力部を接続する信号回路である。メモリは、プログラムおよび各種情報を記憶する。プロセッサは、メモリに記憶されるプログラム等に従って、メモリ等を利用しつつ様々な処理（例えば、数値計算）を実行する。入出力部は、操作者からの入力を受け付けるキーボードおよびマウス、プロセッサからの出力等を表示するディスプレイ、並びに、プロセッサからの出力等を送信する送信部を備える。
制御部７は、記憶部７１と、供給制御部７２とを備える。記憶部７１は、主にメモリにより実現され、基板９の処理レシピ等の各種情報を記憶する。供給制御部７２は、主にプロセッサにより実現され、記憶部７１に格納されている処理レシピ等に従って、処理液供給部５等を制御する。
基板保持部３１は、水平状態の基板９の下側の主面（すなわち、下面９２）と対向し、基板９を下側から保持する。基板保持部３１は、例えば、基板９を機械的に支持するメカニカルチャックである。基板保持部３１は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として回転可能に設けられる。
基板保持部３１は、保持部本体と、複数（例えば、６つ）のチャックピンとを備える。保持部本体は、基板９の下面９２と対向する略円板状の部材である。複数のチャックピンは、保持部本体の周縁部にて中心軸Ｊ１を中心とする周方向（以下、単に「周方向」とも呼ぶ。）に略等角度間隔にて配置される。各チャックピンは、保持部本体の上面から上方へと突出し、基板９の下面９２の周縁近傍の部位および側面に接触して基板９を支持する。基板処理装置１では、例えば、後述する基板９の周縁領域に対する薬液処理の前半において、６つのチャックピンのうち３つのチャックピンにより基板９が保持され、当該薬液処理の後半において、残りの３つのチャックピンにより基板９が保持される。これにより、基板９の周縁領域に対する薬液処理の周方向における均一性を向上することができる。また、基板９の周縁領域に対するリンス液の付与の際等にも、複数のチャックピンが同様に駆動される。
基板回転機構３３は、基板保持部３１の下方に配置される。基板回転機構３３は、中心軸Ｊ１を中心として基板９を基板保持部３１と共に回転する。基板回転機構３３は、例えば、回転シャフトが基板保持部３１の保持部本体に接続された電動回転式モータを備える。基板回転機構３３は、中空モータ等の他の構造を有していてもよい。
処理液供給部５は、基板９に複数種類の処理液を個別に供給する。当該複数種類の処理液には、例えば、後述する薬液およびリンス液が含まれる。処理液供給部５は、第１ノズル５１と、第２ノズル５２とを備える。第１ノズル５１および第２ノズル５２はそれぞれ、基板９の上方から基板９の上側の主面（以下、「上面９１」という。）の中央部に向けて処理液を供給する。第１ノズル５１および第２ノズル５２は、例えば、テフロン（登録商標）等の高い耐薬品性を有する樹脂により形成される。なお、第１ノズル５１および第２ノズル５２はそれぞれ、１つの共通ノズルの一部であってもよい。
カップ部４は、中心軸Ｊ１を中心とする環状の部材である。カップ部４は、基板９および基板保持部３１の周囲において全周に亘って配置され、基板９および基板保持部３１の側方を覆う。カップ部４は、回転中の基板９から周囲に向かって飛散する処理液等の液体を受ける受液容器である。カップ部４の内側面は、例えば撥水性材料により形成される。カップ部４は、基板９の回転および静止に関わらず、周方向において静止している。カップ部４の底部には、カップ部４にて受けられた処理液等をハウジング１１の外部へと排出する排液ポート（図示省略）が設けられる。カップ部４は、図１に示す基板９の周囲の位置である処理位置と、当該処理位置よりも下側の退避位置との間を、図示省略の昇降機構により上下方向に移動可能である。
カップ部４は、図１に示す単層構造とは異なり、中心軸Ｊ１を中心とする径方向（以下、単に「径方向」と呼ぶ。）に複数のカップが積層される積層構造であってもよい。カップ部４が積層構造を有する場合、複数のカップはそれぞれ独立して上下方向に移動可能であり、基板９から飛散する処理液の種類に合わせて、複数のカップが切り替えられて処理液の受液に使用される。
ガス供給部６は、基板９にガスを供給する。ガス供給部６は、第３ノズル６３を備える。第３ノズル６３は、基板９の下方から基板９の下面９２に向けてガスを供給する。第３ノズル６３は、基板回転機構３３の回転シャフトの内部に配置され、基板保持部３１の保持部本体を貫通して上方へと延びる。第３ノズル６３の上端の吐出口は、基板９の下面９２の中央部と上下方向に対向する。
図２は、基板処理装置１の処理液供給部５およびガス供給部６を示すブロック図である。図２では、処理液供給部５およびガス供給部６以外の構成も併せて示す。処理液供給部５は、薬液供給部５４と、リンス液供給部５５とを備える。
リンス液供給部５５は、第１ノズル５１と、第２ノズル５２と、混合部５４５とを備える。第１ノズル５１は、配管５５２を介してリンス液供給源５５１に接続される。第２ノズル５２は、配管５４２、混合部５４５および配管５４４を介してリンス液供給源５５１に接続される。第１ノズル５１および第２ノズル５２はそれぞれ、リンス液供給源５５１から送出されたリンス液を、基板９の上面９１に向けて吐出するリンス液吐出部である。リンス液としては、例えば、ＤＩＷ（Ｄｅ－ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）、炭酸水、オゾン水または水素水等の水性処理液が利用される。なお、リンス液供給源５５１は、リンス液供給部５５に含まれてもよい。
