JPH04254327A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
- Publication number
- JPH04254327A JPH04254327A JP3195025A JP19502591A JPH04254327A JP H04254327 A JPH04254327 A JP H04254327A JP 3195025 A JP3195025 A JP 3195025A JP 19502591 A JP19502591 A JP 19502591A JP H04254327 A JPH04254327 A JP H04254327A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- photoresist
- layer
- organic material
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 28
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 28
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001744 Polyaldehyde Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVKCTCWYHGXELK-UHFFFAOYSA-N 1-azido-4-(4-azidophenoxy)benzene Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1OC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 BVKCTCWYHGXELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000276 deep-ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- -1 poly(methyl) Polymers 0.000 description 1
- 239000012704 polymeric precursor Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/948—Radiation resist
- Y10S438/952—Utilizing antireflective layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
による半導体製造方法に係り、特に遠紫外化学線を使用
することにより1ミクロン以下の構造を決定する半導体
製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】集積回路のような半導体素子の製造工程
には、ホトリソグラフィーマスキングおよびエッチング
により半導体基板上に導体パターンを形成するステップ
がある。このステップにおいて、金属層上のホトレジス
ト層は、所望の導体パターンを決定するマスクを通して
導かれる化学線によって選択的に露光される。 【0003】ホトレジスト層の現像後、このホトレジス
ト層は所望の導体パターンを決定する開口部を有するマ
スクを構成し、このマスクは金属層の露光部分の選択的
なエッチングを可能にし、基板上に所望の導体パターン
を形成するために使用される。通常、エッチングはプラ
ズマエッチング反応器内で行われ、イオンのプラズマが
露光された金属部分と反応し、その部分を除去する。 【0004】回路密度の増加傾向は、ホトレジストの露
光に短波長の化学線の使用を必要とし、表面配置のさら
に高度な制御を必要とする。また、化学線のスプリアス
反射を実質的に除去することも必要となる。遠紫外光は
、サブミクロンの許容差での決定を可能とするために十
分短い波長を有する。 【0005】一方、多くの基板は、より長い波長の光に
比べて遠紫外光を多く反射する。従って、この反射によ
るホトレジストの露光を防ぐために、反射防止被膜が金
属層とホトレジスト層との間に設けられる。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかし、反射防止被膜
を設けると、金属層のエッチングに先立って反射防止被
膜を除去する別個のステップが必要となる。半導体素子
の製造業界は非常に競争的であり、必要な製造工程の数
を減らすことが非常に重要である。また、サブミクロン
の許容差で形成されるパターンの再現性を増すことも重
要である。本発明は、金属層のエッチングに先立って反
射防止被膜を除去する別個のステップを必要とせず、全
体として処理ステップの数が減少できる半導体製造方法
を提供することを目的とする。 【0007】 【課題を解決するための手段】本発明では、ホトリソグ
ラフィー法の反射防止被膜として遠紫外化学線の吸光度
が高く、下の金属層と共にプラズマエッチングされ得る
有機材料を使用する。ホトレジスト層が付着されるべき
反射防止被膜の表面は平面化される。 【0008】表面の平面化を行うために、基板表面の不
均一による最も高い部分よりも厚くなるように基板を回
転しながら流体状の有機材料を基板上に付着する。その
後、反射防止被膜を硬化させる。この平面状の表面上に
ホトレジスト材料を回転しながら付着させることにより
、ホトレジスト層を形成する。このようにして、ホトレ
ジスト層は平面化され、微細な遠紫外線リソグラフィー
に要求される均一な厚みを有するように形成される。 【0009】反射防止被膜として付着される流体は、硬
化することによりポリマー層を形成するポリマー先駆物
質、または液体キャリヤに溶解し、液体キャリヤの蒸発
により硬化するポリマーが使用される。下の金属層と同
時にプラズマエッチングされ得る適当な材料としていく
つかの材料が考えられる。なお、本発明の方法は、酸化
ケイ素のような非金属層をプラズマエッチングする場合
にも有用である。 【0010】 【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。まず、半導体基板12上に、二酸化ケイ素のよ
うな材料からなる絶縁層13により基板から絶縁されて
、導電性の金属フィルム11が設けられる。以下の一連
のステップにより、この金属フィルム11上に所定の導
体パターンが形成されることになる。 【0011】図1中のステップ15において、金属フィ
ルム11の上側の表面上に反射防止被膜(ARC)を回
転しながら付着させる。すなわち表面上に流体の反射防
止被膜を付着し、次に基板を回転させることにより流体
を金属フィルム11上に広げる。図2において、金属フ
ィルム11の表面上に広げられた反射防止被膜16は、
結果として少なくとも金属フィルム11の表面上の不整
の最も高い部分より厚く、望ましくはその3倍の厚さと
なるように十分な粘度と十分な厚さとを有するものであ
る。 【0012】後述するように、これらの要求を満たすた
めにポリマー先駆物質または液体キャリヤに溶解された
ポリマーが使用される。表面不整17は半導体基板12
の表面上の不整に起因するものであり、絶縁層13、金
属フィルム11がその不整に従って形成されるため金属
フィルム11の上側の表面上に現れるものである。 【0013】図1中のステップ18では、反射防止被膜
16を定着および硬化させる。流体の反射防止被膜16
がポリマー先駆物質の場合、硬化は重合により行われ、
