JPS60123031A - レジスト塗布方法 - Google Patents
レジスト塗布方法Info
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- JPS60123031A JPS60123031A JP58231933A JP23193383A JPS60123031A JP S60123031 A JPS60123031 A JP S60123031A JP 58231933 A JP58231933 A JP 58231933A JP 23193383 A JP23193383 A JP 23193383A JP S60123031 A JPS60123031 A JP S60123031A
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- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/136—Coating process making radiation sensitive element
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レティクル及びフォトマスクの製造に用いら
れるフォトマスク基板（以下、「Ｍ板」という。）のパ
ターンを形成する薄膜上に感光性材料（以下、「レジス
ト」という。）を塗布する方法に関し、特に、このレジ
ストの膜厚を均一にするためのレジスト塗布方法に関す
るものである。
れるフォトマスク基板（以下、「Ｍ板」という。）のパ
ターンを形成する薄膜上に感光性材料（以下、「レジス
ト」という。）を塗布する方法に関し、特に、このレジ
ストの膜厚を均一にするためのレジスト塗布方法に関す
るものである。
一般に、レジスト塗布装置としては、第１図に示すよう
な回転塗布装置（以下、［スピンコータ」という。）が
ある。すなわち、基板１を設置、固定するチャックシ、
レジストを滴下するためのノズル３、チャック２を回転
させるためのモータ４及びこのスピンコータの周辺にレ
ジストが飛散することを防止するカップ５から成る。
な回転塗布装置（以下、［スピンコータ」という。）が
ある。すなわち、基板１を設置、固定するチャックシ、
レジストを滴下するためのノズル３、チャック２を回転
させるためのモータ４及びこのスピンコータの周辺にレ
ジストが飛散することを防止するカップ５から成る。
従来、このスピンコータを用いてレジストを塗布する方
法は、先ず、パターンを形成する薄膜をノズル３の方へ
向けて、基板１をチャック２に設置、固定し、ノズル３
よりレジストを二の薄膜に滴下する。次に、所望する膜
厚及びレジストの粘度により設定された回転数で、モー
タ４により基板１を回転する。次に、回転している基板
１上のレジストの干渉色を目視して、レジストが乾燥し
た時を見計らって回転を停止する。すなわち、乾燥まで
行ってレジストの膜厚を均一にしようとしていた。
法は、先ず、パターンを形成する薄膜をノズル３の方へ
向けて、基板１をチャック２に設置、固定し、ノズル３
よりレジストを二の薄膜に滴下する。次に、所望する膜
厚及びレジストの粘度により設定された回転数で、モー
タ４により基板１を回転する。次に、回転している基板
１上のレジストの干渉色を目視して、レジストが乾燥し
た時を見計らって回転を停止する。すなわち、乾燥まで
行ってレジストの膜厚を均一にしようとしていた。
しかしながら、従来の塗布方法では、下記のような欠点
があった。第２図に基づき説明する。同図（ａ）はレジ
スト側から見た基板の平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ
）のＡ−Ａ断面図である。
があった。第２図に基づき説明する。同図（ａ）はレジ
スト側から見た基板の平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ
）のＡ−Ａ断面図である。
先ず、従来の塗布方法では、同図（ａ）に示すとおり、
レジスト６の膜厚は円状の部分Ｓ１内では、はぼ均一で
あるが、前記部分Ｓ１外の周辺の部分Ｓ２は、レジスト
の膜厚が極端に厚くなっていた。
レジスト６の膜厚は円状の部分Ｓ１内では、はぼ均一で
あるが、前記部分Ｓ１外の周辺の部分Ｓ２は、レジスト
の膜厚が極端に厚くなっていた。
すケわち、近年要求されている基板１上のパターン−を
形成する矩形の部分Ｓ３内のレジストの膜厚を均一化す
ることは困難であった。
形成する矩形の部分Ｓ３内のレジストの膜厚を均一化す
ることは困難であった。
本発明者は、前記の欠点を除去するために鋭意研究した
結果、従来の塗布方法では、乾燥まで同一の回転数で塗
布するために、乾燥が進行するに従ってレジスト膜厚を
不均一にしてしまうことを発見した。すなわち、本発明
では、回転塗布方法において、レジスト膜厚を実質的に
均一化する工程（以下、「均一化工程」という。）と、
レジストを乾燥する工程（以下、「乾燥工程」という。
結果、従来の塗布方法では、乾燥まで同一の回転数で塗
布するために、乾燥が進行するに従ってレジスト膜厚を
不均一にしてしまうことを発見した。すなわち、本発明
では、回転塗布方法において、レジスト膜厚を実質的に
均一化する工程（以下、「均一化工程」という。）と、
レジストを乾燥する工程（以下、「乾燥工程」という。
）とを分離し、前記均一化工程では、レジスト中の溶媒
の揮発性を考慮して、基板の回転数及び回転時間を適宜
決定することによりレジスト膜厚を均一にすることを目
的とするものである。さらに、本発明は、前記乾燥工程
において、前記均一化工程に使用するスピンコータ上で
レジストを前記均一化工程の回転数よりも低回転数で乾
燥することを目的とするものである。
の揮発性を考慮して、基板の回転数及び回転時間を適宜
決定することによりレジスト膜厚を均一にすることを目
的とするものである。さらに、本発明は、前記乾燥工程
において、前記均一化工程に使用するスピンコータ上で
レジストを前記均一化工程の回転数よりも低回転数で乾
燥することを目的とするものである。
以下、本発明を実施例に基づき詳細に第１図を参照して
説明する。
説明する。
（実施例１） 本実施例では、ポジ型電子ビームレジス
トであるポリブテン−１−スルホンの塗布方法を示す。
トであるポリブテン−１−スルホンの塗布方法を示す。
先ず、均一化工程を示す。ガラス板上にクロム膜を一主
表面（１２７ｍｍ ｘ１２７ｍｍ ）に被着したクロム
マスク基板を、第１図のスピンコータのチャック２に設
置、固定する。次に、前記基板のクロム膜上に、ノズル
３より粘度３０ｃｐに溶剤メチルセロソルブアセテート
（蒸気圧２ ｍｍｈ （２０℃））で調整された前記レ
ジストを滴下し、モータ４により、回転数Ｒ（単位、ｒ
ｐｍ）がｉｏｏ 〜ｅ、ｏｏｏ、回転時間Ｔ（単位、秒
）が基板を回転し始めて、設定した回転数に到達した時
から最高２０秒までの時間及びＲＸＴが２４，０００以
下の条件、例えばＲが９６０ｒＤｍ。
表面（１２７ｍｍ ｘ１２７ｍｍ ）に被着したクロム
マスク基板を、第１図のスピンコータのチャック２に設
置、固定する。次に、前記基板のクロム膜上に、ノズル
３より粘度３０ｃｐに溶剤メチルセロソルブアセテート
（蒸気圧２ ｍｍｈ （２０℃））で調整された前記レ
ジストを滴下し、モータ４により、回転数Ｒ（単位、ｒ
ｐｍ）がｉｏｏ 〜ｅ、ｏｏｏ、回転時間Ｔ（単位、秒
）が基板を回転し始めて、設定した回転数に到達した時
から最高２０秒までの時間及びＲＸＴが２４，０００以
下の条件、例えばＲが９６０ｒＤｍ。