薬液供給部５４は、第２ノズル５２と、混合部５４５とを備える。第２ノズル５２は、薬液供給部５４とリンス液供給部５５とにより共有される。第２ノズル５２は、上述の配管５４２を介して混合部５４５に接続される。混合部５４５は、配管５４３を介して原液供給源５４６に接続されるとともに、上述の配管５４４を介してリンス液供給源５５１に接続される。
混合部５４５では、リンス液供給源５５１から送出されたリンス液（すなわち、溶媒）に、原液供給源５４６から送出された薬液原液（すなわち、溶質）を溶解させて薬液が生成される。すなわち、混合部５４５は、薬液原液をリンス液に溶解させて薬液を生成する薬液生成部である。混合部５４５は、例えば、リンス液と薬液原液とを混合するスタティックミキサを備える。混合部５４５は、他の様々な液体混合装置を備えていてもよい。混合部５４５により生成された薬液は、配管５４２を介して第２ノズル５２に供給され、第２ノズル５２から基板９の上面９１に向けて吐出される。なお、薬液原液を溶解させる溶媒は、必ずしもリンス液である必要はなく、リンス液と異なる種類の液体であってもよい。また、図２に示す例では、１つの原液供給源５４６が混合部５４５に接続されているが、複数の原液供給源５４６が混合部５４５に接続され、複数種類の薬液原液が混合部５４５に供給されてもよい。
処理液供給部５では、原液供給源５４６からの薬液原液の供給が停止されている状態で、リンス液供給源５５１から混合部５４５にリンス液を送出することにより、第２ノズル５２から基板９の上面９１に向けてリンス液が吐出される。第２ノズル５２は、基板９の上面９１に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出部であり、基板９の上面９１に向けて薬液を吐出する薬液吐出部でもある。なお、原液供給源５４６は、薬液供給部５４に含まれてもよい。
第２ノズル５２から基板９の上面９１に供給される薬液およびリンス液は、基板９の周縁を経由して下面９２に回り込み、下面９２の周縁領域９３（後述する図３参照）に供給される。当該薬液は、例えば、基板９の下面９２の略全面に亘って形成されている薄膜のうち、周縁領域９３上の部位をエッチングして除去するエッチング液である。
図３は、基板９を示す底面図である。図３では、図の理解を容易にするために、基板９の下面９２において周縁領域９３の径方向内側の領域である内側領域９４上に平行斜線を付し、周縁領域９３と内側領域９４との境界を二点鎖線にて示す。周縁領域９３（すなわち、ベベル部）は、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状の領域である。内側領域９４は、中心軸Ｊ１を中心とする略円形の領域である。基板９の下面９２では、多数の微細な構造体要素の集合である構造体（例えば、製品にて使用される回路パターン）が、内側領域９４に予め形成されている。周縁領域９３には、当該構造体は形成されていない。本実施の形態では、基板９の直径および厚さはそれぞれ、３００ｍｍおよび７７５μｍである。基板９の周縁の縦断面は略円弧状であり、当該周縁の半径は３００μｍである。周縁領域９３の径方向の幅は、周方向において略一定であり、例えば２ｍｍ～３ｍｍである。
基板９の下面９２上の薄膜がポリシリコン膜である場合、薬液として、例えば、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液、濃フッ酸、希フッ酸、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、または、ＳＣ１（すなわち、アンモニア（ＮＨ３）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合水溶液）が利用される。基板９の下面９２上の薄膜が窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）またはタングステン（Ｗ）の膜である場合、薬液として、例えば、ＳＣ２（すなわち、塩化水素（ＨＣｌ）と過酸化水素との混合水溶液）、または、ＦＰＭ（すなわち、フッ化水素と過酸化水素との混合水溶液）が利用される。基板９の下面９２上の薄膜が酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜である場合、薬液として、例えば、希フッ酸またはＦＰＭが利用される。
図２に示すように、ガス供給部６は、第３ノズル６３を備える。第３ノズル６３は、配管６４を介してガス供給源６５に接続される。第３ノズル６３は、ガス供給源６５から送出されたガスを、基板９の下面９２の中央部に向けて吐出するガス吐出部である。当該ガスとしては、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガス、または、ドライエア等が利用される。なお、ガス供給源６５は、ガス供給部６に含まれてもよい。
次に、図４を参照しつつ、基板処理装置１における基板９の処理について説明する。基板処理装置１では、まず、下面９２の略全面に亘って膜が形成された基板９が、基板保持部３１により水平状態で保持される。続いて、基板回転機構３３により、基板９の回転が開始される（ステップＳ１１）。そして、供給制御部７２によりガス供給部６が制御されることにより、回転中の基板９に対して、第３ノズル６３からガス（例えば、窒素ガス）が吐出される。第３ノズル６３からのガスは、基板９の下面９２の中央部に供給され、基板９の下面９２に沿って径方向外方へと広がる（ステップＳ１２）。これにより、基板９の下面９２において、中央部から径方向外方へと向かう上記ガスの気流が、周方向の全体に亘って形成される。