流体の反射防止被膜16が液体キャリヤに溶解されたポ
リマーの場合、硬化は液体キャリヤの蒸発によって行わ
れる。この結果図2に示すように、反射防止被膜16の
上表面19は平面となる。 【0014】図1中のステップ20では、上表面19を
ホトレジスト層で被覆する。反射防止被膜の場合と同様
に回転によって、ホトレジスト層が付着され広げられて
図3に示されるようなホトレジスト層21となる。反射
防止被膜16の上側の表面が平面化されていることによ
り、遠紫外光、すなわち非常に短波長の光による正確な
選択的露光に望ましい非常に均一な厚さを有し、かつ非
常に平面的な上表面を有するホトレジスト層21を得る
ことが可能となる。 【0015】図1中のステップ23では、ホトレジスト
層21を遠紫外光で選択的に露光する。図4に示すよう
に、ホトレジスト層21は、マスク25の開口部を通過
した遠紫外光24で露光される。このホトレジスト層2
1を現像することにより、金属フィルム11に形成され
るべき所望のパターンを決定する開口部27がホトレジ
スト層21に形成される。 【0016】図1中のステップ29では、反射防止被膜
16と金属フィルム11とが同時にプラズマエッチング
される。一般に、アルミニウムのような金属を異方性的
にエッチングするために、ハロゲン化合物のプラズマが
使用される。 【0017】プラズマエッチングは、気体CF4または
CCl4のような反応性ガスを電気的にイオン化するこ
とによってプラズマを生成する反応器内に基板を設置し
て行われる。この反応器としては、カリフォルニア州サ
ンタクララのアプライド・マテリアルズ・コーポレーシ
ョン(AppliedMaterials Corpo
ration )から市販されているモデル5000反
応器等がある。 【0018】図5において、反射防止被膜16はハロゲ
ンプラズマと反応する性質があるため、アルミニウム導
体からなる金属フィルム11と共にエッチングされる。 パターンが描かれたホトレジスト層21はこのプラズマ
によってはエッチングされず、従って反射防止被膜16
と金属フィルム11の両者のエッチングパターンを決定
するマスクを構成する。プラズマエッチングの後、ホト
レジスト層21及び反射防止被膜16がエッチングによ
って除去され、パターンの描かれた導電性の金属フィル
ム11が残る。 【0019】反射防止被膜16としては、クロロベンゼ
ンに溶解されたポリブチルスルホンが使用できる。また
、この反射防止被膜16は、250ナノメーター乃至2
80ナノメーターの範囲の波長において高い吸光率を示
す染料またはビス(4ーアジドフェニル)エーテルのよ
うな紫外線吸収物質を含有する。一般に、遠紫外光とは
、波長が約300ナノメーターより短い光である。化学
線は、反射防止被膜16の吸収バンドに一致する波長の
ものが使用される。 【0020】また、流体の反射防止被膜として、ポリス
ルホンまたはポリアルデヒドの液体先駆物質を使用でき
る。図1中のステップ20の硬化は、先駆物質の重合に
よって行われる。これらの材料は、ハロゲンプラズマエ
ッチングに対する耐性が低いことが知られており、熱的
または光化学的に重合され得る。 【0021】もう一つの使用可能な反射防止被膜樹脂は
ポリ(メチル)ペンテンスルホンである。これは化学的
にポリブチルスルホンに類似しており、プラズマ雰囲気
下において不安定であり、プラズマエッチングによりエ
ッチングされる。 【0022】本発明は、上述したようなアルミニウム導
体フィルムのリソグラフィーにおいて特に有用であるが
、二酸化ケイ素のような非金属フィルムのパターンニン
グにも使用可能であり、二酸化ケイ素のエッチングにも
プラズマが使用できる。反射防止被膜は当然に化学線を
吸収すべきものであるが、このために上述した以外の種
々の追加が成される可能性がある。しかし、反射防止被
膜に使用される材料が本質的に十分な吸光性を有するも
のであれば追加の必要はない。 【0023】 【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ホ
トリソグラフィー法の反射防止被膜として、遠紫外化学
線の吸光度が高く、ハロゲンプラズマと反応する性質を
有する有機材料層を使用することにより、反射防止被膜
と金属層が同時にプラズマエッチングされるので、金属
層のエッチングに先立って反射防止被膜を除去する従来
の別個のステップを必要とせず、全体として処理ステッ
プの数が減少する。
。
が形成された半導体基板を示す断面図である。
成された半導体基板を示す断面図である。
層が露光された半導体基板を示す断面図である。
のパターンが形成された半導体基板を示す断面図である
。
Claims (7)
- 【請求項1】 基板表面上に第一の層を形成するステ
ップと、第一の層を反射防止被膜で被覆するステップと
、反射防止被膜をホトレジスト被膜で被覆するステップ
と、反射防止被膜により実質的に反射されない遠紫外化
学線で前記ホトレジスト被膜を露光するステップと、ホ
トレジスト被膜を現像してホトレジスト被膜パターンを
形成するステップと、ホトレジスト被膜パターンを半導
体素子の一部分の決定に使用するステップとからなる半
導体製造方法において、前記反射防止被膜は有機材料か
らなり、この有機材料の基板上への被覆は、流体状態で
基板上に付着し、基板を回転させることにより有機材料
を広げ、ホトレジスト層の被覆に先立って有機材料を硬
化させることにより行われ、硬化された反射防止被膜は
、遠紫外化学線を吸収し、かつプラズマエッチングによ
りエッチング可能なものであり、ホトレジスト被膜の露
光された領域に対応する第一の層及び反射防止被膜が同
時にエッチングされることを特徴とする半導体製造方法
。 - 【請求項2】 第一の層が表面不整による非平面的な
上表面を有し、流体状の反射防止被膜が前記表面不整の
高さより大きい厚みを有し、反射防止被膜の硬化後の上
表面が実質的に平面となるように、硬化に先立って回転
により流体状の反射防止被膜を十分に定着させることを
特徴とする請求項1記載の半導体製造方法。 - 【請求項3】 流体有機材料はポリマー先駆物質であ
り、これを硬化させるステップは前記先駆物質を重合す
るステップからなることを特徴とする請求項1記載の半
導体製造方法。 - 【請求項4】 流体有機材料は液体キャリヤに溶解さ
れたポリマーであり、これを硬化させるステップは液体
キャリヤを蒸発させるステップからなることを特徴とす
る請求項1記載の半導体製造方法。 - 【請求項5】 ポリマーがポリブチルスルホンである
ことを特徴とする請求項4記載の半導体製造方法。 - 【請求項6】 ポリマー先駆物質がポリスルホンの先
駆物質であることを特徴とする請求項3記載の半導体製
造方法。 - 【請求項7】 ポリマー先駆物質がポリアルデヒドの
先駆物質であることを特徴とする請求項3記載の半導体
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/555,217 US5126289A (en) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | Semiconductor lithography methods using an arc of organic material |
US555217 | 1990-07-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04254327A true JPH04254327A (ja) | 1992-09-09 |
