JP2002359227A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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Abstract
領域に作り込まれたデバイスへのダメージを抑制する。 【解決手段】バキュームチャック11の上方には、ほぼ
円錐形状の遮断板12が配置されている。遮断板12の
下面121には、それぞれエッチング液、純水および窒
素ガスを吐出する開口122a,122b,122cが
形成されている。エッチング液、純水および窒素ガス
は、ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウエハW
に近づくように傾斜した方向に吐出されて、それぞれウ
エハWの表面のエッチング液供給位置Pe、純水供給位
置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnに供給される。
Description
を除去するための装置および方法に関する。各種基板に
は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP
(プラズマ・ディスプレイ・パネル用ガラス基板などが
含まれる。
体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)の表面、裏
面および端面の全域に銅薄膜などの金属薄膜を形成した
後、この金属薄膜の不要部分をエッチング除去する処理
が行われる場合がある。たとえば、配線形成のための銅
薄膜はウエハの表面のデバイス形成領域に形成されてい
ればよく、ウエハの表面の周縁部(たとえば、ウエハの
周縁から幅3mm程度の部分)、裏面および端面に形成さ
れた銅薄膜は不要となるから、この不要な銅薄膜を除去
する処理が行われる。
形成された場合であっても、ウエハの表面の金属薄膜を
形成した領域以外の領域やウエハの端面および裏面に付
着した金属イオンを除去する処理が行われる場合があ
る。たとえば、ウエハの表面の周縁部に形成されている
金属薄膜または金属イオンを除去する装置は、ウエハを
ほぼ水平に保持した状態で回転するスピンチャックと、
このスピンチャックに保持されているウエハの表面の周
縁部に向けてエッチング液を吐出するエッジリンスノズ
ルと、スピンチャックに保持されたウエハの表面のほぼ
中心に純水を供給するための純水ノズルとを備えてい
る。
クによってウエハが回転され、その回転しているウエハ
の表面の周縁部に向けてエッジリンスノズルからエッチ
ング液が吐出される。エッジリンスノズルからエッチン
グ液が吐出されている間、純水ノズルからウエハの表面
の中心に向けて純水が供給される。これにより、ウエハ
の表面の中央部の領域(デバイス形成領域)は純水に覆
われた状態となり、エッジリンスノズルからウエハの表
面に供給されたエッチング液は、ウエハの表面の中央部
から周縁に向けて流れる純水により押し流される。した
がって、ウエハの表面中央部のデバイス形成領域に向け
てエッチング液のミストが飛散しても、そのエッチング
液のミストは、デバイス形成領域上に形成された金属薄
膜に直に付着するおそれがない。ゆえに、デバイス形成
領域の金属薄膜がエッチング液による腐食を受けるおそ
れがない。
て、デバイス形成領域を覆っている純水が、デバイス形
成領域に作り込まれているデバイスにダメージを与える
おそれがあることが判ってきた。そこで、この発明の目
的は、デバイス形成領域に作り込まれたデバイスにダメ
ージを及ぼすおそれのない基板処理装置および基板処理
方法を提供することである。
目的を達成するための請求項1記載の発明は、基板
(W)を回転させつつエッチング液を供給して基板上の
不要物を除去する基板処理装置であって、基板に供給す
べきエッチング液を吐出するエッチング液吐出口(12
2a;221)、基板の一方面上の純水供給位置(P
d)に向けて純水を吐出する純水吐出口(122b)お
よび上記一方面上の上記純水供給位置よりも回転半径内
方の気体供給位置(Pn)に向けて気体を吐出する気体
吐出口(122c)を有していることを特徴とする基板
処理装置である。
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じ。この発明によれば、基板の一方面上の純水供給位
置よりも基板回転半径内方の気体供給位置に気体が供給
される。たとえば、基板の上記一方面がデバイス形成面
であって、その一方面上のデバイス形成領域と非デバイ
ス形成領域との境界付近に気体供給位置を設定した場
合、純水供給位置は気体供給位置よりも基板回転半径外
方にあるから、デバイス形成領域には純水が供給されな
い。よって、デバイス形成領域に作り込まれているデバ