王が１４秒、ＲＸＴが１３，４４０ ｒｌ）ｌｌｌ−秒
で、前記基板板を回転し、所望するレジストの欣ｔｐ
（４，０ＯＯＸ ）を均一に得る。次に、乾燥工程は、
前記均一化工程で１４秒前記基板を回転した後、Ｒを５
０Ｏｒｐｍ以下及び前記均一化工程でのＲよりも小さい
、例えば５０ｒｐｍで１６０秒回転し、前記溶媒を揮発
させる。
で、前記基板板を回転し、所望するレジストの欣ｔｐ
（４，０ＯＯＸ ）を均一に得る。次に、乾燥工程は、
前記均一化工程で１４秒前記基板を回転した後、Ｒを５
０Ｏｒｐｍ以下及び前記均一化工程でのＲよりも小さい
、例えば５０ｒｐｍで１６０秒回転し、前記溶媒を揮発
させる。
本実施例によれば、均一化工程後と乾燥工程後とのレジ
スト膜厚の均一性は、乾燥工程でのＲが均一化工程のＲ
よりも小さく、更にｓｏｏｒｐｍよりも小さいので、保
持される。本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大
値及び最小値と、比較例として、本実施例と同様のクロ
ムマスク基板、ポジ型電子ビームレジスト及びこのレジ
ストの膜厚く ４．０００Ａ）を均一にするために、Ｒ
を１．００Ｏｒｌ１ｍ、 Ｔを７０秒で均一化、乾燥工
程をした従来の塗布方法でのレジスト膜厚の平均値、最
大値及び最小値を表１に示す。なお、レジストの膜厚は
膜厚測定機Ｉ ８Ｍ７８４０Ｆ ＴＡ （インターナシ
ョナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション製）
で測定し、さらに測定部は、前記１２７ｖａ ｘ１２７
ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在
所望されている範囲１０７ｎ＋ｍｘ １０７ｍｍとする
。
スト膜厚の均一性は、乾燥工程でのＲが均一化工程のＲ
よりも小さく、更にｓｏｏｒｐｍよりも小さいので、保
持される。本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大
値及び最小値と、比較例として、本実施例と同様のクロ
ムマスク基板、ポジ型電子ビームレジスト及びこのレジ
ストの膜厚く ４．０００Ａ）を均一にするために、Ｒ
を１．００Ｏｒｌ１ｍ、 Ｔを７０秒で均一化、乾燥工
程をした従来の塗布方法でのレジスト膜厚の平均値、最
大値及び最小値を表１に示す。なお、レジストの膜厚は
膜厚測定機Ｉ ８Ｍ７８４０Ｆ ＴＡ （インターナシ
ョナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション製）
で測定し、さらに測定部は、前記１２７ｖａ ｘ１２７
ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在
所望されている範囲１０７ｎ＋ｍｘ １０７ｍｍとする
。
上表のとおり、本実施例では、最大値と最小値との差が
９０人であり、一方、比較例では９ｙｏ、Ａであり、本
実施例の方が数段均一性に優れている。
９０人であり、一方、比較例では９ｙｏ、Ａであり、本
実施例の方が数段均一性に優れている。
（実施例２） 本実施例では、ネガ型電子ビームレジス
トであるポリグリシジルメタアクリレートの塗布方法を
示づ。
トであるポリグリシジルメタアクリレートの塗布方法を
示づ。
先ず、均一化工程を示す。基板及び塗布装置は、前記実
施例１と同一であり、Ｒ，Ｔ及びＲＸＴの範囲も前記実
施例１と同一である。本実施例では、前記基板のクロム
膜上に、粘度１５ｃｐに溶剤メチルセロソルブアセテー
ト（蒸気圧１．２ｍｍＨｏ（２０℃））で調整された前
記レジストを滴下し、Ｒが１，１６０ｒｐｍ 、 Ｔが
６秒、ＲＸＴが６．９６０ｒｐｍ−秒で回転し、前記レ
ジストの所望するレジストの膜厚（６，００ＯＡ）を均
一に得る。次に、乾燥工程は、前記実施例１と同様に、
Ｒを５Ｏｒｐｍ 、 Ｔを１６０秒の設定で行う。本実
施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値と
、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基板、
ネガ型電子ビームレジスト及びこのレジストの膜厚（６
，０ＯＯＡ）を均一にするために、Ｒを３．６０Ｏｒｐ
ｍ、 Ｔを３０秒で均一、乾燥工程をした従来の塗布方
法でのレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値を表２
に示す。測定機及び測定部は、前記実施例１と同様であ
る。
施例１と同一であり、Ｒ，Ｔ及びＲＸＴの範囲も前記実
施例１と同一である。本実施例では、前記基板のクロム
膜上に、粘度１５ｃｐに溶剤メチルセロソルブアセテー
ト（蒸気圧１．２ｍｍＨｏ（２０℃））で調整された前
記レジストを滴下し、Ｒが１，１６０ｒｐｍ 、 Ｔが
６秒、ＲＸＴが６．９６０ｒｐｍ−秒で回転し、前記レ
ジストの所望するレジストの膜厚（６，００ＯＡ）を均
一に得る。次に、乾燥工程は、前記実施例１と同様に、
Ｒを５Ｏｒｐｍ 、 Ｔを１６０秒の設定で行う。本実
施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値と
、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基板、
ネガ型電子ビームレジスト及びこのレジストの膜厚（６
，０ＯＯＡ）を均一にするために、Ｒを３．６０Ｏｒｐ
ｍ、 Ｔを３０秒で均一、乾燥工程をした従来の塗布方
法でのレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値を表２
に示す。測定機及び測定部は、前記実施例１と同様であ
る。
上表のとおり、本実施例では最大値と最小値との差が５
０人であり、一方、比較例では２，６９０Ａであり、本
実施例の方が数段均一性に優れている。
０人であり、一方、比較例では２，６９０Ａであり、本
実施例の方が数段均一性に優れている。
以上、均一化工程での本発明の回転数Ｒ１回転時間Ｔ及
び回転数Ｒ×回転時間Ｔの設定は、下記の理由である。
び回転数Ｒ×回転時間Ｔの設定は、下記の理由である。
まず、Ｒが１１００ｒｐ未満であると、パターンを形成
する薄膜上に滴下したレジストが均一に拡がらず、一方
Ｒが６． ＯＯＯｒｐｍを越えると、装置の安全上問題
が出てくる。次に、王が基板が回転し始めて設定した回
転数に到達する前の時間であると、所望するレジスト膜
厚を形成することができず、−力設定した回転数に到達
した時から２０秒を越えると、パターンを形成する薄膜
表面の中心に向かってレジスト膜厚の不均一な部分が進
行していく。さらに、ＲＸＴが２４，０００を越えると
、前記回転時間Ｔが２０秒を越えたのと同様の結果とな
る。すなわち、本発明によれば、回転数Ｒを１００〜６
．００Ｏｒｐｍ、回転時間Ｔを基板が回転し始めて、設
定した回転数に到達した時から最高２０（秒）及び回転
数Ｒ×回転時間Ｔを２４． ＯＯＯｒｐｍ ・秒以下の
条件内で、前記実施例１，２のレジスト以外の電子ビー
ムレジスト、フォトレジストなどの感光性材料に適した
回転数、回転時間及び回転数×回転時間を決定すれば均
一なレジスト膜厚が得られる。
する薄膜上に滴下したレジストが均一に拡がらず、一方
Ｒが６． ＯＯＯｒｐｍを越えると、装置の安全上問題
が出てくる。次に、王が基板が回転し始めて設定した回
転数に到達する前の時間であると、所望するレジスト膜
厚を形成することができず、−力設定した回転数に到達
した時から２０秒を越えると、パターンを形成する薄膜
表面の中心に向かってレジスト膜厚の不均一な部分が進
