JPH0745498A - 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 - Google Patents
反射および干渉防止樹脂膜の形成方法Info
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- JPH0745498A JPH0745498A JP18455893A JP18455893A JPH0745498A JP H0745498 A JPH0745498 A JP H0745498A JP 18455893 A JP18455893 A JP 18455893A JP 18455893 A JP18455893 A JP 18455893A JP H0745498 A JPH0745498 A JP H0745498A
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- resin film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】反射および干渉防止樹脂膜を高い膜厚精度で成
膜する。 【構成】半導体ウエハ１の中央部と周辺部とに、互いに
異なる濃度もしくは粘度の反射および干渉防止樹脂膜の
材料液をそれぞれ滴下した後、この半導体ウエハを回転
させる。
膜する。 【構成】半導体ウエハ１の中央部と周辺部とに、互いに
異なる濃度もしくは粘度の反射および干渉防止樹脂膜の
材料液をそれぞれ滴下した後、この半導体ウエハを回転
させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造するリ
ソグラフィ−工程における反射および干渉防止樹脂膜の
形成方法に関する。
ソグラフィ−工程における反射および干渉防止樹脂膜の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂を用いた反射防止膜は、膜中に発生
する光の干渉により半導体基板側からの反射光を低下さ
せることができる。また、樹脂を用いた干渉防止膜は、
膜中に発生する光の干渉により感光性樹脂膜（レジス
ト）内に発生する多重干渉効果を低下させることができ
る。このプロセスは例えば、トップアンチリフレクター
プロセスである。
する光の干渉により半導体基板側からの反射光を低下さ
せることができる。また、樹脂を用いた干渉防止膜は、
膜中に発生する光の干渉により感光性樹脂膜（レジス
ト）内に発生する多重干渉効果を低下させることができ
る。このプロセスは例えば、トップアンチリフレクター
プロセスである。
【０００３】これらのプロセスが近年注目されて来たの
は、次に挙げる理由による。
は、次に挙げる理由による。
【０００４】（１）：露光光がｉ線（３６５ｎｍ）から
エキシマレーザー光（２４８ｎｍ）となり、感光性樹脂
膜内の干渉の影響が大きくなり、感光性樹脂膜の膜厚の
変動に対するパターン寸法の変化が無視できないほど大
きくなってきた。
エキシマレーザー光（２４８ｎｍ）となり、感光性樹脂
膜内の干渉の影響が大きくなり、感光性樹脂膜の膜厚の
変動に対するパターン寸法の変化が無視できないほど大
きくなってきた。
【０００５】（２）：パターンの微細化により、反射に
よるパターン形状のくずれが無視できなくなってきた。
よるパターン形状のくずれが無視できなくなってきた。
【０００６】しかしながら反射防止膜および干渉防止膜
は、どちらの膜においてもその膜内で位相を１８０度ず
らさなくてはならないため、きびしい膜厚制御が必要と
なる。干渉防止膜を例にとると、膜厚は次の式（１）の
通りでなければならない。
は、どちらの膜においてもその膜内で位相を１８０度ず
らさなくてはならないため、きびしい膜厚制御が必要と
なる。干渉防止膜を例にとると、膜厚は次の式（１）の
通りでなければならない。
【０００７】
【０００８】例えば、ｉ線リソグラフィ−においては、
λ＝３６５ｎｍ：Ｎ＝１．４７（ＰＶＡの場合）：ｎ＝
１とすると、ｄ＝６２ｎｍとなり、干渉防止膜の膜厚は
６２ｎｍで５％以内の膜厚変動となるように制御しなく
てはならない。すなわち、位相が１８０度となる条件か
ら膜厚が５％より大きくずれた場合、その効果は得られ
ない。
λ＝３６５ｎｍ：Ｎ＝１．４７（ＰＶＡの場合）：ｎ＝
１とすると、ｄ＝６２ｎｍとなり、干渉防止膜の膜厚は
６２ｎｍで５％以内の膜厚変動となるように制御しなく
てはならない。すなわち、位相が１８０度となる条件か
ら膜厚が５％より大きくずれた場合、その効果は得られ
ない。
【０００９】現在、反射防止および干渉防止樹脂膜は、
感光性樹脂膜と同様な回転塗布法により成膜される。
感光性樹脂膜と同様な回転塗布法により成膜される。
【００１０】図６は従来より用いられていた方法を示す
概略図であり、スピンチャック２上に搭載された半導体
ウエハ（半導体基板）１の中央部の上方のノズル４から
反射防止および干渉防止樹脂膜の材料液を滴下させ、ス
