JPH05175116A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05175116A JPH05175116A JP34268591A JP34268591A JPH05175116A JP H05175116 A JPH05175116 A JP H05175116A JP 34268591 A JP34268591 A JP 34268591A JP 34268591 A JP34268591 A JP 34268591A JP H05175116 A JPH05175116 A JP H05175116A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- aluminum film
- semiconductor device
- wiring
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の写真蝕刻によるアルミ電極，配
線形成工程において、ウェーハ表面の段差部分での露光
不具合により隣接する電極，配線間に異常接近やブリッ
ジ接続が発生するのを防止する。 【構成】 ウェーハ全面に形成したアルミ膜３の表面に
黒色または光の反射率の低い樹脂２を塗布した後、従来
と同様の写真蝕刻を行い、アルミ電極，配線を形成す
る。
線形成工程において、ウェーハ表面の段差部分での露光
不具合により隣接する電極，配線間に異常接近やブリッ
ジ接続が発生するのを防止する。 【構成】 ウェーハ全面に形成したアルミ膜３の表面に
黒色または光の反射率の低い樹脂２を塗布した後、従来
と同様の写真蝕刻を行い、アルミ電極，配線を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路の製造
工程にあって、特にウェーハ上にアルミ膜を形成した
後、ネガレジストを用いた写真蝕刻法によってアルミの
配線および電極を形成する方法に関する。
工程にあって、特にウェーハ上にアルミ膜を形成した
後、ネガレジストを用いた写真蝕刻法によってアルミの
配線および電極を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェーハ上にアルミ配線および電
極を写真蝕刻法により形成する方法は図２に示すよう
に、ウェーハ上にアルミ膜３を蒸着またはスパッタによ
り形成した後、ネガレジスト１を塗布し電極，配線のパ
ターンマスク６を介して写真露光し現像を行う。この
時、光が照射された部分のレジスト膜は残り、他の部分
は除去され、配線電極パターンの開口部が形成される。
この後、アルミエッチングを行って、レジストのパター
ン開口部分のアルミ膜をエッチング除去することにより
アルミの電極および配線３を形成していた。
極を写真蝕刻法により形成する方法は図２に示すよう
に、ウェーハ上にアルミ膜３を蒸着またはスパッタによ
り形成した後、ネガレジスト１を塗布し電極，配線のパ
ターンマスク６を介して写真露光し現像を行う。この
時、光が照射された部分のレジスト膜は残り、他の部分
は除去され、配線電極パターンの開口部が形成される。
この後、アルミエッチングを行って、レジストのパター
ン開口部分のアルミ膜をエッチング除去することにより
アルミの電極および配線３を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
アルミ電極，配線形成方法では、アルミ配線または電極
の縁が下層の酸化膜層や層間膜の段差部分ａ，ｂに重な
って形成されるような場合、パターンマスクの配線パタ
ーンの暗部７は段差傾斜部分の上に重なった位置にな
り、露光が行われマスク明部を通してレジストに当たる
光線は段差斜面部，レジスト膜を透過し、アルミ段差斜
面に当たって乱反射を起こし、本来ならば陰になるべき
部分ｃのレジストの一部を露光してしまう。このことに
よって、現像後のこの部分のフォトレジストの配線抜き
パターン形状は、図２（Ｂ）に示すように、凹凸をもっ
た形状となり、アルミエッチング後のこの部分の配線ま
たは電極の縁が凹凸の突起をもつ形状となり、この部分
に隣り合う配線が接近している場合は接触に近い状態に
なったり、ブリッジ状に連がり回路ショート不良を起こ
すという欠点があった。
アルミ電極，配線形成方法では、アルミ配線または電極
の縁が下層の酸化膜層や層間膜の段差部分ａ，ｂに重な
って形成されるような場合、パターンマスクの配線パタ
ーンの暗部７は段差傾斜部分の上に重なった位置にな
り、露光が行われマスク明部を通してレジストに当たる
光線は段差斜面部，レジスト膜を透過し、アルミ段差斜
面に当たって乱反射を起こし、本来ならば陰になるべき
部分ｃのレジストの一部を露光してしまう。このことに
よって、現像後のこの部分のフォトレジストの配線抜き
パターン形状は、図２（Ｂ）に示すように、凹凸をもっ
た形状となり、アルミエッチング後のこの部分の配線ま
たは電極の縁が凹凸の突起をもつ形状となり、この部分
に隣り合う配線が接近している場合は接触に近い状態に
なったり、ブリッジ状に連がり回路ショート不良を起こ
すという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置の製造方法は、写真蝕刻によるアルミ電極，配線形成
において、ウェーハの全面にアルミ膜を形成した後、ア
ルミ膜表面に低反射率化処理を施した後、ネガフォトレ
ジストを塗布して露光，現像し、アルミエッチングを行
う方法である。
置の製造方法は、写真蝕刻によるアルミ電極，配線形成
において、ウェーハの全面にアルミ膜を形成した後、ア
ルミ膜表面に低反射率化処理を施した後、ネガフォトレ
ジストを塗布して露光，現像し、アルミエッチングを行
う方法である。
【０００５】前記アルミ膜表面の低反射率化処理として
は、アルミ膜表面それ自体を黒色化等の着色する方法
や、全面を黒色かもしくは光の反射率の低い塗布または
樹脂を塗布する方法が採用できる。
は、アルミ膜表面それ自体を黒色化等の着色する方法
や、全面を黒色かもしくは光の反射率の低い塗布または
樹脂を塗布する方法が採用できる。
【０００６】
【作用】上記技術的手段によれば、段差や凹凸のあるア
ルミ層表面の露光時の反射光による目的外の部分のフォ
トレジストの露光が防止でき、アルミ配線，電極間の異
常接近やブリッジ状連結がなくなり、良品率の向上およ
び信頼性の向上を図ることができる。
ルミ層表面の露光時の反射光による目的外の部分のフォ
トレジストの露光が防止でき、アルミ配線，電極間の異
常接近やブリッジ状連結がなくなり、良品率の向上およ
び信頼性の向上を図ることができる。
【０００７】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図１はこの発明の一実施例で、（Ａ）は露光時の
断面説明図で、（Ｂ）はアルミエッチング後の断面図お
よびその平面図である。図において、１はネガフォトレ
ジスト塗布層，２は黒色または光の反射率の低い塗料ま
たは樹脂塗布層，３はアルミ膜，４はシリコン酸化膜，
５はシリコンウェーハ基体，６はガラスマスク，７はマ
スクの配線パターン暗部，８は露光光線，９は段差境界
線，ａ，ｂはそれぞれ酸化膜の段差による傾斜部分，ｃ
は配線パターン間部分である。
する。図１はこの発明の一実施例で、（Ａ）は露光時の
断面説明図で、（Ｂ）はアルミエッチング後の断面図お
よびその平面図である。図において、１はネガフォトレ
ジスト塗布層，２は黒色または光の反射率の低い塗料ま
たは樹脂塗布層，３はアルミ膜，４はシリコン酸化膜，
５はシリコンウェーハ基体，６はガラスマスク，７はマ
スクの配線パターン暗部，８は露光光線，９は段差境界
線，ａ，ｂはそれぞれ酸化膜の段差による傾斜部分，ｃ
は配線パターン間部分である。
【０００８】図１で示すように、アルミ膜３の表面に黒
色または光の反射率の低い塗料および樹脂２を塗布する
ことにより、露光時の光線８が段差斜面ａ，ｂの部分に
当たっても乱反射することがなく、アルミエッチング後
のアルミ配線の形状も図１（Ｂ）に示すように凹凸がな
くなり、隣り合う近接した配線間でも連ながりや異常接
近を生じることがなくなり、良品率の向上および信頼性
の向上ができる利点がある。
色または光の反射率の低い塗料および樹脂２を塗布する
ことにより、露光時の光線８が段差斜面ａ，ｂの部分に
当たっても乱反射することがなく、アルミエッチング後
のアルミ配線の形状も図１（Ｂ）に示すように凹凸がな
くなり、隣り合う近接した配線間でも連ながりや異常接
近を生じることがなくなり、良品率の向上および信頼性
の向上ができる利点がある。
【０００９】なお、アルミ膜表面の低反射率化処理とし
ては、上記実施例の他にアルミ膜表面そのものを黒色化
する方法もある。
ては、上記実施例の他にアルミ膜表面そのものを黒色化
する方法もある。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は半導体
装置の写真蝕刻によるアルミ電極および配線形成工程に
おいて、ウェーハの全面にアルミ膜を形成した後、アル
ミ膜表面それ自体を黒色化したり、アルミ膜表面を黒色
またはその反射率の低い塗料または樹脂を塗布すること
等により、低反射率化処理を施した後、ネガフォトレジ
ストを塗布して露光，現像，エッチングを行うことによ
り、ウェーハ上の段差部やアルミ膜表面の凹凸によって
隣り合う近接したアルミ配線や電極間に異常接近やブリ
ッジ状の連結を生じることがなくなり、良品率の向上お
よび信頼性の向上が図れる。
装置の写真蝕刻によるアルミ電極および配線形成工程に
おいて、ウェーハの全面にアルミ膜を形成した後、アル
ミ膜表面それ自体を黒色化したり、アルミ膜表面を黒色
またはその反射率の低い塗料または樹脂を塗布すること
等により、低反射率化処理を施した後、ネガフォトレジ
ストを塗布して露光，現像，エッチングを行うことによ
り、ウェーハ上の段差部やアルミ膜表面の凹凸によって
隣り合う近接したアルミ配線や電極間に異常接近やブリ
ッジ状の連結を生じることがなくなり、良品率の向上お
よび信頼性の向上が図れる。
【図１】（Ａ）この発明による写真蝕刻の露光時の断面
説明図 （Ｂ）アルミエッチング後の平面図および断面図
説明図 （Ｂ）アルミエッチング後の平面図および断面図
【図２】（Ａ）従来の方法による写真蝕刻の露光時の断
面説明図 （Ｂ）アルミエッチング後の平面図および平面図の破線
ｄでの断面図
面説明図 （Ｂ）アルミエッチング後の平面図および平面図の破線
ｄでの断面図
１ フォトレジスト層 ２ 黒色または光の反射率の低い塗料または樹脂塗布層 ３ アルミ膜 ４ シリコン酸化膜 ５ シリコンウェーハ基体 ６ ガラスマスク ７ マスクの配線パターン暗部 ８ 露光光線 ９ 段差境界線
Claims (3)
- 【請求項１】半導体装置の製造工程でウェーハ上にアル
ミ膜を形成した後、レジストを用いてアルミ配線および
電極を形成する写真蝕刻工程において、アルミ膜表面に
低反射率化処理を施した後フォトレジストを塗布し、写
真蝕刻を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記アルミ膜表面の低反射率化処理がアル
ミ膜表面それ自体を黒色化するものである請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】前記アルミ膜表面の低反射率化処理が黒色
かもしくはその反射率の低い塗料または樹脂の塗布であ
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34268591A JPH05175116A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34268591A JPH05175116A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175116A true JPH05175116A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18355704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34268591A Pending JPH05175116A (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175116A (ja) |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP34268591A patent/JPH05175116A/ja active Pending
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