次に、供給制御部７２によりリンス液供給部５５が制御されることにより、回転中の基板９に対して、第１ノズル５１から所定流量（例えば、１０００ｍｌ／ｍｉｎ～２０００ｍｌ／ｍｉｎであり、以下の説明では「第１流量」とも呼ぶ。）にてリンス液が吐出される。本実施の形態では、リンス液としてＤＩＷが用いられる。また、基板９の回転速度は、例えば８００ｒｐｍである。図５に示すように、第１ノズル５１からのリンス液８１は、基板９の上面９１の中央部に供給され、遠心力により基板９の上面９１上を径方向外方へと広がる。基板９の周縁に到達したリンス液８１は、当該周縁を経由して下面９２へと回り込み、周縁領域９３に供給される。基板９上では、上面９１の中央部から下面９２の周縁領域９３まで連続するリンス液８１の液膜が形成される。なお、図５では、基板９等の厚さを、径方向の大きさに比べて大きく描いている。また、周縁領域９３の径方向の幅を実際よりも大きく描いている。後述する図６および図７においても同様である。
基板９の下面９２に回り込んだリンス液８１の径方向内方への移動は、上述の径方向外方へと向かう気流８２により停止される。基板９の下面９２では、周縁領域９３と内側領域９４との境界（すなわち、周縁領域９３の内周縁）上において、リンス液８１と気流８２（すなわち、上記ガス）との界面（以下、「気液界面８３」と呼ぶ。）が形成される（ステップＳ１３）。気液界面８３の平面視における形状は、中心軸Ｊ１を中心とする略円形である。基板９に対する第１流量のリンス液８１の供給が所定時間（例えば、５秒）継続されることにより、基板９の下面９２において、気液界面８３の径方向における位置を安定させることができる。
ステップＳ１３における気液界面８３の形成が終了すると、供給制御部７２によりリンス液供給部５５が制御されることにより、第１ノズル５１からのリンス液８１の吐出が停止されると略同時に、第２ノズル５２から回転中の基板９に対して、ステップＳ１３におけるリンス液８１の流量よりも小流量の所定流量（例えば、３００ｍｌ／ｍｉｎ～８００ｍｌ／ｍｉｎであり、以下の説明では「第３流量」とも呼ぶ。）にてリンス液８１が吐出される。換言すれば、第１ノズル５１からのリンス液８１の吐出が、第２ノズル５２からの小流量のリンス液８１の吐出に切り替えられる。当該リンス液８１は、上述のように、リンス液供給源５５１から混合部５４５を介して第２ノズル５２に供給される。本実施の形態では、上述のように、リンス液８１としてＤＩＷが用いられる。また、基板９の回転速度は、ステップＳ１３よりも少し遅く（例えば、７００ｒｐｍ）なるように低減される。
図６に示すように、第２ノズル５２からのリンス液８１は、基板９の上面９１の中央部に供給され、ステップＳ１３において基板９上に形成されているリンス液８１の液膜（図５参照）に合流し、遠心力により基板９の上面９１上を径方向外方へと広がる。基板９の周縁に到達したリンス液８１は、当該周縁を経由して下面９２へと回り込み、周縁領域９３に供給される。基板９の下面９２に回り込んだリンス液８１は、上述の気液界面８３まで到達し、気液界面８３にて気流８２と接触する（ステップＳ１４）。換言すれば、ステップＳ１４では、気液界面８３の径方向の位置を維持しつつ、基板９の上面９１に供給されるリンス液８１の流量が減少される。
当該基板処理方法では、ステップＳ１３において比較的大流量のリンス液８１により気液界面８３が安定的に形成されているため、ステップＳ１４においてリンス液８１の流量を減少させても、気液界面８３の径方向の位置が維持される。そして、第２ノズル５２から基板９に対するリンス液の供給が所定時間（例えば、３秒）継続されることにより、比較的小流量のリンス液８１が基板９の上面９１に供給される状態においても、気液界面８３の径方向における位置を安定させることができる。
次に、供給制御部７２により薬液供給部５４が制御されることにより、原液供給源５４６から混合部５４５に薬液原液が送出される。混合部５４５では、当該薬液原液が、リンス液供給源５５１から混合部５４５に供給されるリンス液に溶解することにより、上述の薬液が生成される。当該薬液は、第２ノズル５２から回転中の基板９に対して吐出される。リンス液供給源５５１から混合部５４５に供給されるリンス液の流量は、例えば、ステップＳ１４における当該流量と同じである。この場合、基板９に供給される薬液の流量（以下の説明では「第２流量」とも呼ぶ。）は、ステップＳ１４におけるリンス液の流量と、原液供給源５４６からの薬液原液の流量との合計である。なお、混合部５４５においてリンス液に添加される薬液原液の流量が、リンス液の上記流量に比べて非常に小さい場合、基板９に供給される薬液の流量は、ステップＳ１４におけるリンス液の流量と実質的に同じである。薬液供給時の基板９の回転速度は、例えば、ステップＳ１４と同じである。
図７に示すように、第２ノズル５２からの薬液８４は、基板９の上面９１の中央部に供給され、ステップＳ１４において基板９上に形成されているリンス液８１の液膜（図６参照）に合流し、遠心力により基板９の上面９１上を径方向外方へと広がる。基板９の周縁に到達した薬液８４は、当該周縁を経由して下面９２へと回り込み、周縁領域９３に供給される。基板９の下面９２に回り込んだ薬液８４は、上述の気液界面８３まで到達し、気液界面８３にて気流８２と接触する（ステップＳ１５）。換言すれば、ステップＳ１５では、気液界面８３の径方向の位置を維持しつつ、基板９の上面９１および下面９２のリンス液８１の液膜が、薬液８４に置換される。そして、基板９に対する薬液８４の供給が所定時間継続されることにより、周縁領域９３に対する薬液処理（例えば、エッチング液によるエッチング処理）が行われる。