ピンチャックとともに半導体ウエハを回転させてこの材
料液を塗布している。
概略図であり、スピンチャック２上に搭載された半導体
ウエハ（半導体基板）１の中央部の上方のノズル４から
反射防止および干渉防止樹脂膜の材料液を滴下させ、ス
ピンチャックとともに半導体ウエハを回転させてこの材
料液を塗布している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記方法
で塗布して形成した反射防止および干渉防止樹脂膜
は、、図７の膜厚分布図に示すように、半導体ウエハ全
面で膜厚変動幅が２５％にも達し、上記した５％以内の
膜厚均一性を満足することはできない。
で塗布して形成した反射防止および干渉防止樹脂膜
は、、図７の膜厚分布図に示すように、半導体ウエハ全
面で膜厚変動幅が２５％にも達し、上記した５％以内の
膜厚均一性を満足することはできない。
【００１２】一方、感光性樹脂膜を形成する塗布におい
てはその膜厚をなるべく均一にするために種々の試みが
なされている。しかしながら感光性樹脂膜と本発明が対
象としている反射防止および干渉防止樹脂膜とでは、膜
の厚さやその粘度また要求される均一性の程度が全く異
なるから、感光性樹脂膜を形成する塗布技術は適用でき
ない。すなわち、感光性樹脂膜の標準的膜厚は７００〜
２０００ｎｍであるが、反射防止および干渉防止樹脂膜
の標準的膜厚は６０〜１００ｎｍである。またスピンコ
ートで塗布する感光性樹脂膜材の粘度と反射防止および
干渉防止樹脂膜材の粘度とは極端に異なり、反射防止お
よび干渉防止樹脂膜に要求される成膜の精度、均一性は
非常に厳しくなる。すなわち上記したように反射防止お
よび干渉防止樹脂膜は、膜内を通過する露光光の位相を
１８０度遅らせる必要があるから、ウエハ面内での膜厚
変動を５％以内にしなくてはならない。
てはその膜厚をなるべく均一にするために種々の試みが
なされている。しかしながら感光性樹脂膜と本発明が対
象としている反射防止および干渉防止樹脂膜とでは、膜
の厚さやその粘度また要求される均一性の程度が全く異
なるから、感光性樹脂膜を形成する塗布技術は適用でき
ない。すなわち、感光性樹脂膜の標準的膜厚は７００〜
２０００ｎｍであるが、反射防止および干渉防止樹脂膜
の標準的膜厚は６０〜１００ｎｍである。またスピンコ
ートで塗布する感光性樹脂膜材の粘度と反射防止および
干渉防止樹脂膜材の粘度とは極端に異なり、反射防止お
よび干渉防止樹脂膜に要求される成膜の精度、均一性は
非常に厳しくなる。すなわち上記したように反射防止お
よび干渉防止樹脂膜は、膜内を通過する露光光の位相を
１８０度遅らせる必要があるから、ウエハ面内での膜厚
変動を５％以内にしなくてはならない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
装置を製造するリソグラフィ−工程において、半導体基
板と感光性樹脂膜との間あるいは感光性樹脂膜上に成膜
して露光光の反射および干渉を防止する反射および干渉
防止樹脂膜の形成方法において、半導体ウエハ上にノズ
ルから前記膜を構成する材料液を滴下し前記半導体ウエ
ハを回転させて前記材料液を塗布するに際し、前記半導
体ウエハの中心部と周辺部とには互いに濃度もしくは粘
度が異なる材料液を滴下する反射および干渉防止樹脂膜
の形成方法にある。
装置を製造するリソグラフィ−工程において、半導体基
板と感光性樹脂膜との間あるいは感光性樹脂膜上に成膜
して露光光の反射および干渉を防止する反射および干渉
防止樹脂膜の形成方法において、半導体ウエハ上にノズ
ルから前記膜を構成する材料液を滴下し前記半導体ウエ
ハを回転させて前記材料液を塗布するに際し、前記半導
体ウエハの中心部と周辺部とには互いに濃度もしくは粘
度が異なる材料液を滴下する反射および干渉防止樹脂膜
の形成方法にある。
【００１４】
【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。
【００１５】図１は本発明の実施例における反射および
干渉防止樹脂膜の形成方法においてその塗布方法を示す
図であり、スピンチャック２上に直径６インチの半導体
ウエハ１を搭載し、その中心部３ａ’の上方にノズル３
ａを配設し、４箇所の周辺部３ｂ’，３ｃ’，３ｄ’，
３ｅ’のそれぞれの上方にノズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅを配設する（尚、ノズル３ｄ，３ｅは図示省略）。ま
た、中心部のノズル３ａから周辺部のノズル３ｂ，３
ｃ，３ｄ，３ｅはそれぞれ３．５ｃｍ離間している。
干渉防止樹脂膜の形成方法においてその塗布方法を示す
図であり、スピンチャック２上に直径６インチの半導体
ウエハ１を搭載し、その中心部３ａ’の上方にノズル３
ａを配設し、４箇所の周辺部３ｂ’，３ｃ’，３ｄ’，
