JP2000000507A - 電子デバイスの製造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズル - Google Patents
電子デバイスの製造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズルInfo
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望の薄膜を均一性良く確保でき、かつ、パ
ターン不良などの発生を低減させるとともに、安定した
品質をうることができる電子デバイスの製造方法を提供
する。 【解決手段】 基板１にスリット滴下方式を用いて感光
性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デ
バイスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット
滴下ノズル２のスキャン方向を、基板１に対して相対的
に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向Ｓと同一方向
に所定の角度θ傾いた状態で保ちながら、前記ノズル２
がスキャンし、樹脂を塗布する。
ターン不良などの発生を低減させるとともに、安定した
品質をうることができる電子デバイスの製造方法を提供
する。 【解決手段】 基板１にスリット滴下方式を用いて感光
性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デ
バイスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット
滴下ノズル２のスキャン方向を、基板１に対して相対的
に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向Ｓと同一方向
に所定の角度θ傾いた状態で保ちながら、前記ノズル２
がスキャンし、樹脂を塗布する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を用いた
液晶表示装置などの電子デバイスの製造工程において、
基板にレジストなどの感光性または非感光性樹脂を均一
に塗布することができる電子デバイスの製造方法および
該製造方法に用いるスリット滴下ノズルに関する。
液晶表示装置などの電子デバイスの製造工程において、
基板にレジストなどの感光性または非感光性樹脂を均一
に塗布することができる電子デバイスの製造方法および
該製造方法に用いるスリット滴下ノズルに関する。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
を用いた液晶表示素子をステッパー露光装置を用いてパ
ターン形成するばあいについて説明する。金属薄膜また
は誘電体薄膜などを形成したガラス基板に、感光性を有
するフォトレジストを均一に塗布する。この基板に、マ
スクに形成されたパターンをステッパーによって基板上
に順次投影露光処理し、表示素子としてのパターンをフ
ォトレジストに露光し転写する。さらに、露光転写され
たパターンを現像、エッチング、レジスト剥離を行な
う。同様の工程を複数回繰り返して配線パターン、絶縁
膜パターンおよび半導体層パターンなどを積層し、表示
素子を形成する。このような従来技術は、特開平４−３
０５６５１号公報の［従来の技術］の項にも示されてい
る。また、レジスト塗布プロセスに関しては、「第６回
ファインプロセステクノロジャー・ジャパン’９６セミ
ナー要録：製造装置コース（Ｒ６）フォトプロセス技術
の最新動向」３〜２１頁にも示されている。図７〜８は
成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチングおよびレ
ジスト剥離の一連のプロセス工程を示す図である。図に
おいて、１００は基板、１０１は基板上に成膜された金
属膜や絶縁膜などの薄膜、１０２はレジストなどの感光
性樹脂、１０３はマスク、１０４はマスク１０３のパタ
ーン部分をそれぞれ示す。図９は、レジスト塗布工程の
一方法である樹脂の中央滴下および回転（均一化）によ
る塗布プロセスを示す図である。図において、１１０は
基板、１１１は樹脂を滴下するためのノズル、１１２は
レジストなどの感光性または非感光性樹脂をそれぞれ示
す。図１０は、レジスト塗布工程の他の方法である樹脂
のスリットノズル滴下、滴下完了および回転（均一化）
による塗布プロセスを示す図である。図において、１２
０は基板、１２１は樹脂を滴下するためのスリット状ノ
ズル、１２２はレジストなどの感光性または非感光性樹
脂をそれぞれ示す。
を用いた液晶表示素子をステッパー露光装置を用いてパ
ターン形成するばあいについて説明する。金属薄膜また
は誘電体薄膜などを形成したガラス基板に、感光性を有
するフォトレジストを均一に塗布する。この基板に、マ
スクに形成されたパターンをステッパーによって基板上
に順次投影露光処理し、表示素子としてのパターンをフ
ォトレジストに露光し転写する。さらに、露光転写され
たパターンを現像、エッチング、レジスト剥離を行な
う。同様の工程を複数回繰り返して配線パターン、絶縁
膜パターンおよび半導体層パターンなどを積層し、表示
素子を形成する。このような従来技術は、特開平４−３
０５６５１号公報の［従来の技術］の項にも示されてい
る。また、レジスト塗布プロセスに関しては、「第６回
ファインプロセステクノロジャー・ジャパン’９６セミ
ナー要録：製造装置コース（Ｒ６）フォトプロセス技術
の最新動向」３〜２１頁にも示されている。図７〜８は
成膜、レジスト塗布、露光、現像、エッチングおよびレ
ジスト剥離の一連のプロセス工程を示す図である。図に
おいて、１００は基板、１０１は基板上に成膜された金
属膜や絶縁膜などの薄膜、１０２はレジストなどの感光
性樹脂、１０３はマスク、１０４はマスク１０３のパタ
ーン部分をそれぞれ示す。図９は、レジスト塗布工程の
一方法である樹脂の中央滴下および回転（均一化）によ
る塗布プロセスを示す図である。図において、１１０は
基板、１１１は樹脂を滴下するためのノズル、１１２は
レジストなどの感光性または非感光性樹脂をそれぞれ示
す。図１０は、レジスト塗布工程の他の方法である樹脂
のスリットノズル滴下、滴下完了および回転（均一化）
による塗布プロセスを示す図である。図において、１２
０は基板、１２１は樹脂を滴下するためのスリット状ノ
ズル、１２２はレジストなどの感光性または非感光性樹
脂をそれぞれ示す。
【０００３】つぎに前記従来のプロセス工程について説
明する。図７において、まず、ＣＶＤ装置やスパッタリ
ング装置を用いて、金属膜や絶縁膜などの薄膜１０１を
基板１００上に成膜する（図７（ｂ））。ついでこの基
板１００に回転塗布などの方法でポジレジストなどの感
光性樹脂１０２を塗布する（図７（ｃ））。ついでレジ
ストが塗布された基板１００を、たとえばステッパーを
用いて露光処理を行なう。ここでは、ステッパーのシャ
ッターをレジストの感光に適正な露光量になる秒数だけ
開いて露光し、パターンを基板１００上のレジスト感光
像として転写する（図７（ｄ））。そして露光完了後、
図８（ａ）に示すように、基板１００を現像液で現像処
理を行ない、転写されたマスクパターンの感光像を基板
１００上にレジスト像として形成する。つぎに成膜され
た薄膜１０１のエッチング処理を行ない（図８
（ｂ））、その後レジスト１０２を剥離処理する（図８
（ｃ））。このような工程を同様に複数回繰り返して配
線パターン、絶縁膜パターンおよび半導体層パターンな
どを積層し、表示素子を形成する。
明する。図７において、まず、ＣＶＤ装置やスパッタリ
ング装置を用いて、金属膜や絶縁膜などの薄膜１０１を
基板１００上に成膜する（図７（ｂ））。ついでこの基
板１００に回転塗布などの方法でポジレジストなどの感
光性樹脂１０２を塗布する（図７（ｃ））。ついでレジ
ストが塗布された基板１００を、たとえばステッパーを
用いて露光処理を行なう。ここでは、ステッパーのシャ
ッターをレジストの感光に適正な露光量になる秒数だけ
開いて露光し、パターンを基板１００上のレジスト感光
像として転写する（図７（ｄ））。そして露光完了後、
図８（ａ）に示すように、基板１００を現像液で現像処
理を行ない、転写されたマスクパターンの感光像を基板
１００上にレジスト像として形成する。つぎに成膜され
た薄膜１０１のエッチング処理を行ない（図８
（ｂ））、その後レジスト１０２を剥離処理する（図８
（ｃ））。このような工程を同様に複数回繰り返して配
線パターン、絶縁膜パターンおよび半導体層パターンな
どを積層し、表示素子を形成する。
【０００４】つぎに前記従来のレジスト塗布方法につい
て説明する。まず、一般的なレジスト塗布方式である中
央滴下方式について説明する。図９において、基板１１
０の中央上方から、ノズル１１１によってレジストなど
の感光性または非感光性樹脂１１２を一定量滴下し、一
定時間待って樹脂が自然に広がったのち、基板を回転さ
せて樹脂を基板全体に均一に広げて塗布を行なう。ま
た、別なレジスト塗布方式であるスリット滴下方式につ
いて説明する。図１０において、基板１２０に対して、
スリットノズル１２１を平行にスキャンすることによっ
てレジストなどの感光性または非感光性樹脂１２２を均
一にまた基板全体に滴下塗布し、その後さらに塗布膜厚
均一性を高めるために基板を回転させる。目標とする膜
厚の均一性が、スリット塗布のみでえられるばあいは、
その後の回転工程は省略されることもある。
て説明する。まず、一般的なレジスト塗布方式である中
央滴下方式について説明する。図９において、基板１１
０の中央上方から、ノズル１１１によってレジストなど
の感光性または非感光性樹脂１１２を一定量滴下し、一