当該薬液処理が終了すると、供給制御部７２により薬液供給部５４およびリンス液供給部５５が制御されることにより、第２ノズル５２からの薬液の吐出が停止されると略同時に、第１ノズル５１から回転中の基板９に対してリンス液が吐出される。換言すれば、第２ノズル５２からの薬液の吐出が、第１ノズル５１からのリンス液の吐出に切り替えられる。これにより、基板９の上面９１および下面９２のリンス処理が行われる（ステップＳ１６）。リンス処理が終了すると、リンス液の供給が停止され、基板９の乾燥処理が行われる（ステップＳ１７）。乾燥処理では、基板９の回転速度が増大され、基板９上に残っている処理液が、遠心力により基板９のエッジから径方向外方へとへと飛散し、基板９上から除去される。上述のステップＳ１３～Ｓ１７中に基板９上から径方向外方へと飛散した薬液およびリンス液等の処理液は、カップ部４により受けられ、ハウジング１１の外部へと排出される。乾燥処理が終了した基板９は、基板処理装置１から搬出される。基板処理装置１では、上述のステップＳ１１～Ｓ１７の処理が、複数の基板９に対して順次行われる。
図１に例示する基板処理装置１では、上述のように、基板９の上面９１に処理液（すなわち、リンス液および薬液）が供給され、基板９の下面９２にガスが供給されることにより、下面９２の周縁領域９３の薬液処理が行われるが、基板９に対する処理は上下逆であってもよい。具体的には、基板処理装置１において、第１ノズル５１および第２ノズル５２が基板９の下面９２に対向して配置され、第３ノズル６３が基板９の上面９１に対向して配置される。また、ステップＳ１２において、基板９の下面９２の中央部にガスが供給され、ステップＳ１３～Ｓ１６において、基板９の上面９１の中央部にリンス液または薬液が供給される。そして、基板９の上面９１の周縁領域９３と内側領域９４との境界に気液界面８３が形成され、上面９１の周縁領域９３に対して薬液処理が行われる。
以上に説明したように、上述の基板処理方法は、水平状態で保持された基板９を、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として回転させる工程（ステップＳ１１）と、回転中の基板９の上面９１および下面９２のうち一方の主面（例えば、下面９２）の中央部にガスを供給するとともに、基板９の他方の主面（例えば、上面９１）の中央部に第１流量にてリンス液を供給して上記一方の主面の周縁領域９３に回り込ませることにより、当該一方の主面上においてガスとリンス液との気液界面８３を形成する工程（ステップＳ１３）と、ステップＳ１３よりも後に、回転中の基板９の上記他方の主面の中央部に、第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して上記一方の主面の周縁領域９３に回り込ませることにより、当該一方の主面上において気液界面８３まで薬液を供給して周縁領域９３の薬液処理を行う工程（ステップＳ１５）と、を備える。
このように、周縁領域９３の薬液処理の際に、基板９に供給される薬液の流量を比較的小流量（すなわち、第２流量）とすることにより、基板９から周囲へと飛散した薬液がカップ部４等にて跳ね返って基板９等に付着すること（いわゆる、液跳ね）を抑制することができる。また、周縁領域９３に対する薬液処理が行われるよりも前に、比較的大流量（すなわち、第１流量）のリンス液を基板９に供給して周縁領域９３の内周縁上に気液界面８３を予め形成しておくことにより、薬液の流量が比較的小流量であっても、当該薬液を周縁領域９３の内周縁まで全周に亘って到達させ、周縁領域９３全体に付与することができる。したがって、基板９の周縁領域９３の薬液処理を、薬液の液跳ねを抑制しつつ好適に行うことができる。なお、仮に、ステップＳ１３における気液界面８３の形成を行うことなく、第２流量の薬液を基板９の上面９１の中央部に供給したとすると、薬液は周縁領域９３の内周縁に全周に亘って到達することは難しく、当該内周縁上において気液界面８３を安定的に形成することも難しい。
上述のように、当該薬液は、リンス液に溶質（例えば、薬液原液）を溶解させたものであることが好ましい。このように、基板９の処理の際に利用されるリンス液を用いてい薬液生成を行うことにより、薬液を容易に生成することができる。また、上述の基板処理装置１における処理液供給部５の構造を簡素化することができる。さらに、薬液の溶媒が、ステップＳ１４において基板９上に形成されているリンス液の液膜と同じ種類の液体であるため、ステップＳ１５において、基板９上におけるリンス液から薬液への置換を容易に行うこともできる。
上述の基板処理方法は、好ましくは、ステップＳ１３とステップＳ１５との間に、回転中の基板９の上記他方の主面（例えば、上面９１）の中央部に、第１流量よりも小流量の第３流量にてリンス液を供給して上記一方の主面（例えば、下面９２）の周縁領域９３に回り込ませ、気液界面８３までリンス液を供給する工程（ステップＳ１４）をさらに備える。これにより、基板９上のリンス液の液膜を薄くすることができる。その結果、ステップＳ１５においてリンス液が薬液により置換される際に、薬液とリンス液との混合液がカップ部４等にて跳ね返って基板９等に付着することを抑制することができる。
上述のように、ステップＳ１５における第２流量の薬液は、上記第３流量のリンス液に溶質を溶解させることにより生成されることが好ましい。これにより、ステップＳ１４からステップＳ１５に移行する際に、リンス液の流量を変更する必要がないため、基板９の処理を簡素化することができる。また、基板処理装置１において、供給制御部７２による薬液供給部５４の制御を簡素化することができる。
