JPS5911895B2 - フオトレジストの塗布法 - Google Patents
フオトレジストの塗布法Info
- Publication number
- JPS5911895B2 JPS5911895B2 JP10748176A JP10748176A JPS5911895B2 JP S5911895 B2 JPS5911895 B2 JP S5911895B2 JP 10748176 A JP10748176 A JP 10748176A JP 10748176 A JP10748176 A JP 10748176A JP S5911895 B2 JPS5911895 B2 JP S5911895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- spinner
- resist
- coating method
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、一般にスピンナーと呼ばれるフォトレジス
ト液塗布機を使用した場合のフォトレジスト塗布方法の
改良に関するものである。
ト液塗布機を使用した場合のフォトレジスト塗布方法の
改良に関するものである。
ＩＣウエフア、液晶テイスプレー用ガラス基板、プリン
ト基板等にパターニングするための一工程であるフォト
レジスト液を、サブストレート表面に塗る方法としては
、一般にスピンナー法、スプレー法、ローラーコーティ
ング法等が用いられているが、スピンナーによるレジス
ト液塗布法が、最も膜厚が薄く１μｍ以下の比較的均一
な膜を得ることができるので、細密なパターニング精度
を要求されるＩＣ、液晶ディスプレ−のパターニングに
もつぱら使用されている。
ト基板等にパターニングするための一工程であるフォト
レジスト液を、サブストレート表面に塗る方法としては
、一般にスピンナー法、スプレー法、ローラーコーティ
ング法等が用いられているが、スピンナーによるレジス
ト液塗布法が、最も膜厚が薄く１μｍ以下の比較的均一
な膜を得ることができるので、細密なパターニング精度
を要求されるＩＣ、液晶ディスプレ−のパターニングに
もつぱら使用されている。
しかるに従来のスピンナー塗布法に於いては、サブスト
レートの中央部は薄く均一な膜厚を得るが、外周部は一
般に中央部より数倍厚くなる欠点がある。
レートの中央部は薄く均一な膜厚を得るが、外周部は一
般に中央部より数倍厚くなる欠点がある。
すなわち第１図ａ、ｂは従来法により、液晶セル用ガラ
ス基板１にスピンナーでフォトレジストを塗布した状態
を示す平面図および断面図であり、遠心力の作用により
、外周部２には中央部３に比較して数倍膜厚の大きな額
縁状の縁取りが形成されてしまう。また前述のレジスト
塗布後、ソフトベーキング、露光工程を経て、現像工程
に入るが、適正現像時間はレジスト膜厚によつて決定さ
れるために、前記中央部３と外周部２との間で極端に膜
厚に差のある場合、両方に適正な現像時間を設定するの
が難かしく、この様な場合膜厚の厚い部分が現像アンダ
ーに、或いは薄い部分が現像オーバーになり易すいので
、この後のエッチング工程で短絡或いは断線不良となつ
て歩留りを低下させることになる。ＩＣウエフアの場合
、外周部迄使用しないので比較的問題は少ないが、特に
液晶セル用ガラス基板の場合、一般に外周部に電極を構
成して全面を使用するので、この様に外周部と中央部の
場所的な膜厚の不均一があると、その両方に適正な現像
条件を設定するのが難かしく、短絡、断線等の不良が発
生して問題である。本発明の目的は、露光、現像等の条
件管理を容易にし、かつレジスト塗布時に起因する短絡
、断線等の不良を減少させるために、中央部と外周部の
膜厚の差を少なくする方法を確立することにある。以下
本発明の方法を詳細に説明する。
ス基板１にスピンナーでフォトレジストを塗布した状態
を示す平面図および断面図であり、遠心力の作用により
、外周部２には中央部３に比較して数倍膜厚の大きな額
縁状の縁取りが形成されてしまう。また前述のレジスト
塗布後、ソフトベーキング、露光工程を経て、現像工程
に入るが、適正現像時間はレジスト膜厚によつて決定さ
れるために、前記中央部３と外周部２との間で極端に膜
厚に差のある場合、両方に適正な現像時間を設定するの
が難かしく、この様な場合膜厚の厚い部分が現像アンダ
ーに、或いは薄い部分が現像オーバーになり易すいので
、この後のエッチング工程で短絡或いは断線不良となつ
て歩留りを低下させることになる。ＩＣウエフアの場合
、外周部迄使用しないので比較的問題は少ないが、特に
液晶セル用ガラス基板の場合、一般に外周部に電極を構
成して全面を使用するので、この様に外周部と中央部の
場所的な膜厚の不均一があると、その両方に適正な現像
条件を設定するのが難かしく、短絡、断線等の不良が発
生して問題である。本発明の目的は、露光、現像等の条
件管理を容易にし、かつレジスト塗布時に起因する短絡
、断線等の不良を減少させるために、中央部と外周部の
膜厚の差を少なくする方法を確立することにある。以下
本発明の方法を詳細に説明する。
スピンナー塗布法に於いて、レジスト膜厚はスピンナー
の回転数とレジスト液の粘性で決定されるが、粘性はレ
ジスト液の希釈度合で選択できる。従つて外周部の希釈
度合を中央部に比べ大きくすることによつて本目的は達
せられることになる。この様にするには、まず希釈剤を
スピンナーで塗布することにより、スピンナーの性質を
利用して、前記の希釈剤を外周部に集めれば良いことに
なる。この時の希釈剤を残す量はスピンナーの回転数に
より適宜選択され、レジスト液の粘性との兼合いで数百
乃至数千回転で選択される。即ち、本発明によるレジス
ト塗布法は、第２図のフローチャートに示す如く、フォ
トレジスト液の塗布に先だつて、該レジスト液の希釈剤
を塗布すべきサブストレート表面に滴下する。次にこれ
を回転して適量振り切つた後、該レジスト液を前記サブ
ストレート表面に滴下し、再びこれを回転して余分なレ
ジスト液を振り切つて所望の膜厚を得るものである。こ
の様にして塗布したフォトレジスト膜は、中央部と外周
部での膜厚の差は少なく、後工程としての露光、現像工
程での条件管理を容易なものとし、製造上作業能率を高
めることができると共に、工程の自動化を容易にする効