イスが純水によるダメージを受けるおそれがない。
面にほぼ平行な対向面(121;231)を有する対向
部材(12;23)をさらに含む場合(請求項2)、上
記純水吐出口および気体吐出口は、上記対向部材に設け
られていてもよいし(請求項3)、これに加えて、上記
エッチング液吐出口が上記対向部材に設けられていても
よい(請求項4)。請求項5記載の発明は、上記エッチ
ング液吐出口は、基板の上記一方面上の上記気体供給位
置よりも回転半径外方のエッチング液供給位置(Pe)
に向けてエッチング液を吐出するように設けられている
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の
基板処理装置である。
板回転半径外方のエッチング液供給位置にエッチング液
が供給される。これにより、基板の上記一方面上のエッ
チング液供給位置よりも基板回転半径外方の領域の不要
物をエッチング除去することができる。また、エッチン
グ液が吐出されている間、エッチング液供給位置よりも
基板回転半径内方の気体供給位置に気体を供給するよう
にすれば、その気体供給位置よりも基板回転半径内方の
領域にエッチング液が流れ込むのを防止でき、その領域
に形成されている薄膜などがエッチング液による腐食を
受けるのを防止できる。
板の上記一方面上のエッチング液供給位置よりも基板回
転半径外方の領域(EA)の不要な薄膜であってもよ
い。すなわち、請求項6に記載のように、上記基板処理
装置は、基板の上記一方面の周縁部の不要な薄膜をエッ
チング除去するものであってもよい。請求項7記載の発
明は、上記エッチング液吐出口、純水吐出口および気体
吐出口の吐出方向は、基板の回転半径外方に向かうにつ
れて基板に接近するように傾斜していることを特徴とす
る請求項5または6記載の基板処理装置である。
供給されたエッチング液および純水が気体供給位置より
も基板回転半径内方の領域に向けて流れることを良好に
防止できる。さらに、エッチング液や純水のミストが発
生しても、その発生したミストを気体吐出口から吐出さ
れる気体によって基板回転半径外方に吹き飛ばすことが
でき、基板の上記一方面上の気体供給位置よりも基板回
転半径内方の領域にエッチング液または純水のミストが
飛散するおそれをなくすことができる。
は、次工程で上記一方面とは反対の面のほぼ全域から不
要物がエッチング除去される基板に対して処理を行うも
のであることを特徴とする請求項5ないし7のいずれか
に記載の基板処理装置である。この発明によれば、基板
の上記一方面上のエッチング液供給位置よりも基板回転
半径外方の領域の不要物がエッチング除去された後、上
記一方面とは反対の面のほぼ全域から不要物がエッチン
グ除去される。
吐出口は、基板の上記一方面とは反対の面上のエッチン
グ液供給位置に向けてエッチング液を吐出するように設
けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいず
れかに記載の基板処理装置である。この発明によれば、
基板の上記一方面とは反対の面の不要物をエッチング除
去することができる。
基板の上記一方面に気体および純水を供給するようにす
れば、エッチング液が上記一方面に回り込むのを防止で
き、上記一方面に形成されている薄膜などが所望しない
腐食を受けることを防止できる。なお、請求項10に記
載のように、上記エッチング液供給位置は、基板の回転
中心(O)の近傍に設定されていることが好ましく、こ
の場合、基板の回転に伴う遠心力により、基板の上記一
方面とは反対の面のほぼ全域にエッチング液を良好に行
き渡らせることができる。
板の上記一方面とは反対の面に付着している金属イオン
であってもよいし、基板の上記一方面とは反対の面の不
要な薄膜であってもよい。さらには、金属イオンと薄膜
との両方であってもよい。すなわち、上記基板処理装置
は、請求項11に記載のように、上記基板処理装置は、
基板の上記一方面とは反対の面の不要な金属イオンをエ
ッチング除去するものであってもよい。また、請求項1
2に記載のように、基板の上記一方面とは反対の面の不
要な薄膜(および不要な金属イオン)をエッチング除去
するものであってもよい。
および気体吐出口の吐出方向は、基板の回転半径外方に
向かうにつれて基板に接近するように傾斜していること
を特徴とする請求項9ないし12のいずれかに記載の基
板処理装置である。この発明によれば、基板の上記一方
面上に供給された純水が気体供給位置よりも基板回転半
径内方の領域に向けて流れることを良好に防止できる。
さらに、エッチング液や純水のミストが発生しても、そ
の発生したミストを気体吐出口から吐出される気体によ
って基板回転半径外方に吹き飛ばすことができ、基板の
一方面上の気体供給位置よりも基板回転半径内方の領域
にエッチング液または純水のミストが飛散するおそれを