行していく。さらに、ＲＸＴが２４，０００を越えると
、前記回転時間Ｔが２０秒を越えたのと同様の結果とな
る。すなわち、本発明によれば、回転数Ｒを１００〜６
．００Ｏｒｐｍ、回転時間Ｔを基板が回転し始めて、設
定した回転数に到達した時から最高２０（秒）及び回転
数Ｒ×回転時間Ｔを２４． ＯＯＯｒｐｍ ・秒以下の
条件内で、前記実施例１，２のレジスト以外の電子ビー
ムレジスト、フォトレジストなどの感光性材料に適した
回転数、回転時間及び回転数×回転時間を決定すれば均
一なレジスト膜厚が得られる。
次に、前記実施例１．２では、レジストを基板上に滴下
するとき、前記基板を停＋Ｌして滴下したが、設定され
た回転数（例えば、 実施例１において９６Ｏｒｐｍ）
より小さい回転数で前記基板を回転しておいて、レジス
トを滴下してもよい。
するとき、前記基板を停＋Ｌして滴下したが、設定され
た回転数（例えば、 実施例１において９６Ｏｒｐｍ）
より小さい回転数で前記基板を回転しておいて、レジス
トを滴下してもよい。
次に、乾燥工程は、前記実施例１，２では均一化工程で
使用したスピンｈ−夕を使用したが、何らこれに限定さ
れることなく、均一化工程修了後、回転を停止し、チャ
ックより基板を取り外し、プリベークの工程で乾燥させ
てもよい。しかしながら、乾燥工程を前記のような工程
で行うと、作業性、基板の清浄性が悪化するので、前記
実施例１゜２の工程がよい。また、乾燥工程の回転数は
、より完全にレジスト膜厚の均一性を保持するために、
望ましくは１３０ｒｐｍ以下がよい。
使用したスピンｈ−夕を使用したが、何らこれに限定さ
れることなく、均一化工程修了後、回転を停止し、チャ
ックより基板を取り外し、プリベークの工程で乾燥させ
てもよい。しかしながら、乾燥工程を前記のような工程
で行うと、作業性、基板の清浄性が悪化するので、前記
実施例１゜２の工程がよい。また、乾燥工程の回転数は
、より完全にレジスト膜厚の均一性を保持するために、
望ましくは１３０ｒｐｍ以下がよい。
次に、レジストの粘度を調整する溶媒は、前記実施例１
．２に限らず、各レジストに対応した専用シンナーを使
用することができる。さらに望ましくは、蒸気圧が２０
ｍｍ１ｌ（７以下の溶媒がよい。すなわち、回転数が設
定された回転数に達する前に、蒸気圧が２０ｍｍＨＯを
越えた溶媒では、回転によって発生する風の影響を受け
、基板の表面上の周辺のレジストの膜厚が固定し、設定
された回転数に達して、レジスト膜厚を均一にしようと
しても困難となるので２０１１１Ｉ！ｌＨｇ以下の溶媒
がよい。
．２に限らず、各レジストに対応した専用シンナーを使
用することができる。さらに望ましくは、蒸気圧が２０
ｍｍ１ｌ（７以下の溶媒がよい。すなわち、回転数が設
定された回転数に達する前に、蒸気圧が２０ｍｍＨＯを
越えた溶媒では、回転によって発生する風の影響を受け
、基板の表面上の周辺のレジストの膜厚が固定し、設定
された回転数に達して、レジスト膜厚を均一にしようと
しても困難となるので２０１１１Ｉ！ｌＨｇ以下の溶媒
がよい。
以上、本発明によれば、レジストの膜厚が均一となり、
これにより、フォトマスク製造工程で、パターンをレジ
ストに形成したとき、現像不良、ＣＤ不良を発生させず
、良好なフォトマスクを製造することができる。
これにより、フォトマスク製造工程で、パターンをレジ
ストに形成したとき、現像不良、ＣＤ不良を発生させず
、良好なフォトマスクを製造することができる。
第１図は、一般的なスピンコータを示す概略図、第２図
は従来のレジスト塗布方法によるレジスト膜厚の分布を
示す図である。 第１図 手 続 補 正 書 （自発） 昭和５９年１１月１４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２３１９３３号２
、発明の名称 レジスト塗布方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ 置
０３（９５２）１１５１名称 ホ − ヤ 株 式
会 社 （１）明細書全文 （２）図面 ５６補正の内容 （１）明細書全文を別紙の通り訂正する。 明 細 書（全文訂正） １、発明の名称 レジスト塗布方法 ２、特許請求の範囲 （１）基板の薄膜表面上にレジストを滴下し、前記基板
を回転させて所望膜厚のレジストを塗布する方法におい
て、前記所望膜厚に対応した設定回転数と、所定回転時
間と、前記設定回転数と前記所定回転時間の積とを選定
して、前記基板を回転させることにより、前記レジスト
の膜厚を実質的に均一化させる均一化工程と、前記均一
化工程の後に、前記均一化工程の設定回転数よりも低い
回転数で前記基板を回転させて、前記均一化されたレジ
ストを乾燥させる乾燥工程とを含むことを特徴とするレ
ジスト塗布方法。 （２）均一化工程における設定回転数を１００〜６００
０（ｒｐｉ）の範囲内の所定値に選定し、所定回転時間
を前記所定値に到達した時から２０（秒）以下にし、か
つ前記所定値の設定回転数と前記所定回転時間との積を
２４０００ （ｒｌ）Ｉｌｌ ・秒）以下にしているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレジス
ト塗布方法。 （３）均一化工程における設定回転数を２５０〜２００
０（ｒｏｍ）の範囲内の所定値に選定し、乾燥工程にお
ｔづる回転数を１３０ （ｒｌ）ＩＩＩ ）以下に選定
することを特徴とする特許請求の範囲第（１）環８己載
又（ま第（２）項記載のレジスト塗布方法。 （４）レジストの粘度を調整する溶媒の蒸気圧（２０℃
において）が２０（ｖｎ［＋）以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）頂、第（２）項又（ま第（
３）項記載のレジスト塗布方法。 （５）基板の形状が矩形であることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項又ｔま第
（４）項記載のレジスト塗布方法。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばレティクル及びフォトマスク等の製造
に用いられる基板上のＷＪｌｌ＃をノ（ターン形成する
ために、感光性材料としてレジストをその薄膜上に塗布
するレジスト塗布方法に関し、特に、このレジストの膜
厚を均一にするためのレジスト塗布方法に関する。 〔従来の技術と問題点〕 一般にレジスト塗布装置として（よ、第２図にその基本
構造を示す回転塗布装置、０わゆるスピンコータが使用
されている。このスピンコータ（ま、基板１を設置し、
固定するためのチャック２と、レジスト３を滴下するた
めのノズル４と、チャック２を回転させるためのモータ
５と、滴下されたレジスト６が回転中に周辺に飛散する
のを防、＋ｈ ？ｔ−るためのカップ７とから構成され
て（Ｘる。 レジスト塗布方法は、上記したようなスピンツー夕を使
用して行われるが、最近、レジストのｌｔＡ厚を均一化
する方法として、ウェーｌ＼、すなわち円形状の基板を
対象にしたものが提案されて０る（特開昭５８−２０７
６３１号公報）。この提案（ま、円形状基板上に適量の
レジストを滴下し、所望の膜厚に対応した設定回転数（
回転速度）よりイ氏（Ｘ回転数で、円形状基板を所定時
間回転させて、基板全面にレジストを拡げる第１工程と
、次に、前Ｒ己設定回転数より高い回転数で所定時間回
転させて、レジストを短時間で円形状基板の表面、特に
周辺表面から強制的に排出させる第２工程と、その後、
所望の膜厚に対応した設定回転数で所定時間回転さゼて
、レジストの膜厚を均一化する第３工程とから成る。 しかしながら、この提案は、基板形状が円形である場合