JP2719465B2 JP2719465B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=24216442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3195025A Expired - Lifetime JP2719465B2 (ja) | 1990-07-20 | 1991-07-10 | 半導体製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5126289A (ja) |
EP (1) | EP0470707B1 (ja) |
JP (1) | JP2719465B2 (ja) |
DE (1) | DE69127792T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745498A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Nec Corp | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR930008866B1 (ko) * | 1990-04-20 | 1993-09-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
FR2687953A1 (fr) * | 1992-03-02 | 1993-09-03 | Galabert Alain | Support de dessins en plaque et procede de reproduction mis en óoeuvre sur un tel support. |
JP2694097B2 (ja) * | 1992-03-03 | 1997-12-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 反射防止コーティング組成物 |
JP2791525B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1998-08-27 | 三菱電機株式会社 | 反射防止膜の選定方法およびその方法により選定された反射防止膜 |
US5308742A (en) * | 1992-06-03 | 1994-05-03 | At&T Bell Laboratories | Method of etching anti-reflection coating |
JPH05343308A (ja) * | 1992-06-09 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR950007478B1 (ko) * | 1992-06-17 | 1995-07-11 | 금성일렉트론주식회사 | 메탈 마스크 공정시 광반사 감소방법 |
US5411824A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-02 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging |
US5418095A (en) * | 1993-01-21 | 1995-05-23 | Sematech, Inc. | Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process |
WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
US5378659A (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-03 | Motorola Inc. | Method and structure for forming an integrated circuit pattern on a semiconductor substrate |
US5324689A (en) * | 1993-07-28 | 1994-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Critical dimension control with a planarized underlayer |
US5346587A (en) * | 1993-08-12 | 1994-09-13 | Micron Semiconductor, Inc. | Planarization of a gate electrode for improved gate patterning over non-planar active area isolation |
US5607824A (en) | 1994-07-27 | 1997-03-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective coating for microlithography |
US5449639A (en) * | 1994-10-24 | 1995-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Disposable metal anti-reflection coating process used together with metal dry/wet etch |
US5525542A (en) * | 1995-02-24 | 1996-06-11 | Motorola, Inc. | Method for making a semiconductor device having anti-reflective coating |
KR100434132B1 (ko) * | 1995-07-14 | 2004-09-08 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 중간층리쏘그래피 |
US5976769A (en) * | 1995-07-14 | 1999-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
KR100434133B1 (ko) * | 1995-07-14 | 2004-08-09 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 중간층리쏘그래피 |
US5879853A (en) * | 1996-01-18 | 1999-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Top antireflective coating material and its process for DUV and VUV lithography systems |
JP3511802B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2004-03-29 | ソニー株式会社 | 金属配線の形成方法 |
US5804088A (en) * | 1996-07-12 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Intermediate layer lithography |
JP3053072B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2000-06-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト積層体及びそれを用いたパターン形成方法 |