３ｅ’のそれぞれの上方にノズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅを配設する（尚、ノズル３ｄ，３ｅは図示省略）。ま
た、中心部のノズル３ａから周辺部のノズル３ｂ，３
ｃ，３ｄ，３ｅはそれぞれ３．５ｃｍ離間している。
【００１６】反射および干渉防止樹脂膜をＰＶＡ（ポリ
ビニ−ルアルコール）を用いる場合、濃度１．５％のＰ
ＶＡ液（水を溶媒とし、それに１．５ｗｔ％のＰＶＡを
溶質として混合した溶液）を材料液Ａとし、濃度２．０
％のＰＶＡ液（水を溶媒とし、それに２．０ｗｔ％のＰ
ＶＡを溶質として混合した溶液）を材料液Ｂとして用意
する。この材料液Ａの粘度は約１ｃｐであり、材料液Ｂ
の粘度はこれより大である。
ビニ−ルアルコール）を用いる場合、濃度１．５％のＰ
ＶＡ液（水を溶媒とし、それに１．５ｗｔ％のＰＶＡを
溶質として混合した溶液）を材料液Ａとし、濃度２．０
％のＰＶＡ液（水を溶媒とし、それに２．０ｗｔ％のＰ
ＶＡを溶質として混合した溶液）を材料液Ｂとして用意
する。この材料液Ａの粘度は約１ｃｐであり、材料液Ｂ
の粘度はこれより大である。
【００１７】この材料液Ａをノズル３ａから半導体ウエ
ハの中心部３ａ’に滴下し、材料液Ａより濃度および粘
度が大きい材料液Ｂをノズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅか
ら半導体ウエハの周辺部３ｂ’，３ｃ’，３ｄ’，３
ｅ’にそれぞれ滴下する。滴下後、半導体ウエハを５０
０ｒｐｍの回転数で１０秒間回転させ引き続き２０００
ｒｐｍの回転数で２０秒間回転させて塗布を完了する。
ハの中心部３ａ’に滴下し、材料液Ａより濃度および粘
度が大きい材料液Ｂをノズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅか
ら半導体ウエハの周辺部３ｂ’，３ｃ’，３ｄ’，３
ｅ’にそれぞれ滴下する。滴下後、半導体ウエハを５０
０ｒｐｍの回転数で１０秒間回転させ引き続き２０００
ｒｐｍの回転数で２０秒間回転させて塗布を完了する。
【００１８】このような塗布が行われた半導体ウエハを
１００℃、６０秒間ホットプレートでベークすることに
より、図２に示すように半導体ウエハの中心部から周辺
部にかけて膜厚変動が５％以内の膜厚均一性の良好な反
射および干渉防止樹脂膜が得られた。
１００℃、６０秒間ホットプレートでベークすることに
より、図２に示すように半導体ウエハの中心部から周辺
部にかけて膜厚変動が５％以内の膜厚均一性の良好な反
射および干渉防止樹脂膜が得られた。
【００１９】図３は中央部に滴下するノズル３ａからの
材料液の濃度を１．５％に固定し、周辺部に滴下するノ
ズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅからの材料液の濃度を変更
した場合の膜厚変動を示すグラフである。尚、他の条件
は上記実施例と同じである。周辺部が中央部と同じ濃度
１．５％の場合、図７の従来技術と同様に膜厚変動は２
５％となる。周辺部の濃度１．７５％のとき膜厚変動は
約１０％と減小され、さらに周辺部の濃度が実施例の
２．０％のときに膜厚変動は最小となり、この濃度２．
０％を中心に膜厚変動が５％以下となる濃度範囲が存在
する。そして逆に濃度をさらに２．２５％とすると膜厚
変動は１０％となった。
材料液の濃度を１．５％に固定し、周辺部に滴下するノ
ズル３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅからの材料液の濃度を変更
した場合の膜厚変動を示すグラフである。尚、他の条件
は上記実施例と同じである。周辺部が中央部と同じ濃度
１．５％の場合、図７の従来技術と同様に膜厚変動は２
５％となる。周辺部の濃度１．７５％のとき膜厚変動は
約１０％と減小され、さらに周辺部の濃度が実施例の
２．０％のときに膜厚変動は最小となり、この濃度２．
０％を中心に膜厚変動が５％以下となる濃度範囲が存在
する。そして逆に濃度をさらに２．２５％とすると膜厚
変動は１０％となった。
【００２０】図４は本発明を干渉防止膜の形成に用いた
例を工程順に示した断面図である。所定の不純物領域を
形成し必要な下層配線構造等形成した半導体基板１１上
の全面にアルミ膜１２を堆積した半導体ウエハ１をフォ
トリソグラフィ−工程により、このアルミ膜１２をパタ
ーニングしてアルミ配線を形成する場合、アルミ膜１２
上に感光性樹脂膜（レジスト）６をスピンコート法で塗
布形成し、その上に図１で説明した本発明の方法でＰＶ
Ａ溶液７’（材料液Ａおよび材料液Ｂ）を塗布し
（Ａ）、ベークすることにより膜厚均一性の良いＰＶＡ
膜７を形成する（Ｂ）。次に、ＰＶＡ膜７を通して感光
性樹脂膜６の選択領域に露光光８が照射する（Ｃ）が、
この際にＰＶＡ膜は干渉防止樹脂膜７として作用する。
そして現像により感光性樹脂膜６からレジストマスク１
６が形成され、ＰＶＡ膜７はこの現像の際に除去される
（Ｄ）。その後、レジストマスク１６をマスクにしてア