なくすことができる。
置は、前工程で上記一方面の周縁部から不要物が除去さ
れた基板に対して処理を行うものであることを特徴とす
る請求項9ないし13のいずれかに記載の基板処理装置
である。この発明によれば、基板の上記一方面の周縁部
から不要物が除去された後、その基板に対して、上記一
方面とは反対の面の不要物をエッチング除去するための
処理が行われる。
て、上記純水供給位置および気体供給位置は、基板の回
転中心を中心とする円周上に渡って設定されていてもよ
い(請求項15)。さらに、上記純水供給位置および気
体供給位置は、基板の回転中心を中心とする円周上の複
数の位置にスポット状に設定されていてもよいし、基板
の回転中心を中心とする円周上に帯状(円環状)に設定
されていてもよい。また、請求項16に記載のように、
上記純水供給位置は、基板の上記一方面に形成されたデ
バイス形成領域を取り囲む基板周縁領域上に設定されて
いることが好ましい。
不要物を除去するための処理方法であって、回転してい
る基板に向けてエッチング液を吐出するエッチング液吐
出工程と、回転している基板の一方面上の純水供給位置
(Pd)に向けて純水を吐出する純水吐出工程と、回転
している基板の上記一方面上の上記純水供給位置よりも
内方の気体供給位置(Pn)に向けて気体を吐出する気
体吐出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法であ
る。
べた効果と同様な効果を達成することができる。請求項
18記載の発明は上記エッチング液吐出工程では、基板
の上記一方面上の上記気体供給位置よりも回転半径外方
のエッチング液供給位置(Pe)に向けてエッチング液
が吐出されることを特徴とする請求項17記載の基板処
理方法である。
べた効果と同様な効果を達成することができる。すなわ
ち、基板の一方面上のエッチング液供給位置よりも基板
回転半径外方の領域の不要物をエッチング除去すること
ができる。請求項19記載の発明は、上記エッチング液
吐出工程では、基板の上記一方面とは反対の面上のエッ
チング液供給位置(Pe)に向けてエッチング液が吐出
されることを特徴とする請求項17記載の基板処理方法
である。
べた効果と同様な効果を達成することができる。すなわ
ち、基板の上記一方面とは反対の面の不要物をエッチン
グ除去することができる。請求項20記載の発明は、上
記気体吐出工程が開始された後に上記純水吐出工程が開
始され、その後上記エッチング液吐出工程が開始される
ことを特徴とする請求項17ないし19のいずれかに記
載の基板処理方法である。
始に先立って、純水および気体の吐出が開始されるか
ら、基板の一方面上の気体供給位置よりも基板回転半径
内方の領域にエッチング液または純水が付着することを
より良好に防止できる。なお、基板の一方面上の気体供
給位置への気体の吐出により、気体供給位置よりも基板
回転半径内方の領域にエッチング液が付着することを防
止できる場合、請求項21に記載のように、上記気体吐
出工程が開始された後に上記エッチング液吐出工程が開
始され、その後上記純水吐出工程が開始されて、さらに
その後、上記エッチング液吐出工程が終了されてもよ
い。
液吐出工程が終了された後に上記純水吐出工程が終了さ
れ、その後上記気体吐出工程が終了されることを特徴と
する請求項17ないし21のいずれかに記載の基板処理
方法である。この発明によれば、エッチング液の吐出が
終了された後に、純水および気体の吐出が開始されるか
ら、基板の一方面上の気体供給位置よりも基板回転半径
内方の領域にエッチング液または純水が付着することを
より良好に防止できる。
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、この
発明の一実施形態(第1の実施形態)に係る基板処理装
置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置
は、ほぼ円形の基板であるウエハWの表面および端面に
金属薄膜(たとえば、銅薄膜)が形成された後、そのウ
エハWの表面の周縁部および端面に形成されている不要
な金属薄膜を除去するための装置である。
ク11が備えられている。バキュームチャック11は、
ほぼ鉛直に配置されたチャック軸111と、このチャッ
ク軸111の上端にほぼ水平に固定された円板状の吸着
ベース112とを含む。チャック軸111は、たとえ
ば、円筒状に形成されることによって吸気路113を内
部に有しており、この吸気路113の上端は、吸着ベー
ス112の内部に形成された吸着路を介して、吸着ベー
ス112の上面に形成された吸着口に連通されている。
また、チャック軸111には、モータなどを含む回転駆
動機構114から回転力が入力されるようになってい
る。
吸着ベース112上にウエハWが表面(デバイス形成
