JPH06267842A

JPH06267842A - 微細パターン形成方法

Info

Publication number: JPH06267842A
Application number: JP5051880A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Hashimoto; 和彦橋本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-03-12
Filing date: 1993-03-12
Publication date: 1994-09-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、高反射率基板上での微細レジスト
パターンを容易に形成する。【構成】半導体シリコン基板１１上に金属膜１２とし
て表面凹凸の激しいアルミ膜が形成されている。この基
板上に反射防止膜１３を堆積させた。この基板を発煙硝
酸の液につけて、反射防止膜の表面を薄く酸化させるこ
とによって、酸化膜１４を形成した。この酸化膜１４上
に塗布されたレジスト１５をマスクとして紫外線１６を
用いて露光を行った。次に、現像を行ったところ、正確
で高解像度のレジストパターン１５ｐを形成することが
できた。本発明を用いることによって、基板からの反射
率をある程度向上させ、正確なレジストパターンを形成
することができた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や集積回路
を、紫外線に対する高い反射率を持った基板上に、ホト
リソグラフィー技術を用いてパターン形成して製作する
際に使用する微細パターン形成方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や
電子回路素子等の製造においては、紫外線を用いたホト
リソグラフィー技術によってパターン形成が行われてい
る。近年の素子の微細化、高集積化に伴い、このホトリ
ソグラフィー技術において使用している露光装置の投影
レンズの高開口数化、短波長光源の使用等が進められて
いるが、それによって、焦点深度が浅くなる等の欠点が
ある。特に、露光光源の波長を短くすることによって、
基板からの光の反射率が高くなったり、また、露光光の
レジスト膜中での定在波の影響が大きくなりパターン寸
法の変動が大きくなったりする定在波効果の問題等が生
じる。定在波効果とは、露光光のレジスト表面の反射と
基板界面からの反射の光の干渉効果によって、レジスト
膜内に蓄積されるエネルギーが、レジスト膜厚の微小な
変化によって大きく変動する効果のことであり、それに
よってパターン寸法が大きく変動することである。

【０００３】特に、露光光に対する反射性が高い基板に
おいてはこれらの欠点は顕著であり、たとえば、基板表
面の凹凸が激しい金属アルミ膜においては、レジストパ
ターンそのものが露光光の基板からの乱反射によってガ
タガタとなる。高反射基板の場合、基板表面の凹凸がレ
ジストパターンに大きく反映されており、正確で微細な
パターンを形成することが非常に困難である。また、高
反射基板上に反射防止膜を形成してパターン形成を行っ
た場合の、レジストプロセスを図４に示す。半導体シリ
コン基板４１上に反射率が高く表面凹凸の激しい金属ア
ルミ膜４２を８００ｎｍ厚堆積し、さらにこの金属膜上
にこの基板からの反射光を抑制するために反射防止膜４
３として、ＴｉＮ膜を２０ｎｍ厚堆積する（図４
（ａ））。この上にホトレジスト４５としてＡＺマイク
ロポジット（シプレー社）等のレジストを１．０μｍ厚
塗布し、このレジスト膜上から３６５ｎｍ等の紫外線４
４による露光を行う（図４（ｂ））。このレジストをア
ルカリ水溶液を用いて現像を行い、レジストパターン４
５Ｐを得る（図４（ｃ））。次に、これらのレジストパ
ターンをマスクとして反射防止膜４３、金属アルミ膜４
２のドライエッチングを行い、パターン転写を行う。こ
の時のレジストパターンの断面模式図を図２（ａ）に示
している。また、この時の反射防止膜を堆積した基板か
らの反射率を図３（ａ）に示している。これらの図から
わかるように、反射防止膜上にレジストパターンを形成
する場合、基板からの反射率が急激に低下しているた
め、レジスト膜下部の絶対露光量が減少し、レジストパ
ターンの断面形状にテーパーが発生し、台形または三角
形形状となり、正確で微細なパターン形状を得ることが
非常に困難である。

