JPH0385732A - 回路パターン形成用ガラス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、表面に回路パターンが形成されるガラス基
板に関し、更に詳しくはフォトレジストをスピンコード
法を用いて塗布されるガラス基板に関するものである。

（ロ）従来の技術 例えば、薄膜トランジスタを備えた、いわゆるアクティ
ブマトリックス型液晶表示素子の製造工程においては、
透明導電膜や各種の金属膜及び絶縁膜などの微細パター
ン加工を行う必要があり、この微細パターン加工には一
般にフォトエツチング法が用いられている。

このフォトエツチング法の場合には、ガラス基板上にフ
ォトレジストを滴下してガラス基板を回転させ、フォト
レジストを遠心力でガラス基板上に広げて塗布するスピ
ンコーターと称される塗布装置が使用される。

第４図はこのスピンコーターの基本的な構成を示したも
のであり、スピンコーターｌは、容器２の中にガラス基
板３を吸着して保持する真空チャック４が設けられ、フ
ォトレジストを吐出するレジスト吐出ノズル５が上部に
、バックリンス肢を吐出するバックリンス吐出ノズル６
が下部にそれぞれ配置されている。ガラス基板３は所定
の回路ノくターンが形成されるもので、第５図に示すよ
うに例えば略正方形となっており、図示しない駆動モー
ターによって真空チャック４を駆動してガラス基板３を
回転させる。レジスト吐出ノズル５は真空チャック４の
中心に立置し、またバックリンス吐出ノズル６は真空チ
ャック４の外周部Ｑｌとガラス基板３の仮想内接円Ｉ２
２との間に位置している。

第３図はスピンコーターの運転状態、即ちフォトレジス
トの塗布時Ｉこおｌする経過時間と回転数の関係を例示
したものである。まず、時刻ｔｏから１、までのフォト
レジスト滴下期間Ｗ、たけレジスト吐出ノズル５から所
定量のフォトレジストをガラス基板３上に滴下し、時刻
ｔ、に回転を開始して回転数Ｒ，（例えば２０Ｏｒｐｍ
）でガラス基板３を回転させ、ガラス基板３上にフォト
レジストを塗り広げる。また時刻ｔ４からは、Ｒ，（例
えば１０１０００ｒｐ　（Ｒｔ＞Ｒ＋）まで回転数を上
げてガラス基板３上の過剰なフォトレジストを振り切り
、時刻ｔｌｌで回転を停止してガラス基板３上へのフォ
トレジストの塗布が終了する。この間、回転数がＲ１に
達した時刻ｔ３から回転数Ｒ７の時刻ｔ、までのバック
リンス吐出期間Ｗ、にバックリンス吐出ノズル６からバ
ックリンス液を吐出し、ガラス基板３の裏面に付着する
フォトレジスト液を除去するバックリンス処理が行われ
る。

（ハ）発明が解決しようとする課題 上記のようなスピンコーターにおいて、従来では過剰な
フォトレジストを振り切るために表面がフラットなガラ
ス基板３を回転させても、表面張力の関係からフォトレ
ジストがガラス基板３の外周端部近傍で盛り上がった状
態で付着したままとなり、フォトレジストを外方に十分
振り切ることが出来ない場合があった。その結果、回転
を停止して遠心力が作用しなくなると盛り上がっていた
フォトレジストが外周端部近傍から内側に戻り、ガラス
基板３の中央部の均一なフォトレジスト薄膜より外側の
ガラス基板３の周囲に沿った外周に近い部分の膜厚が大
きくなるという現象が生じていた。そのため、このまま
次の露光工程を行うと、ガラス基板３の周囲に沿った外
周に近い部分に形成されたフォトレジストが正常にパタ
ーニングされなくなるという問題があった。しからばこ
れを避けてパターニングすればよいが、これではパタニ
ングできる有効面積が小さくなる。

この発明はこの点に着目し、ガラス基板の周囲に沿った
外周に近い部分のフォトレノストの盛り上がりをなくし
て、パターニングできる有効面積を従来より拡大するこ
とを目的としてなされた乙のである。

（ニ）課題を解決ずろｆコめの手段 この発明は、導電性、半導電性等の各種薄膜に上って表
面に所定の回路パターンを形成するためのガラス基板で
あって、少なくとも片面に、外周に沿って、かつ外周か
ら少許間隔を４５いて形成された凹溝を有する回路パタ
ーン形成用ガラス基板である。