上述の基板処理方法では、ステップＳ１３とステップＳ１５との間において、基板９の回転速度が低減されることが好ましい。これにより、ステップＳ１５において、基板９上におけるリンス液から薬液への置換を容易に行うことができる。また、基板９の薬液処理の際に、薬液の液跳ねをさらに抑制することができる。上述のように、基板９の回転速度の低減が、ステップＳ１３とステップＳ１４との間において行われる場合、ステップＳ１４における比較的小流量のリンス液の供給の際に、気液界面８３の径方向の位置を、周縁領域９３の内周縁上に容易に維持することができる。なお、基板９の回転速度の低減は、ステップＳ１５の開始と並行して行われてもよい。この場合であっても、上記と同様に、ステップＳ１５において、基板９上におけるリンス液から薬液への置換を容易に行うことができる。また、基板９の薬液処理の際に、薬液の液跳ねをさらに抑制することができる。
上述の基板処理装置１は、基板保持部３１と、基板回転機構３３と、ガス供給部６と、リンス液供給部５５と、薬液供給部５４とを備える。基板保持部３１は、水平状態で基板９を保持する。基板回転機構３３は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心として基板保持部３１を回転する。ガス供給部６は、回転中の基板９の上面９１および下面９２のうち一方の主面（例えば、下面９２）の中央部にガスを供給する。リンス液供給部５５は、回転中の基板９の他方の主面（例えば、上面９１）の中央部に第１流量にてリンス液を供給して上記一方の主面の周縁領域９３に回り込ませることにより、当該一方の主面上においてガスとリンス液との気液界面８３を形成する。薬液供給部５４は、回転中の基板９の上記他方の主面の中央部に、第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して上記一方の主面の周縁領域９３に回り込ませることにより、当該一方の主面上において気液界面８３まで薬液を供給して周縁領域９３の薬液処理を行う。これにより、上記と同様に、基板９の周縁領域９３の薬液処理を、薬液の液跳ねを抑制しつつ好適に行うことができる。
上述の基盤処理方法および基板処理装置１では、様々な変更が可能である。
例えば、ステップＳ１５において、リンス液供給源５５１から混合部５４５に供給されるリンス液の流量は、必ずしもステップＳ１４におけるリンス液の流量と同じである必要はなく、適宜変更されてよい。
ステップＳ１３とステップＳ１５との間における基板９の回転速度の低減は、必ずしも行われる必要はない。例えば、ステップＳ１３～Ｓ１５における基板９の回転速度は同じであってもよい。
ステップＳ１４におけるリンス液の流量の低減は、必ずしも行われる必要はなく、ステップＳ１３の終了後、ステップＳ１４が省略されてステップＳ１５が行われてもよい。
基板処理装置１では、必ずしも混合部５４５において薬液が生成される必要はなく、予め生成された薬液を貯溜する薬液供給源から、第２ノズル５２に薬液が送出されてもよい。この場合、混合部５４５は省略されてよい。
基板処理装置１では、ステップＳ１４のリンス液吐出は、第１ノズル５１により行われてもよい。また、ステップＳ１３～Ｓ１４のリンス液吐出、および、ステップＳ１５の薬液吐出は、同一のノズルにより行われてもよい。
上述の基板処理装置１は、半導体基板以外に、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の平面表示装置（Flat Panel Display）に使用されるガラス基板、あるいは、他の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。また、上述の基板処理装置１は、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
１ 基板処理装置
６ ガス供給部
９ 基板
３１ 基板保持部
３３ 基板回転機構
５４ 薬液供給部
５５ リンス液供給部
８１ リンス液
８２ 気流
８３ 気液界面
８４ 薬液
９１ 上面
９２ 下面
９３ 周縁領域
５４５ 混合部
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１１～Ｓ１７ ステップ
６ ガス供給部
９ 基板
３１ 基板保持部
３３ 基板回転機構
５４ 薬液供給部
５５ リンス液供給部
８１ リンス液
８２ 気流
８３ 気液界面
８４ 薬液
９１ 上面
９２ 下面
９３ 周縁領域
５４５ 混合部
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１１～Ｓ１７ ステップ
Claims (10)
- 基板処理方法であって、
ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、
ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、
ｃ）前記ｂ）工程に連続して回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、
を備え、
前記薬液は、前記リンス液に溶質を溶解させたものであることを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理方法であって、
ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、
ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、