【０００４】これらの欠点を抑制するために、従来の方
法として多層レジストプロセスがある。図５にはホトリ
ソグラフィーにおける従来の三層レジストプロセスを説
明する図を示している。半導体シリコン基板５１上に反
射率が高く表面凹凸の激しいアルミ膜基板５２を８００
ｎｍ厚堆積し、この上にこの基板からの反射光を抑制す
るために下層膜５３として、高分子有機膜を２〜３μｍ
厚塗布し、熱処理を行う。さらに、この上に中間層５４
としてＳｉＯ₂等の無機膜、あるいはＳＯＧ（スピンオ
ングラス）等の無機高分子膜を０．２μｍ厚形成する
（図５（ａ））。さらに、この上に上層レジスト５５と
してＡＺマイクロポジット（シプレー社）等のホトレジ
ストを０．５μｍ厚塗布し、このレジスト膜上から３６
５ｎｍ等の紫外線５６による露光を行う（図５
（ｂ））。このレジストをアルカリ水溶液を用いて現像
を行い、レジストパターン５５Ｐを得る（図５
（ｃ））。次に、このレジストパターン５５Ｐをマスク
として、中間層５４、および下層膜５３のドライエッチ
ングを行う（図５（ｄ））。さらに、これらのレジスト
パターンをマスクとしてアルミ膜５２のドライエッチン
グを行い、パターン転写を行う。以上のような多層レジ
ストプロセスを用いることによって、微細なパターンを
高アスペクト比で形成することができる。しかも、アル
ミ膜のような高反射率基板の上に厚い下層膜が形成され
ているため、露光光の反射が抑えられ、パターン形成に
対する反射の影響が少なく、正確な上層レジストパター
ンが得られる。しかし、このような三層レジストプロセ
スでは、工程がより複雑となり、欠陥の発生も多くな
り、また、中間層と下層膜とのエッチングに対する選択
比が小さい場合、パターン転写時における寸法シフトが
０．１μｍ以上大きくなる等の問題があり、実用的であ
るとはいえない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、三層レ
ジストプロセスは有効な方法であるが、複雑な工程、パ
ターン転写時のレジスト寸法の変動等の問題点がある。
特に、欠陥、ダストの問題があり、歩留り低下の大きな
要因となる。

【０００６】また、単層レジストプロセスで行うと、上
記のように、露光光源の波長を短くすることによって、
焦点深度が浅くなったり、基板からの光の反射率が高く
なったり、また、露光光のレジスト膜中での定在波の影
響が大きくなりパターン寸法の変動が大きくなったりす
る定在波効果の問題等が生じる。従来からこのような定
在波効果によるパターン変動への対策として、下地であ
る高反射基板上に露光光を吸収するような膜を設ける、
いわゆる反射防止膜を形成したり、あるいはレジストそ
のものの吸収率を増加させるために、例えば染料を含有
させたダイ入りレジストを用いたりしてきた。

【０００７】しかし、前者の高反射基板上に反射防止膜
を形成してパターン形成を行った場合、図２（ａ）にレ
ジストパターンの断面模式図を示しているように、反射
防止膜上にパターン形成を行うと、基板からの反射率が
急激に低下しているため、レジスト膜下部の絶対露光量
が減少し、レジストパターンの断面形状にテーパーが発
生し、台形または三角形形状となり、正確で微細なパタ
ーン形状を得ることが非常に困難である。さらに、有機
膜の反射防止膜を使用した場合、専用のエッチング工程
が必要となったり、エッチング時の寸法シフトが大きく
なったり、また、反射防止膜の剥離工程を設けたりしな
ければならない。また、後者のダイ入りレジストを用い
た場合には、染料を入れることにより反射を抑制できる
が、同時に露光光の入射を妨げることになるので、レジ
ストパターンの形状は悪化し、断面形状の劣化は避けら
れないという欠点がある。

【０００８】本発明者らは、これらの課題を解決するた
めに、ホトリソグラフィーにおける基板からの反射を抑
制した高精度の微細パターン形成方法を完成した。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の微細パターン形
成方法は、半導体基板上に紫外線に対する高い反射率を
持った被加工膜が形成されており、この被加工膜上に反
射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を塗布し露光・
現像してレジストパターンを形成し、このレジストパタ
ーンをマスクとしてパターンを転写する微細パターン形
成方法において、反射防止膜の表面を発煙硝酸を用いて
酸化させることによって薄い酸化膜を形成し、基板から
の紫外光に対する反射率を向上させる工程と、この酸化
させた反射防止膜上にレジストを塗布し、所望のレジス
トパターンを形成する工程と、このレジストパターンを
マスクとして反射防止膜および被加工膜を順次エッチン
グする工程とを備えて成る方法を提供する。さらに、望
ましくは、この反射防止膜を酸化させた基板の紫外光に
対する反射率が、３０％〜７０％であり、また、被加工
膜が金属膜であって、反射防止膜がＴｉ、またはＴｉＮ
膜であって、この酸化させた反射防止膜の表面の酸化膜
の膜厚が２０Ａ以下であることることを特徴とする方法
を提供するものである。