すなわち、この発明は、少なくとも片面に、ガラス基板
の外周（辺）に沿って、外周（辺）から少許間隔をおい
て凹溝を形威し、これを、ガラス基板の周囲に沿ってス
ピンコードされるフォトレジスト膜の盛り上がりを防止
する表面張力低減部としたものである。

この発明におけるガラス基板としては、矩形板や円板あ
るいは正方形の板が挙げられる。

この発明において、少許間隔とは、例えば、ガラス基板
が矩形板であるとき、第１［ｆｆｌに示すように、ガラ
ス基板３における外周辺Ｑから凹溝１１までの平面ｉ３
ａが有する幅りを意味する。この際、平面部３ａはガラ
ス基板３の外周辺Ｑに沿って幅りの枠領域を形成する。

（ホ）作用 ガラス基板の外周端部近傍では表面張力低減部によって
フォトレジストの表面張力が遠心力に対して相対的に小
さくなり、過剰なフォトレジストを遠心力によって外周
端部近傍から外方に振り切ることが可能となる。従って
、従来のようにガラス基板の周囲に沿った外周に近い部
分のフォトレジストの膜厚が大きくなるということがな
く、パターニングできる有効面積が従来のものより拡大
される。

（へ）実施例 以下図に示す実施例にもとづいてこの発明を詳述する。

なお、これによってこの発明は限定を受けるものではな
い。

第１図は、３００ｘ３２０ｘｉのガラス基板の端６ 部並びにその近傍の断面を示したものであり、この実施
例ではガラス基板３の表面の外周Ｑに沿って、かつ外周
Ｑから小さな間隔りをおいて表面張力低減部として凹状
の溝部２を設けている。この溝部１１はガラス基板表面
に設けられ、溝部の大きさは、例えば板厚ｔ＝１．１ｍ
ｍのものにおいて図示のへ寸法が１．２ｍｍ５Ｂ寸法が
０　、５．、、、Ｃ寸法か０゜４ｍｍに選定される。ま
た、ガラス基板表面には、外周辺ｅから溝ＫＳ１１まで
の平面部３ａが外周辺ｇに沿って枠状に形成され、その
幅りが０．７μｍ程度である。

この実施例は上記のような構成であり、ガラス基板３を
回転させた場合、溝部ＩＩに集中したフォトレジストに
対して作用する表面張力の状態が変化し、遠心力に打ち
勝つことが出来なくなり過剰なフォトレジストが平面部
３＋Ｌを介して外方に振り切られてしまうのである。こ
のため溝部１１より外側すなわち、平面部３ａにはフォ
トレジストの回り込みがなく、回転を停止した後にフォ
トレジストが溝部１１を介してより内側に戻ることな＝
７ く、ガラス基板３の外周ｇに沿った外周Ｑに近い部分の
フォトレジストの膜厚が大きくなることがなくなるので
ある。

その結果、上記ガラス基板３を用い、従来技術の項で述
べたフォトレジストの塗布条件（第３図）にて塗布し、
塗布状態を目視検査したところ、溝部１１より外側には
フォトレジストの回り込みがなく、ガラス基板３の外周
ｅに沿った外周Ｑに近い部分に膜厚の大きな箇所が部分
的に形成されることもなく、この実施例の効果が確認さ
れた。

（ト）発明の効果 以上のように、この発明によれは、ガラス基板の少なく
とも片面に、外周に沿って、かつ外周から少許間隔をお
いて、溝部を設けたので、この溝部を表面張力低減部と
して、スピンコードされるフォトレジストの盛り上がり
を防止でき、スピンコードの工程で過剰なフォトレジス
トを十分に振り切ることが可能となって、ガラス基板の
外周に沿った外周に近い部分のフォトレジストの膜厚が
大きくなるということがなくなり、パターニングできる
有効面積を拡大できるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す要部構成説明図、第
２図は上記実施例における概略平面図、第３図は上記実
施例におけるスピンコーターの運転状態を示す説明図、
第４図および第５図はそれぞれスピンコーターの構成説
明図である。 １・・・・・スピンコーター、２・・・・・・容器、３
・・・・・・ガラス基板、３ａ・・・・・・枠状の平面
部、４・・・・・・真空チャック、１１・・・・・・凹
状の溝部、（０・・・・・・ガラス基板の外周辺。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導電性、半導電性等の各種薄膜によって表面に所定
   の回路パターンを形成するためのガラス基板であって、
   少なくとも片面に、外周に沿って、かつ外周から少許間
   隔をおいて形成された凹溝を有する回路パターン形成用
   ガラス基板。