ルミ膜１２をエッチングしてアルミ配線をパターニング
形成する。
例を工程順に示した断面図である。所定の不純物領域を
形成し必要な下層配線構造等形成した半導体基板１１上
の全面にアルミ膜１２を堆積した半導体ウエハ１をフォ
トリソグラフィ−工程により、このアルミ膜１２をパタ
ーニングしてアルミ配線を形成する場合、アルミ膜１２
上に感光性樹脂膜（レジスト）６をスピンコート法で塗
布形成し、その上に図１で説明した本発明の方法でＰＶ
Ａ溶液７’（材料液Ａおよび材料液Ｂ）を塗布し
（Ａ）、ベークすることにより膜厚均一性の良いＰＶＡ
膜７を形成する（Ｂ）。次に、ＰＶＡ膜７を通して感光
性樹脂膜６の選択領域に露光光８が照射する（Ｃ）が、
この際にＰＶＡ膜は干渉防止樹脂膜７として作用する。
そして現像により感光性樹脂膜６からレジストマスク１
６が形成され、ＰＶＡ膜７はこの現像の際に除去される
（Ｄ）。その後、レジストマスク１６をマスクにしてア
ルミ膜１２をエッチングしてアルミ配線をパターニング
形成する。
【００２１】図５は本発明を反射防止膜の形成に用いた
例を工程順に示した断面図である。所定の不純物領域を
形成し必要な下層配線構造等形成した半導体基板１１上
の全面にアルミ膜１２を堆積した半導体ウエハ１をフォ
トリソグラフィ−工程により、このアルミ膜１２をパタ
ーニングしてアルミ配線を形成する場合、アルミ膜１２
上にに図１で説明した本発明の方法でＰＶＡ溶液７’
（材料液Ａおよび材料液Ｂ）を塗布し（Ａ）、ベークす
ることにより膜厚均一性の良いＰＶＡ膜７を形成する
（Ｂ）。次にＰＶＡ膜７上に感光性樹脂膜（レジスト）
６をスピンコート法で塗布形成し、感光性樹脂膜６の選
択領域に露光光８が照射する（Ｃ）が、この際にＰＶＡ
膜は反射防止樹脂膜７として作用する。そして現像によ
り感光性樹脂膜６からレジストマスク１６が形成され、
レジストマスク１６下以外の露出するＰＶＡ膜７の部分
はこの現像の際に除去される（Ｄ）。その後、レジスト
マスク１６をマスクにしてアルミ膜１２をエッチングし
てアルミ配線をパターニング形成する。
例を工程順に示した断面図である。所定の不純物領域を
形成し必要な下層配線構造等形成した半導体基板１１上
の全面にアルミ膜１２を堆積した半導体ウエハ１をフォ
トリソグラフィ−工程により、このアルミ膜１２をパタ
ーニングしてアルミ配線を形成する場合、アルミ膜１２
上にに図１で説明した本発明の方法でＰＶＡ溶液７’
（材料液Ａおよび材料液Ｂ）を塗布し（Ａ）、ベークす
ることにより膜厚均一性の良いＰＶＡ膜７を形成する
（Ｂ）。次にＰＶＡ膜７上に感光性樹脂膜（レジスト）
６をスピンコート法で塗布形成し、感光性樹脂膜６の選
択領域に露光光８が照射する（Ｃ）が、この際にＰＶＡ
膜は反射防止樹脂膜７として作用する。そして現像によ
り感光性樹脂膜６からレジストマスク１６が形成され、
レジストマスク１６下以外の露出するＰＶＡ膜７の部分
はこの現像の際に除去される（Ｄ）。その後、レジスト
マスク１６をマスクにしてアルミ膜１２をエッチングし
てアルミ配線をパターニング形成する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウエハの中央部と周辺部とに互いに異なる濃度もし
くは粘度の反射および干渉防止樹脂膜の材料液を滴下し
て塗布することで、膜厚変動５％以内の反射および干渉
防止樹脂膜を成膜することができる。
導体ウエハの中央部と周辺部とに互いに異なる濃度もし
くは粘度の反射および干渉防止樹脂膜の材料液を滴下し
て塗布することで、膜厚変動５％以内の反射および干渉
防止樹脂膜を成膜することができる。
【図１】本発明の実施例を説明する図であり、（Ａ）は
断面図、（Ｂ）は半導体ウエハの平面図である。
断面図、（Ｂ）は半導体ウエハの平面図である。
【図２】本発明の実施例の方法により得られた反射およ
び干渉防止樹脂膜の膜厚変動を示す図である。
び干渉防止樹脂膜の膜厚変動を示す図である。
【図３】半導体ウエハの中央部に滴下する材料液の濃度
を一定とし、周辺部に滴下する材料液の濃度を変化させ
た場合の反射および干渉防止樹脂膜の膜厚変動の変化を
示す図である。
を一定とし、周辺部に滴下する材料液の濃度を変化させ
た場合の反射および干渉防止樹脂膜の膜厚変動の変化を
示す図である。
【図４】本発明の実施例によるＰＶＡ膜を干渉防止樹脂
膜として用いた例を示す断面図である。
膜として用いた例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例によるＰＶＡ膜を反射防止樹脂
膜として用いた例を示す断面図である。
膜として用いた例を示す断面図である。
【図６】従来技術を説明する図である。
【図７】従来技術による反射および干渉防止樹脂膜の膜
厚変動を示す図である。
厚変動を示す図である。