面)を上方に向けて載置された状態で、吸気路113の
内部を排気することにより、ウエハWの裏面(非デバイ
ス形成面)を真空吸着してほぼ水平に保持することがで
きる。そして、この状態で、回転駆動機構114からチ
ャック軸111に回転力を入力することにより、吸着ベ
ース112で吸着保持したウエハWを、そのほぼ中心を
通る鉛直軸線(チャック軸111の中心軸線)Oまわり
に回転させることができる。
円錐形状の遮断板12と、この遮断板12の傾斜面を洗
浄するための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル13とが
配置されている。遮断板12は、バキュームチャック1
1に対向する下面121がウエハWとほぼ同じ径の円形
平面になっており、この下面121がバキュームチャッ
ク11に保持されたウエハWの上面とほぼ平行をなして
対向するように設けられている。また、遮断板12は、
昇降可能に設けられており、バキュームチャック11に
対するウエハWの搬入出時には上方に大きく退避され、
ウエハWに対する処理時にはウエハWに近接した位置ま
で下降される。
ように、その下面121の中心CEを中心とする3重の
同心円周C1,C2,C3とその中心CEから半径方向
に放射状に延びる複数本の直線との各交点に、たとえば
円形の小さな開口122が形成されている。同心円周C
1,C2,C3は、下面121の周縁部に設定されてい
て、下面121の中央部には、開口122は形成されて
いない。遮断板12の内部には、ウエハWに供給すべき
エッチング液、純水および窒素ガスがそれぞれ流通する
エッチング液供給路123、純水供給路124および窒
素ガス供給路125が形成されている。
の下面121の半径方向外方に向かうにつれて下方に傾
斜した傾斜部123aを有しており、この傾斜部123
aの先端で、同心円周C1,C2,C3のうちで最も径
の大きな円周C1上に配置された開口122aに連通し
ている。傾斜部123aの傾斜角度は、開口122aか
ら傾斜部123aと平行に延ばした直線が、ウエハWの
表面の中央部のデバイス形成領域を取り囲むウエハ周縁
領域(たとえば、ウエハWの周縁から幅3mm程度の部
分)上であって、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円
周上に設定されたエッチング液供給位置Peで、バキュ
ームチャック11に保持されたウエハWの表面に交差す
るような角度に設定されている。これにより、エッチン
グ液供給路123を流通するエッチング液は、開口12
2aからエッチング液供給路123の傾斜部123aの
傾斜方向(ウエハWの回転半径外方に向かうにつれてウ
エハWに近づくように傾斜した方向)に吐出されて、ウ
エハWの表面のエッチング液供給位置Peに供給され
る。
123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜した傾斜部1
24aを有しており、この傾斜部124aの先端で、円
周C1の次に大きな径の円周C2上に配置された開口1
22bに連通している。これにより、純水供給路124
を流通する純水は、開口122bからエッチング液の吐
出方向と平行な方向に吐出されて、上記ウエハ周縁領域
上であって、ウエハWの表面のエッチング液供給位置P
eよりもウエハWの回転軸線Oに近い純水供給位置Pd
に供給される。純水供給位置Pdは、ウエハWの回転軸
線Oを中心とする円周上に設定されている。
グ液供給路123の傾斜部123aとほぼ平行に傾斜し
た傾斜部125aを有しており、この傾斜部125aの
先端で、最も径の小さな円周C3上に配置された開口1
22cに連通している。これにより、窒素ガス供給路1
25を流通する純水は、開口122cからエッチング液
の吐出方向と平行な方向に吐出されて、ウエハWの表面
の純水供給位置PdよりもウエハWの回転軸線Oに近い
窒素ガス供給位置Pnに供給される。窒素ガス供給位置
Pnは、ウエハWの回転軸線Oを中心とする円周上に設
定されている。
ついて説明するための図解図である。処理対象のウエハ
Wは、図示しない搬送ロボットによって搬入されてき
て、バキュームチャック11に受け渡される。このと
き、遮断板12(図1参照)は、ウエハWの搬入を阻害
しないように上方に大きく退避している。バキュームチ
ャック11にウエハWが保持されると、遮断板12がウ
エハWの表面に近づけられ、バキュームチャック11
(すなわち、ウエハW)が予め定める回転速度で回転さ
れ始める。
2cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の
窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給さ
れる。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづい
て、図3(b)に示すように、開口122bから純水の吐
出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜
め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開
始された後、図3(c)に示すように、開口122aから
エッチング液の吐出が開始され、ウエハWの表面のエッ
チング液供給位置Peに斜め上方からエッチング液が供
給される。
エッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けら
れると、図3(d)に示すように、まず、開口122aか
らのエッチング液の吐出が停止される。つづいて、図3
(e)に示すように、開口122bからの純水の吐出が停
止され、その後、図3(f)に示すように、開口122c
からの窒素ガスの吐出が停止される。これでウエハWの
周縁部および端面から不要な金属薄膜を除去するための
処理は終了であり、この処理後のウエハWは、遮断板1
2が上方に退避した後、図示しない搬送ロボットによっ
て、ウエハWの裏面から不要な金属イオンを除去するた
めの装置に向けて搬出される。
理装置では、ウエハWの表面の周縁部および端面から金
属薄膜を除去するためのエッチング液が、回転している
ウエハWの表面のエッチング液供給位置Peに、そのエ
ッチング液供給位置Peよりも上方であって、ウエハW
の回転半径方向内方に配置された開口122aから供給
される。これにより、エッチング液供給位置Peに供給
されたエッチング液がウエハWの中央部に向けて流れる
ことを防止しつつ、エッチング液供給位置Peよりもウ
エハWの回転半径方向外方の領域(ウエハWの表面の金
属薄膜を除去すべき領域)EAにむらなくエッチング液
を供給することができ、この領域EAおよび端面に形成
されている金属薄膜を良好に除去することができる。
の供給(吐出)開始および停止が上述のような順序で行
われることにより、エッチング液供給位置Peにエッチ
ング液が供給されている間、エッチング液供給位置Pe
よりもウエハWの回転半径方向内方に設定された純水供
給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水
および窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに
供給された純水は、純水供給位置PdからウエハWの周
縁に向けて流れ、この純水の流れにより、純水供給位置
PdよりもウエハWの回転半径方向外方のエッチング液
供給位置Peに供給されたエッチング液は押し流される
ので、エッチング液がウエハWの中央部に向けて流れる
ことを一層防止できる。さらに、エッチング液がエッチ
ング液供給位置Peに入射する際にエッチング液のミス
トが発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガス
によってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエ
ハWの中央部(デバイス形成領域)の薄膜がエッチング
液のミストによる腐食を受けるおそれがない。
形成領域に純水が供給されないので、デバイス形成領域
に作り込まれているデバイスが純水によるダメージを受
けるおそれがない。図4は、この発明の他の実施形態
(第2の実施形態)に係る基板処理装置の構成を図解的
に示す図である。この実施形態に係る基板処理装置は、
上述の実施形態に係る基板処理装置においてウエハWの
表面の周縁部および端面に形成されている不要な金属薄
膜が除去された後、そのウエハWの裏面から不要な金属
イオン(金属汚染)または金属薄膜を除去するためのも
のである。
1が備えられている。スピンチャック21は、ほぼ鉛直
に配置されたチャック軸211と、このチャック軸21
1の上端にほぼ水平に固定されたスピンベース212
と、スピンベース212上に立設された複数本のチャッ
クピン213とを有している。スピンベース212は、
たとえば、平面視において放射状に延びた複数本(たと
えば、6本)のアームを有しており、各アームの先端に
チャックピン213が立設されている。たとえば、一本
おきのアーム(たとえば、全部で3本のアーム)の先端
には、ウエハWの裏面の周縁部を受ける水平面と、ウエ
ハWの端面に対向してウエハWの移動を規制する鉛直面
とを有する固定チャックピン213が固定されている。
そして、残余の一本おきのアーム(たとえば、全部で3
本のアーム)の先端には、鉛直軸まわりに回転(自転)
可能な可動チャックピン213が取り付けられている。
この可動チャックピン213は、ウエハWの裏面の周縁
部を受ける水平面と、この水平面から立ち上がり、ウエ
ハWの端面に当接して、対向する固定チャックピン21
3と協働してウエハWを挟持する第1鉛直面と、同じく
当該水平面から立ち上がり、第1鉛直面よりもウエハW
の半径方向外方に後退してウエハWの端面を規制可能な
第2鉛直面とを有している。したがって、可動チャック
ピン213を、鉛直軸まわりに回転させることにより、
第1鉛直面または第2鉛直面をウエハWの端面に対向さ
せることができ、これにより、ウエハWを挟持したり、
ウエハWの挟持を弛めたりすることができる。
ータなどの駆動源を含む回転駆動機構214が結合され
ている。これにより、複数本のチャックピン213でウ
エハWを狭持した状態で、回転駆動機構214によって
チャック軸211を回転させることにより、ウエハWを
水平面内で回転させることができる。さらに、チャック
軸211は、円筒状に形成されており、その内部には、
裏面リンス配管22が非回転状態に挿通されている。裏
面リンス配管22の先端は、チャック軸211の先端で
開口していて、これにより、チャック軸211の先端
に、チャックピン213で挟持されたウエハWの裏面中
央にエッチング液を供給するための裏面リンスノズル2
21が形成されている。
形状の遮断板23と、この遮断板23の傾斜面を洗浄す
るための純水を吐出する遮断板洗浄ノズル24とが配置
されている。遮断板23は、図1に示す遮断板12か
ら、エッチング液を供給するための開口122aおよび
エッチング液供給路123を省略した構成であり、その
下面231がスピンチャック21に保持されたウエハW
の上面とほぼ平行をなして対向するように設けられてい
る。
遮断板23と図1に示す遮断板12とで共通する部分に
は、図1の場合と同一の参照符号を付して示している。
また、その同一の参照符号を付した部分についての説明
は省略する。図5は、この第2の実施形態に係る基板処
理装置における処理について説明するための図解図であ
る。処理対象のウエハWは、上述の図1に示す基板処理
装置において表面の周縁部および端面に形成された金属
薄膜を除去するための処理を受けた後、その図1に示す
基板処理装置から搬入されてきて、スピンチャック21
に表面を上方に向けた状態で受け渡される。このとき、
遮断板23(図4参照)は、ウエハWの搬入を阻害しな
いように上方に大きく退避している。スピンチャック2
1にウエハWが保持されると、遮断板23がウエハWの
表面に近づけられ、スピンチャック21(すなわち、ウ
エハW)が予め定める回転速度で回転され始める。
2cから窒素ガスの吐出が開始され、ウエハWの表面の
窒素ガス供給位置Pnに斜め上方から窒素ガスが供給さ
れる。また、窒素ガスの吐出が開始された後、つづい
て、図5(b)に示すように、開口122bから純水の吐
出が開始され、ウエハWの表面の純水供給位置Pdに斜
め上方から純水が供給される。さらに、純水の吐出が開
始された後、図5(c)に示すように、裏面リンスノズル
221からエッチング液の吐出が開始され、ウエハWの
裏面中央にエッチング液が供給される。
エッチング液の供給が予め定める時間にわたって続けら
れると、図5(d)に示すように、まず、裏面リンスノズ
ル221からのエッチング液の吐出が停止される。つづ
いて、図5(e)に示すように、開口122bからの純水
の吐出が停止され、その後、図5(f)に示すように、開
口122cからの窒素ガスの吐出が停止される。これで
ウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を除去す
るための処理は終了であり、その後は、ウエハWの裏面
に純水が供給されて、ウエハWの裏面に付着したエッチ
ング液が洗い流される。ウエハWの裏面を水洗するため
の純水は、裏面リンスノズル221にエッチング液また
は純水を切り替えて供給できるように構成して、裏面リ
ンスノズル221からウエハWの裏面に供給するように
してもよいし、裏面リンスノズル221とは別に設けら
れたノズルからウエハWの裏面に供給するようにしても
よい。この水洗処理後のウエハWは、遮断板23が上方
に退避した後、図示しない搬送ロボットによって搬出さ
れる。
基板処理装置では、ウエハWの裏面に付着している金属
イオンまたは金属薄膜を除去するためのエッチング液
が、回転しているウエハWの裏面中央に供給される。こ
れにより、ウエハWの裏面全域にまんべんなくエッチン
グ液を供給することができ、このエッチング液により、
ウエハWの裏面から金属イオンまたは金属薄膜を良好に
除去することができる。また、窒素ガス、純水およびエ
ッチング液の供給(吐出)開始および停止が上述のよう
な順序で行われることにより、ウエハWの裏面にエッチ
ング液が供給されている間、ウエハWの表面の純水供給
位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnにそれぞれ純水お
よび窒素ガスが供給されている。純水供給位置Pdに供
給された純水は、ウエハWの表面を純水供給位置Pdか
らウエハWの周縁へ向かって流れて、ウエハWの周縁か
ら流下するので、裏面リンスノズル221からウエハW
の裏面に供給されたエッチング液がウエハWの表面に回
り込むおそれがない。
ン213がウエハWの裏面を伝って側方に飛散するエッ
チング液を横切ることによってエッチング液のミストが
発生しても、そのエッチング液のミストは窒素ガスによ
ってウエハWの外方へと吹き飛ばされるので、ウエハW
の中央部(デバイス形成領域)の薄膜がエッチング液の
ミストによる腐食を受けるおそれがない。さらにまた、
ウエハWの中央部のデバイス形成領域に純水が供給され
ないので、デバイス形成領域に作り込まれているデバイ
スが純水によるダメージを受けるおそれがない。
説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施するこ
ともできる。たとえば、上述の第1の実施形態では、遮
断板12の下面121に円形の小さな開口122a,1
22b,122cが形成され、これらの開口122a,
122b,122cからそれぞれエッチング液、純水お
よび窒素ガスが吐出されるとしたが、遮断板12の下面
121に、その下面121の中心CEを中心とする3つ
の同心円環状の開口が形成され、この3つの環状開口か
らそれぞれエッチング液、純水および窒素ガスが吐出さ
れてもよい。また、これと同様な変形を上述の第2の実
施形態に施してもよい。
22a,122b,122cはそれぞれ複数個形成され
ているが、開口122a,122b,122cはそれぞ
れ、少なくとも1つ形成されていればよい。たとえば、
開口122a,122b,122cがそれぞれ1つずつ
だけ形成される場合には、下面121の中心CEを通る
下面121上の直線に沿うように、開口122a,12
2b,122cが形成されるのが好ましい(図2の二点
鎖線で囲う開口群A)。これによると、窒素ガス供給位
置Pn、エッチング液供給位置Pe、および純水供給位
置PdはウエハWの回転中心を通る直線に沿って設けら
れる。
122aが1つだけ形成され、純水および窒素ガスが吐
出される開口122bおよび122cが複数個形成され
るようにしてもよい。この場合、複数の開口122bお
よび122cは、中心CEから見て1つの開口122a
を覆うように設けられるのが好ましい。これによれば、
ウエハの回転中心から見て、エッチング液供給位置Pe
は、純水供給位置Pdおよび窒素ガス供給位置Pnで覆
われることとなる(図2の二点鎖線で囲う開口群B)。
が形成され、この開口から窒素ガスが供給されるように
してもよい。さらには、遮断板12,23の開口122
cからウエハWの表面に窒素ガスが供給されるとした
が、窒素ガス以外の不活性ガス(たとえば、ヘリウムガ
スまたはアルゴンガス)がウエハWの表面に供給されて
もよい。さらには、基板の一例として半導体ウエハを取
り上げたが、この発明は、液晶表示装置用ガラス基板、
プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク
用ガラス基板などの他の種類の基板に対して処理を施す
ための装置にも適用することができる。
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
成を図解的に示す図である。
る。
するための図である。
構成を図解的に示す図である。
するための図である。
Claims (22)
- 【請求項1】基板を回転させつつエッチング液を供給し
て基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、 基板に供給すべきエッチング液を吐出するエッチング液
吐出口、基板の一方面上の純水供給位置に向けて純水を
吐出する純水吐出口および上記一方面上の上記純水供給
位置よりも回転半径内方の気体供給位置に向けて気体を
吐出する気体吐出口を有していることを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項2】基板の上記一方面にほぼ平行な対向面を有
する対向部材をさらに含むことを特徴とする請求項1記
載の基板処理装置。 - 【請求項3】上記純水吐出口および気体吐出口は、上記
対向部材に設けられていることを特徴とする請求項2記
載の基板処理装置。 - 【請求項4】上記エッチング液吐出口は、上記対向部材
に設けられていることを特徴とする請求項3記載の基板
処理装置。 - 【請求項5】上記エッチング液吐出口は、基板の上記一
方面上の上記気体供給位置よりも回転半径外方のエッチ
ング液供給位置に向けてエッチング液を吐出するように
