KR100288908B1

KR100288908B1 - 전자 디바이스의 제조방법

Info

Publication number: KR100288908B1
Application number: KR1019990000151A
Authority: KR
Inventors: 아오키마사루
Original assignee: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시; 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date: 1998-06-12
Filing date: 1999-01-07
Publication date: 2001-04-16
Also published as: JP2000000507A; KR20000005565A; US6117481A; TW442338B; JP4301596B2

Abstract

기판(1)에 슬릿적하방식을 사용하여 감광성 또는 비감광성 수지를 도포하는 도포공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법이다. 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐(2)의 스캔방향을, 기판(1)에 대하여 상대적으로 적하도포한 후의 기판 회전의 회전방향 S와 동일방향으로 소정의 각도 θ로 경사진 상태를 유지하면서, 상기 노즐(2)이 스캔하여 수지를 도포한다. 원하는 박막을 균일하게 확보할 수 있고, 또한, 패턴불량 등의 발생을 감소시킴과 동시에, 안정된 품질을 얻을 수 있다.

Description

전자 디바이스의 제조방법{Manufacturing Method for Electron Devices}

본 발명은 반도체 장치를 사용한 액정표시장치 등의 전자 디바이스의 제조공정에 있어서, 기판에 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지를 균일하게 도포할 수 있는 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다.

예를 들면, TFT(박막 트랜지스터)를 사용한 액정표시 소자를 스텝퍼 노광장치를 사용하여 패턴형성하는 경우에 대해 설명한다. 금속박막 또는 유전체 박막 등을 형성한 유리기판에, 감광성을 갖는 포토레지스트를 균일하게 도포한다. 이 기판에, 마스크에 형성된 패턴을 스텝퍼에 의해 기판 위에 순차 투영노광처리하고, 표시소자로서의 패턴을 포토레지스트에 노광하여 전사한다. 또한, 노광전사된 패턴을 현상, 에칭, 레지스트 박리를 행한다. 동일한 공정을 복수회 반복하여 배선패턴, 절연막 패턴 및 반도체층 패턴 등을 적층하여 표시소자를 형성한다. 이러한 종래기술은 일본국 특개평 4-305651호 공보의 [종래의 기술]의 항에도 표시되어 있다. 또한, 레지스트 도포 프로세스에 대해서는, 「제 6회 파인프로세스 테크놀로지·재팬 '96 세미나 요록 : 제조장치 코스(R6) 포토 프로세스 기술의 최신동향」3∼21 페이지에도 나타나 있다. 도 7∼도 8은 막형성, 레지스트 도포, 노광, 현상, 에칭 및 레지스트 박리의 일련의 프로세스공정을 도시한 도면이다. 도면에 있어서 100은 기판, 101은 기판 위에 막형성된 금속막이나 절연막 등의 박막, 102는 레지스트 등의 감광성수지, 103은 마스크, 104는 마스크(103)의 패턴부분을 각각 나타낸다. 도 9는, 레지스트 도포 공정의 한 방법인 수지의 중앙적하 및 회전(균일화)에 의한 도포 프로세스를 나타내는 도면이다. 도면에 있어서 110은 기판, 111은 수지를 적하하기 위한 노즐, 112는 레지스트 등의 감광성, 또는 비감광성 수지를 각각 나타낸다. 도 10은 레지스트 도포 공정의 또 다른 방법인 수지의 슬릿노즐 적하, 적하완료 및 회전(균일화)에 의한 도포 프로세스를 도시한 도면이다. 도면에 있어서, 120은 기판, 121은 수지를 적하하기 위한 슬릿형 노즐, 122는 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지를 각각 나타낸다.

