JPS63114127A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS63114127A JPS63114127A JP25822386A JP25822386A JPS63114127A JP S63114127 A JPS63114127 A JP S63114127A JP 25822386 A JP25822386 A JP 25822386A JP 25822386 A JP25822386 A JP 25822386A JP S63114127 A JPS63114127 A JP S63114127A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細な開孔部において、その断面形状がオー
バ・ハング形状を是するレジストのパターン形成方法に
関するものである。
バ・ハング形状を是するレジストのパターン形成方法に
関するものである。
微細な金属パターンを基板上に形成する方法としてリフ
ト・オフ法がある。リフト・オフ法では断面がオーバ・
ハング構造を呈するレジスト形状が必要である。そのた
めの手段の一例としては、アイ・イー・イー・トランザ
クション・オン・エレクトロン・デバイセズ第ＥＤ−２
６巻、第３６０〜３６８頁、 （１９７９年） （
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｏｎ Ｅｌａ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ） Ｖｏ１２ 、 Ｅ Ｄ
−２６、Ｎａ４（１９７９） ｐ ３６０−３６８
＞ に記載されているように、溶媒が異なる電子線ポ
ジ型レジスト（門稲とその共重合体）を用いた２層レジ
スト法が提案されている。
ト・オフ法がある。リフト・オフ法では断面がオーバ・
ハング構造を呈するレジスト形状が必要である。そのた
めの手段の一例としては、アイ・イー・イー・トランザ
クション・オン・エレクトロン・デバイセズ第ＥＤ−２
６巻、第３６０〜３６８頁、 （１９７９年） （
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｏｎ Ｅｌａ
ｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ） Ｖｏ１２ 、 Ｅ Ｄ
−２６、Ｎａ４（１９７９） ｐ ３６０−３６８
＞ に記載されているように、溶媒が異なる電子線ポ
ジ型レジスト（門稲とその共重合体）を用いた２層レジ
スト法が提案されている。
上記従来技術は電子線ポジ型を用い２層に形成するもの
であるが、電子線ポジ型レジストＰＭＭＡは、感度が非
常に低いという大きな欠点があり、実用に供するには問
題があった。
であるが、電子線ポジ型レジストＰＭＭＡは、感度が非
常に低いという大きな欠点があり、実用に供するには問
題があった。
本発明は、レジストを現像液に浸漬し、水洗した後に、
潜像を形成した後、前記現像液と同種の化合物による現
像液を用いて現像することにより、微細な開孔部を有し
断面形状がオーバ・ハング形状を呈するレジストパター
ンを形成するようにしたものである。
潜像を形成した後、前記現像液と同種の化合物による現
像液を用いて現像することにより、微細な開孔部を有し
断面形状がオーバ・ハング形状を呈するレジストパター
ンを形成するようにしたものである。
高感度ポジ型レジストは、一般に未照射部分の膜減りが
大きいため、微細な開孔部を有するパターンでは、オー
バ・ハング形状を形成することが困難であった。
大きいため、微細な開孔部を有するパターンでは、オー
バ・ハング形状を形成することが困難であった。
一方、ノボラック系電子線ポジ型レジストＮＰＲ（商品
名ＲＥ５０００Ｐ日立化成製）は、現像を一旦中断し、
水洗と乾燥を行うと、再び現像液に浸漬しても現象は全
く進行しない。これは、レジスト表面に雛溶な層が形成
された為と考えられる。
名ＲＥ５０００Ｐ日立化成製）は、現像を一旦中断し、
水洗と乾燥を行うと、再び現像液に浸漬しても現象は全
く進行しない。これは、レジスト表面に雛溶な層が形成
された為と考えられる。
該難溶化層は、前記現像液より高濃度な現像液を用いる
ことにより現像可能となることが判った。
ことにより現像可能となることが判った。
この時、未照射部や低照射部（く１μｃ ／ ｃｌ ）
では、殆んど現像が進行しない為、コントラストが高く
なる。
では、殆んど現像が進行しない為、コントラストが高く
なる。
そこで、この現像中断処理により形成される難溶化層を
パターン形成に活かすことを考えた。
パターン形成に活かすことを考えた。
潜像を形成する前に、レジストをパターン形成に用いる
現像液より低濃度の現像液に所定時間浸漬し水洗・乾燥
し該表面を難溶化せしめる。この間のレジストの１漠減
りは、予め、レジストを該相当量だけ厚めに被着するこ
とにより解決できる。
現像液より低濃度の現像液に所定時間浸漬し水洗・乾燥
し該表面を難溶化せしめる。この間のレジストの１漠減
りは、予め、レジストを該相当量だけ厚めに被着するこ
とにより解決できる。
然る後に、電子線照射により潜像を形成し、次いで現像
を行う。その結果、高感度レジストを用いて、微細な開
孔部で、その形状がオーバハング構造となっているレジ
ストパターン形成が可能となる。
を行う。その結果、高感度レジストを用いて、微細な開
孔部で、その形状がオーバハング構造となっているレジ
ストパターン形成が可能となる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図において、（ａ）に示すように基板１にノボラッ
ク系電子線ポジ型レジスト（日立化成製、商品名ＲＥ５
０００Ｐ）２を被着する。次に、第１図（ｂ）に示すよ
うに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（商品名
東京応化工業製ＮＭＤ−３（２，３８％））を６０％に
希釈した水溶液に３分間浸漬し、水洗する。その後、第
１図（ｃ）に示すように電子線照射（８〜１０μｃ ／
ｃｘｌ ）を行って潜像を形成する。ついで、Ｎ Ｍ
Ｄ −３（２，３８％）を用いて、現像した。この結
果、（ｄ）に示すようにエッチが鋭い微細な開孔部（＜
０ 、２μｍ）が形成され、オーバ・ハング形状のレ
ジストパターンが得られた。
ク系電子線ポジ型レジスト（日立化成製、商品名ＲＥ５
０００Ｐ）２を被着する。次に、第１図（ｂ）に示すよ
うに水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（商品名
東京応化工業製ＮＭＤ−３（２，３８％））を６０％に
希釈した水溶液に３分間浸漬し、水洗する。その後、第
１図（ｃ）に示すように電子線照射（８〜１０μｃ ／
ｃｘｌ ）を行って潜像を形成する。ついで、Ｎ Ｍ
Ｄ −３（２，３８％）を用いて、現像した。この結
果、（ｄ）に示すようにエッチが鋭い微細な開孔部（＜
０ 、２μｍ）が形成され、オーバ・ハング形状のレ
ジストパターンが得られた。
実施例２