に実施可能であるが、矩形である場合には実施困難であ
る。すなわち、矩形状基板の場合、前記第２工程におい
て、内接円周より周辺側の四隅の矩形状基板表面にはレ
ジストが溜まり、このレジストをも強制的に排出する程
の回転数は、この提案の回転数よりも桁違いに高い回転
数に相当し、この時点で所望の膜厚以下になり、次の第
３工程において所望の膜厚を得ることが困難である。 一方、前記第２工程において、円板状基板の場合と同様
な回転数で回転させれば、上記四隅の矩形状基板表面に
レジスト溜まりの発生が余儀なくされ、その部分でのレ
ジスト膜厚の均一化が困難になる。 したがって、矩形状基板に対するレジスト塗布方法とし
て上記提案を実施することが困難であったために、次の
ような従来方法を使用していた。 第２図に示したスピンコータを使用して薄膜を被着した
矩形状基板１をノズル４の方に向りで、この基板１をチ
ャック２に設置固定し、ノズル４よリレシスト３を薄膜
上に滴下する。次に、所望するレジスト膜厚及びレジス
ト粘度により設定された回転数で、モータ５により基板
１を回転させる。 この回転により、レジスト６は基板１Ｌ全面に亘って広
がると共に干渉色が発生し、その干渉色が中心部から周
辺部に向かって移動し、レジスト６が乾燥した時、その
干渉色の移動が停止する。そこで、レジスト６の干渉色
を目視して、レジストが乾燥した時を見計らって、モー
タ５の回転を停止し、レジスト塗布工程を終了する；す
なわち、この従来方法は、レジスト６が乾燥するまで基
板１を設定回転数で所定時間回転させて、レジスト６の
膜１厚を均一にしようとするものであった。 しかしながら、この従来方法では、第３図（ａ）の基板
１の平面図及び同図（ｂ）のＸ３−Ｘ３断面図に示すよ
うに、レジスト６の膜厚が円状領域Ｓ１内においてほぼ
均一であるが、その円状領域Ｓ１より周辺側の四隅領域
Ｓ２においてレジスト６の膜厚が不均一であって、かつ
極端に厚くなっていた。 一方、基板１上のパターン形成のための有効領Ｗｉ Ｓ
３は最近器々広くするよう、例えば図示の有効領域Ｓ
３のように前述した四隅領域ｓ２の部分に亘るまで要求
されているが、この要求の通りの有効領域Ｓ３までレジ
スト６の膜厚を均一化することは困難であった。 〔発明の目的〕 本発明は、上記したような問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の第１の目的はレジスト膜厚の
均一な領域を広くすることのできるレジスト塗布方法を
提供することであり、第２の目的は矩形状基板に対して
も実施可能なレジスト塗布方法を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 このような目的を達成させるために、本発明は、基板の
簿膜表面上にレジストを滴下し、この基板を回転させる
レジスト塗布方法において、所望膜厚に対応した設定回
転数と、所定回転時間と、設定回転数と所定回転時間の
積とを選定して、この基板を回転させることにより、レ
ジスト膜厚を実質的に均一化する均一化工程と、均一化
工程の設定回転数よりも低い回転数で基板を回転させて
均一化されたレジスト膜厚を実質的に変化することなく
、レジストを乾燥する乾燥工程とに分離することを特徴
としている。 均一化工程の実施態様としては、レジストの膜厚及び粘
度を考慮して、基板の設定回転数Ｒを１００〜６０００
（ｒｌ）ｌ ）の範囲内の所定値に選定し、回転時間
Ｔを前記所定値に到達した時から２０（秒）以下にし、
かつ前記所定値の設定回転数Ｒと回転［Ｉ２Ｔ、！：０
）Ｉヲ２４０００（ｒｐｍ ・秒）以下にしている。 ここで、設定回転数Ｒが１００ （ｒｐｍ ）未満であ
ると、基板の薄膜、トに滴下したレジストが均一に周辺
に向かって拡がらず、一方、設定回転数Ｒが６０００
（ｒｐｎ＋ ）を越えると、装置の安全上の問題が生じ
るからである。次に、回転時間■は、基板が回転し始め
て設定回転数Ｒに到達する前の時間であると、所望する
レジスト膜厚を安定して形成することができず、一方、
設定回転数Ｒに到達した時から２０（秒）を越えると、
レジスト膜厚の不均一な周縁部分が薄膜上の周辺から中
心に向かって進行し、レジスト膜厚の均一領域を侵すこ
とになるからである。更に、設定回転数Ｒと回転時間Ｔ
との積が２４０００ （ｒｐｍ ・秒）を越えると、前
述した回転時間Ｔが２０（秒）を越えたのと同様な結果
となる。なお、この均一化工程の設定回転数Ｒは、望ま
しくは２５０〜２０００ （ｒｐｍ ）である。 このような均一化工程の条件内で、後述する実施例１及
び２のレジメ１〜やそれ以外の電子ビームレジスト、フ
ォトレジストなどの感光性材料に適した、設定回転数Ｒ
と、回転時間Ｔと、設定回転数Ｒと回転時間Ｔとの積と
を適宜決定することにより、レジスト膜厚（通常： ２
０００〜２００００ （人））について、その不均一領
域を基板の薄膜上の極く限られた周縁部分に止めて、そ
の均一領域を広くすることができる。なお、後述する実
施例１及び２では、レジストの滴下時において、基板を
停止させているが、設定回転数Ｒ（例えば実施例１にお
いて９６０（ｒｏｍ））より低い回転数で基板を予め回
転させてもよい。 次に、乾燥工程では、均一化されたレジスト膜厚を保持
するために、前述した均一化工程の設定回転数Ｒよりも
低い回転数で基板を回転して、レジストを乾燥させてい
る。この乾燥工程の回転数は、望ましくは１３０ （ｒ
ｏｍ ）以下である。 次に、レジストの粘度を調整する溶媒は、後述する実施
例１及び２に限らず、各レジメ１−に対応した専用溶媒
を使用することができる。そして、溶媒の蒸気圧（２０
℃において）は、望ましくは２゜（’ｍｍＨｇ ）以下
である。ここで、蒸気圧が２０ （ｍｍｔＬｏ ＞を越
えた溶媒（例えばトルエン： ２４ （ｍｍＨ（り ）
では、レジスト表面のうち周辺部分が回転によって発生
する風の影響を最も受けて、その周辺部分がら乾燥し始
めて、粘度が高くなり、その結果、周辺部分のレジスト
が固定化して、設定回転数Ｒに達して、所望なレジスト
膜厚に均一化しようとしても困難となるので、蒸気圧（
２０℃において）２０（ｍｍｌ１ｇ）以下が望ましい。 〔実施例１〕 本実施例では、ポジ型電子ビームレジストであるポリブ
テン−１−スルホンの塗布方法を記述する。 先ず、均一化工程を記述する。ガラス板の表面上に遮光
性薄膜としてクロム膜を被着したクロムマスク基板７
（１２７ｍＸ １２７＃ＩＴＩ＋）を、第２図に示した
スピンコータのチャック２に設置固定する。 次に、基板７のクロム膜上中心近傍に、ノズル４より粘
度３０（ＣＰ）に溶媒メチルセロソルブアセテート１２
０℃における蒸気圧：２ｍｍＨａ）で調整された上記レ
ジストを滴下し、モータ５により、設定回転数Ｒが９６
０ （ｒｐｍ ） 、この設定回転数に到達した時から
の回転時間Ｔが１４（秒）、ＲＸＴが１３４４０ （ｒ
ｐｍ−秒）で、基板７を回転して、所望するレジスト膜
厚４０００ （入）を得る。この均一化工程において、
回転時間Ｔが１４（秒）である時点での基板７上のレジ
スト８は、第１図（ａ）の平面図及び同図（ｂ）のＸ＋
−Ｘ＋ 断面図に示すように、基板７の極く限られた
周縁部分のみにレジスト溜まり９をとどめ、それ以外の
パターン形成トの有効領域Ｓ３ （本例： １０７ｍ
Ｘ １０７ｍ ） 、内のレジスト１０の膜厚を均一化
させている。 次に、乾燥工程では、前述しＩＣ均一化工程で回転時間
Ｔが１４秒間経過した後、回転数を５０（ｒｏｍ ）に
して１６０秒間回転し、前述した溶媒を揮発させて、レ
ジスト８を乾燥させる。この乾燥工程において、レジス
