JPS60160616A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60160616A JPS60160616A JP1640584A JP1640584A JPS60160616A JP S60160616 A JPS60160616 A JP S60160616A JP 1640584 A JP1640584 A JP 1640584A JP 1640584 A JP1640584 A JP 1640584A JP S60160616 A JPS60160616 A JP S60160616A
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- photo resist
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体装置の製造方法にかかシ、特にフォトレ
ジストの勤布方法に関するものである。
ジストの勤布方法に関するものである。
半導体装置の製造工程中でアルミニウム膜のパターンを
形成する方法紘通常以下のようである。
形成する方法紘通常以下のようである。
、まず、半導体基析十にアルミニウム１１１！′６−形
成中ふ〜この上に７オトレジストを塗布する。次に、フ
ォトマスクを介してこの７オトレジストを露光し、フォ
トマスクのパターンを７オトレジストに焼きつける。１
これを現像してでき７’ｃ７オトレジストのパターンを
マスクにしてアルミニウム膜をエツチングし、フォトレ
ジストを除去すると、アルミニウム膜のパターンが形成
される。ところがこの工程では、アルミニウムの表面で
の光の反射率が高いため、露光時にフォトマスクで覆わ
れた部分に光がまわシζみ、露光されてしまいやすいと
いう欠点がある。
成中ふ〜この上に７オトレジストを塗布する。次に、フ
ォトマスクを介してこの７オトレジストを露光し、フォ
トマスクのパターンを７オトレジストに焼きつける。１
これを現像してでき７’ｃ７オトレジストのパターンを
マスクにしてアルミニウム膜をエツチングし、フォトレ
ジストを除去すると、アルミニウム膜のパターンが形成
される。ところがこの工程では、アルミニウムの表面で
の光の反射率が高いため、露光時にフォトマスクで覆わ
れた部分に光がまわシζみ、露光されてしまいやすいと
いう欠点がある。
これを防ぐために、アに？、ニウム膜上に露光する光の
波長に強い吸収帯をもつフォトレジストを薄く塗布した
上に通常の７オトレジストを塗布する方法が考えられた
１、ζうすると、照射された光はアルミニウム膜の表面
に達する前に大きく減衰し、かつ、アルミニウム膜の表
面で反射された光は吸収の強いフォトレジストを再度通
過するため、７オ）−ｒスフで覆われた部分を露光する
ことがない。ところが、この方法では、通常の７ォトレ
ジストを塗布したときに、下地の光の吸収の強いフォト
レジストが溶は出してしまい、塗布むらが生ずるという
欠点がある。
波長に強い吸収帯をもつフォトレジストを薄く塗布した
上に通常の７オトレジストを塗布する方法が考えられた
１、ζうすると、照射された光はアルミニウム膜の表面
に達する前に大きく減衰し、かつ、アルミニウム膜の表
面で反射された光は吸収の強いフォトレジストを再度通
過するため、７オ）−ｒスフで覆われた部分を露光する
ことがない。ところが、この方法では、通常の７ォトレ
ジストを塗布したときに、下地の光の吸収の強いフォト
レジストが溶は出してしまい、塗布むらが生ずるという
欠点がある。
本発明は、フォトレジストを二重に塗布することによっ
て生じる塗布むらをなくシ、欠陥のないフォトレジスト
のパターンを形成する方法を提供することを目的とする
。７ 〔発明の構成〕 本発明の特徴は、半導体基板表面に第１の７オトレジス
トを塗布する工程と、この第１の７オトレジストの全面
にイオンを照射する工程と、この第１の７オトレジスト
上に第２の７オトレジストを塗布する工程を含む半導体
装置の製造方法にある。
て生じる塗布むらをなくシ、欠陥のないフォトレジスト
のパターンを形成する方法を提供することを目的とする
。７ 〔発明の構成〕 本発明の特徴は、半導体基板表面に第１の７オトレジス
トを塗布する工程と、この第１の７オトレジストの全面
にイオンを照射する工程と、この第１の７オトレジスト
上に第２の７オトレジストを塗布する工程を含む半導体
装置の製造方法にある。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）１１本発明の一実施例の断面図で
ある。第１図（ａ）は段差のある二酸化シリコン２の形
成された半導体基板１の表面にアルミニウム膜３が形成
されたところである。次に、アルミニウムｊＩ３の表面
に達する光を弱めることと、アルミニウム膜３の表面で
反射した光を吸収する目的で、光の吸収の強いポジ型の
第１の７オトレジスト４を薄く塗布したのが第１図中）
である。従来はこの上にただちに通常の７オトレジスト
を塗布することが試みられていたが、塗布時に第１のフ
ォトレジスト４が通常の７オトレジストに溶は出して塗
布むらが発生してしまっていた。
ある。第１図（ａ）は段差のある二酸化シリコン２の形
成された半導体基板１の表面にアルミニウム膜３が形成
されたところである。次に、アルミニウムｊＩ３の表面
に達する光を弱めることと、アルミニウム膜３の表面で
反射した光を吸収する目的で、光の吸収の強いポジ型の
第１の７オトレジスト４を薄く塗布したのが第１図中）
である。従来はこの上にただちに通常の７オトレジスト
を塗布することが試みられていたが、塗布時に第１のフ
ォトレジスト４が通常の７オトレジストに溶は出して塗
布むらが発生してしまっていた。
本発明社、第１の７オトレジスト４を塗布した後に第１
図（Ｃ）に示すように、第１の７オトレジスト４の全面
にイオンを照射する。これが従来技術と異る点である。
図（Ｃ）に示すように、第１の７オトレジスト４の全面
にイオンを照射する。これが従来技術と異る点である。
ここでイオンを照射する目的は、第１の７オトレジスト
４の表面を変質させ、通常の７オトレジストの溶剤に溶
けないようにすることでおる。イオンの照射はプラズマ
