JPS63143819A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序に従って本発明を説明する。

Ａ、Ｉ！１．ｊ！ｌ：の利用分野 Ｂ１発明の概要 Ｃ０従東技術［第２図コ ０８発明が解決しようとする問題点［第３図］Ｅ０問題
点を解決するための手段 Ｆ９作用 Ｇ、実施例［ｉ１図］ Ｈ９発明の効果 （Ａ、産業上の利用分野） 本発明は半導体装置の製造方法、特に表面に凹凸部を有
する光反射付基板あるいは光反射性膜からなる下地をフ
ォトエツチングする場合に上記下地上に反射防止膜を介
してフォトレジスト膜を塗イＩＩする゛ｒ−導体装置の
製造方法に関する。

（Ｂ、発明の概要） 本発明は、表面に凹凸部を仔する反射性下地上に反射防
止膜を介してフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレ
ジスト膜をマスクとして上記下地をエツチングする半導
体装置の製造方法において、 前記反射防１ヒ膜を扇状に噴射することにより均一な膜
厚に形成するものである。

（Ｃ，従来技術）［第２図］ 半導体装置の製造方法において、半導体基板表面あるい
は半導体基板表面上の絶縁膜や導体膜を選択的に除去し
たい場合に写真処理技術を駆使したフォトエツチングが
施される。このフォトエツチングは半導体基板表面ある
いはその表面上の絶縁膜や導体膜の表面上には予めフォ
トレジスト膜を塗布し、所望パターンを有するマスクを
介して露光処理を施した後、現象処理を行って所望部の
みにフォトレジスト膜を残し、このフォトレジスト膜を
マスクとして半導体基板表面を選択的にエツチングする
ものである。

このようなフォトエツチングを行う場合に半導体基板表
面に光反射率の高い被１１Ｑが存在していると、１）「
配充光処理においてその被膜からの不必要な光反射か生
じその結果フォトレジストマスクを所望パターンに形成
できない虞れがある。このためフォトレジストｌｌ５Ｉ
を塗布する前に反射防止１漠を半導体基板表面に塗布す
ることが行われている。

第２図（Ａ）乃至（Ｅ）はこのようなフォトエツチング
を行う従来の半導体装置の製造方法を工程順に示すもの
で、半導体基板−として特に表面に凹凸部を有するもの
を対象とした場合を示している。以下図面に従って従来
の半導体装置の製造方法を詳しく説明する。

（Ａ）第２図（Ａ）に示すように表面に凹凸部　・を有
する半導体基板１表面に光反射率の高い被膜例えばアル
ミニウムＪＩＩＡ２を形成する。３は凹凸部で、３ａが
凹部、３ｂが凸部である。

（Ｂ）この半導体基ｍｌの表面にスピンオン（Ｓｐｉｎ
　　Ｏｎ）法によって、第２図（Ｂ）に示すように反射
防止膜４を塗布する。しかして、四部３ａ及び凸ＰＩｓ
３ｂ表血は反射防止膜４にょって覆われる。

（Ｃ）次に、第２図（Ｃ）に示すように反射防止膜４上
に周知の方法でフォトレジスト膜５を塗布する。

（Ｄ）続いて、第２図（Ｄ）のように所望パターン６ａ
を有するマスク６をフォトレジスト膜５に密着させて、
露光処理例えば紫外線照射を行う。次にマスク６を除去
し、半導体基板１表面に現像液を塗布することによって
現像処理を行う。

こわによって′＃導体基板１上には第２図（Ｅ）に示す
ように、前記マスク６のパターン６ａに相当した位置の
フォトレジスト５ａ及びこの直−ドの反射防止膜４ａの
みが残され、他の部分は除去される。

その後は残っているフォトレジスト膜５ａ（及び反射防
止膜４ａ）をマスクとして前記被膜２をエツチングする
。

（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第３図］ ところで従来の゛詐導体装置の製造方法においては、第
２図（Ｂ）に示した反射防止膜４の塗布をスピンオン法
によって行っているため、その表面が略平坦になり、半
導体基板１表面の凹部３ａ上と凸部３ｂ上とでは、第３
図（Ａ）のように反射防止１１Ｑ　４が異なった膜厚で
形成されるようになる。

従って、この後露光処理に続いて現像処理を行った場合
、第３図（Ｂ）のように凹部３ａの隅部に反射防止膜４
ｂが除去されないで残ってしまう不都合が生じる。この
残った反射防止膜４ｂを除去するにはさらに長時間かけ
て現像処理を行うことが必要になるが、このような長時
間の現像処理を行うとマスクとして残っているフォトレ
ジスト膜５ａの幅寸法Ｗ及び厚さ寸法りが変化（即ち、
やせる）してしまったり、フォトレジスト膜５ａが！ｌ
Ｉｔ′してしまう問題が生ずる。

本発明は、このような問題を解決すべく為されたもので
、フォトレジスト１１！２の上地となる凹凸のある表面
に形成される反射防＋Ｌ　ＩＩＱの膜厚を均一にできる
ようにすることを目的とするものである。

（Ｅ、問題点を解決するための手段） 本発明半導体装置の製造方法は、上記問題点を解決する
ため、表面に凹凸部を有するＦ地上への反射防止膜の形
成を反射防止膜材料の霧状の噴射により行うようにした
ことを特徴とする。

（Ｆ、作用） 本発明半導体装置の製造方法によれば、反射防止膜は霧
状噴射により形成するので、反射防止膜の膜厚を下地の
凹部及び凸部上にわたって均一にすることができる。

（Ｇ、実施例）［第１図］ 以下、本発明半導体装置の製造方法を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。