ト８は、レジスト溜まり９を周縁部分のみにとどめ、か
つレジスト１０の均一化された膜厚（４０００人）をほ
ぼ一定に保持している。 本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小
値と、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基
板、ポジ型電子ビームレジスト及びこのレジスト膜厚（
４０００人）を均一にするために、従来方法により設定
回転数Ｒを１０００ （ｒｐｍ ）、回転時間Ｔを７０
（秒）にして、均一化と共に乾燥を行ったレンズ１〜膜
厚の平均値、最大値及び最小値を表１に示す。なお、レ
ジスト膜厚の測定部は、前述した有効領域Ｓ ｓ （１
０７１０７Ｉ １０７＃ ）とし、膜厚測定機Ｉ ８Ｍ
７８４０ＦＴＡ （インターナショナル・ビジネス・マ
シーンズ・コーポレーション製）で測定した。 表１ 表１に示ず通り、本実施例では、最大値と最小値との差
が９０（入）であり、一方、比較例では前記差が９７０
（人）もあり、本実施例の方が数段、レタスト膜厚の均
一性に優れている。 〔実施例２〕 本実施例では、ネガ型電子ビームレジストであるポリグ
リシジルメタアクリレートの塗布方法を記述する。 先ず、均一化工程を記述する。基板とスピンコータは前
記実施例１と同一であり、本実施例では、基板のクロム
股上に、粘度１５（ＣＰ）に溶媒エチルセロソルブアセ
テート（２０℃にお（プる蒸気圧：１．２ｍｍ１ｌｏ）
で調整された上記レジストを滴下し、設定回転数Ｒが１
１６０ （ｒｏｍ ） 、この設定回転数に到達した時
から回転時間Ｔが６（秒）、ＲＸＴが６９６０ （ｒｐ
ｍ ・秒）で、基板を回転して、所望するレタスト膜厚
６０００ （人）を得る。この均一化工程において、回
転時間Ｔが６（秒）である時点での基板上のレジストは
、第１図（ａ）及び（ｂ）に示したものと同様である。 次に、乾燥工程では、前記実施例１と同様、回転数を５
０（ｒｐｍ）にして、１６０秒間回転して、均一化され
たレジスト膜厚を保持させながら、そのレジストを乾燥
させる。 本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小
値と、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基
板、ネガ型電子ビームレジスト及びこのレジスト膜厚（
６０００人）を均一にするために、従来方法により設定
回転数Ｒを３６００ （ｒｐｍ ）、回転時間Ｔを３０
（秒）にして均一化と共に乾燥を行ったレジスト膜厚の
平均値、最大値及び最小値を表２に示す。なお、レジス
ト膜厚の測定部及び膜厚測定機は前記実施例１と同様で
ある。 表２ 表２に示す通り、本実施例では、最大値と最小値との差
が５０（人）であり、一方、比較例では前記差が２６９
０ （人）もあり、本実施例の方が数段均一性に優れて
いる。 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明によれば、レジスト膜厚の均一な領
域を広くして、かつ基板が矩形状のものであっても実施
可能であることから、特に、フォトマスク製造工程にお
いてパターン線幅制御（いわゆるクリテカル・ディメン
ジョジ制御）の不良を防止することができ、良好なフォ
トマスクを製造することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、本発明のレジスト塗布方法を使用して得たフ
ォトマスク基板を示し、同図（ａ）は平面図及び同図（
ｂ）はＸ＋−Ｘ＋断面図である。第２図はスピンコータ
を示す構造図である。第３図は、従来のレジスト塗布方
法を使用して得たフォトマスク基板を示し、同図（ａ）
は平面図及び同図（ｂ）はＸ３−Ｘ３断面図である。
は従来のレジスト塗布方法によるレジスト膜厚の分布を
示す図である。 第１図 手 続 補 正 書 （自発） 昭和５９年１１月１４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第２３１９３３号２
、発明の名称 レジスト塗布方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１ 置
０３（９５２）１１５１名称 ホ − ヤ 株 式
会 社 （１）明細書全文 （２）図面 ５６補正の内容 （１）明細書全文を別紙の通り訂正する。 明 細 書（全文訂正） １、発明の名称 レジスト塗布方法 ２、特許請求の範囲 （１）基板の薄膜表面上にレジストを滴下し、前記基板
を回転させて所望膜厚のレジストを塗布する方法におい
て、前記所望膜厚に対応した設定回転数と、所定回転時
間と、前記設定回転数と前記所定回転時間の積とを選定
して、前記基板を回転させることにより、前記レジスト
の膜厚を実質的に均一化させる均一化工程と、前記均一
化工程の後に、前記均一化工程の設定回転数よりも低い
回転数で前記基板を回転させて、前記均一化されたレジ
ストを乾燥させる乾燥工程とを含むことを特徴とするレ
ジスト塗布方法。 （２）均一化工程における設定回転数を１００〜６００
０（ｒｐｉ）の範囲内の所定値に選定し、所定回転時間
を前記所定値に到達した時から２０（秒）以下にし、か
つ前記所定値の設定回転数と前記所定回転時間との積を
２４０００ （ｒｌ）Ｉｌｌ ・秒）以下にしているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレジス
ト塗布方法。 （３）均一化工程における設定回転数を２５０〜２００
０（ｒｏｍ）の範囲内の所定値に選定し、乾燥工程にお
ｔづる回転数を１３０ （ｒｌ）ＩＩＩ ）以下に選定
することを特徴とする特許請求の範囲第（１）環８己載
又（ま第（２）項記載のレジスト塗布方法。 （４）レジストの粘度を調整する溶媒の蒸気圧（２０℃
において）が２０（ｖｎ［＋）以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）頂、第（２）項又（ま第（
３）項記載のレジスト塗布方法。 （５）基板の形状が矩形であることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項、第（２）項、第（３）項又ｔま第
（４）項記載のレジスト塗布方法。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばレティクル及びフォトマスク等の製造
に用いられる基板上のＷＪｌｌ＃をノ（ターン形成する
ために、感光性材料としてレジストをその薄膜上に塗布
するレジスト塗布方法に関し、特に、このレジストの膜
厚を均一にするためのレジスト塗布方法に関する。 〔従来の技術と問題点〕 一般にレジスト塗布装置として（よ、第２図にその基本
構造を示す回転塗布装置、０わゆるスピンコータが使用
されている。このスピンコータ（ま、基板１を設置し、
固定するためのチャック２と、レジスト３を滴下するた
めのノズル４と、チャック２を回転させるためのモータ
５と、滴下されたレジスト６が回転中に周辺に飛散する
のを防、＋ｈ ？ｔ−るためのカップ７とから構成され
て（Ｘる。 レジスト塗布方法は、上記したようなスピンツー夕を使
用して行われるが、最近、レジストのｌｔＡ厚を均一化
する方法として、ウェーｌ＼、すなわち円形状の基板を
対象にしたものが提案されて０る（特開昭５８−２０７
６３１号公報）。この提案（ま、円形状基板上に適量の
レジストを滴下し、所望の膜厚に対応した設定回転数（
回転速度）よりイ氏（Ｘ回転数で、円形状基板を所定時
間回転させて、基板全面にレジストを拡げる第１工程と