다음에, 상기 종래의 프로세스 공정에 관해서 설명한다. 도 7에 있어서, 우선 CVD 장치나 스퍼터링 장치를 사용하여, 금속막이나 절연막 등의 박막(101)을 기판(100) 위에 막형성한다(도 7b). 이어서, 이 기판(100)에 회전도포 등의 방법으로 포지티브 레지스트 등의 감광성수지(102)를 도포한다(도 7c). 이어서 레지스트가 도포된 기판(100)을 예를 들면 스텝퍼를 사용하여 노광처리를 행한다. 여기에서는, 스텝퍼의 셔터를 레지스트의 감광에 적정한 노광량이 되는 초 단위만큼 열어서 노광하고, 패턴을 기판(100) 상의 레지스트 감광상으로서 전사한다(도 7d). 그리고, 노광완료 후, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 기판(100)을 현상액으로 현상처리를 행하고, 전사된 마스터 패턴의 감광상을 기판(100) 위에 레지스트상으로서 형성한다. 다음에 막형성된 박막(101)의 에칭처리를 행하고(도 8b), 다음에 레지스트(102)를 박리처리한다(도 8c). 이러한 공정을 동일하게 복수회 반복해서 배선패턴, 절연막 패턴 및 반도체층 패턴 등을 적층하여 표시소자를 형성한다.

다음에, 상기 종래의 레지스트 도포방법에 관해서 설명한다. 우선, 일반적인 레지스트 도포방식인 중앙적하방식에 관해 설명한다. 도 9에 있어서, 기판(110)의 중앙 윗쪽으로부터 노즐(111)에 의해 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지(112)를 일정량 적하하고, 일정시간 기다려 수지가 자연스럽게 넓어진 후, 기판을 회전시켜 수지를 기판 전체에 균일하게 확대하여 도포를 행한다. 또한, 별도의 레지스트 도포 방식인 슬릿적하방식에 관해서 설명한다. 도 10에 있어서, 기판(120)에 대하여 슬릿노즐(121)을 평행으로 스캔함으로써 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지(122)를 균일하게 또는 기판 전체에 적하도포하고, 다음에 다시 도포 막두께의 균일성을 높이기 위해서 기판을 회전시킨다. 목표로 하는 막두께의 균일성이 슬릿도포만으로 얻어지는 경우에는, 그 후의 회전공정은 생략되는 일도 있다.

종래의 제조공정에서는, 중앙적하방식으로 수지를 도포하는 경우, 기판 위에 자연확산되고, 그 후의 회전으로 기판 전체에 퍼지는데 충분한 양의 수지를 적하하지 않으면 안되고, 최종적으로 기판 위에 도포되는 수지와 최초에 적하되는 수지의 비율은 약 1 : 97∼99로도 되어, 유효이용효율이 낮다고 하는 결점을 가지고 있다. 한편, 슬릿적하 방식으로 수지를 도포하는 경우, 기판 위에 적하하는 수지량은 중앙적하방식에 비하여 약 1/10∼1/3이면 되지만, 적하량을 삭감해 간 경우나, 슬릿노즐의 이물질이나 수지 고화물에 의한 막힘이 발생한 경우 등에 의해, 도 11a, 11b에 나타낸 바와 같이, 기판(130) 위에 슬릿형 노즐(131)을 스캔하여, 레지스트 등의 감광성 또는 비감광수지(132)를 도포할 때에, 스캔방향으로 상기 수지(132)의 중단된 부분(적하 불균일(부족)영역)(133)을 발생시키는 일이 있다. 그 발생위치가, 특히 기판 중앙부(회전중앙) 및 기판 중심으로부터 뻗는 거의 방사형의, 원심력, 관성력 및 마찰(기판-수지 사이)력의 방향을 따라 발생하면, 적하 부족량(정도)에 따라서는, 그 후의 기판 회전에 의해서도 도포 막두께의 균일성을 확보하는 것이 곤란하였다.

도포 막두께가 불균일해지면, 감광성 수지의 경우는 적정한 노광에너지의 과부족이 주위의 정상부와의 사이에서 생겨 패턴불량 등으로 이어진다. 또한, 비감광성 수지 등의 경우에는, 막두께에 의해 형성되는 정전용량이 불균일해지거나 투과율이 불균일하게 되는 등, 막 그 자체의 사용목적의 요구특성에 불균일이 생겨 결함이 되는 문제가 발생하는 원인으로 되고 있었다.