ｃ）前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記薬液は、前記リンス液に溶質を溶解させたものであることを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理方法であって、
ａ）水平状態で保持された基板を、上下方向を向く中心軸を中心として回転させる工程と、
ｂ）回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するとともに、前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成する工程と、
ｃ）前記ｂ）工程よりも後に、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う工程と、
を備え、
ｄ）前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間に、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第３流量にて前記リンス液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませ、前記気液界面まで前記リンス液を供給する工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項４に記載の基板処理方法であって、
前記ｃ）工程における前記第２流量の前記薬液は、前記第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより生成されることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理方法であって、
前記ｂ）工程と前記ｃ）工程との間において、または、前記ｃ）工程の開始と並行して、前記基板の回転速度が低減されることを特徴とする基板処理方法。 - 基板処理装置であって、
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、
回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、
前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給に連続して、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、
を備え、
前記薬液供給部は、前記第１流量よりも小流量の第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより前記第２流量の前記薬液を生成する薬液生成部を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、
回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、
前記基板の前記他方の主面に対する前記リンス液の供給が継続されて前記気液界面の径方向の位置が維持されている状態で、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記リンス液の液膜を前記薬液の液膜に置換して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
水平状態で基板を保持する基板保持部と、
上下方向を向く中心軸を中心として前記基板保持部を回転する基板回転機構と、
回転中の前記基板の上面および下面のうち一方の主面の中央部にガスを供給するガス供給部と、
回転中の前記基板の他方の主面の中央部に第１流量にてリンス液を供給して前記一方の主面の周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記ガスと前記リンス液との気液界面を形成するリンス液供給部と、
回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第２流量にて薬液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませることにより、前記一方の主面上において前記気液界面まで前記薬液を供給して前記周縁領域の薬液処理を行う薬液供給部と、
を備え、
前記リンス液供給部による前記第１流量での前記リンス液の供給と、前記薬液供給部による前記薬液の供給との間において、前記リンス液供給部が、回転中の前記基板の前記他方の主面の中央部に、前記第１流量よりも小流量の第３流量にて前記リンス液を供給して前記一方の主面の前記周縁領域に回り込ませ、前記気液界面まで前記リンス液を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記薬液供給部は、前記第３流量の前記リンス液に溶質を溶解させることにより前記第２流量の前記薬液を生成する薬液生成部を備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019052732A JP7201494B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| CN202080020030.2A CN113557594A (zh) | 2019-03-20 | 2020-02-06 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
