JPS603620A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS603620A JPS603620A JP58113057A JP11305783A JPS603620A JP S603620 A JPS603620 A JP S603620A JP 58113057 A JP58113057 A JP 58113057A JP 11305783 A JP11305783 A JP 11305783A JP S603620 A JPS603620 A JP S603620A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- forming
- photoresist
- intermediate layer
- fine pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造工程における微細パターン
の形成方法の改良に関するものである。
の形成方法の改良に関するものである。
半導体集積回路装置では、ますます高密度集積化の要求
が厳しく、パターンの微細化が進んでいる。特に、段差
部をもった高反射率の下地基板上にアライメント精度よ
く微細パターンを形成す石には種々の困難を伴なうもの
である。その一つに写真製版技術において、ホトレジス
ト膜を形成した後にマスクアライメントと露光とに関す
るものがある。以下従来方法とその問題点とを第１図お
よび第２図について説明する。
が厳しく、パターンの微細化が進んでいる。特に、段差
部をもった高反射率の下地基板上にアライメント精度よ
く微細パターンを形成す石には種々の困難を伴なうもの
である。その一つに写真製版技術において、ホトレジス
ト膜を形成した後にマスクアライメントと露光とに関す
るものがある。以下従来方法とその問題点とを第１図お
よび第２図について説明する。
第１図に示すように、段差部のある高反射率の下地基板
（例えばアルミニウム板）（１）の上にホトレジスト層
（２）を塗布形成し、プリベークを施した後に、上述の
マスクアライメントと露光とを行なうに当って、下地基
板１１１の反射率が高いので、ただでさえ露光パターン
の結像コントラストが低下する上に、段差部に照射され
る光ａが反射、散乱されて回折効果なども働くので、現
像後に精度のよいレジストパターンを得ることは困難で
あった。
（例えばアルミニウム板）（１）の上にホトレジスト層
（２）を塗布形成し、プリベークを施した後に、上述の
マスクアライメントと露光とを行なうに当って、下地基
板１１１の反射率が高いので、ただでさえ露光パターン
の結像コントラストが低下する上に、段差部に照射され
る光ａが反射、散乱されて回折効果なども働くので、現
像後に精度のよいレジストパターンを得ることは困難で
あった。
下地基板＋１１の反射の影響を減らすために、ホトレジ
スト層（２）の吸光係数を大きくした場合には、第２図
に示すように、マスクアライメント時の光ａも減衰して
しまって、下地パターンに対してマスクをアライメント
する際に、目視アライメント。
スト層（２）の吸光係数を大きくした場合には、第２図
に示すように、マスクアライメント時の光ａも減衰して
しまって、下地パターンに対してマスクをアライメント
する際に、目視アライメント。
自動アライメントにかかわらず、アライメントマークの
信号対雑音比が小さくなり、アライメント精度が低下す
るという欠点があった。
信号対雑音比が小さくなり、アライメント精度が低下す
るという欠点があった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもで、段差
部のある高反射率の下地基板であっても、その上に、ホ
トレジストの感光領域の波長の光に対しては低反射率を
示し、マスクアライメント用の光に対しては高反射率を
示す中間層を形成し、その上にホトレジスト層を形成す
ることによって、マスクアライメントが容易でしかも、
精度のよい微細パターンが形成できる方法を提供するも
のである。
部のある高反射率の下地基板であっても、その上に、ホ
トレジストの感光領域の波長の光に対しては低反射率を
示し、マスクアライメント用の光に対しては高反射率を
示す中間層を形成し、その上にホトレジスト層を形成す
ることによって、マスクアライメントが容易でしかも、
精度のよい微細パターンが形成できる方法を提供するも
のである。
第３図はこの発明の一実施例の状況を示す断面図で、段
差部のある高反射率の下地基板１ｉｌＯ上に、ホトレジ
ストの感光領域の波長（例えば４３６ｎｍ ）の光重に
対しては低反射率を示し、マスクアライメント用の光ａ
（例えば波長６３５ｎｍ）に対しては高反射率を示す中
間層（３）を形成した後に、ホトレジストＮ（２）を塗
布形成し、これにプリベークを施した後、マスクアライ
メントと露光を行なう。これによって高精度アライメン
トと微細パターンの粛 形成が可能になる。 ： 中間層（３）としては霊化シリコン（ｓｔ３ｎ４） 膜
または酸化シリコン（Ｓ１０□）膜が用いることができ
る。
差部のある高反射率の下地基板１ｉｌＯ上に、ホトレジ
ストの感光領域の波長（例えば４３６ｎｍ ）の光重に
対しては低反射率を示し、マスクアライメント用の光ａ
（例えば波長６３５ｎｍ）に対しては高反射率を示す中
間層（３）を形成した後に、ホトレジストＮ（２）を塗
布形成し、これにプリベークを施した後、マスクアライ
メントと露光を行なう。これによって高精度アライメン
トと微細パターンの粛 形成が可能になる。 ： 中間層（３）としては霊化シリコン（ｓｔ３ｎ４） 膜
または酸化シリコン（Ｓ１０□）膜が用いることができ
る。
Ｅ１１３Ｎ４膜はプラズマ化学気相反応などによって容
易に形成でき、しかもフレオン（ＣＦ４）プラズマによ
ってエツチングが可能であり、下地基板ｆｌ＋がアルミ
ニウムの場合には塩素系プラズマエツチングの際に良好
なエツチング・マスクとなるなどの利点が多い。また、
ＳｉＯ□膜もシラノールまたはオルガノシラノール溶液
を塗布し、熱処理することによって容易に形成すること
が可能である。いずれにしても、レジスト感光領域の波
長の光に対しては低反射率を示し、マスクアライメント
用の光に対しては画反射率を示すように屈折率または膜
厚を選べばよい。
易に形成でき、しかもフレオン（ＣＦ４）プラズマによ
ってエツチングが可能であり、下地基板ｆｌ＋がアルミ
ニウムの場合には塩素系プラズマエツチングの際に良好
なエツチング・マスクとなるなどの利点が多い。また、
ＳｉＯ□膜もシラノールまたはオルガノシラノール溶液
を塗布し、熱処理することによって容易に形成すること
が可能である。いずれにしても、レジスト感光領域の波
長の光に対しては低反射率を示し、マスクアライメント
用の光に対しては画反射率を示すように屈折率または膜
厚を選べばよい。
また、膜厚、屈折率の選定によって反射率を決める方法
以外にも中間層にホトレジストの感光領域の波長の光に
対しては吸収率が丙＜、マスクアライメント用の光に対
しては吸収率が低いようなものを用いてもよく、例えば
、このような条件を満たず色素を中間層に混入させるこ
とで、その目的は達成できる。
