JP2002141272A - 感光膜の現像方法及び現像装置 - Google Patents

感光膜の現像方法及び現像装置

Info

Publication number
JP2002141272A
JP2002141272A JP2000337390A JP2000337390A JP2002141272A JP 2002141272 A JP2002141272 A JP 2002141272A JP 2000337390 A JP2000337390 A JP 2000337390A JP 2000337390 A JP2000337390 A JP 2000337390A JP 2002141272 A JP2002141272 A JP 2002141272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
developing
developing solution
developer
substrate
photosensitive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000337390A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoshige Oda
知茂 尾田
Naoji Itami
直滋 伊丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2000337390A priority Critical patent/JP2002141272A/ja
Publication of JP2002141272A publication Critical patent/JP2002141272A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来に比べて基板面内のパターン幅のばらつ
きを小さくできる感光膜の現像方法及び現像装置を提供
する。 【解決手段】 ガラス基板10上に形成されたフォトレ
ジスト膜12の上に現像液供給ノズル15から現像液1
6を供給して、現像液16を液盛りする。その後、一定
の時間経過した後、フォトレジスト膜12の上に現像液
供給ノズル15から現像液16を供給して、現像液16
を新液に置換する。そして、一定の時間経過した後、ガ
ラス基板10を回転させるなどの方法により、現像液1
6を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジスト等
の感光膜の現像方法及び現像装置に関し、特に液晶表示
パネルの製造に好適な感光膜の現像方法及び現像装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、薄くて軽量であるとと
もに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所が
あり、各種電子機器に広く使用されている。特に、画素
毎にTFT(Thin Film Transistor)等のスイッチング
素子が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置は、表示品質の点でもCRT(Cathode-Ray Tube)
に匹敵するほど優れているため、ノート型コンピュータ
のディスプレイだけでなく、ディスクトップ型コンピュ
ータのディスプレイや家庭用テレビにも使用されるよう
になった。
【0003】液晶表示パネルの製造には、フォトリソ工
程が多用されている。例えば、ゲートバスラインやデー
タバスラインとなる金属膜のパターニング、画素電極と
なるITO膜のパターニング、TFTの活性層となるシ
リコン膜のパターニング、及びTFTのチャネル保護膜
となる絶縁膜のパターニングなどでは、フォトレジスト
膜をエッチング時のマスクとしたフォトリソ工程が使用
されている。
【0004】液晶表示パネル製造時のフォトリソ工程で
は、通常、パドル現像といわれる方法でフォトレジスト
膜を現像処理している。図6は、従来のフォトレジスト
膜の現像方法を示す模式図であり、液晶表示パネルのゲ
ートバスライン形成時のフォトリソ工程を示している。
まず、ガラス基板50上にゲートバスラインとなる金属
膜(図示せず)を成膜した後、その上にフォトレジスト
を塗布してフォトレジスト膜52を形成する。その後、
フォトレジスト膜52をプレベークした後、所定の露光
マスクを用いてフォトレジスト膜52を露光し、露光マ
スクのパターンをフォトレジスト膜52に転写する。
【0005】次に、図6(a)に示すように、ガラス基
板50を現像装置内に配置し、現像液供給ノズル55を
ガラス基板50の表面に沿って一方向に一定の速度で移
動させながら、ノズル55から現像液56を吐出させ、
フォトレジスト膜52の上に現像液56を液盛りする。
すなわち、フォトレジスト膜52の上に表面張力によっ
て現像液56を保持する。
【0006】その後、図6(b)に示すように、フォト
レジスト膜52の上に現像液56を液盛りした状態で一
定の時間放置する。この間に、ポジ型フォトレジストの
場合は光に照射された部分が現像液に溶解する。次い
で、ガラス基板50を高速で回転させるなどの方法によ
って現像液56を除去する。そして、図6(c)に示す
ように、純水をスプレーノズル57からスプレーするな
どの方法によって洗浄処理する。このようにして、所定
のパターンのフォトレジスト膜が得られる。
【0007】その後、フォトレジスト膜をエッチングマ
スクとして金属膜をエッチングした後、フォトレジスト
膜を除去する。このようにして、ゲートバスラインが形