| PCT/JP2020/004588 WO2020189072A1 (ja) | 2019-03-20 | 2020-02-06 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR1020217031485A KR102648039B1 (ko) | 2019-03-20 | 2020-02-06 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| TW109104616A TWI787582B (zh) | 2019-03-20 | 2020-02-14 | 基板處理方法以及基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019052732A JP7201494B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020155588A JP2020155588A (ja) | 2020-09-24 |
| JP7201494B2 true JP7201494B2 (ja) | 2023-01-10 |
Family
ID=72519277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019052732A Active JP7201494B2 (ja) | 2019-03-20 | 2019-03-20 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7201494B2 (ja) |
| KR (1) | KR102648039B1 (ja) |
| CN (1) | CN113557594A (ja) |
| TW (1) | TWI787582B (ja) |
| WO (1) | WO2020189072A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117316812A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-12-29 | 深圳远荣半导体设备有限公司 | 一种晶圆清洗机及晶圆搬运的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273063A (ja) | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハのエッジ部の酸化膜除去装置および方法 |
| JP2009266951A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2012064894A (ja) | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3745214B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2006-02-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | ベベルエッチング装置およびベベルエッチング方法 |
| JP3917393B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2007-05-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4446875B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2010-04-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP6718714B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-07-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6916003B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-08-11 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7034634B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-03-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2019
- 2019-03-20 JP JP2019052732A patent/JP7201494B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-06 WO PCT/JP2020/004588 patent/WO2020189072A1/ja active Application Filing
- 2020-02-06 KR KR1020217031485A patent/KR102648039B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-06 CN CN202080020030.2A patent/CN113557594A/zh active Pending
- 2020-02-14 TW TW109104616A patent/TWI787582B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003273063A (ja) | 2002-03-13 | 2003-09-26 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハのエッジ部の酸化膜除去装置および方法 |