以外にも中間層にホトレジストの感光領域の波長の光に
対しては吸収率が丙＜、マスクアライメント用の光に対
しては吸収率が低いようなものを用いてもよく、例えば
、このような条件を満たず色素を中間層に混入させるこ
とで、その目的は達成できる。
以上説明したように、この発明では下地基板の上ニホト
レジスト膜を形成する際にそのホトレジストの感光領域
の波長の光は余り反射ぜす、マスクアライメント用の波
長領域の光はよく反射するような中間層を形成してから
、その上に上記ホトレジスト膜を形成するようにしたの
で、段差部のある高反射率の下地基板であっても、マス
クアライメントを高精度に行なうことができ、かつ微細
なパターンを良好に形成できる。
レジスト膜を形成する際にそのホトレジストの感光領域
の波長の光は余り反射ぜす、マスクアライメント用の波
長領域の光はよく反射するような中間層を形成してから
、その上に上記ホトレジスト膜を形成するようにしたの
で、段差部のある高反射率の下地基板であっても、マス
クアライメントを高精度に行なうことができ、かつ微細
なパターンを良好に形成できる。
第１図および第２図は従来方法の欠点を説明するための
断面図、第３図はこの発明の一実施例の状況を示す断面
図である。 図において、（ｌ）は下地基板、（２）はホトレジスト
層、（３）は中間層、ａはマスクアライメント用光、ｂ
はホトレジスト露光用光である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 ａ
断面図、第３図はこの発明の一実施例の状況を示す断面
図である。 図において、（ｌ）は下地基板、（２）はホトレジスト
層、（３）は中間層、ａはマスクアライメント用光、ｂ
はホトレジスト露光用光である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０ 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第３図 ａ
Claims (4)
- （１）下地基板表面に微細パターンを形成するために、
上記下地基板上にホトレジスト層を形成し、これに所袂
のマスクアライメントを行なった後に、所要パターンの
露光を施すに当って、上記下地基板上に上記ホトレジス
トの感光領域の波長の光に対しては反射率が小さく、上
記マスクアライメント用の波長領域の光に対しては反射
率の大きい中間層を形成し、その上に上記ホトレジスト
層を形成することを特徴とする微細パターンの形成方法
。 - （２） 中間層として窒化シリコン膜を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の微細パターンの形
成方法。 - （３） 中間層としてシラノールまたはオルガノシラノ
ール溶液を下地基板上に塗布、熱処理して形成される酸
化シリコン膜を、用いることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の微細パターンの形成方法。 - （４） 中間層として、ホトレジストの感光領域の波長
の光に対しては吸光率が大きく、マスクアライメント用
の波長領域の光に対しては吸光率の小さい層を用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれかに記載の微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113057A JPS603620A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113057A JPS603620A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603620A true JPS603620A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14602405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113057A Pending JPS603620A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603620A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618565A (en) * | 1985-06-05 | 1986-10-21 | Rca Corporation | Absorptive layer for optical lithography |
| JPS6218562A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH0383064A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路半導体デバイスのエッチング法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067584A (ja) * | 1973-10-11 | 1975-06-06 | ||
| JPS5493974A (en) * | 1978-01-06 | 1979-07-25 | Hitachi Ltd | Projection-system mask alignment unit |
| JPS54107706A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58113057A patent/JPS603620A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5067584A (ja) * | 1973-10-11 | 1975-06-06 | ||
| JPS5493974A (en) * | 1978-01-06 | 1979-07-25 | Hitachi Ltd | Projection-system mask alignment unit |
| JPS54107706A (en) * | 1978-02-13 | 1979-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618565A (en) * | 1985-06-05 | 1986-10-21 | Rca Corporation | Absorptive layer for optical lithography |
| JPS6218562A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH0383064A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-04-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路半導体デバイスのエッチング法 |
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