定時間待って樹脂が自然に広がったのち、基板を回転さ
せて樹脂を基板全体に均一に広げて塗布を行なう。ま
た、別なレジスト塗布方式であるスリット滴下方式につ
いて説明する。図１０において、基板１２０に対して、
スリットノズル１２１を平行にスキャンすることによっ
てレジストなどの感光性または非感光性樹脂１２２を均
一にまた基板全体に滴下塗布し、その後さらに塗布膜厚
均一性を高めるために基板を回転させる。目標とする膜
厚の均一性が、スリット塗布のみでえられるばあいは、
その後の回転工程は省略されることもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の製造工程におい
ては、中央滴下方式で樹脂を塗布するばあい、基板上に
自然拡散し、その後の回転で基板全体に広がるのに充分
な量の樹脂を滴下しなければならず、最終的に基板上に
塗布される樹脂と最初に滴下される樹脂の比率は約１：
９７〜９９にもなり、有効利用効率が低いという欠点を
有している。一方、スリット滴下方式で樹脂を塗布する
ばあい、基板上に滴下する樹脂量は、中央滴下方式に比
べて約１／１０〜１／３で済むが、滴下量を削減してい
ったばあいや、スリットノズルの異物や樹脂固化物によ
る目詰まりが発生したばあいなどにより、図１１
（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１３０上にスリット
状ノズル１３１をスキャンし、レジストなどの感光性ま
たは非感光樹脂１３２を塗布するときに、スキャン方向
に前記樹脂１３２の途切れ部分（滴下不均一（不足）領
域）１３３を生じることがある。その発生位置が、とく
に基板中央部（回転中央）および基板中心から伸びるほ
ぼ放射状の、遠心力、慣性力および摩擦（基板−樹脂
間）力の方向に沿って発生すると、滴下不足量（程度）
によっては、その後の基板回転によっても塗布膜厚の均
一性を確保することが困難であった。
ては、中央滴下方式で樹脂を塗布するばあい、基板上に
自然拡散し、その後の回転で基板全体に広がるのに充分
な量の樹脂を滴下しなければならず、最終的に基板上に
塗布される樹脂と最初に滴下される樹脂の比率は約１：
９７〜９９にもなり、有効利用効率が低いという欠点を
有している。一方、スリット滴下方式で樹脂を塗布する
ばあい、基板上に滴下する樹脂量は、中央滴下方式に比
べて約１／１０〜１／３で済むが、滴下量を削減してい
ったばあいや、スリットノズルの異物や樹脂固化物によ
る目詰まりが発生したばあいなどにより、図１１
（ａ）、（ｂ）に示すように、基板１３０上にスリット
状ノズル１３１をスキャンし、レジストなどの感光性ま
たは非感光樹脂１３２を塗布するときに、スキャン方向
に前記樹脂１３２の途切れ部分（滴下不均一（不足）領
域）１３３を生じることがある。その発生位置が、とく
に基板中央部（回転中央）および基板中心から伸びるほ
ぼ放射状の、遠心力、慣性力および摩擦（基板−樹脂
間）力の方向に沿って発生すると、滴下不足量（程度）
によっては、その後の基板回転によっても塗布膜厚の均
一性を確保することが困難であった。
【０００６】塗布膜厚が不均一になると、感光性樹脂の
場合は、適正な露光エネルギーが過不足を周囲の正常部
とのあいだで生じ、パターン不良などにつながる。ま
た、非感光性樹脂などのばあいは、膜厚により形成され
る静電容量が不均一になったり、透過率が不均一になっ
たりと、膜そのものの使用目的であるところの要求特性
に不均一を生じて欠陥となる不具合を生じる原因となっ
ていた。
場合は、適正な露光エネルギーが過不足を周囲の正常部
とのあいだで生じ、パターン不良などにつながる。ま
た、非感光性樹脂などのばあいは、膜厚により形成され
る静電容量が不均一になったり、透過率が不均一になっ
たりと、膜そのものの使用目的であるところの要求特性
に不均一を生じて欠陥となる不具合を生じる原因となっ
ていた。
【０００７】本発明は、所望の薄膜を均一性良く確保で
き、かつ、パターン不良などの発生を低減させるととも
に、安定した品質をうることができる電子デバイスの製
造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズルを
提供することを目的とする。
き、かつ、パターン不良などの発生を低減させるととも
に、安定した品質をうることができる電子デバイスの製
造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズルを
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
電子デバイスの製造方法は、基板にスリット滴下方式を
用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を
含む電子デバイスの製造方法であって、樹脂滴下を行な
うスリット滴下ノズルのスキャン方向を、基板に対して
相対的に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向と同一
方向に所定の角度傾いた状態で保ちながら、前記ノズル
がスキャンし、樹脂を塗布することを特徴とする。
電子デバイスの製造方法は、基板にスリット滴下方式を
用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を
含む電子デバイスの製造方法であって、樹脂滴下を行な
うスリット滴下ノズルのスキャン方向を、基板に対して
相対的に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向と同一
方向に所定の角度傾いた状態で保ちながら、前記ノズル
がスキャンし、樹脂を塗布することを特徴とする。
【０００９】本発明の請求項２記載の電子デバイスの製
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン方向を、基板を所定の周期と揺動角で一
定の位置を中心に揺動回転させることによって、基板に
対して前記ノズルが相対的に蛇行してスキャンし、樹脂
を塗布することを特徴とする。
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン方向を、基板を所定の周期と揺動角で一
定の位置を中心に揺動回転させることによって、基板に
対して前記ノズルが相対的に蛇行してスキャンし、樹脂
を塗布することを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３記載の電子デバイスの製
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン時に基板中央部を除いて、該ノズルが樹
脂をスキャン方向に間欠に滴下して、樹脂を塗布するこ
とを特徴とする。
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン時に基板中央部を除いて、該ノズルが樹
脂をスキャン方向に間欠に滴下して、樹脂を塗布するこ
とを特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４記載の電子デバイスの製
造方法は、前記請求項１または２記載の電子デバイスの
製造方法であって、前記スリット滴下ノズルのスキャン
時に、該ノズルが樹脂をスキャン方向に間欠に滴下し
て、樹脂を塗布する工程を含むことを特徴とする。
造方法は、前記請求項１または２記載の電子デバイスの
製造方法であって、前記スリット滴下ノズルのスキャン
時に、該ノズルが樹脂をスキャン方向に間欠に滴下し
て、樹脂を塗布する工程を含むことを特徴とする。
【００１２】また本発明の請求項５記載のスリット滴下
ノズルは、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程に用いられる、樹脂
滴下を行なうスリット滴下ノズルが、その幅方向に間欠
に滴下できるように櫛歯状の吐出口を有してなることを
特徴とする。
ノズルは、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程に用いられる、樹脂
滴下を行なうスリット滴下ノズルが、その幅方向に間欠
に滴下できるように櫛歯状の吐出口を有してなることを
特徴とする。
【００１３】さらに本発明の請求項６記載の電子デバイ
スの製造方法は、請求項１、２または３記載の電子デバ
イスの製造方法であって、請求項５記載のスリット滴下
ノズルを用いてスキャン時に基板中央部を除いて、該ノ
ズルが樹脂をスキャン幅とスキャン方向に対して間欠に
滴下して、樹脂を塗布していることを特徴とする。
スの製造方法は、請求項１、２または３記載の電子デバ
イスの製造方法であって、請求項５記載のスリット滴下
ノズルを用いてスキャン時に基板中央部を除いて、該ノ
ズルが樹脂をスキャン幅とスキャン方向に対して間欠に
滴下して、樹脂を塗布していることを特徴とする。
【００１４】本発明の請求項７記載の電子デバイスの製
造方法は、基板にスリット滴下方式または中央滴下方式
を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程
を含む電子デバイスの製造方法であって、滴下後に基板
を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、
基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性を高めることを特
徴とする。
造方法は、基板にスリット滴下方式または中央滴下方式
を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程
を含む電子デバイスの製造方法であって、滴下後に基板