| JP2009266951A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2012064894A (ja) | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、その液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び液処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2020189072A1 (ja) | 2020-09-24 |
| TWI787582B (zh) | 2022-12-21 |
| CN113557594A (zh) | 2021-10-26 |
| KR20210133288A (ko) | 2021-11-05 |
| KR102648039B1 (ko) | 2024-03-18 |
| JP2020155588A (ja) | 2020-09-24 |
| TW202036707A (zh) | 2020-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4767138B2 (ja) | 基板処理装置、液膜凍結方法および基板処理方法 | |
| JP5615650B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US6413436B1 (en) | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece | |
| JP2004006672A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP6199155B2 (ja) | 犠牲膜除去方法および基板処理装置 | |
| US20050233589A1 (en) | Processes for removing residue from a workpiece | |
| KR20120033243A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| WO2015147237A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2009021409A (ja) | 凍結処理装置、凍結処理方法および基板処理装置 | |
| CN108028195A (zh) | 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 | |
| JP2005268308A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
| JP4695020B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP7201494B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP5905666B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP2020155603A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| KR20200040538A (ko) | 기판 세정 장치 | |
| JP2002359227A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2006351805A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US20050020001A1 (en) | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece | |
| US20230187199A1 (en) | Cleaning method of cup of substrate processing apparatus and substrate processing apparatus | |
| JP2018049918A (ja) | 評価用サンプル製造方法、評価用サンプル製造装置および基板処理装置 | |
| JP2009194090A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| WO2023276458A1 (ja) | 基板処理方法、および、基板処理装置 | |
| JP7065622B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP6268410B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220905 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221102 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221201 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7201494 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |