JPS631315Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔技術分野〕 この考案は、半導体集積回路等の生産に使用す
るクロムマスクのマスクブランクスに関する。

〔従来技術〕

マスクブランクスとは、ガラス基板の全面にマ
スクのパターンを形成するための金属膜等が全面
に被着されたもので、マスクのパターンを形成す
る前の状態のものをいう。

クロムマスクのマスクブランクスの例を第１図
に示す。一般に厚さ２mm程度のガラス基板１に、
その表面に金属クロムの膜２が全面に蒸着等によ
り膜厚600Å程度被着され、更にその上に、酸化
クロム等の反射防止膜３を300Å程度全面に被着
したものである。

そして、クロムマスクのマスクブランクスは、
その表面のクロム膜及び反射防止膜を所定のパタ
ーンにエツチング加工し、いわゆるフオトマスク
を形成する。ガラスマスクは半導体製造工程にお
いて、シリコンウエハにフオトレジストを塗布
し、フオトマスクと密着露光することなどによ
り、シリコンウエハ表面の酸化シリコン被膜の開
口、金属蒸着配線の形成などに用いられる。

マスクブランクスの表面の全面金属クロム膜及
び反射防止膜を所定のパターンにエツチング加工
するには、通常以下の工程による。

まず、マスクブランクスの表面にレジストを塗
布する。そして、フオトリピータなどの装置によ
り光学的に微細パターンの露光を行うか、電子ビ
ーム露光機により電子線露光をする。露光された
レジストのパターンに従つて、レジストを現像す
ることにより、レジストの露光された部分或いは
その逆の部分をマスクとしてクロム膜及び反射防
止膜をエツチングすると、所定のクロムのマスク
パターンが形成され、いわゆるフオトマスクとな
る。

しかしながら、この過適において、従来の金属
クロムとその上に反射防止膜を被着した２層構造
のマスクブランクスは以下に述べる欠点を有す
る。

マスクブランクスにレジストを塗布した後、レ
ジストの膜厚を管理するため、レジスト膜厚の測
定を行う。これは、マスクパターンは高集積密度
の半導体集積回路などにおいてはミクロン或いは
サブミクロンのオーダーのパターン形成を行うか
らである。

そして、この膜厚測定に当つて、レジストの下
地が金属のクロムであれば、その光反射率が60％
程度である故、良好な測定が行なえる。しかし、
反射防止膜即ち、酸化クロムであると、その光反
射率は５〜12％であり極めて低い。従つて、レジ
ストの下端と酸化クロム膜との境界が判りにく
く、精度よく測定することは不可能である。そこ
で、レジストの膜厚の管理を行うためには、膜厚
測定専用の金属のクロム膜のみをコートした専用
マスクブランクスを用意し、生産ロツトに混入し
てレジスト塗布を行いサンプル的な膜厚測定を行
つていた。従つて、専用のマスクブランクスを余
分に購入しなければならず、コスト高になつてい
た事と、フオトマスク製作工程においてプロセス
事故が発生した場合に、膜厚管理の履歴調査を行
う必要がしばしば生じるが、これも実際のロツト
内のバラツキがあるため、実際の事故品との対応
がとれない欠点があつた。

〔考案の目的〕

そこで、本考案はレジスト塗布時のレジストの
膜厚管理を容易に行うことのできるマスクブラン
クスを提供することにある。

〔考案の構成〕

本考案はガラス基板にクロム膜と反射防止膜を
被着したマスクブランクスにおいて、表面の一部
にクロム膜を露出させたことを特徴とする。

〔考案の実施例〕

第１の実施例を第２図に示す。これは表面層の
四周をクロム膜１２を露出させており、その内側
は表面層が反射防止用の酸化クロム被膜３であ
る。マスクブランクスにおいて、マスクパターン
を形成するのは、内側の反射防止膜３及びその下
層のクロム膜２の領域である。従つて、表面にク
ロム膜１２が露出している領域は、マスクパター
ンは形成しない領域であるので、クロム膜が露出
していてもマスクパターンの形成上不都合を生じ
ない。従つて、この部分をレジストの膜厚管理の
ための膜厚測定に用いれば、下地の反射率がよい
ため、良好な測定をすることができる。

第１の実施例は４周に囲むような形状でクロム
膜の露出領域を設けたが、これは、膜厚の測定の
ために高反射率のクロムの露出領域を設ければよ
いのであるから、第３図の第２の実施例に示す如
き形状のものでも十分である。この例の場合は、
四隅のみにクロム膜の露出した部分を設けたもの
である。

これら実施例に示すマスクブランクスは、以下
に述べる方法で製作することができる。

まず、ガラス基板１を準備する。次に、このガ
ラス基板上にクロム膜２を生成する。これは真空
蒸着もしくはスパツタリングによつて行う。厚さ
は通常600Å程度である。

ここ迄の工程は従来のものと変らない。

次にマスクのパターンエリアとなる中央部分
に、メタルなどのマスクをかけて、引続き、クロ
ムの蒸着又はスパツタリングにより350Å適度の
外側部分の表面に露出したクロム膜１２を生成す
る。そして、次にマスクのパターンエリアとなる
中央部分以外の部分に、前述のメタルなどのマス
クと逆マスクをかけて、反射防止膜となる酸化ク
ロム３をスパツクリングなどにより形成する。厚
さは、周辺部分と同様な厚さ、即ち350Å程度と
し、両者がほぼ平担となるようにする。

以上の工程により、本考案のマスクブランクス
を製作することができる。

〔考案の効果〕

以上説明したように、本考案に係るマスクブラ
ンクスによれば、反射防止膜を被着した表面の一
部に露出されたクロム膜を有するので、その部分
を利用することにより、フオトレジスト膜の膜厚
の高精度な測定を可能とする。

又、パターンエリアには、従来と同様、反射防
止膜が被着されているので、半導体製造工程にお
いて、クロム膜２の光の反射による弊害除去を行
うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のマスクブランクスの平面図及び
断面図、第２図は本考案第１の実施例のマスクブ
ランクスの平面図及び断面図、第３図は第２の実
施例のマスクブランクスの平面図である。 １……ガラス基板、２……クロム膜、３……反
射防止膜、１２……表面に露出したクロム膜。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ガラス基板にクロム膜と反射防止膜を被着した
   マスクブランクスにおいて、表面の一部にクロム
   膜を露出させたことを特徴とするマスクブランク
   ス。