成される。なお、フォトレジスト膜の上に現像液を液盛
りするときには、上述したように現像液供給ノズルを移
動させる方法の他にも、現像液供給ノズルを固定し、ガ
ラス基板を移動させる方法がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のフォトレジスト膜の現像方法には、以下に示す
問題点がある。一般的に、液晶表示パネルを製造する際
には、製造効率を高めるために、1枚の大型ガラス基板
を使用して複数の液晶表示パネルを途中まで同時に形成
し、最終工程の近くで切断して複数の表示パネル用基板
に分割している。
【0009】このように、液晶表示パネルの製造には大
型のガラス基板が使用されるため、現像液供給ノズルか
らガラス基板上へ現像液の供給を開始してから全面に液
盛りが完了するまで数秒〜十数秒間の時間がかかる。例
えば、基板サイズが500mmの場合、基板の両端部
(現像液供給開始位置と終了位置)では約8秒間の現像
時間の差が生じる。この現像時間の差に起因して、基板
の両端部でパターン幅の差が生じて、基板面内の線幅分
布が大きくなるという問題点がある。
【0010】今後、ガラス基板の大型化及びフォトレジ
ストの高感度化が促進される傾向にあり、それによって
上記の問題点がより一層顕著になると予想される。本発
明の目的は、従来に比べて基板面内のパターン幅のばら
つきを小さくできる感光膜の現像方法及び現像装置を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、基板上
の感光膜の上に現像液を液盛りする第1の現像液供給工
程と、前記感光膜上の現像液を新液に置換する第2の現
像液供給工程とを有することを特徴とする感光膜の現像
方法により解決する。本発明においては、第1の現像液
供給工程で感光膜の上に現像液を液盛りした後、第2の
現像液供給工程を実施して、感光膜上の現像液を新液に
置換する。
【0012】第1の現像液供給工程の現像液給開始位置
(一端側という)では、時間の経過に伴って現像が十分
に進み、現像液への感光膜の溶解速度が低下する。一
方、第1の現像液供給工程の現像液供給終了位置(他端
側という)では、一端側よりも現像時間が短かく、且つ
感光膜が溶解した現像液が一端側からくるため、一端側
に比べて現像速度が遅くなる。そこで、第2の現像液供
給処理を施すと、一端側では既に現像が十分に進んでい
るので現像速度が遅くなるのに対し、他端側では新液の
供給によって現像速度が速くなる。これにより、基板の
全体にわたって現像状態が均一化され、パターン幅のば
らつきが小さくなる。
【0013】第1の現像液供給工程及び第2の現像液供
給工程で、同一の現像液供給ノズルを使用してもよい。
これにより、現像液供給ノズルが少なくてすみ、装置の
設置面積を少なく抑えることができる。例えば、第1の
現像液供給工程では基板の表面に沿って一方向に現像液
供給ノズルを移動しながら基板上に現像液を供給して液
盛りし、その後現像液供給ノズルを元の位置に戻し、第
2の現像液供給工程で再度一方向に現像液供給ノズルを
移動しながら、基板上の現像液を新液に置換する。
【0014】また、第1の現像液供給工程における現像
液供給ノズルの移動方向に対し、第2の現像液供給工程
における現像液供給ノズルの移動方向を逆方向としても
よい。更に、現像槽内に基板搬送部と複数の現像液供給
ノズルとを配置し、基板搬送部によって基板を一方向に
移動させながら、現像液供給ノズルによって基板上に現
像液を供給し、又は基板上の現像液を新液に置換するよ
うにしてもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、添付の図面を参照して説明する。 (現像方法)図1,図2は本発明の実施の形態の感光膜
(フォトレジスト膜)の現像方法を示す模式図であり、
液晶表示パネルのゲートバスライン形成時のフォトリソ
工程を示している。
【0016】まず、ガラス基板10の上にゲートバスラ
インとなるCr(クロム)等の金属膜(図示せず)を形
成した後、金属膜の上にフォトレジストを塗布してフォ
トレジスト膜12を形成する。その後、フォトレジスト
膜12をプレベークした後、所定の露光マスクを用いて
フォトレジスト膜12を露光し、露光マスクのパターン
をフォトレジスト膜12に転写する。
【0017】次に、第1のパドル現像処理を実施する。
すなわち、図1(a)に示すように、ガラス基板10を
現像装置内に配置し、現像液供給ノズル15をガラス基
板10の表面に沿って一方向に一定の速度で移動させな
がら、ノズル15から現像液16を吐出させて、ガラス
基板10の上に現像液16を液盛りする。そして、図1
(b)に示すように、ガラス基板10の上側全面に現像
液16を液盛りした状態で一定時間保持する。この間に
現像が進行し、ポジ型フォトレジストの場合は露光され
た部分が現像液に溶解する。
【0018】次に、第2のパドル現像処理を実施する。
すなわち、図1(c)に示すように、現像液供給ノズル
15をガラス基板10の表面に沿って一方向に一定の速
度で移動させながら、ノズル15から現像液を吐出させ
て、フォトレジスト膜16上の現像液16を新液に置換
する。そして、図2(a)に示すように、ガラス基板1
0上の全面に現像液16を液盛りした状態で一定時間保
持する。このとき、第1のパドル現像時の現像液供給開
始位置では現像が十分に進行して現像液へのフォトレジ
ストの溶解速度が低下する一方、吐出終了位置では新し
い現像液によって現像の進行速度が速くなる。従って、
ガラス基板10の全体にわたって現像状態が均一化され
る。
【0019】次に、ガラス基板10を高速で回転させる
などの方法によって現像液を除去した後、図2(b)に
示すように、ガラス基板10の上に純水をスプレーノズ
ル17からスプレーして十分に洗浄を行う。その後、ガ
ラス基板10の表面を乾燥させる。このようにして、フ
ォトレジスト膜がパターニングされる。次いで、ガラス
基板10上に残存しているフォトレジスト膜をエッチン
グマスクとして金属膜をエッチングする。その後、フォ
トレジスト膜を除去する。これにより、金属膜が所定の
形状にパターニングされ、ガラス基板10の上にゲート
バスラインが形成される。
【0020】本実施の形態では、第1のパドル現像処理
で基板10の上側全面に現像液を液盛りし、第2のパド
ル現像処理で現像液を新液に置換する。これにより、基
板10の上側全面にわたって現像状態が均一化され、パ
ターン幅の面内分布が小さくなるという効果が得られ
る。 (現像装置)図3〜図5はフォトレジスト膜の現像装置
の構成を示す模式図である。
【0021】図3に示す現像装置は、チャンバ(現像
槽)内に現像液供給ノズル15が1本だけ設けられてお
り、この現像液供給ノズル15がガラス基板10の表面
に沿って移動できるようになっている。この図3に示す
現像装置の場合、第1のパドル現像処理で現像液供給ノ
ズル15をガラス基板10の表面に沿って移動させなが
ら現像液を吐出して液盛りした後、現像液の吐出を停止
して現像液供給ノズル15を元の位置まで戻し、その後
第2のパドル現像処理を行う。
【0022】なお、第1のパドル現像処理時のノズル1
5の移動方向と第2のパドル現像処理時のノズル15の
移動方向を逆方向としてもよい。図4に示す現像装置
は、チャンバ内に現像液供給ノズルが複数本(図では2
本)設けられている。第1のパドル現像処理では、第1
のノズル15aがガラス基板10の表面に沿って移動し
つつ現像液を吐出して、ガラス基板10の上側全面に現
像液を液盛りする。
【0023】その後、第2のパドル現像処理では、第2
のノズル15bがガラス基板10の表面に沿って移動し
つつ現像液を吐出して、ガラス基板10の上の現像液を
新液に置換する。図5に示す枚葉式現像装置では、現像
槽内に複数本(図では3本)のノズル15a〜15cが
相互に平行に配置されて固定されている。ガラス基板1
0は搬送ローラ18によって各ノズル15a〜15cの
下方を移動する。そしてノズル15aによってガラス基
板10の上に現像液16が液盛りされ、ノズル15b,
15cによってガラス基板10の上の現像液16が新液
に置換される。その後、ガラス基板10は搬送ローラ1
8によって洗浄槽に搬送され、純水で洗浄処理される。
【0024】図5に示す枚葉式現像装置では、図3,図
4に示す装置に比べて、連続的に現像処理することがで
きるという利点がある。 (線幅分布)以下、本発明のフォトレジスト膜の現像方
法によってレジストパターンを形成し、線幅分布を調べ
た結果について説明する。
【0025】まず、ガラス基板の上側全面にCr膜を形
成した。このCr膜の上にフォトレジストを1.5μm
の厚さに塗布した後、プレベークしてフォトレジスト膜
とした。次に、所定の露光マスクを用いてステッパ−に
て露光を行い、フォトレジスト膜に露光マスクのパター
ンを転写した。
【0026】その後、図1に示す方法のように現像液を
2回供給する方法(2回パドル現像)により現像を行っ
た。この場合、トータルの現像時間をT(35秒)とし
たときに、2回目のパドル現像を開始する時間をT/2
とした。一方、図6に示す従来方法(1回パドル現像)
でフォトレジスト膜の現像を行った。そして、本発明方
法及び従来方法による基板両端部におけるレジストパタ
ーンの線幅の差と、面内分布とを調べた。面内分布は、
複数の位置で線幅を測定し、その結果を基に算出した3
σ(σは標準偏差)の値とした。本発明方法及び従来方
法における基板両端部のレジストパターンの線幅の差及
び面内分布を、下記表1にまとめて示す。
【0027】
【表1】
【0028】この表1に示すように、従来方法ではガラ
ス基板の両端部のパターンの線幅の差が0.37μmで
あったのに対し、本実施の形態の方法では0.02μm
と減少した。また、従来の現像方法では線幅の面内分布
(3σ)が0.54μmであるのに対し、本実施の形態
では線幅の面内分布(3σ)が0.4μmであった。こ
のように、本実施の形態によれば、線幅の面内分布(3
σ)が,従来方法に比べて0.14μm小さくすること
ができた。これにより、本発明方法が線幅分布の減少に
有効であることが確認された。
【0029】なお、2回目のパドル現像を開始するタイ
ミングを種々変えて基板の両端部における線幅の差を調
べたところ、上記のようにトータルの現像時間をTとし
たときに、2回目のパドル現像を開始するタイミングを
T/2としたときが最も線幅の差が小さかった。 (現像パドル回数と線幅分布)次に、現像パドル回数と
線幅分布との関係を調べた結果について説明する。
【0030】まず、ガラス基板の上側全面にCr膜を形
成した。このCr膜の上にフォトレジストを1.5μm
の厚さに塗布した後、プレベークしてフォトレジスト膜
とした。次に、所定の露光マスクを用いてステッパーに
て露光を行い、フォトレジスト膜に露光マスクのパター
ンを転写した。
【0031】その後、基板上に現像液を3回供給する本
発明方法(3回パドル現像という)、及び現像液を4回
供給する本発明方法(4回パドル現像という)によって
現像を行った。この場合、トータルの現像時間をT(3
5秒)としたときに、T/3又はT/4の間隔でパドル
現像を行った。一方、図6に示す従来方法でフォトレジ
スト膜の現像を行った。そして、本発明方法及び従来方
法による基板両端部におけるレジストパターンの線幅の
差と、線幅の面内分布とを調べた。その結果を下記表2
にまとめて示す。
【0032】
【表2】
【0033】この表2に示すように、従来方法では面内
分布(3σ)が0.64μmであるのに対し、本発明方
法では面内分布が0.57μm以下となり、パターン幅
のばらつきを小さくすることができた。 (レジスト感度)次に、現像方法によるレジスト感度
(見かけ上の感度)の変化を調べた結果について説明す
る。
【0034】まず、ガラス基板の上側全面にCr膜を形
成した。このCr膜の上にフォトレジストを1.5μm
の厚さに塗布した後、プレベークしてフォトレジスト膜
とした。次に、所定の露光マスクを用いてステッパーに
て露光を行い、フォトレジスト膜に露光マスクのパター
ンを転写した。
【0035】その後、基板上に現像液を2回供給する本
発明方法(2回パドル現像という)、及び現像液を3回
供給する本発明方法(3回パドル現像という)によって
現像を行った。この場合、トータルの現像時間を50秒
とした。一方、図6に示す従来方法でフォトレジスト膜
の現像を行った。そして、本発明方法及び従来方法によ
る現像しきい値Ethを調べた。その結果を、下記表3に
示す。
【0036】
【表3】
【0037】この表3に示すように、本発明方法によれ
ば、従来方法に比べてフォトレジスト膜の感度が向上す
ることが確認された。これにより、露光時間の短縮、ひ
いてはタクトタイムの短縮が可能になる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第1の現像液供給工程で感光膜の上に現像液を液盛りし
た後、第2の現像液供給工程を実施して、感光膜上の現
像液を新液に置換するので、基板の全体にわたって現像
状態が均一化され、パターン幅のばらつきが小さくな
る。また、第2の現像液供給工程で基板上の現像液を新
液に置換するので、感光膜の見かけ上の感度が向上す
る。これにより、露光時間の短縮、ひいてはタクトタイ
ムが短縮されるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施の形態の感光膜(フォトレ
ジスト膜)の現像方法を示す模式図(その1)である。
【図2】図2は本発明の実施の形態の感光膜(フォトレ
ジスト膜)の現像方法を示す模式図(その2)である。
【図3】図3はフォトレジスト膜の現像装置の一例を示
す模式図である。
【図4】図4はフォトレジスト膜の現像装置の他の例を
示す模式図である。
【図5】図5はフォトレジスト膜の現像装置の更に他の
例を示す模式図である。
【図6】図6は従来のフォトレジスト膜の現像方法を示
す模式図である。
【符号の説明】
10,50…ガラス基板、 12,52…フォトレジスト膜、 15,55…現像液供給ノズル、 16,56…現像液、 17,57…スプレーノズル。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上の感光膜の上に現像液を液盛りす
    る第1の現像液供給工程と、 前記感光膜上の現像液を新液に置換する第2の現像液供
    給工程とを有することを特徴とする感光膜の現像方法。
  2. 【請求項2】 前記感光膜の上に現像液を供給開始して
    から感光膜上の現像液を除去するまでの総現像時間をT
    とし、前記第1の現像液供給工程及び前記第2の現像液
    供給工程における前記基板上への現像液の総供給回数を
    Nとしたときに、現像液の供給間隔をT/Nとすること
    を特徴とする請求項1に記載の感光膜の現像方法。
  3. 【請求項3】 前記第1の現像液供給工程及び前記第2
    の現像液供給工程は、同一の現像液供給ノズルを用いて
    行うことを特徴とする請求項1に記載の感光膜の現像方
    法。
  4. 【請求項4】 前記第1の現像液供給工程における現像
    液供給ノズルの移動方向に対し、前記第2の現像液供給
    工程における現像液供給ノズルの移動方向が同方向であ
    ることを特徴とする請求項3に記載の感光膜の現像方
    法。
  5. 【請求項5】 前記第1の現像液供給工程における現像
    液供給ノズルの移動方向に対し、前記第2の現像液供給
    工程における現像液供給ノズルの移動方向が逆方向であ
    ることを特徴とする請求項3に記載の感光膜の現像方
    法。
  6. 【請求項6】 現像槽内に配置されて基板を搬送する搬
    送部と、 前記搬送部により搬送される前記基板の上に現像液を供
    給して液盛りする第1の現像液供給ノズルと、 前記第1の現像液供給ノズルにより液盛りされた基板の
    上に現像液を供給して新液に置換する第2の現像液供給
    ノズルとを有することを特徴とする感光膜の現像装置。
JP2000337390A 2000-11-06 2000-11-06 感光膜の現像方法及び現像装置 Pending JP2002141272A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000337390A JP2002141272A (ja) 2000-11-06 2000-11-06 感光膜の現像方法及び現像装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000337390A JP2002141272A (ja) 2000-11-06 2000-11-06 感光膜の現像方法及び現像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002141272A true JP2002141272A (ja) 2002-05-17