본 발명은, 원하는 박막을 균일성이 좋게 확보할 수 있고, 또한, 패턴불량 등의 발생을 감소시킴과 동시에, 안정된 품질을 얻을 수 있는 전자 디바이스의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 2는 본 발명의 또 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면.

도 7은 종래의 전자 디바이스의 제조 프로세스를 나타낸 도면.

도 8은 종래의 전자 디바이스의 제조 프로세스를 나타낸 도면.

도 9는 종래의 레지스트 도포 프로세스를 나타낸 도면.

도 10은 종래의 또 다른 레지스트 도포 프로세스를 나타낸 도면.

도 11은 슬릿적하방식에 의한 적하 불균일 영역의 발생을 나타내는 설명도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1 : 기판2 : 노즐

3 : 레지스트4 : 빗살모양의 노즐

5 : 적하노즐6 : 레지스트

θ : 각도S : 회전방향

본 발명의 청구항 제 1항 기재의 전자 디바이스의 제조방법은, 기판에 슬릿적하방식을 사용하여 감광성 또는 비감광성 수지를 도포하는 도포공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법에 있어서, 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐의 스캔방향을, 기판에 대하여 상대적으로 적하도포된 후의 기판 회전의 회전방향과 동일한 방향으로 소정 각도로 경사진 상태로 유지하면서, 상기 노즐이 스캔하여 수지를 도포하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 청구항 제 2항 기재의 전자 디바이스의 제조방법은, 기판에 슬릿적하방식을 사용하여 감광성 또는 비감광성 수지를 도포하는 도포공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법에 있어서, 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐의 스캔방향을, 기판을 소정의 주기와 요동각으로 일정한 위치를 중심으로 요동회전시킴으로써, 기판에 대해 상기 노즐이 상대적으로 사행(蛇行)하여 스캔하여 수지를 도포하는 것을 특징으로 한다.

[실시예]

(실시예 1)

본 발명의 일 실시예에 관한 전자 디바이스의 제조방법에 관해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에서의 수지의 도포에 관해서 설명하는 도면으로서, 도 1a는 슬릿적하 노즐이 적하하면서 스캔하고 있는 도중의 상태를 도시한 도면이고, 도 1b는 슬릿적하 노즐이 적하를 완료한 후의 상태를 도시한 도면이다. 도면에 있어서, 1은 기판, 2는 슬릿적하 노즐(이하, 간단히 노즐이라 한다), 3은 기판(1) 위에 도포된 감광성 포지티브 레지스트(이하, 간단히 레지스트라고 한다)이다.

도 1a에 나타낸 바와 같이, 기판(1) 위에 레지스트(3)를 노즐(2)에 의해 적하하면서 노즐(2)을 스캔시킨다. 이때, 수지적하를 행하는 노즐(2)의 스캔방향을 상대적으로 기판(1)에 대하여 평행이 아닌, 적하 후의 기판 회전의 회전방향 S와 동일한 방향으로 소정의 각도 θ를 유지한다. 그리고, 이 경사진 상태, 예를 들면 기판(1)을 약 1∼15도 회전시킨 위치에서 고정하여 노즐(2)을 스캔시켜서 수지를 도포한다. 비스듬히 경사진 방향을 수지적하를 완료한 후의 기판의 회전방향과 동일한 방향으로 행하면, 도포 막두께의 균일성을 개선시키는 효과를 크게 할 수 있다. 또한, 상기 노즐(2)은 기판(1)에 대하여 상대적으로 경사진 방향으로 스캔하기 때문에, 해당 노즐(2)의 양단부에서의 수지적하의 토출구에는, 기판(1)의 가장자리를 따라 여분의 적하량을 규제하도록 적하조절수단을 설치하는 것이 바람직하다.