果、さらには短絡、断線等の不良を減少できるので生産
性を高める等の効果がある。更に、本レジスト塗布法の
別の効果として、フォトレジスト液の希釈剤を滴下振り
切る工程で、サブストレート表面に付着している塵埃を
洗浄できるので、塵埃による短絡、断線等の不良をも減
少する効果を有する。
の回転数とレジスト液の粘性で決定されるが、粘性はレ
ジスト液の希釈度合で選択できる。従つて外周部の希釈
度合を中央部に比べ大きくすることによつて本目的は達
せられることになる。この様にするには、まず希釈剤を
スピンナーで塗布することにより、スピンナーの性質を
利用して、前記の希釈剤を外周部に集めれば良いことに
なる。この時の希釈剤を残す量はスピンナーの回転数に
より適宜選択され、レジスト液の粘性との兼合いで数百
乃至数千回転で選択される。即ち、本発明によるレジス
ト塗布法は、第２図のフローチャートに示す如く、フォ
トレジスト液の塗布に先だつて、該レジスト液の希釈剤
を塗布すべきサブストレート表面に滴下する。次にこれ
を回転して適量振り切つた後、該レジスト液を前記サブ
ストレート表面に滴下し、再びこれを回転して余分なレ
ジスト液を振り切つて所望の膜厚を得るものである。こ
の様にして塗布したフォトレジスト膜は、中央部と外周
部での膜厚の差は少なく、後工程としての露光、現像工
程での条件管理を容易なものとし、製造上作業能率を高
めることができると共に、工程の自動化を容易にする効
果、さらには短絡、断線等の不良を減少できるので生産
性を高める等の効果がある。更に、本レジスト塗布法の
別の効果として、フォトレジスト液の希釈剤を滴下振り
切る工程で、サブストレート表面に付着している塵埃を
洗浄できるので、塵埃による短絡、断線等の不良をも減
少する効果を有する。
第１図Ａ，ｂは、従来のスピンナー塗布方法により、液
晶セル用ガラス基板の表面に塗布されたフォトレジスト
膜の状態を示す平面図および断面図。 第２図は、本発明によるフォトレジスト塗布方法の作業
手順を示すフローチャート。１・・・・・・液晶セル用
ガラス基板、２・・・・・・外周部、３・・・・・・中
央部。
晶セル用ガラス基板の表面に塗布されたフォトレジスト
膜の状態を示す平面図および断面図。 第２図は、本発明によるフォトレジスト塗布方法の作業
手順を示すフローチャート。１・・・・・・液晶セル用
ガラス基板、２・・・・・・外周部、３・・・・・・中
央部。
Claims (1)
- １ スピンナーを用いたフォトレジストの塗布法に於い
て、フォトレジスト液の塗布に先だつて、該レジスト液
の希釈剤を塗布すべきサブストレート表面に滴下し、こ
れを回転して振り切つた後、該レジスト液を滴下して再
び回転させ、余分なレジスト液を振り切つて所望の膜厚
を得ることを特徴とするフォトレジストの塗布法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10748176A JPS5911895B2 (ja) | 1976-09-08 | 1976-09-08 | フオトレジストの塗布法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10748176A JPS5911895B2 (ja) | 1976-09-08 | 1976-09-08 | フオトレジストの塗布法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5333115A JPS5333115A (en) | 1978-03-28 |
| JPS5911895B2 true JPS5911895B2 (ja) | 1984-03-19 |
Family
ID=14460301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10748176A Expired JPS5911895B2 (ja) | 1976-09-08 | 1976-09-08 | フオトレジストの塗布法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911895B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534974Y2 (ja) * | 1986-09-29 | 1993-09-06 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123366A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-28 | Dairiyuu Denshi Sangyo Kk | Hard protective coat for decoration or the like |
| US4347302A (en) * | 1980-06-06 | 1982-08-31 | Alexander Gotman | Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it |
| JPS5947885U (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用針 |
| DE69025499T2 (de) * | 1989-06-14 | 1996-07-11 | Hewlett Packard Co | Fotolack-Beschichtung für Halbleiterplättchen |
| JPH03253557A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 有色製品 |
-
1976
- 1976-09-08 JP JP10748176A patent/JPS5911895B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534974Y2 (ja) * | 1986-09-29 | 1993-09-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5333115A (en) | 1978-03-28 |
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