１ 半導体ウエハ ２ スピンチャック ３，４ 滴下用ノズル ６ 感光性樹脂膜（レジスト） ７ ＰＶＡ膜 ７’ ＰＶＡ溶液 ８ 露光光 １１ 半導体基板 １２ アルミ膜 １６ レジストマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ０５Ｃ 5/00 １０１ 9045−4Ｄ 11/08 6804−4Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置を製造するリソグラフィ−工
程において、半導体基板と感光性樹脂膜との間あるいは
感光性樹脂膜上に成膜して露光光の反射および干渉を防
止する反射および干渉防止樹脂膜の形成方法において、
半導体ウエハ上にノズルから前記膜を構成する材料液を
滴下し前記半導体ウエハを回転させて前記材料液を塗布
するに際し、前記半導体ウエハの中心部と周辺部とには
互いに濃度もしくは粘度が異なる材料液を滴下すること
を特徴とする反射および干渉防止樹脂膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記半導体ウエハの中心部に滴下する前
記材料液の濃度もしくは粘度より前記半導体ウエハの周
辺部に滴下する前記材料液の濃度もしくは粘度が大であ
ることを特徴とする請求項１に記載の反射および干渉防
止樹脂膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記半導体ウエハの中心部の上方と周辺
部の上方とにそれぞれノズルを載置し、それぞれのノズ
ルから濃度もしくは粘度が互いに異なる材料液を滴下す
ることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の
反射および干渉防止樹脂膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184558A JP2586383B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5184558A JP2586383B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745498A true JPH0745498A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2586383B2 JP2586383B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16155311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5184558A Expired - Fee Related JP2586383B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586383B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264191B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet discharging apparatus and a sheet discharging method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238050A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | Nec Corp | 塗布方法 |
| JPH04254327A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体製造方法 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP5184558A patent/JP2586383B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238050A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | Nec Corp | 塗布方法 |
| JPH04254327A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264191B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-07-24 | Ricoh Company, Ltd. | Sheet discharging apparatus and a sheet discharging method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586383B2 (ja) | 1997-02-26 |
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