US5728493A (en) * | 1996-10-04 | 1998-03-17 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Antireflection mask for contact hole opening |
US5948598A (en) | 1996-10-31 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Anti-reflective silicon nitride film using in-situ deposition |
US5854126A (en) * | 1997-03-31 | 1998-12-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for forming metallization in semiconductor devices with a self-planarizing material |
US5883011A (en) * | 1997-06-18 | 1999-03-16 | Vlsi Technology, Inc. | Method of removing an inorganic antireflective coating from a semiconductor substrate |
US6013582A (en) * | 1997-12-08 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Method for etching silicon oxynitride and inorganic antireflection coatings |
US6291356B1 (en) | 1997-12-08 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Method for etching silicon oxynitride and dielectric antireflection coatings |
US6391786B1 (en) * | 1997-12-31 | 2002-05-21 | Lam Research Corporation | Etching process for organic anti-reflective coating |
US6051369A (en) * | 1998-01-08 | 2000-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lithography process using one or more anti-reflective coating films and fabrication process using the lithography process |
US6350555B1 (en) | 1998-01-14 | 2002-02-26 | Precision Coatings, Inc. | Direct write imaging medium |
US6057246A (en) * | 1998-04-28 | 2000-05-02 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for etching a metal layer with dimensional control |
US6297170B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-02 | Vlsi Technology, Inc. | Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation |
EP1011135A3 (en) * | 1998-12-14 | 2000-07-26 | Conexant Systems, Inc. | Semiconductor interconnect structure employing a pecvd inorganic dielectric layer and process for making same |
WO2000077575A1 (en) | 1999-06-10 | 2000-12-21 | Alliedsignal Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
KR100541671B1 (ko) * | 1999-06-23 | 2006-01-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
US6225215B1 (en) | 1999-09-24 | 2001-05-01 | Lsi Logic Corporation | Method for enhancing anti-reflective coatings used in photolithography of electronic devices |
US6527867B1 (en) * | 2000-05-30 | 2003-03-04 | Lsi Logic Corporation | Method for enhancing anti-reflective coatings used in photolithography of electronic devices |
US7125496B2 (en) * | 2001-06-28 | 2006-10-24 | Hynix Semiconductor Inc. | Etching method using photoresist etch barrier |
WO2003044600A1 (en) | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on anti-reflective coatings for photolithography |
DE10227807A1 (de) * | 2002-06-21 | 2004-01-22 | Honeywell Specialty Chemicals Seelze Gmbh | Silylalkylester von Anthracen- und Phenanthrencarbonsäuren |
US7473377B2 (en) | 2002-06-27 | 2009-01-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
KR100472031B1 (ko) * | 2002-08-07 | 2005-03-10 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
WO2005041255A2 (en) | 2003-08-04 | 2005-05-06 | Honeywell International, Inc. | Coating composition optimization for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
US7470505B2 (en) * | 2005-09-23 | 2008-12-30 | Lexmark International, Inc. | Methods for making micro-fluid ejection head structures |