【００１０】また、本発明は、半導体基板上に紫外線に
対する高い反射率を持った被加工膜が形成されており、
この被加工膜上に反射防止膜を形成し、この上にレジス
ト膜を塗布し露光・現像してレジストパターンを形成
し、このレジストパターンをマスクとしてパターンを転
写する微細パターン形成方法において、反射防止膜を堆
積した基板を酸素ガスプラズマを用いて酸化させること
によって、反射防止膜の表面に薄い酸化膜を形成し、基
板からの紫外光に対する反射率を向上させる工程と、こ
の酸化させた反射防止膜上にレジストを塗布し、所望の
レジストパターンを形成する工程と、このレジストパタ
ーンをマスクとして反射防止膜および被加工膜を順次エ
ッチングする工程とを備えて成る方法を提供する。さら
に、望ましくは、反射防止膜を酸化させた基板の紫外光
に対する反射率が、３０％〜７０％であり、被加工膜が
金属膜であって、反射防止膜がＴｉ、またはＴｉＮ膜で
あって、この酸化させた反射防止膜の表面の酸化膜の膜
厚が２０Ａ以下であることを特徴とする方法を提供する
ものである。

【００１１】すなわち、紫外線に対する高い反射率を持
った基板上に、基板からの光の反射を抑制することがで
きる反射防止膜を形成し、さらに、この反射防止膜の表
面を酸化させ薄い酸化膜を形成することによって、紫外
線に対する反射率を向上させ、正確で垂直な安定したレ
ジストパターンを形成することができる。この酸化する
方法として、反射防止膜を発煙硝酸につけて酸化させる
方法と、酸素ガスプラズマで処理することによって行う
方法がある。どちらの方法も従来の半導体プロセスを使
用することができるので、非常に簡便に酸化膜を形成す
ることができ、均一な膜厚、膜質で形成することができ
る。さらに、この酸化膜はエッチング後、絶縁膜として
使用可能であり、除去する必要がないというメリットが
ある。

【００１２】この反射防止膜の表面に酸化膜を形成する
ことによって、酸化膜内で露光光の多重干渉が起こり、
その光がレジスト膜内部へもどり、実質の基板からの反
射率が向上する。この反射防止膜を酸化して酸化膜を形
成した基板は、酸化膜の膜厚が２０Ａ以下という薄いも
のでも、その基板からの反射率を向上させる効果は非常
に大きく、紫外線に対する反射率を５０％以上までに上
昇させることができる。図３には従来法と本発明を用い
た場合での、紫外線の波長に対する基板からの反射率を
示している。２４８ｎｍ光に対する反射率は従来３０％
以下であったものが、本発明を用いることによって、５
０％以上に向上させることができた。また、この膜の膜
厚を変化させることによって、基板の反射率を任意に変
えることができる。さらに、この膜は膜厚も薄いので、
下地反射防止膜のエッチング時に同時にエッチングされ
てしまうので、専用のエッチング工程は不要であり、工
程的にも非常に簡便であり、この膜を用いることによっ
て、容易に、高精度に微細レジストパターンを形成する
ことができる。

【００１３】

【作用】本発明は、前記した微細パターン形成方法によ
り、高反射率基板においても容易に正確な高解像度の微
細レジストパターンを形成することができる。すなわ
ち、反射防止膜上に薄い酸化膜を形成することによっ
て、紫外線に対する反射率を向上させ、垂直なレジスト
パターンを形成することができる。また、酸化膜は反射
率を５０％程度向上させるだけで十分であるので、２０
Ａ以下の薄膜で良く、そのため、従来の半導体プロセス
を使用でき、発煙硝酸を用いて反射防止膜の表面を薄く
酸化させたり、また、酸素ガスプラズマを用いて酸化膜
を形成したりすることによって、均一な膜厚、膜質の酸
化膜を形成することができる。さらに、この酸化膜は非
常に薄いので下地反射防止膜のエッチングと同時にエッ
チングを行うことができるので、エッチング工程も簡便
であり、また、この酸化膜はエッチング後も絶縁膜とし
て使用可能であるので、工程的にも非常に容易であり、
この膜を形成することによって、正確な微細レジストパ
ターンを、容易に形成することができる。従って、本発
明を用いることによって、容易に、欠陥の少ない、正確
で高解像度な微細レジストパターン形成に有効に作用す
る。