본 실시예에서는, 수지적하를 행하는 노즐(2)의 스캔방향을 상대적으로 기판(1)에 대하여 평행이 아닌 적하한 후의 기판 회전의 회전방향과 동일한 방향으로, 예를 들면 약 1∼약 15도 회전시킨 위치에서 고정된 상태를 유지하고, 그리고 스캔하여 도포하도록 하였기 때문에, 가령 노즐(7)의 일부가 이물질 등에 막혀 적하불량이 발생하더라도, 불량부가 기판 중심에서 발생하지 않으면 막두께의 균일성이 현저히 손상되는 것은 아니다. 또한, 도포불량이 기판 중심에서 발생하는 확률은 대단히 적기 때문에, 도포시에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 증가시키지 않고, 도포 막두께의 균일성 불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 종래에 비해 저감시킬 수 있다.

(실시예 2)

본 발명의 제 2 실시예에 관계되는 전자 디바이스의 제조방법에 관해서 설명한다. 도 2는 본 발명의 다른 실시예에서의 수지의 도포에 관해서 설명하는 도면으로서, 도 2a는 노즐(2)이 적하하면서 스캔하고 있는 도중의 상태를 나타내는 도면이며, 도 2b는 노즐(2)이 적하를 완료한 후의 상태를 도시한 도면이다. 도면에 있어서 1은 기판, 2는 노즐, 3은 기판(1) 위에 도포된 레지스트이다.

도 2a에 나타낸 바와 같이, 기판(1) 위에 레지스트(3)를 노즐(2)에 의해 적하하면서 노즐(2)을 스캔시킨다. 이때, 기판(1)에 대하여 노즐(2)의 스캔방향이 상대적으로 사행하도록 한다. 예를 들면 상대적으로 평행된 위치를 중심으로 기판(1)을 소정의 주기와 요동각으로 경사지도록, 기판 스테이지(미도시)를 요동회전시켜 스캔을 행한다. 이러한 요동회전의 주기와 요동각으로서는, 예를 들면 주기가 0.5∼5.0sec이며, 요동각이 약 ±1∼5도이다.

본 실시예에서는, 노즐(2)의 스캔방향에 대하여 기판(1)을 요동회전시킴으로써, 노즐(2)의 스캔방향이 상대적으로 기판(1)에 대해 사행하도록 수지를 적하하였기 때문에, 가령 노즐(2)의 일부가 이물질 등으로 막혀 적하불량이 발생하더라도, 불량부가 기판 중심에서 발생하지 않으면, 막두께의 균일성이 뚜렷하게 손상되는 것은 아니다. 또한, 도포불량이 기판 중심으로 발생하는 확률은 상기 실시예에 비하여 훨씬 작기 때문에, 도포시에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 늘리는 일 없이 도포 막두께의 균일성 불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 더욱 감소시킬 수 있다.

(실시예 3)

본 발명의 제 3 실시예에 관한 전자 디바이스의 제조방법에 관해 설명한다. 도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면으로서, 도 3a는 노즐(2)이 적하하면서 스캔하고 있는 도중의 상태이며, 도 3b는 노즐(2)이 적하를 완료한 후의 상태를 도시한 도면이다. 도면에 있어서, 1은 기판, 2는 노즐, 3은 기판(1) 위에 도포된 레지스트이다.

도 3a에 나타낸 바와 같이, 기판(1) 위에 레지스트(3)를 노즐(2)에 의해 적하하면서 노즐(2)을 스캔시킨다. 이때, 기판(1)에 대하여 노즐(2)의 스캔방향이 기판(1)에 대해 상대적으로 경사지도록, 예를 들면 기판(1)을 약 1∼15도 회전시킨 위치에서 고정하여 스캔을 행한다. 그리고, 스캔시에 기판(1)의 길이방향으로 수지공급을 제어하여 간헐적으로 수지를 적하하도록 한다. 단, 기판 중심에서 적하하지 않는 일이 없도록 제어한다. 또한, 비스듬히 경사진 방향을, 수지적하를 완료한 후의 기판 회전방향과 동일한 방향으로 행하면, 도포 막두께의 균일성을 개선시키는 효과를 크게 할 수 있다.