US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
US7955782B2 (en) * | 2008-09-22 | 2011-06-07 | Honeywell International Inc. | Bottom antireflective coatings exhibiting enhanced wet strip rates, bottom antireflective coating compositions for forming bottom antireflective coatings, and methods for fabricating the same |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
JP5517848B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
JP6765891B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-10-07 | キヤノン株式会社 | 構造体の製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031229A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-18 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | 金属被膜の選択的エッチング方法 |
JPS6265425A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS62159143A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | レジストの下層材料用組成物 |
JPS63143819A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-16 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63312643A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2728127A1 (de) * | 1976-06-23 | 1978-01-05 | Nippon Kogaku Kk | Antireflexbelag fuer ein kunststoffsubstrat |
US4380488A (en) * | 1980-10-14 | 1983-04-19 | Branson International Plasma Corporation | Process and gas mixture for etching aluminum |
EP0264650B1 (en) * | 1982-09-30 | 1992-08-26 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
US4910122A (en) * | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
JPH0612452B2 (ja) * | 1982-09-30 | 1994-02-16 | ブリュ−ワ−・サイエンス・インコ−ポレイテッド | 集積回路素子の製造方法 |
US4444618A (en) * | 1983-03-03 | 1984-04-24 | General Electric Company | Processes and gas mixtures for the reactive ion etching of aluminum and aluminum alloys |
US4510173A (en) * | 1983-04-25 | 1985-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming flattened film |
US4601972A (en) * | 1984-04-06 | 1986-07-22 | At&T Technologies, Inc. | Photodefinable triazine based composition |
US4554229A (en) * | 1984-04-06 | 1985-11-19 | At&T Technologies, Inc. | Multilayer hybrid integrated circuit |
US4557797A (en) * | 1984-06-01 | 1985-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Resist process using anti-reflective coating |
DE3439482A1 (de) * | 1984-10-27 | 1986-05-07 | Röhm GmbH, 6100 Darmstadt | Verfahren zur beschichtung von substraten mit kratzfesten, nichtreflektierenden ueberzuegen |
GB2170649A (en) * | 1985-01-18 | 1986-08-06 | Intel Corp | Sputtered silicon as an anti-reflective coating for metal layer lithography |
CA1255142A (en) * | 1985-03-11 | 1989-06-06 | Edward C. Fredericks | Method and composition of matter for improving conductor resolution in microelectronic circuits |
US4668606A (en) * | 1985-11-20 | 1987-05-26 | Eastman Kodak Company | Positive photoresist with antireflection coating having thermal stability |
JPS62194621A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-27 | Sony Corp | パタ−ンニング方法 |
US4985112A (en) * | 1987-02-09 | 1991-01-15 | International Business Machines Corporation | Enhanced plasma etching |
US4820611A (en) * | 1987-04-24 | 1989-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Titanium nitride as an antireflection coating on highly reflective layers for photolithography |
DE68928548T2 (de) * | 1988-09-28 | 1998-04-23 | Brewer Science Inc | Multifunktionelle photolithographische zusammensetzungen |