を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、
基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性を高めることを特
徴とする。
【００１５】本発明の請求項８記載の電子デバイスの製
造方法は、請求項１、２または３に記載の電子デバイス
の製造方法における、基板にスリット滴下方式または中
央滴下方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布す
る塗布工程を含む電子デバイスの製造方法であって、滴
下後に基板を回転させ、またはそのままで、塗布を行な
ったのち、基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性および
平坦性を高める工程を含むことを特徴とする。
造方法は、請求項１、２または３に記載の電子デバイス
の製造方法における、基板にスリット滴下方式または中
央滴下方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布す
る塗布工程を含む電子デバイスの製造方法であって、滴
下後に基板を回転させ、またはそのままで、塗布を行な
ったのち、基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性および
平坦性を高める工程を含むことを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項９記載の電子デバイスの製
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数回スキャンし
て、樹脂を塗布することを特徴とする。
造方法は、基板にスリット滴下方式を用いて感光性また
は非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバイス
の製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴下ノ
ズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数回スキャンし
て、樹脂を塗布することを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項１０記載の電子デバイスの
製造方法は、請求項１、２、３または７記載の電子デバ
イスの製造方法における、基板にスリット滴下方式を用
いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含
む電子デバイスの製造方法であって、樹脂滴下を行なう
スリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数
回スキャンして塗布する工程を含むことを特徴とする。
製造方法は、請求項１、２、３または７記載の電子デバ
イスの製造方法における、基板にスリット滴下方式を用
いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含
む電子デバイスの製造方法であって、樹脂滴下を行なう
スリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数
回スキャンして塗布する工程を含むことを特徴とする。
【００１８】請求項１および２に記載する発明では、ス
リット滴下方式で、基板に滴下の幅方向の一部に樹脂液
不足を生じて滴下された塗布膜厚に不均一部分が生じて
も、その後の基板回転で、薄膜の均一性が確保されるよ
うに基板に対するスリット滴下ノズルの相対的なスキャ
ン方向を工夫して、パターン特性低下の発生を低減させ
ることができる。
リット滴下方式で、基板に滴下の幅方向の一部に樹脂液
不足を生じて滴下された塗布膜厚に不均一部分が生じて
も、その後の基板回転で、薄膜の均一性が確保されるよ
うに基板に対するスリット滴下ノズルの相対的なスキャ
ン方向を工夫して、パターン特性低下の発生を低減させ
ることができる。
【００１９】また請求項３、４、５および６に記載する
発明では、スリット滴下ノズルからの樹脂滴下量を間欠
にすることによってさらに滴下量を低減するとともに、
塗布膜厚の均一性を確保することができる。
発明では、スリット滴下ノズルからの樹脂滴下量を間欠
にすることによってさらに滴下量を低減するとともに、
塗布膜厚の均一性を確保することができる。
【００２０】また請求項７および８に記載した発明で
は、スリット滴下後または基板回転後に基板に所定の周
期と振帽の振動を与えることにより、さらに、膜厚の均
一性および平坦性を向上させることができる。
は、スリット滴下後または基板回転後に基板に所定の周
期と振帽の振動を与えることにより、さらに、膜厚の均
一性および平坦性を向上させることができる。
【００２１】さらに請求項９および１０に記載する発明
では、さらに、塗布薄膜を樹脂の限界膜厚以上に塗布す
る場合に前述した請求項１〜３、７に記載の製造方法に
加えて、さらにそれらを複数回繰り返して所望の膜厚を
均一性良く、かつ、樹脂の利用効率を高くすることがで
きる。
では、さらに、塗布薄膜を樹脂の限界膜厚以上に塗布す
る場合に前述した請求項１〜３、７に記載の製造方法に
加えて、さらにそれらを複数回繰り返して所望の膜厚を
均一性良く、かつ、樹脂の利用効率を高くすることがで
きる。
【００２２】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 本発明の一実施の形態にかかわる電子デバイスの製造方
法について説明する。図１は本発明の一実施の形態にお
ける樹脂の塗布について説明する図であって、図１
（ａ）はスリット滴下ノズルが滴下しながらスキャンし
ている途中の状態を示す図であり、図１（ｂ）はスリッ
ト滴下ノズルが滴下を完了したのちの状態を示す図であ
る。図において、１は基板、２はスリット滴下ノズル
（以下、単にノズルという）、３は基板１上に塗布され
た感光性ポジレジスト（以下、単にレジストという）で
ある。
法について説明する。図１は本発明の一実施の形態にお
ける樹脂の塗布について説明する図であって、図１
（ａ）はスリット滴下ノズルが滴下しながらスキャンし
ている途中の状態を示す図であり、図１（ｂ）はスリッ
ト滴下ノズルが滴下を完了したのちの状態を示す図であ
る。図において、１は基板、２はスリット滴下ノズル
（以下、単にノズルという）、３は基板１上に塗布され
た感光性ポジレジスト（以下、単にレジストという）で
ある。
【００２３】図１（ａ）に示すように、基板１上にレジ
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、樹脂滴下を行なうノズル２のスキ
ャン方向を、相対的に基板１に対して平行でなく滴下後
の基板回転の回転方向Ｓと同一方向に所定の角度θを保
つ。そしてこの傾いた状態、たとえば基板１を約１〜１
５度回転させた位置で固定してノズル２をスキャンさ
せ、樹脂を塗布する。斜めに傾ける方向を、樹脂滴下を
完了したのちの基板の回転方向と同一方向に行なうと、
塗布膜厚の均一性を改善させる効果を大きくすることが
できる。なお、前記ノズル２は基板１に対して相対的に
斜め方向にスキャンするため、該ノズル２の両端部にお
ける樹脂滴下の吐出口には、基板１の縁に沿って余分な
滴下量を規制するように滴下調節手段を設けるのが好ま
しい。
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、樹脂滴下を行なうノズル２のスキ
ャン方向を、相対的に基板１に対して平行でなく滴下後
の基板回転の回転方向Ｓと同一方向に所定の角度θを保
つ。そしてこの傾いた状態、たとえば基板１を約１〜１
５度回転させた位置で固定してノズル２をスキャンさ
せ、樹脂を塗布する。斜めに傾ける方向を、樹脂滴下を
完了したのちの基板の回転方向と同一方向に行なうと、
塗布膜厚の均一性を改善させる効果を大きくすることが
できる。なお、前記ノズル２は基板１に対して相対的に
斜め方向にスキャンするため、該ノズル２の両端部にお
ける樹脂滴下の吐出口には、基板１の縁に沿って余分な
滴下量を規制するように滴下調節手段を設けるのが好ま
しい。
【００２４】本実施の形態では、樹脂滴下を行なうノズ
ル２のスキャン方向を、相対的に基板１に対して平行で
なく滴下後の基板回転の回転方向と同一方向に、たとえ
ば約１〜１５度回転させた位置で固定した状態に保ち、
そしてスキャンし塗布するようにしたので、仮にノズル
２の一部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発
生しても、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の
均一性が著しく損なわれることはない。また、塗布不良
が基板中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時
に使用するレジストの滴下使用量を増やすことなく、塗
布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示およ
び特性不良の発生を従来に比較して低減させることがで
きる。
ル２のスキャン方向を、相対的に基板１に対して平行で
なく滴下後の基板回転の回転方向と同一方向に、たとえ
ば約１〜１５度回転させた位置で固定した状態に保ち、
そしてスキャンし塗布するようにしたので、仮にノズル
２の一部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発
生しても、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の