【００１４】

【実施例】まず、本発明の概要を述べる。本発明は、ホ
トリソグラフィー技術を用いて高反射率基板上にパター
ン形成を行う場合、反射防止膜を堆積した基板上に反射
率を向上させる薄い酸化膜を形成し、上記のような課題
を解決しようというものである。この時の酸化膜の膜厚
は２０Ａ以下でよく、また、基板からの紫外線の反射率
が３０％〜７０％になることが望ましい。すなわち、ア
ルミ膜のような高反射率基板上に反射防止膜を形成し、
この上に薄い酸化膜を形成することによって、この上に
レジストを塗布しパターンを形成する時に、基板からの
反射の影響や定在波の影響によるパターン形状やパター
ン寸法の劣化を抑えることができるというものである。
特に、極薄の酸化膜を形成するので、従来の半導体プロ
セスを使用することができ、発煙硝酸を用いて反射防止
膜の表面を薄く酸化させたり、また、酸素ガスプラズマ
を用いて酸化膜を形成したりすることができるので、制
御性良く均一で均質な薄い膜を形成することができる。
また、２０Ａ以下の薄い膜厚でも、基板反射率を向上さ
せる効果は非常に大きく、図３に示しているように、２
４８ｎｍの露光光に対して従来の３０％以下の基板から
の反射率を５０％以上に向上させることができる。さら
に、この膜は極薄酸化膜であるので、下地反射防止膜エ
ッチング時に同時に容易にエッチングされてしまい、専
用のエッチング工程を全く必要とせず、また、下地基板
エッチング後絶縁膜として使用することができるので、
容易に正確で微細なパターンを形成することができる。
従って、この酸化膜を反射防止膜を堆積した高反射率基
板上に薄く形成することによって、下地基板の反射率や
トポグラフィーに依存しない正確で高解像度のレジスト
パターンを容易に形成することができる。

【００１５】（実施例１）以下本発明の一実施例の微細
パターン形成方法について、図面を参照しながら説明す
る。

【００１６】図１は本発明の実施例における微細パター
ン形成方法の工程断面図を示すものである。半導体シリ
コン基板１１上に金属膜１２として表面凹凸の激しいア
ルミ膜が０．８μｍ厚形成されている。この基板上に反
射防止膜１３として窒化チタンを４０ｎｍ厚堆積させた
（図１（ａ））。この基板を発煙硝酸の液に１０分間つ
けて、反射防止膜の表面を薄く酸化させることによっ
て、酸化膜１４を形成した（図１（ｂ））。この時の酸
化膜の膜厚は２０Ａ程度であった。この酸化膜１４上に
化学増幅系ポジ型レジスト１５を１μｍ厚で塗布し、９
０℃、９０秒間のベーキングを行った。このレジスト上
から２４８ｎｍ光の紫外線１６を用いて５０ｍＪ／ｃｍ
²で露光を行った（図１（ｃ））。

【００１７】次に、１１０℃、９０秒間の露光後ベーキ
ングを行い、有機アルカリ水溶液を用いて１分間の現像
を行ったところ、正確で高解像度のポジ型レジストパタ
ーン１５ｐを形成することができた（図１（ｄ））。こ
のレジストパターンを断面で観察した時の模式図が図２
（ｂ）である。従来の場合では、反射防止膜によって露
光光の反射が極端に抑えられ、そのため、レジスト下部
の絶対露光量が減少してしまい、パターン形状にテーパ
ーが発生し、正確なレジストパターンを形成することが
できなかったが、本発明を用いることによって、基板か
らの反射率をある程度向上させ、正確なレジストパター
ンを形成することができた。このレジストパターン１５
ｐをマスクとして、ＣＣｌ₄とＯ₂ガスを用いてリアクテ
イブイオンエッチング（ＲＩＥ）により極薄酸化膜１
４、反射防止膜１３およびアルミ膜１２のエッチングを
連続して行ったところ、０．３μｍラインアンドスペー
スの微細パターンを正確に垂直に得ることができた。こ
の時の酸化膜の膜厚は２０Ａと非常に薄いので、容易に
エッチングが可能であり、エッチングにおける寸法シフ
トはほとんどなく、レジストパターンを正確に転写する
ことができた。