-
1990
- 1990-07-20 US US07/555,217 patent/US5126289A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-07-10 JP JP3195025A patent/JP2719465B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-11 EP EP91306294A patent/EP0470707B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-11 DE DE69127792T patent/DE69127792T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6031229A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-18 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | 金属被膜の選択的エッチング方法 |
JPS6265425A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS62159143A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | レジストの下層材料用組成物 |
JPS63143819A (ja) * | 1986-12-06 | 1988-06-16 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63312643A (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0745498A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-14 | Nec Corp | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0470707A3 (en) | 1992-03-04 |
DE69127792D1 (de) | 1997-11-06 |
EP0470707B1 (en) | 1997-10-01 |
US5126289A (en) | 1992-06-30 |
EP0470707A2 (en) | 1992-02-12 |
DE69127792T2 (de) | 1998-04-09 |
JP2719465B2 (ja) | 1998-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2719465B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
US4615782A (en) | Intermediate layer material of three-layer resist system and method of forming resist pattern | |
US20210013034A1 (en) | Methods for making euv patternable hard masks | |
US5314772A (en) | High resolution, multi-layer resist for microlithography and method therefor | |
US5925494A (en) | Vapor deposition of polymer films for photolithography | |
US5830624A (en) | Method for forming resist patterns comprising two photoresist layers and an intermediate layer | |
US5308742A (en) | Method of etching anti-reflection coating | |
KR100861172B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
US6395644B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device using a silicon-rich silicon nitride ARC | |
US6420271B2 (en) | Method of forming a pattern | |
US5194364A (en) | Process for formation of resist patterns | |
EP1231512B1 (en) | Composition for anti-reflective coating and method for manufacturing semiconductor device | |
US5064748A (en) | Method for anisotropically hardening a protective coating for integrated circuit manufacture | |
Moran et al. | Plasma pretreatment to improve resist properties by reduction of resist flow during postbake | |
JP3382028B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
US20020094693A1 (en) | Method for fabricating an ultra small opening | |
O'Toole et al. | Linewidth control in projection lithography using a multilayer resist process | |
WO1996011895A1 (en) | Method of treating an anti-reflective coating on a substrate | |
US6303416B1 (en) | Method to reduce plasma etch fluting | |
KR920004176B1 (ko) | 레지스트 패턴 형성 공정 | |
JPH08241858A (ja) | 半導体の反射防止膜及びこの反射防止膜を用いた半導体の製造方法 | |
JPH07211616A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JPS61180241A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JPS62273528A (ja) | ポリマ膜表面のシリル化方法およびこれを用いたパタ−ン形成方法 | |
KR20010037049A (ko) | 실리레이션을 이용한 리소그라피 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101114 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 14 |