均一性が著しく損なわれることはない。また、塗布不良
が基板中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時
に使用するレジストの滴下使用量を増やすことなく、塗
布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示およ
び特性不良の発生を従来に比較して低減させることがで
きる。
【００２５】実施の形態２ 本発明の第２の実施の形態にかかわる電子デバイスの製
造方法について説明する。図２は本発明の他の実施の形
態における樹脂の塗布について説明する図であって、図
２（ａ）はノズル２が滴下しながらスキャンしている途
中の状態を示す図であり、図２（ｂ）はノズル２が滴下
を完了したのちの状態を示す図である。図において、１
は基板、２はノズル、３は基板１上に塗布されたレジス
トである。
造方法について説明する。図２は本発明の他の実施の形
態における樹脂の塗布について説明する図であって、図
２（ａ）はノズル２が滴下しながらスキャンしている途
中の状態を示す図であり、図２（ｂ）はノズル２が滴下
を完了したのちの状態を示す図である。図において、１
は基板、２はノズル、３は基板１上に塗布されたレジス
トである。
【００２６】図２（ａ）に示すように、基板１上にレジ
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、基板１に対してノズル２のスキャ
ン方向が相対的に蛇行するようにする。たとえば相対的
に平行な位置を中心に基板１を所定の周期と揺動角で傾
くように、基板ステージ（図示せず）を揺動回転させて
スキャンを行なう。かかる揺動回転の周期と揺動角とし
ては、たとえば周期が０．５〜５．０ｓｅｃであり、揺
動角が約±１〜５度である。
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、基板１に対してノズル２のスキャ
ン方向が相対的に蛇行するようにする。たとえば相対的
に平行な位置を中心に基板１を所定の周期と揺動角で傾
くように、基板ステージ（図示せず）を揺動回転させて
スキャンを行なう。かかる揺動回転の周期と揺動角とし
ては、たとえば周期が０．５〜５．０ｓｅｃであり、揺
動角が約±１〜５度である。
【００２７】本実施の形態では、ノズル２のスキャン方
向に対して基板１を揺動回転させることにより、ノズル
２のスキャン方向が相対的に基板１に対して蛇行するよ
うに樹脂を滴下したので、仮にノズル２の一部が異物な
どで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不良部
が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著しく損
なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で発生
する確率は前記実施の形態に比べてさらに非常に小さい
ため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を増やす
ことなく、塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不
良、表示および特性不良の発生をさらに低減させること
ができる。
向に対して基板１を揺動回転させることにより、ノズル
２のスキャン方向が相対的に基板１に対して蛇行するよ
うに樹脂を滴下したので、仮にノズル２の一部が異物な
どで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不良部
が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著しく損
なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で発生
する確率は前記実施の形態に比べてさらに非常に小さい
ため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を増やす
ことなく、塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不
良、表示および特性不良の発生をさらに低減させること
ができる。
【００２８】実施の形態３ 本発明の第３の実施の形態にかかわる電子デバイスの製
造方法について説明する。図３は本発明のさらに他の実
施の形態における樹脂の塗布について説明する図であっ
て、図３（ａ）はノズル２が滴下しながらスキャンして
いる途中の状態であり、図３（ｂ）はノズル２が滴下を
完了したのちの状態を示す図である。図において、１は
基板、２はノズル、３は基板１上に塗布されたレジスト
である。
造方法について説明する。図３は本発明のさらに他の実
施の形態における樹脂の塗布について説明する図であっ
て、図３（ａ）はノズル２が滴下しながらスキャンして
いる途中の状態であり、図３（ｂ）はノズル２が滴下を
完了したのちの状態を示す図である。図において、１は
基板、２はノズル、３は基板１上に塗布されたレジスト
である。
【００２９】図３（ａ）に示すように、基板１上にレジ
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、基板１に対してノズル２のスキャ
ン方向が基板１に対して相対的に斜めになるように、た
とえば基板１を約１〜１５度回転させた位置で固定して
スキャンを行なう。そしてスキャン時に基板１の長手方
向に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下するように
する。ただし、基板中心で滴下しないことがないように
制御する。また、斜めに傾ける方向を、樹脂滴下を完了
したのちの基板回転方向と同一方向に行なうと、塗布膜
厚の均一性を改善させる効果を大きくすることができ
る。
スト３をノズル２により滴下しながらノズル２をスキャ
ンさせる。このとき、基板１に対してノズル２のスキャ
ン方向が基板１に対して相対的に斜めになるように、た
とえば基板１を約１〜１５度回転させた位置で固定して
スキャンを行なう。そしてスキャン時に基板１の長手方
向に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下するように
する。ただし、基板中心で滴下しないことがないように
制御する。また、斜めに傾ける方向を、樹脂滴下を完了
したのちの基板回転方向と同一方向に行なうと、塗布膜
厚の均一性を改善させる効果を大きくすることができ
る。
【００３０】本実施の形態では、基板１の回転方向と同
一方向に、たとえば約１〜１５度ノズル２のスキャン方
向に対して基板１を回転させた状態で、かつ、スキャン
時に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下するように
してスキャンを行なったので、仮にスリットの一部が異
物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不
良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著し
く損なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で
発生する確率は非常に小さいため、塗布時に使用するレ
ジストの滴下使用量をさらに従来より約５％低減でき、
塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示お
よび特性不良の発生を従来に比較して低減させることが
できる。
一方向に、たとえば約１〜１５度ノズル２のスキャン方
向に対して基板１を回転させた状態で、かつ、スキャン
時に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下するように
してスキャンを行なったので、仮にスリットの一部が異
物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不
良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著し
く損なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で
発生する確率は非常に小さいため、塗布時に使用するレ
ジストの滴下使用量をさらに従来より約５％低減でき、
塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示お
よび特性不良の発生を従来に比較して低減させることが
できる。
【００３１】実施の形態４ 本発明の第４の実施の形態にかかわる電子デバイスの製
造方法について説明する。図４は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図４（ａ）はノズル４が滴下しながらスキャンし
ている途中の状態を示す図であり、図４（ｂ）はノズル
４が滴下を完了したのちの状態を示す図である。１は基
板、４は該基板１の幅方向に間欠に滴下できるように櫛
歯状の吐出口を有したノズル、３は基板１上に塗布され
たレジストである。
造方法について説明する。図４は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図４（ａ）はノズル４が滴下しながらスキャンし
ている途中の状態を示す図であり、図４（ｂ）はノズル
４が滴下を完了したのちの状態を示す図である。１は基
板、４は該基板１の幅方向に間欠に滴下できるように櫛
歯状の吐出口を有したノズル、３は基板１上に塗布され
たレジストである。