【００１８】以上のように、本実施例によれば、高反射
率基板で表面凹凸の激しいアルミ膜上に反射防止膜を形
成し、さらにこの反射防止膜の表面を発煙硝酸で酸化す
ることによって、基板の反射率をある程度向上させるこ
とができ、安定して、高精度に、高解像度の微細レジス
トパターンを形成することができる。さらに、この酸化
膜は膜厚が非常に薄く、ドライ処理を行うことができる
ので、膜厚均一性、膜質均一性ともに良好で、また、従
来の半導体プロセスを使用することができるので、工程
的にも非常に簡便である。この時の基板からの紫外線に
対する反射率を図３に示す。従来の反射防止膜の場合、
２４８ｎｍ光に対する反射率は、３０％以下であるのに
対して、表面を酸化して酸化膜を形成することによっ
て、５０％以上に向上させることができ、テーパーのな
い垂直で正確な微細パターン形成が可能となった。

【００１９】また、この酸化膜の膜厚は、基板からの反
射率が３０％〜７０％になるように、薄ければ薄い程良
いが、２０Ａ以下であることが望ましい。

【００２０】（実施例２）以下本発明の他の実施例の微
細パターン形成方法について説明する。

【００２１】半導体シリコン基板上に金属膜として表面
凹凸の激しいアルミ膜が０．８μｍ厚形成されている。
この基板上に反射防止膜として窒化チタンを４０ｎｍ厚
堆積させた。この基板を酸素ガスプラズマを用いて、反
射防止膜の表面を薄く酸化させることによって、酸化膜
を形成した。この時の酸化膜の膜厚は２０Ａ程度であっ
た。この酸化膜上に化学増幅系ポジ型レジストを１μｍ
厚で塗布し、９０℃、９０秒間のベーキングを行った。
このレジスト上から２４８ｎｍ光の紫外線を用いて５０
ｍＪ／ｃｍ²で露光を行った。次に、１１０℃、９０秒
間の露光後ベーキングを行い、有機アルカリ水溶液を用
いて１分間の現像を行ったところ、正確で高解像度のポ
ジ型レジストパターンを形成することができた。従来の
場合では、反射防止膜によって露光光の反射が極端に抑
えられ、そのため、レジスト下部の絶対露光量が減少し
てしまい、パターン形状にテーパーが発生し、正確なレ
ジストパターンを形成することができなかったが、本発
明を用いることによって、基板からの反射率をある程度
向上させ、正確なレジストパターンを形成することがで
きた。このレジストパターンをマスクとして、ＣＣｌ₄
とＯ₂ガスを用いてリアクテイブイオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）により極薄酸化膜、反射防止膜および基板アルミ
膜のエッチングを連続して行ったところ、０．３μｍラ
インアンドスペースの微細パターンを正確に垂直に得る
ことができた。この時の酸化膜の膜厚は２０Ａと非常に
薄いので、容易にエッチングが可能であり、エッチング
における寸法シフトはほとんどなく、レジストパターン
を正確に転写することができた。

【００２２】以上のように、本実施例によれば、高反射
率基板で表面凹凸の激しいアルミ膜上に反射防止膜を形
成し、さらにこの反射防止膜の表面を酸素ガスプラズマ
を用いることによって酸化膜を形成し、基板の反射率を
ある程度向上させることができ、安定して、高精度に、
高解像度の微細レジストパターンを形成することができ
る。さらに、この酸化膜は膜厚が非常に薄く、ドライ処
理を行うことができるので、膜厚均一性、膜質均一性と
もに良好で、また、従来の半導体プロセスを使用するこ
とができるので、工程的にも非常に簡便である。従来の
反射防止膜の場合、２４８ｎｍ光に対する反射率は、３
０％以下であるのに対して、表面を酸化して酸化膜を形
成することによって、５０％以上に向上させることがで
き、テーパーのない垂直で正確な微細パターン形成が可
能となった。