、次に、前Ｒ己設定回転数より高い回転数で所定時間回
転させて、レジストを短時間で円形状基板の表面、特に
周辺表面から強制的に排出させる第２工程と、その後、
所望の膜厚に対応した設定回転数で所定時間回転さゼて
、レジストの膜厚を均一化する第３工程とから成る。 しかしながら、この提案は、基板形状が円形である場合
に実施可能であるが、矩形である場合には実施困難であ
る。すなわち、矩形状基板の場合、前記第２工程におい
て、内接円周より周辺側の四隅の矩形状基板表面にはレ
ジストが溜まり、このレジストをも強制的に排出する程
の回転数は、この提案の回転数よりも桁違いに高い回転
数に相当し、この時点で所望の膜厚以下になり、次の第
３工程において所望の膜厚を得ることが困難である。 一方、前記第２工程において、円板状基板の場合と同様
な回転数で回転させれば、上記四隅の矩形状基板表面に
レジスト溜まりの発生が余儀なくされ、その部分でのレ
ジスト膜厚の均一化が困難になる。 したがって、矩形状基板に対するレジスト塗布方法とし
て上記提案を実施することが困難であったために、次の
ような従来方法を使用していた。 第２図に示したスピンコータを使用して薄膜を被着した
矩形状基板１をノズル４の方に向りで、この基板１をチ
ャック２に設置固定し、ノズル４よリレシスト３を薄膜
上に滴下する。次に、所望するレジスト膜厚及びレジス
ト粘度により設定された回転数で、モータ５により基板
１を回転させる。 この回転により、レジスト６は基板１Ｌ全面に亘って広
がると共に干渉色が発生し、その干渉色が中心部から周
辺部に向かって移動し、レジスト６が乾燥した時、その
干渉色の移動が停止する。そこで、レジスト６の干渉色
を目視して、レジストが乾燥した時を見計らって、モー
タ５の回転を停止し、レジスト塗布工程を終了する；す
なわち、この従来方法は、レジスト６が乾燥するまで基
板１を設定回転数で所定時間回転させて、レジスト６の
膜１厚を均一にしようとするものであった。 しかしながら、この従来方法では、第３図（ａ）の基板
１の平面図及び同図（ｂ）のＸ３−Ｘ３断面図に示すよ
うに、レジスト６の膜厚が円状領域Ｓ１内においてほぼ
均一であるが、その円状領域Ｓ１より周辺側の四隅領域
Ｓ２においてレジスト６の膜厚が不均一であって、かつ
極端に厚くなっていた。 一方、基板１上のパターン形成のための有効領Ｗｉ Ｓ
３は最近器々広くするよう、例えば図示の有効領域Ｓ
３のように前述した四隅領域ｓ２の部分に亘るまで要求
されているが、この要求の通りの有効領域Ｓ３までレジ
スト６の膜厚を均一化することは困難であった。 〔発明の目的〕 本発明は、上記したような問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の第１の目的はレジスト膜厚の
均一な領域を広くすることのできるレジスト塗布方法を
提供することであり、第２の目的は矩形状基板に対して
も実施可能なレジスト塗布方法を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 このような目的を達成させるために、本発明は、基板の
簿膜表面上にレジストを滴下し、この基板を回転させる
レジスト塗布方法において、所望膜厚に対応した設定回
転数と、所定回転時間と、設定回転数と所定回転時間の
積とを選定して、この基板を回転させることにより、レ
ジスト膜厚を実質的に均一化する均一化工程と、均一化
工程の設定回転数よりも低い回転数で基板を回転させて
均一化されたレジスト膜厚を実質的に変化することなく
、レジストを乾燥する乾燥工程とに分離することを特徴
としている。 均一化工程の実施態様としては、レジストの膜厚及び粘
度を考慮して、基板の設定回転数Ｒを１００〜６０００
（ｒｌ）ｌ ）の範囲内の所定値に選定し、回転時間
Ｔを前記所定値に到達した時から２０（秒）以下にし、
かつ前記所定値の設定回転数Ｒと回転［Ｉ２Ｔ、！：０
）Ｉヲ２４０００（ｒｐｍ ・秒）以下にしている。 ここで、設定回転数Ｒが１００ （ｒｐｍ ）未満であ
ると、基板の薄膜、トに滴下したレジストが均一に周辺
に向かって拡がらず、一方、設定回転数Ｒが６０００
（ｒｐｎ＋ ）を越えると、装置の安全上の問題が生じ
るからである。次に、回転時間■は、基板が回転し始め
て設定回転数Ｒに到達する前の時間であると、所望する
レジスト膜厚を安定して形成することができず、一方、
設定回転数Ｒに到達した時から２０（秒）を越えると、
レジスト膜厚の不均一な周縁部分が薄膜上の周辺から中
心に向かって進行し、レジスト膜厚の均一領域を侵すこ
とになるからである。更に、設定回転数Ｒと回転時間Ｔ
との積が２４０００ （ｒｐｍ ・秒）を越えると、前
述した回転時間Ｔが２０（秒）を越えたのと同様な結果
となる。なお、この均一化工程の設定回転数Ｒは、望ま
しくは２５０〜２０００ （ｒｐｍ ）である。 このような均一化工程の条件内で、後述する実施例１及
び２のレジメ１〜やそれ以外の電子ビームレジスト、フ
ォトレジストなどの感光性材料に適した、設定回転数Ｒ
と、回転時間Ｔと、設定回転数Ｒと回転時間Ｔとの積と
を適宜決定することにより、レジスト膜厚（通常： ２
０００〜２００００ （人））について、その不均一領
域を基板の薄膜上の極く限られた周縁部分に止めて、そ
の均一領域を広くすることができる。なお、後述する実
施例１及び２では、レジストの滴下時において、基板を
停止させているが、設定回転数Ｒ（例えば実施例１にお
いて９６０（ｒｏｍ））より低い回転数で基板を予め回
転させてもよい。 次に、乾燥工程では、均一化されたレジスト膜厚を保持
するために、前述した均一化工程の設定回転数Ｒよりも
低い回転数で基板を回転して、レジストを乾燥させてい
る。この乾燥工程の回転数は、望ましくは１３０ （ｒ
ｏｍ ）以下である。 次に、レジストの粘度を調整する溶媒は、後述する実施
例１及び２に限らず、各レジメ１−に対応した専用溶媒
を使用することができる。そして、溶媒の蒸気圧（２０
℃において）は、望ましくは２゜（’ｍｍＨｇ ）以下
である。ここで、蒸気圧が２０ （ｍｍｔＬｏ ＞を越
えた溶媒（例えばトルエン： ２４ （ｍｍＨ（り ）
では、レジスト表面のうち周辺部分が回転によって発生
する風の影響を最も受けて、その周辺部分がら乾燥し始
めて、粘度が高くなり、その結果、周辺部分のレジスト
が固定化して、設定回転数Ｒに達して、所望なレジスト
膜厚に均一化しようとしても困難となるので、蒸気圧（
２０℃において）２０（ｍｍｌ１ｇ）以下が望ましい。 〔実施例１〕 本実施例では、ポジ型電子ビームレジストであるポリブ
テン−１−スルホンの塗布方法を記述する。 先ず、均一化工程を記述する。ガラス板の表面上に遮光
性薄膜としてクロム膜を被着したクロムマスク基板７
（１２７ｍＸ １２７＃ＩＴＩ＋）を、第２図に示した
スピンコータのチャック２に設置固定する。 次に、基板７のクロム膜上中心近傍に、ノズル４より粘
度３０（ＣＰ）に溶媒メチルセロソルブアセテート１２
０℃における蒸気圧：２ｍｍＨａ）で調整された上記レ
ジストを滴下し、モータ５により、設定回転数Ｒが９６
０ （ｒｐｍ ） 、この設定回転数に到達した時から
の回転時間Ｔが１４（秒）、ＲＸＴが１３４４０ （ｒ
ｐｍ−秒）で、基板７を回転して、所望するレジスト膜
厚４０００ （入）を得る。この均一化工程において、
回転時間Ｔが１４（秒）である時点での基板７上のレジ
スト８は、第１図（ａ）の平面図及び同図（ｂ）のＸ＋
−Ｘ＋ 断面図に示すように、基板７の極く限られた
周縁部分のみにレジスト溜まり９をとどめ、それ以外の
パターン形成トの有効領域Ｓ３ （本例： １０７ｍ