【００３２】図４（ａ）に示すように、基板１上にレジ
スト３を幅方向に間欠滴下する櫛歯状のノズル４により
滴下しながらスキャンさせる。このとき、基板１に対し
てノズル４のスキャン方向が相対的に斜めになるよう
に、たとえば基板１を約１〜１５度回転させた位置で固
定してスキャンを行なう。そしてスキャン時に基板１の
長手方向に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下する
ようにする。ただし、基板中心で滴下しないことがない
ように制御する。また、斜めに傾ける方向を、樹脂滴下
を完了したのちの基板回転方向と同一方向に行なうと、
塗布膜厚の均一性を改善させる効果を大きくすることが
できる。
スト３を幅方向に間欠滴下する櫛歯状のノズル４により
滴下しながらスキャンさせる。このとき、基板１に対し
てノズル４のスキャン方向が相対的に斜めになるよう
に、たとえば基板１を約１〜１５度回転させた位置で固
定してスキャンを行なう。そしてスキャン時に基板１の
長手方向に樹脂供給を制御して、間欠に樹脂を滴下する
ようにする。ただし、基板中心で滴下しないことがない
ように制御する。また、斜めに傾ける方向を、樹脂滴下
を完了したのちの基板回転方向と同一方向に行なうと、
塗布膜厚の均一性を改善させる効果を大きくすることが
できる。
【００３３】本実施の形態では、ノズルのスキャン方向
に対して基板を約１〜１５度回転させた状態で、かつ、
スキンャン時に基板１の幅方向および長手方向に樹脂供
給を制御して、間欠に滴下するようにしてスキャンを行
なう。仮にスリットの一部が異物などで目詰まりを起こ
し、滴下不良が発生しても、不良部が基板中心で発生し
なければ、膜厚の均一性が著しく損なわれることはな
い。また、塗布不良が基板中心で発生する確率は非常に
小さいため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を
さらに従来より約１０％低減でき、塗布膜厚の均一性不
良に起因するパターン不良、表示および特性不良の発生
をさらに低減させることができる。
に対して基板を約１〜１５度回転させた状態で、かつ、
スキンャン時に基板１の幅方向および長手方向に樹脂供
給を制御して、間欠に滴下するようにしてスキャンを行
なう。仮にスリットの一部が異物などで目詰まりを起こ
し、滴下不良が発生しても、不良部が基板中心で発生し
なければ、膜厚の均一性が著しく損なわれることはな
い。また、塗布不良が基板中心で発生する確率は非常に
小さいため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を
さらに従来より約１０％低減でき、塗布膜厚の均一性不
良に起因するパターン不良、表示および特性不良の発生
をさらに低減させることができる。
【００３４】なお、本実施の形態におけるノズルは、前
記実施の形態１〜３に適用することもできる。
記実施の形態１〜３に適用することもできる。
【００３５】実施の形態５ 本発明の第５の実施の形態にかかわる電子デバイスの製
造方法について説明する。図５は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図５（ｂ）〜（ｅ）はノズル２によるスリット滴
下または滴下ノズル５による中央滴下、滴下完了、回転
および振動の工程の状態を示している。図において、１
は基板、２はスリット滴下ノズル、５は滴下ノズル、３
は基板１上に塗布されたレジストである。
造方法について説明する。図５は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図５（ｂ）〜（ｅ）はノズル２によるスリット滴
下または滴下ノズル５による中央滴下、滴下完了、回転
および振動の工程の状態を示している。図において、１
は基板、２はスリット滴下ノズル、５は滴下ノズル、３
は基板１上に塗布されたレジストである。
【００３６】基板１上にレジスト３をノズル２または滴
下ノズル５により滴下する（図５（ｂ）〜（ｃ））。つ
いで基板回転を行なってレジストを均一に基板全体に塗
布する（図５（ｄ））。なお、樹脂滴下したのち、充分
な均一性が確保されていれば、基板回転は省略すること
も可能である。つぎに基板ステージに５〜５００Ｈｚ程
度の振動を与えて基板を振動させ、塗布されたレジスト
の均一性および下地構造の凹凸部の平坦性が改善される
（図５（ｆ））。
下ノズル５により滴下する（図５（ｂ）〜（ｃ））。つ
いで基板回転を行なってレジストを均一に基板全体に塗
布する（図５（ｄ））。なお、樹脂滴下したのち、充分
な均一性が確保されていれば、基板回転は省略すること
も可能である。つぎに基板ステージに５〜５００Ｈｚ程
度の振動を与えて基板を振動させ、塗布されたレジスト
の均一性および下地構造の凹凸部の平坦性が改善される
（図５（ｆ））。
【００３７】本実施の形態では、レジスト塗布後に基板
に振動を与えることによって、塗布方法で生じた不均一
部分や下地の凹凸などによって損なわれる平坦性が改善
され、スリット滴下方式の樹脂削減効果をより有効にす
ることができる。
に振動を与えることによって、塗布方法で生じた不均一
部分や下地の凹凸などによって損なわれる平坦性が改善
され、スリット滴下方式の樹脂削減効果をより有効にす
ることができる。
【００３８】なお、本実施の形態における基板に振動を
与えることは、前記実施の形態１〜４に適用することも
できる。
与えることは、前記実施の形態１〜４に適用することも
できる。
【００３９】実施の形態６ 本発明の第６の実施の形態にかかわる電子デバイスの製
造方法について説明する。図６は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図６（ｂ）〜（ｅ）はそれぞれ樹脂滴下、滴下完
了、回転（均一化）およびライトベークの工程の状態を
示している。図において、１は基板、２はノズル、６は
レジストなどの感光性または非感光性樹脂である。
造方法について説明する。図６は本発明のさらなる他の
実施の形態における樹脂の塗布について説明する図であ
って、図６（ｂ）〜（ｅ）はそれぞれ樹脂滴下、滴下完
了、回転（均一化）およびライトベークの工程の状態を
示している。図において、１は基板、２はノズル、６は
レジストなどの感光性または非感光性樹脂である。
【００４０】図６に示すように、基板１に対して、ノズ
ル２を平行にスキャンすることによってレジストなどの
感光性または非感光性樹脂６を均一に、また基板全体に
滴下塗布し（図６（ｂ）、（ｃ））、ついで、さらに塗
布膜厚の均一性を高めるために基板１を回転させる（図
６（ｄ））。目標とする膜厚の均一性が、スリット塗布
のみでえられるばあいは、この回転工程を省くことがで
きる。つぎに約９５℃で３０秒程、軽くベークを行な
い、再度、基板１に対して、ノズル２を平行にスキャン
することによってレジストなどの感光性または非感光性
樹脂６を均一に、また基板全体に滴下塗布し（図６
（ｂ）（ｃ））、ついで、さらに塗布膜厚均一性を高め
るために基板を回転させる（図６（ｄ））。先程と同様
に、目標とする膜厚の均一性が、スリット塗布のみでえ
られるばあいは、この回転工程を省くことができる。
ル２を平行にスキャンすることによってレジストなどの
感光性または非感光性樹脂６を均一に、また基板全体に
滴下塗布し（図６（ｂ）、（ｃ））、ついで、さらに塗
布膜厚の均一性を高めるために基板１を回転させる（図
６（ｄ））。目標とする膜厚の均一性が、スリット塗布
のみでえられるばあいは、この回転工程を省くことがで
きる。つぎに約９５℃で３０秒程、軽くベークを行な
い、再度、基板１に対して、ノズル２を平行にスキャン
することによってレジストなどの感光性または非感光性
樹脂６を均一に、また基板全体に滴下塗布し（図６
（ｂ）（ｃ））、ついで、さらに塗布膜厚均一性を高め
るために基板を回転させる（図６（ｄ））。先程と同様
に、目標とする膜厚の均一性が、スリット塗布のみでえ
られるばあいは、この回転工程を省くことができる。
【００４１】本実施の形態では、基板１の樹脂塗布を、
たとえば２回行ない、そのあいだに樹脂中に含まれる溶
剤を軽く除去する目的でライトベークを行なうことによ
って、１回塗布時に基板の回転数や樹脂滴下での制御範
囲をこえる膜厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減
でき、かつ、均一性を確保しながら所望の膜厚をえられ
る効果を有する。
たとえば２回行ない、そのあいだに樹脂中に含まれる溶
剤を軽く除去する目的でライトベークを行なうことによ
って、１回塗布時に基板の回転数や樹脂滴下での制御範
囲をこえる膜厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減
でき、かつ、均一性を確保しながら所望の膜厚をえられ
る効果を有する。
【００４２】なお、本実施の形態における複数回のスキ
ャンは、前記実施の形態１〜５に適用することもでき
る。
ャンは、前記実施の形態１〜５に適用することもでき
る。
【００４３】実施の形態７ 前記実施の形態１、２、３、４、５および６では、ポジ
型レジストを例に説明したが、感光性を有する樹脂もし
くは非感光性樹脂または滴下塗布する無機膜などにも適
用することができる。また実施の形態１、２、３および
４では、基板に対して相対的にノズルを蛇行させるなど
してスキャンするために、基板をノズルに対して揺動回
転させるなどしたが、本発明においては、基板に対して
ノズルを蛇行移動させるようにしても同様の効果を有す
る。また実施の形態２では、基板に対して相対的にノズ
ルを蛇行させたが、ジグザグパターンに移動させるなど
非直線的に移動させても同様の効果を有する。また、実
施の形態６では、ライトベークを９５℃／３０秒行なっ