본 실시예에서는, 기판(1)의 회전방향과 동일한 방향으로, 예를 들면 약 1∼15도 노즐(2)의 스캔방향에 대해 기판(1)을 회전시킨 상태에서, 또한, 스캔시에 수지공급을 제어하여 간헐적으로 수지를 적하하도록 하여 스캔을 행하였기 때문에, 가령 슬릿의 일부가 이물질 등으로 막힘을 일으켜 적하불량이 발생하더라도, 불량부가 기판 중심에서 발생하지 않으면, 막두께의 균일성이 두드러지게 손상되는 일은 없다. 또한, 도포불량이 기판 중심에서 발생할 확률은 매우 적기 때문에, 도포시에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 다시 종래보다 약 5% 감소할 수 있고, 도포막 두께의 균일성불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 종래에 비해 감소시킬 수 있다.

(실시예 4)

본 발명의 제 4 실시예에 관한 전자 디바이스의 제조방법에 관해 설명한다. 도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면으로, 도 4a는 노즐(4)이 적하하면서 스캔하고 있는 도중의 상태를 나타낸 도면이고, 도 4b는 노즐(4)이 적하를 완료한 후의 상태를 도시한 도면이다. 1은 기판, 4는 해당 기판(1)의 폭 방향으로 간헐적으로 적하할 수 있도록 빗살모양의 토출구를 가진 노즐, 3은 기판(1) 위에 도포된 레지스트이다.

도 4a에 나타낸 것과 같이, 기판(1) 위에 레지스트(3)를 폭 방향으로 간헐적으로 적하하는 빗살모양의 노즐(4)에 의해 적하하면서 스캔시킨다. 이때, 기판(1)에 대하여 노즐(4)의 스캔방향이 상대적으로 경사지도록, 예를 들면 기판(1)을 약 1∼15도 회전시킨 위치에서 고정하여 스캔을 행한다. 그리고, 스캔시에 기판(1)의 길이방향으로 수지공급을 제어하여, 간헐적으로 수지를 적하하도록 한다. 단, 기판 중심에서 적하하지 않는 일이 없도록 제어한다. 또한, 비스듬히 경사진 방향을 수지적하를 완료한 후의 기판 회전방향과 동일한 방향으로 행하면, 도포 막두께의 균일성을 개선시키는 효과를 크게 할 수 있다.

본 실시예에서는, 노즐의 스캔방향에 대해 기판을 약 1∼15도 회전시킨 상태에서, 또한, 스캔시에 기판(1)의 폭방향 및 길이방향으로 수지공급을 제어하여, 간헐적으로 적하하도록 하여 스캔을 행한다. 가령 슬릿의 일부가 이물질 등으로 막힘을 일으켜 적하불량이 발생하더라도, 불량부가 기판 중심에서 발생하지 않으면 막두께의 균일성이 현저하게 손상되는 일은 없다. 또한, 도포불량이 기판 중심에서 발생하는 확률은 대단히 작기 때문에, 도포에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 더욱 종래보다 약 10% 저감할 수 있고, 도포 막두께의 균일성 불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 더욱 감소시킬 수 있다.

또한, 본 실시예에 있어서의 노즐은, 상기 실시예 1∼3에 적용하는 것도 가능하다.

(실시예 5)

본 발명의 제 5의 실시예에 관한 전자 디바이스의 제조방법에 관해 설명한다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면으로서, 도 5b∼도 5e는 노즐(2)에 의한 슬릿적하 또는 적하노즐(5)에 의한 중앙적하, 적하완료, 회전 및 진동의 공정상태를 나타내고 있다. 도면에 있어서 1은 기판, 2는 슬릿적하 노즐, 5는 적하노즐, 3은 기판(1) 위에 도포된 레지스트이다.