第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明半導体装置の製造力ｄ
を工程順に示す断面図である。

（Ａ）第１図（Ａ）に示すように、表面に凹部３ａ及び
凸部３ｂからなる凹凸部３を：Ｕする半導体基板１の表
面に光反射率の高いアルミニウムからなる被ｒｆＡ２を
形成する。

（Ｂ）次に、この半導体基板ｌの表面に反射防止膜４［
例えばグリューワ・サイエンス社製のＡＲＣ（Ａｎｔｉ
　　ＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎＣｏａｔｉｎｇ）として知ら
れているポリイミドＩＱＩを、霧状に噴射することによ
って塗布する。

このように噴射法によって塗布することにより。

第１図（Ｂ）に示すように反射防止１摸４を凹部３ａ及
び凸部３ｂ上にわたって均一な１ＩＱｒｔで形成するこ
とができる。

（Ｃ）次に第１図（Ｃ）に示すように反射防ｒ）膜４上
にフォトレジスト［５［例えば東京応化社製のＳＷに（
Ｓｔａｎｄｉｎｇ　　ＷａｖｅＫｉｌｌｅｒ）］を塗布
する。

（Ｄ）続いて第１図（Ｄ）に示すように所望パターン６
ａを有するマスク６をフォトレジスト膜５に密着させて
、紫外線を照射することにより露光処理を行う。

（Ｅ）次に、マスク６を除去し、半導体基板１表面に現
像液を塗Ｉ５することによって現像処理を行う。しかし
て、半導体基板１上には第１図（Ｅ）のように、前記マ
スク６のパターン６ａに相当した部分のフォトレジスト
膜５ａ及びこの直下の反射防止ＩＱ４ａのみが残され、
他の部分は除去される。四部３ａの隅部においても反射
防止膜４は残されることなく除去される。

（Ｆ）その後、第１図（Ｆ）に示すように、残っている
フォトレジスト膜５ａ（及び反射防止Ｉｔ！Ｑ４ａ）を
マスクとして前記被膜３を選択的にエツチングする。

このような本実施例の製造方法によりば反射防止膜４の
塗布は従来のようにスピンオン法によって行うのではな
く、霧状に噴射して行うので下地である被膜２表面の凹
部３ａ及び凸部３ｂ上にわたって均一な膜厚を有する反
射防止［５を形成することができる。従って、その後フ
ォトレジスト膜５を塗布し露光処理を施こした後、現像
処理を行うことにより前記マスク６のパターン６ａに相
当した位置のマスクとなるべき部分を除きフォトレジス
ト膜及び反射防止膜をすべて同時に完全に除去すること
ができる。

従って、凹部３ａの隅部に反射防止膜が残存することは
なくなるので、その後の反射防止膜のその隅部に残存す
る部分を除去するために現像処理を長く続けることは不
要となる。従って、マスクとして残されるフォトレジス
ト１ｌｉ５ａの幅寸法及び厚さ寸法が現象処理を徒らに
長くすることによって変化してしまったり、フォトレジ
ストＩＩＱ５ａが剥れてしまう問題は生じない。

（Ｈ，発明の効果） 以トに述べたように、本発明半導体装置の製造方法は、
表面に凹凸部を有する下地上に反射防ＩＥ１１Ｑを介し
てフォトレジスト膜を形成し、その後、１記フオトレジ
スト膜に対して写真処理を施して所望のパターンを形成
し、その後、上記フォトレジスト膜をマスクとして上記
下地のエツチングを行う半導体装置の製造方法において
、上記下地上に反射防止膜材料を霧状に噴射することに
より反射防止膜を形成し、しかる後、この反射防ＩＦ膜
十に写真処理が施されてエツチングマスクとなるフォト
レジストＩＱを塗布することを特徴とするものである。

従って、本発明半導体装置の製造方法によれば、反射防
止膜は霧状噴射により形成するので、反射防止膜の膜厚
を下地の凹部及び凸部Ｆにわたって均一にすることがで
きる。依って、現像処理において半導体基板の凹部の隅
部に反射防止膜が残ることはないので、これを除去する
ために現像時間を徒らに長くする必要がなくなるので、
マスクとしてのフォトレジスト膜に現象処理がやせを生
ぜしめたりする悪影響を及ぼすことを回避することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明半導体装置の製造方法
の一つの実施例を製造工程順に示す断面図、第２図（Ａ
）乃至（Ｅ）は従来の製造方法を製造工程順に示す断面
図、第３図（Ａ）及び（Ｂ）は従来の製造方法について
の問題点を説明するために基板の主要部を拡大して示す
断面図である。 符号の説明 ２・・・Ｆ地、３・・・凹凸部、 ３ａ・・・凹部、３ｂ・・・凸部、 ４・・・反射防止１模、 ５・・・フォトレジスト膜。 ／Ｓ　　　　　　　　　　　　　　　　　ＰＳ　　　　
　　　　　　　　　　　　　　１１ＮＸ　　　　　　　
　　ｑ　　　　　　　　　リ＾唖ぐｈ 第１図 従来ダリ乏工程ノー順に示す前面図 ＩＷｔ　０　脳Ａ 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 表面に凹凸部を有する下地上に反射防止膜を介してフォ
   トレジスト膜を塗布し、 上記フォトレジスト膜に対して写真処理を施して所望の
   パターンを形成し、 その後、上記フォトレジスト膜をマスクとして上記下地
   のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、 上記下地上に反射防止膜材料を霧状に噴射することによ
   り反射防止膜を形成し、 しかる後、この反射防止膜上に写真処理が施されてエッ
   チングマスクとなる上記フォトレジスト膜を塗布する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。