たが、使用する樹脂などの種類によりベーク条件は本発
明においては、これに限定されるものではない。また実
施の形態１では、基板の回転方向と同一方向に約１〜１
５度ノズルのスキャン方向に対して基板を回転させた状
態でスリット滴下を行なったが、効果は小さくなるが基
板の回転方向と逆方向にスキャンさせることもできる。
また実施の形態５では、基板ステージに５〜５００Ｈｚ
程度の振動を与えて基板を振動させたが、散布する材料
の粘度によりさらに高い周期の振動を与えることもでき
る。
型レジストを例に説明したが、感光性を有する樹脂もし
くは非感光性樹脂または滴下塗布する無機膜などにも適
用することができる。また実施の形態１、２、３および
４では、基板に対して相対的にノズルを蛇行させるなど
してスキャンするために、基板をノズルに対して揺動回
転させるなどしたが、本発明においては、基板に対して
ノズルを蛇行移動させるようにしても同様の効果を有す
る。また実施の形態２では、基板に対して相対的にノズ
ルを蛇行させたが、ジグザグパターンに移動させるなど
非直線的に移動させても同様の効果を有する。また、実
施の形態６では、ライトベークを９５℃／３０秒行なっ
たが、使用する樹脂などの種類によりベーク条件は本発
明においては、これに限定されるものではない。また実
施の形態１では、基板の回転方向と同一方向に約１〜１
５度ノズルのスキャン方向に対して基板を回転させた状
態でスリット滴下を行なったが、効果は小さくなるが基
板の回転方向と逆方向にスキャンさせることもできる。
また実施の形態５では、基板ステージに５〜５００Ｈｚ
程度の振動を与えて基板を振動させたが、散布する材料
の粘度によりさらに高い周期の振動を与えることもでき
る。
【００４４】なお、本発明の製造方法は、半導体装置の
ほかにＰＤＰ（プラズマディスプレイ）などの表示デバ
イスや、カラーフィルターおよびプリント基板などの電
子デバイスの製造方法に適用することができる。
ほかにＰＤＰ（プラズマディスプレイ）などの表示デバ
イスや、カラーフィルターおよびプリント基板などの電
子デバイスの製造方法に適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１によれ
ば、樹脂滴下を行なうノズルのスキャン方向を、基板に
対して相対的に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向
と同一方向に所定の角度傾いた状態で保ちながら、前記
ノズルがスキャンし、樹脂を塗布するので、仮にスリッ
トの一部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発
生しても、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の
均一性が著しく損なわれることはない。また、塗布不良
が基板中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時
に使用するレジストの滴下使用量を増やすことなく、塗
布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示およ
び特性不良の発生を従来に比較して低減させることがで
きる。
ば、樹脂滴下を行なうノズルのスキャン方向を、基板に
対して相対的に滴下塗布したのちの基板回転の回転方向
と同一方向に所定の角度傾いた状態で保ちながら、前記
ノズルがスキャンし、樹脂を塗布するので、仮にスリッ
トの一部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発
生しても、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の
均一性が著しく損なわれることはない。また、塗布不良
が基板中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時
に使用するレジストの滴下使用量を増やすことなく、塗
布膜厚の均一性不良に起因するパターン不良、表示およ
び特性不良の発生を従来に比較して低減させることがで
きる。
【００４６】本発明の請求項２によれば、樹脂滴下を行
なうスリット滴下ノズルのスキャン方向を、基板を所定
の周期と揺動角で一定の位置を中心に揺動回転させるこ
とによって、基板に対して前記ノズルが相対的に蛇行し
てスキャンし、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一
部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生して
も、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性
が著しく損なわれることはない。また、塗布不良が基板
中心で発生する確率は請求項１に比べてさらに非常に小
さいため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を増
やすことなく、塗布膜厚の均一性不良に起因するパター
ン不良、表示および特性不良の発生をさらに低減させる
ことができる。
なうスリット滴下ノズルのスキャン方向を、基板を所定
の周期と揺動角で一定の位置を中心に揺動回転させるこ
とによって、基板に対して前記ノズルが相対的に蛇行し
てスキャンし、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一
部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生して
も、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性
が著しく損なわれることはない。また、塗布不良が基板
中心で発生する確率は請求項１に比べてさらに非常に小
さいため、塗布時に使用するレジストの滴下使用量を増
やすことなく、塗布膜厚の均一性不良に起因するパター
ン不良、表示および特性不良の発生をさらに低減させる
ことができる。
【００４７】本発明の請求項３によれば、樹脂滴下を行
なうスリット滴下ノズルのスキャン時に基板中央部を除
いて、該ノズルが樹脂をスキャン方向に間欠に滴下し
て、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一部が異物な
どで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不良部
が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著しく損
なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で発生
する確率は非常に小さいため、塗布時に使用するレジス
トの滴下使用量を増やすことなく、塗布膜厚の均一性不
良に起因するパターン不良、表示および特性不良の発生
を従来に比較して低減させることができる。
なうスリット滴下ノズルのスキャン時に基板中央部を除
いて、該ノズルが樹脂をスキャン方向に間欠に滴下し
て、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一部が異物な
どで目詰まりを起こし、滴下不良が発生しても、不良部
が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性が著しく損
なわれることはない。また、塗布不良が基板中心で発生
する確率は非常に小さいため、塗布時に使用するレジス
トの滴下使用量を増やすことなく、塗布膜厚の均一性不
良に起因するパターン不良、表示および特性不良の発生
を従来に比較して低減させることができる。
【００４８】本発明の請求項４によれば、前記スリット
滴下ノズルのスキャン時に、該ノズルが樹脂をスキャン
方向に間欠に滴下して、樹脂を塗布する工程を含むの
で、仮にスリットの一部が異物などで目詰まりを起こ
し、滴下不良が発生しても、不良部が基板中心で発生し
なければ、膜厚の均一性が著しく損なわれることはな
い。また、塗布不良が基板中心で発生する確率は非常に
小さいため、この結果、塗布時に使用するレジストの滴
下使用量をさらに従来の約５％低減でき、塗布膜厚の均
一性不良に起因するパターン不良、表示および特性不良
の発生を従来に比較して低減させることができる。
滴下ノズルのスキャン時に、該ノズルが樹脂をスキャン
方向に間欠に滴下して、樹脂を塗布する工程を含むの
で、仮にスリットの一部が異物などで目詰まりを起こ
し、滴下不良が発生しても、不良部が基板中心で発生し
なければ、膜厚の均一性が著しく損なわれることはな
い。また、塗布不良が基板中心で発生する確率は非常に
小さいため、この結果、塗布時に使用するレジストの滴
下使用量をさらに従来の約５％低減でき、塗布膜厚の均
一性不良に起因するパターン不良、表示および特性不良
の発生を従来に比較して低減させることができる。
【００４９】本発明の請求項５によれば、基板にスリッ
ト滴下方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布す
る塗布工程に用いられる、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルが、その幅方向に間欠に滴下できるように櫛歯
状の吐出口を有しているので、樹脂使用量を削減でき
る。
ト滴下方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布す
る塗布工程に用いられる、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルが、その幅方向に間欠に滴下できるように櫛歯