実施例１における電子線照射の代りに、Ｘ、Ｗａ光（〜
４５０ ｍ Ｊ ／ａ＆）によって潜像を形成し、現像
することにより上記第１実施例と同様なレジストバタン
か得られた。
４５０ ｍ Ｊ ／ａ＆）によって潜像を形成し、現像
することにより上記第１実施例と同様なレジストバタン
か得られた。
実施例３
上記したパターン形成方法を適用して、ＧａＡｓＦＥＴ
のゲート電極を加工した。レジストパターンを形成した
後、アルミニウムを厚さ約３００゜人程度蒸着し、リフ
トオフ法によって０．２ μｍのゲートを歩留りよく
加工することができた。
のゲート電極を加工した。レジストパターンを形成した
後、アルミニウムを厚さ約３００゜人程度蒸着し、リフ
トオフ法によって０．２ μｍのゲートを歩留りよく
加工することができた。
上記のように１本発明によるパターン形成方法は、潜像
形成する前に、レジストを現像液に浸漬し、水洗するこ
とにより該表面を難溶化する。これにより、高感度電子
線ポジ型レジストを用いて、微細な開孔部（＜０．２
μｍ）における断面形状がオーバ・ハング構造になる
レジストパターン形成が容易に可能となった。上記のよ
うに高感度レジストを用いることが可能となるため、電
子線照射時間を従来例として示したものの約４０分の１
に短縮できるという効果が得られる。
形成する前に、レジストを現像液に浸漬し、水洗するこ
とにより該表面を難溶化する。これにより、高感度電子
線ポジ型レジストを用いて、微細な開孔部（＜０．２
μｍ）における断面形状がオーバ・ハング構造になる
レジストパターン形成が容易に可能となった。上記のよ
うに高感度レジストを用いることが可能となるため、電
子線照射時間を従来例として示したものの約４０分の１
に短縮できるという効果が得られる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、実施例１に示すパターン形成
方法の各工程図を示している。
方法の各工程図を示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に被着したポジ型レジストを潜像形成の前処理
として現像液に浸漬し、水洗した後に、エネルギー線の
照射により潜像を形成し、然る後に前記現像液と同種の
化合物による現像液を用いて現像することを特徴とする
パターン形成方法。 ２、上記の潜像形成後の現像に用いる現像液濃度を、潜
像形成の前処理に用いた現像液より高濃度なものを用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載したパ
ターン形成方法。 ３、上記レジストとしてノボラック系レジストを用いる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載したパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258223A JP2607486B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61258223A JP2607486B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63114127A true JPS63114127A (ja) | 1988-05-19 |
| JP2607486B2 JP2607486B2 (ja) | 1997-05-07 |
Family
ID=17317228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61258223A Expired - Lifetime JP2607486B2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2607486B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0411525A2 (en) * | 1989-08-02 | 1991-02-06 | Hitachi, Ltd. | A method of making optical disk master and an optical disk |
| US5436114A (en) * | 1989-12-06 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Method of optical lithography with super resolution and projection printing apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003222104A (ja) | 2002-01-31 | 2003-08-08 | Smc Corp | リニアアクチュエータ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646530A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Nec Corp | Preparation of resist pattern |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP61258223A patent/JP2607486B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5646530A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Nec Corp | Preparation of resist pattern |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0411525A2 (en) * | 1989-08-02 | 1991-02-06 | Hitachi, Ltd. | A method of making optical disk master and an optical disk |
| US5581531A (en) * | 1989-08-02 | 1996-12-03 | Hitachi, Ltd. | Method of making optical disk master and an optical disk |
| US5436114A (en) * | 1989-12-06 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Method of optical lithography with super resolution and projection printing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2607486B2 (ja) | 1997-05-07 |
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