기판(1) 위에 레지스트(3)를 노즐(2) 또는 적하노즐(5)에 의해 적하한다(도 5b∼도 5c). 이어서, 기판 회전을 행하여 레지스트를 균일하게 기판 전체에 도포한다(도 5d). 또한, 수지적하한 후 충분한 균일성이 확보되어 있으면, 기판 회전은 생략하는 것도 가능하다. 다음에 기판 스테이지에 5∼500Hz 정도의 진동을 주어 기판을 진동시켜, 도포된 레지스트의 균일성 및 기초 구조의 요철부의 평탄성이 개선된다(도 5f).

본 실시예에서는, 레지스트 도포후 에 기판에 진동을 부여함으로써, 도포방법에서 생기는 불균일 부분이나 기초의 요철 등에 의해 손상되는 평탄성이 개선되어, 슬릿적하 방식의 수지삭감 효과를 보다 유효하게 할 수 있다.

또한, 본 실시예에서의 기판에 진동을 주는 것은, 상기 실시예 1∼4에 적용하는 것도 가능하다.

(실시예 6)

본 발명의 제 6 실시예에 관한 전자 디바이스의 제조방법에 관해 설명한다. 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 있어서의 수지의 도포에 관해 설명하는 도면으로서, 도 6b∼도 6e는 각각 수지적하, 적하완료, 회전(균일화) 및 라이트 베이크의 공정상태를 나타내고 있다. 도면에 있어서, 1은 기판, 2는 노즐, 6은 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지이다.

도 6에 나타낸 바와 같이, 기판(1)에 대해, 노즐(2)을 평행하게 스캔함으로써 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지(6)를 균일하게, 또한 기판 전체에 적하도포하고(도 6b, 도 6c), 이어서, 다시 도포 막두께의 균일성을 높이기 위해 기판(1)을 회전시킨다(도 6d). 목표로 하는 막두께의 균일성이 슬릿도포만으로 얻어지는 경우에는, 이 회전공정을 생략할 수 있다. 다음에, 약 95℃에서 30초 정도 가볍게 베이크를 행하고, 재차, 기판(1)에 대하여 노즐(2)을 평행하게 스캔함으로써 레지스트 등의 감광성 또는 비감광성 수지(6)를 균일하게, 또한 기판 전체에 적하도포하고(도 6b, 도 6c), 이어서, 다시 도포 막두께의 균일성을 높이기 위해서 기판을 회전시킨다(도 6d). 전술한 것과 마찬가지로, 목표로 하는 막두께의 균일성이 슬릿도포만으로 얻어지는 경우에는 이 회전공정을 생략할 수 있다.

본 실시예에서는, 기판(1)의 수지도포를 예를 들면 2회 행하고, 그 사이에 수지중에 포함되는 용제를 가볍게 제거할 목적으로 라이트베이크를 행함으로써, 1회 도포시에 기판의 회전수나 수지적하에서의 제어범위를 넘는 막두께를 원하는 경우에, 수지사용량을 삭감할 수 있고, 또한 균일성을 확보하면서 원하는 막두께가 얻어지는 효과가 있다.

또한, 본 실시예에서의 복수회의 스캔은 상기 실시예 1∼5에 적용하는 것도 가능하다.