状の吐出口を有しているので、樹脂使用量を削減でき
る。
【００５０】本発明の請求項６によれば、前記スリット
滴下ノズルを用いてスキャン時に基板中央部を除いて、
該ノズルが樹脂をスキャン幅とスキャン方向に対して間
欠に滴下して、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一
部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生して
も、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性
が著しく損なわれることはない。また、塗布不良が基板
中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時に使用
するレジストの滴下使用量をさらに従来より約１０％低
減でき、塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不
良、表示および特性不良の発生をさらに低減させること
ができる。
滴下ノズルを用いてスキャン時に基板中央部を除いて、
該ノズルが樹脂をスキャン幅とスキャン方向に対して間
欠に滴下して、樹脂を塗布するので、仮にスリットの一
部が異物などで目詰まりを起こし、滴下不良が発生して
も、不良部が基板中心で発生しなければ、膜厚の均一性
が著しく損なわれることはない。また、塗布不良が基板
中心で発生する確率は非常に小さいため、塗布時に使用
するレジストの滴下使用量をさらに従来より約１０％低
減でき、塗布膜厚の均一性不良に起因するパターン不
良、表示および特性不良の発生をさらに低減させること
ができる。
【００５１】本発明の請求項７によれば、滴下後に基板
を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、
基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性を高めるので、塗
布方法で生じた不均一部分や下地の凹凸などによって損
なわれる平坦性が改善され、スリット滴下方式の樹脂削
減効果をより有効にする効果がある。
を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、
基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性を高めるので、塗
布方法で生じた不均一部分や下地の凹凸などによって損
なわれる平坦性が改善され、スリット滴下方式の樹脂削
減効果をより有効にする効果がある。
【００５２】本発明の請求項８によれば、請求項１、２
または３に記載の製造方法において、滴下後に基板を回
転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、基板
に振動を与えて塗布膜の均一性および平坦性を高める工
程を含むので、塗布方法で生じた不均一部分や下地の凹
凸などによって損なわれる平坦性が改善され、スリット
滴下方式の樹脂削減効果をより有効にする効果がある。
または３に記載の製造方法において、滴下後に基板を回
転させ、またはそのままで、塗布を行なったのち、基板
に振動を与えて塗布膜の均一性および平坦性を高める工
程を含むので、塗布方法で生じた不均一部分や下地の凹
凸などによって損なわれる平坦性が改善され、スリット
滴下方式の樹脂削減効果をより有効にする効果がある。
【００５３】本発明の請求項９によれば、樹脂滴下を行
なうスリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて
複数回スキャンして、樹脂を塗布するので、１回塗布時
に基板の回転数やスキャン滴下での制御範囲を超える膜
厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減でき、かつ、
均一性を確保しながら所望の膜厚をえられる効果を有す
る。
なうスリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて
複数回スキャンして、樹脂を塗布するので、１回塗布時
に基板の回転数やスキャン滴下での制御範囲を超える膜
厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減でき、かつ、
均一性を確保しながら所望の膜厚をえられる効果を有す
る。
【００５４】本発明の請求項１０によれば、請求項１、
２、３または７に記載の製造方法において、樹脂滴下を
行なうスリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じ
て複数回スキャンして塗布する工程を含むので、１回塗
布時に基板の回転数やスキャン滴下での制御範囲をこえ
る膜厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減でき、か
つ、均一性を確保しながら所望の膜厚をえられる効果を
有する。
２、３または７に記載の製造方法において、樹脂滴下を
行なうスリット滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じ
て複数回スキャンして塗布する工程を含むので、１回塗
布時に基板の回転数やスキャン滴下での制御範囲をこえ
る膜厚を所望するばあいに、樹脂使用量を削減でき、か
つ、均一性を確保しながら所望の膜厚をえられる効果を
有する。
【図１】 本発明の一実施の形態における樹脂の塗布に
ついて説明する図である。
ついて説明する図である。
【図２】 本発明の他の実施の形態における樹脂の塗布
について説明する図である。
について説明する図である。
【図３】 本発明のさらに他の実施の形態における樹脂
の塗布について説明する図である。
の塗布について説明する図である。
【図４】 本発明のさらなる他の実施の形態における樹
脂の塗布について説明する図である。
脂の塗布について説明する図である。
【図５】 本発明のさらなる他の実施の形態における樹
脂の塗布について説明する図である。
脂の塗布について説明する図である。
【図６】 本発明のさらなる他の実施の形態における樹
脂の塗布について説明する図である。
脂の塗布について説明する図である。
【図７】 従来の電子デバイスの製造プロセスを示す図
である。
である。
【図８】 従来の電子デバイスの製造プロセスを示す図
である。
である。
【図９】 従来のレジスト塗布プロセスを示す図であ
る。
る。
【図１０】 従来の他のレジスト塗布プロセスを示す図
である。
である。
【図１１】 スリット滴下方式による滴下不均一領域の
発生を示す説明図である。
発生を示す説明図である。
１ 基板、２ ノズル、３ レジスト、４ 櫛歯状のノ
ズル、５ 滴下ノズル、６ レジスト、θ 角度、Ｓ
回転方向。
ズル、５ 滴下ノズル、６ レジスト、θ 角度、Ｓ
回転方向。
Claims (10)
- 【請求項１】 基板にスリット滴下方式を用いて感光性
または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバ
イスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルのスキャン方向を、基板に対して相対的に滴下
塗布したのちの基板回転の回転方向と同一方向に所定の
角度傾いた状態で保ちながら、前記ノズルがスキャン
し、樹脂を塗布することを特徴とする電子デバイスの製
造方法。 - 【請求項２】 基板にスリット滴下方式を用いて感光性
または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバ
イスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルのスキャン方向を、基板を所定の周期と揺動角
で一定の位置を中心に揺動回転させることによって、基
板に対して前記ノズルが相対的に蛇行してスキャンし、
樹脂を塗布することを特徴とする電子デバイスの製造方
法。 - 【請求項３】 基板にスリット滴下方式を用いて感光性
または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバ
イスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルのスキャン時に基板中央部を除いて、該ノズル
が樹脂をスキャン方向に間欠に滴下して、樹脂を塗布す
ることを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記スリット滴下ノズルのスキャン時
に、該ノズルが樹脂をスキャン方向に間欠に滴下して、
樹脂を塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 基板にスリット滴下方式を用いて感光性
または非感光性樹脂を塗布する塗布工程に用いられる、
樹脂滴下を行なうスリット滴下ノズルが、その幅方向に
間欠に滴下できるように櫛歯状の吐出口を有してなるこ
とを特徴とするスリット滴下ノズル。 - 【請求項６】 請求項５記載のスリット滴下ノズルを用
いてスキャン時に基板中央部を除いて、該ノズルが樹脂
をスキャン幅とスキャン方向に対して間欠に滴下して、
樹脂を塗布することを特徴とする請求項１、２または３
記載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 基板にスリット滴下方式または中央滴下
方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布
工程を含む電子デバイスの製造方法であって、滴下後に