Ｘ １０７ｍ ） 、内のレジスト１０の膜厚を均一化
させている。 次に、乾燥工程では、前述しＩＣ均一化工程で回転時間
Ｔが１４秒間経過した後、回転数を５０（ｒｏｍ ）に
して１６０秒間回転し、前述した溶媒を揮発させて、レ
ジスト８を乾燥させる。この乾燥工程において、レジス
ト８は、レジスト溜まり９を周縁部分のみにとどめ、か
つレジスト１０の均一化された膜厚（４０００人）をほ
ぼ一定に保持している。 本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小
値と、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基
板、ポジ型電子ビームレジスト及びこのレジスト膜厚（
４０００人）を均一にするために、従来方法により設定
回転数Ｒを１０００ （ｒｐｍ ）、回転時間Ｔを７０
（秒）にして、均一化と共に乾燥を行ったレンズ１〜膜
厚の平均値、最大値及び最小値を表１に示す。なお、レ
ジスト膜厚の測定部は、前述した有効領域Ｓ ｓ （１
０７１０７Ｉ １０７＃ ）とし、膜厚測定機Ｉ ８Ｍ
７８４０ＦＴＡ （インターナショナル・ビジネス・マ
シーンズ・コーポレーション製）で測定した。 表１ 表１に示ず通り、本実施例では、最大値と最小値との差
が９０（入）であり、一方、比較例では前記差が９７０
（人）もあり、本実施例の方が数段、レタスト膜厚の均
一性に優れている。 〔実施例２〕 本実施例では、ネガ型電子ビームレジストであるポリグ
リシジルメタアクリレートの塗布方法を記述する。 先ず、均一化工程を記述する。基板とスピンコータは前
記実施例１と同一であり、本実施例では、基板のクロム
股上に、粘度１５（ＣＰ）に溶媒エチルセロソルブアセ
テート（２０℃にお（プる蒸気圧：１．２ｍｍ１ｌｏ）
で調整された上記レジストを滴下し、設定回転数Ｒが１
１６０ （ｒｏｍ ） 、この設定回転数に到達した時
から回転時間Ｔが６（秒）、ＲＸＴが６９６０ （ｒｐ
ｍ ・秒）で、基板を回転して、所望するレタスト膜厚
６０００ （人）を得る。この均一化工程において、回
転時間Ｔが６（秒）である時点での基板上のレジストは
、第１図（ａ）及び（ｂ）に示したものと同様である。 次に、乾燥工程では、前記実施例１と同様、回転数を５
０（ｒｐｍ）にして、１６０秒間回転して、均一化され
たレジスト膜厚を保持させながら、そのレジストを乾燥
させる。 本実施例によるレジスト膜厚の平均値、最大値及び最小
値と、比較例として、本実施例と同様のクロムマスク基
板、ネガ型電子ビームレジスト及びこのレジスト膜厚（
６０００人）を均一にするために、従来方法により設定
回転数Ｒを３６００ （ｒｐｍ ）、回転時間Ｔを３０
（秒）にして均一化と共に乾燥を行ったレジスト膜厚の
平均値、最大値及び最小値を表２に示す。なお、レジス
ト膜厚の測定部及び膜厚測定機は前記実施例１と同様で
ある。 表２ 表２に示す通り、本実施例では、最大値と最小値との差
が５０（人）であり、一方、比較例では前記差が２６９
０ （人）もあり、本実施例の方が数段均一性に優れて
いる。 〔発明の効果〕 以上の通り、本発明によれば、レジスト膜厚の均一な領
域を広くして、かつ基板が矩形状のものであっても実施
可能であることから、特に、フォトマスク製造工程にお
いてパターン線幅制御（いわゆるクリテカル・ディメン
ジョジ制御）の不良を防止することができ、良好なフォ
トマスクを製造することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は、本発明のレジスト塗布方法を使用して得たフ
ォトマスク基板を示し、同図（ａ）は平面図及び同図（
ｂ）はＸ＋−Ｘ＋断面図である。第２図はスピンコータ
を示す構造図である。第３図は、従来のレジスト塗布方
法を使用して得たフォトマスク基板を示し、同図（ａ）
は平面図及び同図（ｂ）はＸ３−Ｘ３断面図である。
Claims (3)
- （１） レティクル及びフォトマスクの製造に用いられ
るフォトマスク基板のパターンを形成される薄膜上に感
光性材料を回転塗布により塗布する方法において、前記
感光性材料を前記薄膜上に滴下し、回転数が１００〜６
． ｏｏｏｒｐｍ、回転時間が前記フォトマスク基板を
回転させて設定した回転数に到達した時から２０秒以下
及び回転数Ｘ回転時間が２４、００Ｏｒｐｍ ・秒以下
で前記感光性材料の膜厚を実質的に均一化する工程を含
むことを特徴とするレジスト塗布方法。 - （２） レティクル及びフォトマスクの製造に用いられ
るフォトマスク基板のパターンを形成される薄膜上に感
光性材料を回転塗布により塗布する方法において、前記
感光性材料を前記薄膜上に滴下し、回転数が１００〜６
．０００ｒｐｍ、回転時間が前記フォトマスク基板を回
転させて設定した回転故に到達した時から２０秒以下及
び回転数×回転時間が２４、 ＯＯＯｒｐｍ ・秒以下
で前記感光性材料の膜厚を実質的に均一化する工程と、
前記膜厚を均一化した後、前記フォトマスク基板を回転
数５０Ｏｒｐｍ以下及び前記膜厚を均一化した工程での
回転数以下で回転し、前記感光性材料を乾燥する工程と
を含むことを特徴とするレジスト塗布方法。 - （３） 特許請求の範囲第（１）項又は第（２）項記載
において、感光性材料の粘度を調整する溶媒が蒸気圧２
０１１１１Ｈ（ｌ以下の溶媒であることを特徴とするレ
ジスト塗布方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231933A JPS60123031A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | レジスト塗布方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58231933A JPS60123031A (ja) | 1983-12-08 | 1983-12-08 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
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|---|---|
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| JPH0429215B2 JPH0429215B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040770A (ja) * | 2003-09-29 | 2011-02-24 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4950579A (en) * | 1988-07-08 | 1990-08-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Optical disc recording medium having a microstructure-derived inhomogeneity or anisotropy |
| DE3837827A1 (de) * | 1988-11-08 | 1990-05-10 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren und vorrichtung zum beschichten einer substratplatte fuer einen flachen anzeigeschirm |