型エツチング装置で行ってもよいし、イオン注入装置で
行ってもよい。照射するイオンとしてはＢ”、Ｐ”、’
ｆ、ｃｔ−等がめげられる。このときに注意しなければ
いけないことは、イオンの照射をなるべく短時間にする
ことである。イオンの照射時間が長ずきると、第１の７
オトレジスト４０表面だけでなく内部まで変質してしま
い、第１のフォトレジスト４の特性である光をよく吸収
する能力が失われ、かつ第１のフォトレジスト４の除去
がし忙くくなってしまう。第１図（ｄ）はイオン照射に
よって表面の変質した第１の７オトレジスト４の上に通
算使用されるポジ型の第２の７オトレジスト６を撒布し
たところでおる。第１の７オトレジスト４の表面にイオ
ン照射によって変質したＮ５があるために、第１の７オ
トレジスト４は第２のフォトレジスト６に溶けださない
。次に、フォトマスクを介して露光を行う。
４の表面を変質させ、通常の７オトレジストの溶剤に溶
けないようにすることでおる。イオンの照射はプラズマ
型エツチング装置で行ってもよいし、イオン注入装置で
行ってもよい。照射するイオンとしてはＢ”、Ｐ”、’
ｆ、ｃｔ−等がめげられる。このときに注意しなければ
いけないことは、イオンの照射をなるべく短時間にする
ことである。イオンの照射時間が長ずきると、第１の７
オトレジスト４０表面だけでなく内部まで変質してしま
い、第１のフォトレジスト４の特性である光をよく吸収
する能力が失われ、かつ第１のフォトレジスト４の除去
がし忙くくなってしまう。第１図（ｄ）はイオン照射に
よって表面の変質した第１の７オトレジスト４の上に通
算使用されるポジ型の第２の７オトレジスト６を撒布し
たところでおる。第１の７オトレジスト４の表面にイオ
ン照射によって変質したＮ５があるために、第１の７オ
トレジスト４は第２のフォトレジスト６に溶けださない
。次に、フォトマスクを介して露光を行う。
この第１図（ｄ）の露光領域７の部分に光が照射賂れる
。このときアルミニウム膜３の段部に照射された光は反
射して露光領域７以外の部分を露光してしまう。しかし
、本実施例ではアルミニウム膜３の上に光の吸収の強い
第１の７オトレジストが形成されてい２まため、アル９
ニウム随３の裏面π麿する光は弱くなシ、かつ反射した
光ははとんど第１の７オトレジストに吸収されてしまう
、）従って、これを現像すればフォトマスクのパターン
通シに７オトレジストのパターンが形成される。
。このときアルミニウム膜３の段部に照射された光は反
射して露光領域７以外の部分を露光してしまう。しかし
、本実施例ではアルミニウム膜３の上に光の吸収の強い
第１の７オトレジストが形成されてい２まため、アル９
ニウム随３の裏面π麿する光は弱くなシ、かつ反射した
光ははとんど第１の７オトレジストに吸収されてしまう
、）従って、これを現像すればフォトマスクのパターン
通シに７オトレジストのパターンが形成される。
以上説明したように、本発明によれば、フォトレジスト
を二重に塗布することが可能となるため、光の吸収の強
いフォトレジストと通常の７オトレジストを重ねて塗布
することができ、これによってアルミニウム表面の反射
によってできるフォトレジストのパターンの欠陥を防ぐ
ことができる。
を二重に塗布することが可能となるため、光の吸収の強
いフォトレジストと通常の７オトレジストを重ねて塗布
することができ、これによってアルミニウム表面の反射
によってできるフォトレジストのパターンの欠陥を防ぐ
ことができる。
従って本発明によれば半導体装置の製造に、よシ高歩留
シが期待でき、さらにアルミパターンの欠陥が少くなる
ためよシ信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
シが期待でき、さらにアルミパターンの欠陥が少くなる
ためよシ信頼性の高い半導体装置を製造することができ
る。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン展、３・・・・・・アルミニウム膜、４・・・・・
・光を強く吸収するフォトレジスト、５・・・・・・変
質したフォトレジスト領域、６・・・・・・通常のフォ
トレジスト、７・・・・・・露光領域、８・・・・・・
アルミ表面で反射した光。 （ｉｔ） 篇１目
る。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・二酸化シリ
コン展、３・・・・・・アルミニウム膜、４・・・・・
・光を強く吸収するフォトレジスト、５・・・・・・変
質したフォトレジスト領域、６・・・・・・通常のフォ
トレジスト、７・・・・・・露光領域、８・・・・・・
アルミ表面で反射した光。 （ｉｔ） 篇１目
Claims (1)
- 半導体基板表面に第１の７オトレジストを塗布した後、
この第１の７オトレジストの全面にイオンを照射し、そ
の後、この第１の７オトレジスト上に第２の７オトレジ
ストを塗布する工程を含むことを＊ｉとする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1640584A JPS60160616A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1640584A JPS60160616A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160616A true JPS60160616A (ja) | 1985-08-22 |
Family
ID=11915330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1640584A Pending JPS60160616A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160616A (ja) |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP1640584A patent/JPS60160616A/ja active Pending
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