基板を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったの
ち、基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性を高めること
を特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 基板にスリット滴下方式または中央滴下
方式を用いて感光性または非感光性樹脂を塗布する塗布
工程を含む電子デバイスの製造方法であって、滴下後に
基板を回転させ、またはそのままで、塗布を行なったの
ち、基板に振動を与えて塗布膜厚の均一性および平坦性
を高める工程を含むことを特徴とする請求項１、２また
は３記載の電子デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 基板にスリット滴下方式を用いて感光性
または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デバ
イスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット滴
下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数回スキャン
して、樹脂を塗布することを特徴とする電子デバイスの
製造方法。 - 【請求項１０】 基板にスリット滴下方式を用いて感光
性または非感光性樹脂を塗布する塗布工程を含む電子デ
バイスの製造方法であって、樹脂滴下を行なうスリット
滴下ノズルのスキャン回数を膜厚に応じて複数回スキャ
ンして塗布する工程を含むことを特徴とする請求項１、
２、３または７記載の電子デバイスの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534798A JP4301596B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 電子デバイスの製造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズル |
| US09/200,738 US6117481A (en) | 1998-06-12 | 1998-11-30 | Manufacturing method for electronic devices |
| KR1019990000151A KR100288908B1 (ko) | 1998-06-12 | 1999-01-07 | 전자 디바이스의 제조방법 |
| TW088101185A TW442338B (en) | 1998-06-12 | 1999-01-27 | Manufacture of electronic device and slit type dripping nozzle employed therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16534798A JP4301596B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 電子デバイスの製造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000000507A true JP2000000507A (ja) | 2000-01-07 |
| JP4301596B2 JP4301596B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=15810635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16534798A Expired - Fee Related JP4301596B2 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 電子デバイスの製造方法および該製造方法に用いるスリット滴下ノズル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6117481A (ja) |
| JP (1) | JP4301596B2 (ja) |
| KR (1) | KR100288908B1 (ja) |
| TW (1) | TW442338B (ja) |
Cited By (4)
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| JP2008277556A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置 |
| JP2012164739A (ja) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN103990567A (zh) * | 2014-05-29 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 喷涂装置 |
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|---|---|---|---|---|
| KR100664423B1 (ko) * | 1999-09-27 | 2007-01-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 배향막 형성방법 |
| KR20060114251A (ko) * | 2005-04-29 | 2006-11-06 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 및 이에 사용되는 배향막 형성장치 |
| EP3056944B1 (fr) | 2015-02-16 | 2017-04-26 | Mimotec S.A. | Méthode et appareil de dispense d'une couche de photorésist sur un substrat |
| FR3097142B1 (fr) * | 2019-06-11 | 2022-05-27 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de dépôt |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664551B2 (ja) * | 1991-04-03 | 1997-10-15 | シャープ株式会社 | 配線基板の露光処理方法 |
| JPH06151296A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Yamaha Corp | 加圧塗布方法及び装置 |
| US5489337A (en) * | 1993-01-28 | 1996-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for applying organic material to semiconductor wafer in which the nozzle opening adjusts in response to data |
| JPH09164357A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 液体塗布装置 |
| JP3245812B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及びその装置 |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP16534798A patent/JP4301596B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-30 US US09/200,738 patent/US6117481A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-07 KR KR1019990000151A patent/KR100288908B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-01-27 TW TW088101185A patent/TW442338B/zh not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| JP2006261534A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Sigma Meltec Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4619162B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-01-26 | シグマメルテック株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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Also Published As
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| TW442338B (en) | 2001-06-23 |
| KR100288908B1 (ko) | 2001-04-16 |
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