Family

ID=18812781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000337390A Pending JP2002141272A (ja) 2000-11-06 2000-11-06 感光膜の現像方法及び現像装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002141272A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054697A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置及び現像処理方法
WO2012133891A1 (ja) * 2011-04-01 2012-10-04 シャープ株式会社 現像方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2016058712A (ja) * 2014-09-04 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054697A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置及び現像処理方法
WO2012133891A1 (ja) * 2011-04-01 2012-10-04 シャープ株式会社 現像方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2016058712A (ja) * 2014-09-04 2016-04-21 東京エレクトロン株式会社 現像方法、現像装置及び記憶媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4563349B2 (ja) 液晶表示素子用印刷装置及びこれを用いたパターン形成方法
KR100778326B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 패턴 형성 방법
JP6947925B2 (ja) Tftアレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法
JP2001210615A (ja) 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置
JP2002252163A (ja) 画像表示装置の製造方法および製造装置
JP2002141272A (ja) 感光膜の現像方法及び現像装置
JP4157116B2 (ja) 基板処理装置
KR20030050360A (ko) 스트립 장치
KR100288908B1 (ko) 전자 디바이스의 제조방법
US20070048676A1 (en) Method for manufacturing printing plate
US6792957B2 (en) Wet etching apparatus and method
KR101041052B1 (ko) 기판처리장치
KR20080045669A (ko) 인쇄 패턴에 의한 패턴 형성 방법
JPH0629209A (ja) フォトレジスト除去方法及びフォトレジスト除去装置
KR100468529B1 (ko) 에천트 도포장비 및 이를 이용한 습식식각 방법
KR100442452B1 (ko) 습식식각 공정장비
JP3935426B2 (ja) 基板処理方法
KR20080068951A (ko) 현상 장치 및 현상 방법
KR20020063096A (ko) 포토레지스트의 에지 비드를 제거하는 세정용액 및 이를이용한 세정방법
KR102245499B1 (ko) 현상 장치 및 이를 이용한 현상 방법
KR100271757B1 (ko) 반도체장치의식각방법
KR100788390B1 (ko) 현상액 노즐
KR100480816B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR100840678B1 (ko) 포토레지스트의 제거장치 및 이를 이용한 포토레지스트제거방법
JP2000075505A (ja) フォトレジストの除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050712

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20050713

A521 Written amendment

Effective date: 20050721

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Effective date: 20050721

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

A521 Written amendment

Effective date: 20050818

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061011

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20090331

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20090514

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090811