JPS62217241A - 薄膜レジスト形成方法 - Google Patents
薄膜レジスト形成方法Info
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- JPS62217241A JPS62217241A JP6123986A JP6123986A JPS62217241A JP S62217241 A JPS62217241 A JP S62217241A JP 6123986 A JP6123986 A JP 6123986A JP 6123986 A JP6123986 A JP 6123986A JP S62217241 A JPS62217241 A JP S62217241A
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- JP
- Japan
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- resist
- film
- thin film
- thick
- etched
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、薄いレジスト１戻をピンホール発生な（形成
するために、最初環いレジスト膜をスピンコードし、ベ
ーキング後表面一様エッチングすることを特徴とするも
のである。
するために、最初環いレジスト膜をスピンコードし、ベ
ーキング後表面一様エッチングすることを特徴とするも
のである。
本発明は、フォトマスクを形成するのにガラス基板上の
Ｃｒ俣上に薄いレジス１１を形成するプロセスに関する
。
Ｃｒ俣上に薄いレジス１１を形成するプロセスに関する
。
従来は、マスク用のガラス基板上にＣｒ［を形成した後
、周知のスピンコーティング法で５０００〜１００００
Ａのレジストｍを形成しプリベークしている。
、周知のスピンコーティング法で５０００〜１００００
Ａのレジストｍを形成しプリベークしている。
より微細なＣｒパターンを形成するためには、より薄い
レジストｍを利用することが望ましいが、例えば１００
０〜３０００Ａ程度に薄膜化するためには、より高速に
回転するか、あるいはレジスト膜の粘度を低下させるこ
とが必要である。しかしながら、かかる方法はレジスト
８４にピンホールが発生する確率が高くなり問題がある
。
レジストｍを利用することが望ましいが、例えば１００
０〜３０００Ａ程度に薄膜化するためには、より高速に
回転するか、あるいはレジスト膜の粘度を低下させるこ
とが必要である。しかしながら、かかる方法はレジスト
８４にピンホールが発生する確率が高くなり問題がある
。
本発明は、ピンホールが発生することのない薄いレジス
ト膜を形成することを目的とする。
ト膜を形成することを目的とする。
本発明では、厚いレジスト膜を一旦スビンコート法で形
成し、ベーキング後、表面全面を一様にエツチングする
工程を有する。
成し、ベーキング後、表面全面を一様にエツチングする
工程を有する。
こうすることで、スピンコード時のピンホールの発生が
防止でき、且つ薄いレジスｌを使ってＣｒ（ｄのエツチ
ングができる。
防止でき、且つ薄いレジスｌを使ってＣｒ（ｄのエツチ
ングができる。
第１図に本発明の一実施例のプロセス工程図を示す。
ｔ−ｒ（１）ａの如く、通常のスピンコーｐＦｃよ’）
、ガラス基＆１表面のＣｒ脇３（遮光膜）上に、通常の
容易な条件で５ｏｏｏ−１００００にの厚いレジスト膜
５を形成する。
、ガラス基＆１表面のＣｒ脇３（遮光膜）上に、通常の
容易な条件で５ｏｏｏ−１００００にの厚いレジスト膜
５を形成する。
そして（２）の如く、例えばノボラック系レジストの場
合なら、ＫＯＨ等の溶解液の中にガラス基板を浸漬又は
スピンアンドスプレー処理により表面全面エツチングを
施こし、厚いレジスト膜を１０００〜３０００Ａの所望
のＮ、さのレジスト５０にする。このエツチングは、酸
素ラジカルによるドライエツチングでも可能である。
合なら、ＫＯＨ等の溶解液の中にガラス基板を浸漬又は
スピンアンドスプレー処理により表面全面エツチングを
施こし、厚いレジスト膜を１０００〜３０００Ａの所望
のＮ、さのレジスト５０にする。このエツチングは、酸
素ラジカルによるドライエツチングでも可能である。
この時例えば、レーザビームを照射して反射干渉をモニ
タしながら、低速エツチングを行えば、その映厚をコン
トロールすることができる。
タしながら、低速エツチングを行えば、その映厚をコン
トロールすることができる。
その後このレジストを露光現像し、マスクにしてＣｒＭ
３をエツチングする。
３をエツチングする。
本発明によれば、スピンコード時は十分厚いのでピンホ
ールは形成されス、その後エツチングすることでピンホ
ールのないｍ膜しジストを形成することができる。
ールは形成されス、その後エツチングすることでピンホ
ールのないｍ膜しジストを形成することができる。
第１心は本発明の一実施例のプロセス断面図である。
図中、１はガラス基板、３は遮光膜、５．５０はレジス
ト膜である。 、４・ 代理人 弁理士 井桁負 −（二、 不賛明の寥施例 ｖ１図
ト膜である。 、４・ 代理人 弁理士 井桁負 −（二、 不賛明の寥施例 ｖ１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス基板表面の遮光膜上に露光時よりも厚いレジスト
膜をスピンコーティングする工程と、該厚膜レジスト膜
をベーキングする工程と、該厚膜レジスト膜全面を一様
にエッチング除去する工程と、 該薄くなつたレジスト膜を所定パターンに露光現像し、
該レジストをマスクにして前記遮光膜をエッチングする
工程 とを有することを特徴とする薄膜レジスト形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123986A JPS62217241A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 薄膜レジスト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6123986A JPS62217241A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 薄膜レジスト形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62217241A true JPS62217241A (ja) | 1987-09-24 |
Family
ID=13165479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6123986A Pending JPS62217241A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 薄膜レジスト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62217241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505487A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | 有機樹脂材料に開口部を形成する方法の改良 |
| JP2018205141A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社レプトリノ | 力覚センサ |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6123986A patent/JPS62217241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007505487A (ja) * | 2003-09-09 | 2007-03-08 | シーエスジー ソーラー アクチェンゲゼルシャフト | 有機樹脂材料に開口部を形成する方法の改良 |
| JP2018205141A (ja) * | 2017-06-05 | 2018-12-27 | 株式会社レプトリノ | 力覚センサ |
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