(실시예 7)

상기 실시예 1, 2, 3, 4, 5 및 6에서는, 포지티브형 레지스트를 예로 들어 설명하였지만, 감광성을 갖는 수지 또는 비감광성 수지 또는 적하도포하는 무기막 등에도 적용할 수 있다. 또한, 실시예 1, 2, 3 및 4에서는, 기판에 대하여 상대적으로 노즐을 사행시키거나 하여 스캔하기 때문에, 기판을 노즐에 대하여 요동회전시키는 등으로 하였지만, 본 발명에서는, 기판에 대하여 노즐을 사행 이동시키도록 하더라도 동일한 효과를 갖는다. 또한, 실시예 2에서는 기판에 대하여 상대적으로 노즐을 사행시켰지만, 지그재그 패턴으로 이동시키는 등과 같이 비직선적으로 이동시키더라도 동일한 효과를 거둔다. 또한, 실시예 6에서는 라이트베이크를 95℃/30초 행하였지만, 사용하는 수지 등의 종류에 따라 베이크 조건은 본 발명에서는 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 1에서는 기판의 회전방향과 동일방향으로 약 1∼15도 노즐의 스캔방향에 대하여 기판을 회전시킨 상태에서 슬릿적하를 행하였지만, 효과는 작아지지만 기판의 회전방향과 역방향으로 스캔시키는 것도 가능하다. 또한, 실시예 5에서는, 기판 스테이지에 5∼500Hz 정도의 진동을 부여하여 기판을 진동시켰지만, 살포하는 재료의 점도에 따라 더욱 높은 주기의 진동을 주는 것도 가능하다.

또한, 본 발명의 제조방법은, 반도체 장치 이외에 PDP(플라즈마 디스플레이) 등의 표시 디바이스나, 칼라필터 및 프린트 기판 등의 전자 디바이스의 제조방법에 적용할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명의 청구항 1에 따르면, 수지적하를 행하는 노즐의 스캔방향을, 기판에 대하여 상대적으로 적하도포된 후의 기판 회전의 회전방향과 동일방향으로 소정의 각도로 경사진 상태로 유지하면서, 상기 노즐이 스캔하여 수지를 도포하기 때문에, 가령 슬릿의 일부가 이물질 등으로 막힘을 일으켜 적하불량이 발생하더라도, 불량부가 기판 중심에서 발생하지 않으면, 막두께의 균일성이 두드러지게 손상되는 것은 아니다. 또한, 도포불량이 기판 중심에서 발생하는 확률은 극히 적기 때문에, 도포시에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 늘리는 일 없이, 도포 막두께의 균일성 불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 종래에 비하여 감소시킬 수 있다.

본 발명의 청구항 2에 따르면, 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐의 스캔방향을, 기판을 소정의 주기와 요동각으로 일정한 위치를 중심으로 요동회전시키는 것에 의해, 기판에 대하여 상기 노즐이 상대적으로 사행하여 스캔하여 수지를 도포하기 때문에, 가령 슬릿의 일부가 이물질 등으로 막힘을 일으켜 적하불량이 발생하더라도, 불량 부분이 기판 중심에서 발생하지 않으면, 막두께의 균일성이 현저히 손상되는 일은 없다. 또한, 도포불량이 기판 중심에서 발생하는 확률은 청구항 1에 비하여 훨씬 작기 때문에, 도포시에 사용하는 레지스트의 적하 사용량을 늘리는 일 없이, 도포 막두께의 균일성 불량에 기인하는 패턴불량, 표시 및 특성불량의 발생을 더욱 감소시킬 수 있다.

Claims

기판에 슬릿적하방식을 사용하여 감광성 또는 비감광성 수지를 도포하는 도포공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법에 있어서, 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐의 스캔방향을, 기판에 대하여 상대적으로 적하도포된 후의 기판 회전의 회전방향과 동일한 방향으로 소정 각도로 경사진 상태로 유지하면서, 상기 노즐이 스캔하여 수지를 도포하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조방법.
기판에 슬릿적하방식을 사용하여 감광성 또는 비감광성 수지를 도포하는 도포공정을 포함하는 전자 디바이스의 제조방법에 있어서, 수지적하를 행하는 슬릿적하 노즐의 스캔방향을, 기판을 소정의 주기와 요동각으로 일정한 위치를 중심으로 요동회전시킴으로써, 기판에 대해 상기 노즐이 상대적으로 사행하여 스캔하여 수지를 도포하는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조방법.