設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のい
ずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項6】上記基板処理装置は、基板の上記一方面の
周縁部の不要な薄膜をエッチング除去するものであるこ
とを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。 - 【請求項7】上記エッチング液吐出口、純水吐出口およ
び気体吐出口の吐出方向は、基板の回転半径外方に向か
うにつれて基板に接近するように傾斜していることを特
徴とする請求項5または6記載の基板処理装置。 - 【請求項8】上記基板処理装置は、次工程で上記一方面
とは反対の面のほぼ全域から不要物がエッチング除去さ
れる基板に対して処理を行うものであることを特徴とす
る請求項5ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項9】上記エッチング液吐出口は、基板の上記一
方面とは反対の面上のエッチング液供給位置に向けてエ
ッチング液を吐出するように設けられていることを特徴
とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装
置。 - 【請求項10】上記エッチング液供給位置は、基板の回
転中心の近傍に設定されていることを特徴とする請求項
9記載の基板処理装置。 - 【請求項11】上記基板処理装置は、基板の上記一方面
とは反対の面の不要な金属イオンをエッチング除去する
ものであることを特徴とする請求項9または10記載の
基板処理装置。 - 【請求項12】上記基板処理装置は、基板の上記一方面
とは反対の面の不要な薄膜をエッチング除去するもので
あることを特徴とする請求項9ないし11のいずれかに
記載の基板処理装置。 - 【請求項13】上記純水吐出口および気体吐出口の吐出
方向は、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に接
近するように傾斜していることを特徴とする請求項9な
いし12のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項14】上記基板処理装置は、前工程で上記一方
面の周縁部から不要物が除去された基板に対して処理を
行うものであることを特徴とする請求項9ないし13の
いずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項15】上記純水供給位置および気体供給位置
は、基板の回転中心を中心とする円周上に渡って設定さ
れていることを特徴とする請求項1ないし14のいずれ
かに記載の基板処理装置。 - 【請求項16】上記純水供給位置は、基板の上記一方面
に形成されたデバイス形成領域を取り囲む基板周縁領域
上に設定されていることを特徴とする請求項1ないし1
5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項17】基板上の不要物を除去するための処理方
法であって、 回転している基板に向けてエッチング液を吐出するエッ
チング液吐出工程と、 回転している基板の一方面上の純水供給位置に向けて純
水を吐出する純水吐出工程と、 回転している基板の上記一方面上の上記純水供給位置よ
りも内方の気体供給位置に向けて気体を吐出する気体吐
出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項18】上記エッチング液吐出工程では、基板の
上記一方面上の上記気体供給位置よりも回転半径外方の
エッチング液供給位置に向けてエッチング液が吐出され
ることを特徴とする請求項17記載の基板処理方法。 - 【請求項19】上記エッチング液吐出工程では、基板の
上記一方面とは反対の面上のエッチング液供給位置に向
けてエッチング液が吐出されることを特徴とする請求項
17記載の基板処理方法。 - 【請求項20】上記気体吐出工程が開始された後に上記
純水吐出工程が開始され、その後上記エッチング液吐出
工程が開始されることを特徴とする請求項17ないし1
9のいずれかに記載の基板処理方法。 - 【請求項21】上記気体吐出工程が開始された後に上記
エッチング液吐出工程が開始され、その後上記純水吐出
工程が開始されて、さらにその後、上記エッチング液吐
出工程が終了されることを特徴とする請求項17ないし
20のいずれかに記載の基板処理方法。 - 【請求項22】上記エッチング液吐出工程が終了された
後に上記純水吐出工程が終了され、その後上記気体吐出
工程が終了されることを特徴とする請求項17ないし2
1のいずれかに記載の基板処理方法。
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