【００２３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルミ膜のような表面凹凸の激しい高反射率基板上に反
射防止膜を堆積し、この反射防止膜の表面を酸化させる
ことによって酸化膜を形成し、基板からの反射率を向上
させることによって、容易に正確な高解像度の微細レジ
ストパターンを形成することができる。この酸化膜は非
常に薄く、発煙硝酸や酸素ガスプラズマを用いて制御性
良く均一で均質な薄い膜を形成することができ、また、
基板からの反射率をある程度向上させることができるの
で、レジストパターンにテーパーが発生することはな
く、垂直で正確な微細パターンを形成することができ
る。さらに、この極薄酸化膜の形成には従来の半導体シ
リコンプロセスを使用することができるので、非常に容
易に簡便に形成することができ、また、エッチング後は
絶縁膜として使用可能であるので、プロセス的にも非常
に簡便である。この反射防止膜表面に薄い酸化膜を形成
することによって、正確で垂直な微細レジストパターン
を、容易に形成することができる。従って、本発明を用
いることによって、容易に、安定して、欠陥のない、正
確で高解像度な微細レジストパターンを形成することが
でき、超高密度集積回路の製造に大きく寄与することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における微細パターン形
成方法の工程断面図

【図２】（ａ）従来の場合と、（ｂ）本発明を用いた場
合の、レジストパターンの断面形状を示す模式図

【図３】（ａ）従来の場合と、（ｂ）本発明を用いた場
合の、基板からの反射率と露光光の波長との関係図

【図４】従来のホトリソグラフィにおける反射防止膜を
用いた場合の微細パターン形成方法の工程断面図

【図５】従来のホトリソグラフィにおける三層レジスト
プロセスを用いた場合の微細パターン形成方法の工程断
面図

【符号の説明】

１１半導体シリコン基板１２金属膜１３反射防止膜１４酸化膜１５レジスト膜１６紫外線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に紫外線に対する高い反射率
を持った被加工膜が形成されており、前記被加工膜上に
反射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を塗布し露光
・現像してレジストパターンを形成し、前記レジストパ
ターンをマスクとしてパターンを転写する微細パターン
形成方法において、反射防止膜の表面を発煙硝酸を用いて酸化させることに
よって薄い酸化膜を形成し、基板からの紫外光に対する
反射率を向上させる工程と、前記酸化させた反射防止膜
上にレジストを塗布し、所望のレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして反射
防止膜および被加工膜を順次エッチングする工程とを備
えた微細パターン形成方法。
【請求項２】請求項１記載の反射防止膜を酸化させた基
板の紫外光に対する反射率が、３０％〜７０％であるこ
とを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項３】請求項１記載の被加工膜が金属膜であっ
て、前記反射防止膜がＴｉ、またはＴｉＮ膜であって、
酸化させた反射防止膜の表面の酸化膜の膜厚が２０Ａ以
下である微細パターン形成方法。
【請求項４】半導体基板上に紫外線に対する高い反射率
を持った被加工膜が形成されており、前記被加工膜上に
反射防止膜を形成し、この上にレジスト膜を塗布し露光
・現像してレジストパターンを形成し、前記レジストパ
ターンをマスクとしてパターンを転写する微細パターン
形成方法において、反射防止膜を堆積した基板を酸素ガスプラズマを用いて
酸化させることによって、反射防止膜の表面に薄い酸化
膜を形成し、基板からの紫外光に対する反射率を向上さ
せる工程と、前記酸化させた反射防止膜上にレジストを
塗布し、所望のレジストパターンを形成する工程と、前
記レジストパターンをマスクとして反射防止膜および被
加工膜を順次エッチングする工程とを備えた微細パター
ン形成方法。
【請求項５】請求項４記載の反射防止膜を酸化させた基
板の紫外光に対する反射率が、３０％〜７０％であるこ
とを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項６】請求項４記載の被加工膜が金属膜であっ
て、前記反射防止膜がＴｉ、またはＴｉＮ膜であって、
酸化させた反射防止膜の表面の酸化膜の膜厚が２０Ａ以
下であることを特徴とする微細パターン形成方法。