| US5294257A (en) * | 1991-10-28 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Edge masking spin tool |
| JP3280791B2 (ja) * | 1994-02-17 | 2002-05-13 | 東京応化工業株式会社 | 塗膜形成方法 |
| JP3824334B2 (ja) | 1995-08-07 | 2006-09-20 | 東京応化工業株式会社 | シリカ系被膜形成用塗布液及び被膜形成方法 |
| US6379744B1 (en) * | 1996-02-05 | 2002-04-30 | Motorola, Inc. | Method for coating an integrated circuit substrate |
| TW344097B (en) * | 1996-04-09 | 1998-11-01 | Tokyo Electron Co Ltd | Photoresist treating device of substrate and photoresist treating method |
| US5773083A (en) * | 1996-08-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Method for coating a substrate with a coating solution |
| US5985363A (en) * | 1997-03-10 | 1999-11-16 | Vanguard International Semiconductor | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions |
| US5912049A (en) * | 1997-08-12 | 1999-06-15 | Micron Technology, Inc. | Process liquid dispense method and apparatus |
| US6177133B1 (en) | 1997-12-10 | 2001-01-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method and apparatus for adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
| JP2000082647A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | レジスト膜の塗布方法及び塗布装置 |
| US6391800B1 (en) | 1999-11-12 | 2002-05-21 | Motorola, Inc. | Method for patterning a substrate with photoresist |
| AU2027701A (en) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Seng-Lim Kim | Waste combustion furnace by jangbochungsang and method thereof |
| JP4118585B2 (ja) * | 2002-04-03 | 2008-07-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法 |
| JP3890026B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2007-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
| US20060251809A1 (en) * | 2003-03-28 | 2006-11-09 | Mitsuaki Hata | Method of manufacturing mask blank |
| US9104107B1 (en) | 2013-04-03 | 2015-08-11 | Western Digital (Fremont), Llc | DUV photoresist process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5530212A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Hitachi Ltd | Logical-operation type digital compander |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5226214A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-26 | Hitachi Ltd | Method for coating resist |
| JPS5819350B2 (ja) * | 1976-04-08 | 1983-04-18 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
| JPS6053675B2 (ja) * | 1978-09-20 | 1985-11-27 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
| JPS5750573A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Method for coating resist |
| SE514737C2 (sv) * | 1994-03-22 | 2001-04-09 | Sandvik Ab | Belagt skärverktyg av hårdmetall |
-
1983
- 1983-12-08 JP JP58231933A patent/JPS60123031A/ja active Granted
-
1984
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- 1984-12-08 KR KR1019840007779A patent/KR910000275B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5530212A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-04 | Hitachi Ltd | Logical-operation type digital compander |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011040770A (ja) * | 2003-09-29 | 2011-02-24 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4748053A (en) | 1988-05-31 |
| JPH0429215B2 (ja) | 1992-05-18 |
| CH663912A5 (de) | 1988-01-29 |
| KR850005097A (ko) | 1985-08-21 |
| KR910000275B1 (ko) | 1991-01-23 |
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