JPS634613A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS634613A JPS634613A JP14892986A JP14892986A JPS634613A JP S634613 A JPS634613 A JP S634613A JP 14892986 A JP14892986 A JP 14892986A JP 14892986 A JP14892986 A JP 14892986A JP S634613 A JPS634613 A JP S634613A
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- JP
- Japan
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- resist
- pattern
- bleaching material
- semiconductor substrate
- convex pattern
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板上の凸パターン上に自己整合的
にレジストパターンを形成する方法に関するものである
。
にレジストパターンを形成する方法に関するものである
。
従来のこの種のパターン形成方法を第２図Ｃ＆）〜（ｅ
）によって説明する。
）によって説明する。
第２図（ａ）に示すように、既に凸パターン２が形成さ
れている半導体基板１全面に第２図（ｂ）のように、レ
ジスト３を塗布し通常の位置合わせ、露光により所望の
部分のレジスト感光部３ａを感光させる０次に、通常の
現像処理を施し、＃！２図ＣＣ）のようなレジストパタ
ーンを形成する０次に第２図（ｄ）に示すように、金属
膜５を全面に蒸着する。その後、レジスト３を除去して
第２図（ｅ）のように、金属パターンを形成する。
れている半導体基板１全面に第２図（ｂ）のように、レ
ジスト３を塗布し通常の位置合わせ、露光により所望の
部分のレジスト感光部３ａを感光させる０次に、通常の
現像処理を施し、＃！２図ＣＣ）のようなレジストパタ
ーンを形成する０次に第２図（ｄ）に示すように、金属
膜５を全面に蒸着する。その後、レジスト３を除去して
第２図（ｅ）のように、金属パターンを形成する。
従来のレジストパターン形成方法は、レジスト露光時、
非常に高精度の位置合わせをしなければならず、既存の
凸パターン２が微小な場合はこの位置合わせはほとんど
不可能であった。
非常に高精度の位置合わせをしなければならず、既存の
凸パターン２が微小な場合はこの位置合わせはほとんど
不可能であった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、凸パターン上のレジストを自己整合的に露
光し開口するパターン形成方法を得ることを目的とする
。
れたもので、凸パターン上のレジストを自己整合的に露
光し開口するパターン形成方法を得ることを目的とする
。
この発明に係るパターン形成方法は、微小な凸パターン
が形成された半導体基板上にレジストを形成し、このレ
ジスト上に光退色性材料を凸パターン上が薄くなるよう
に塗布し、少なくとも凸パターンより大きい領域に紫外
線を照射し、凸パターン上のレジストのみを自己整合的
に露光し光退色性材料を除去した後、現像処理を行って
レジストパターンを形成するものである。 ゛〔作用〕 この発明においては、レジスト塗布後光退色性材料を塗
布し、その後、紫外線を照射することにより半導体基板
上の凸パターンの上層の光退色性材料の薄い部分を退色
させ、その下層のレジストのみを感光させて微小な凸パ
ターン上に開口したレジストパターンを形成する。
が形成された半導体基板上にレジストを形成し、このレ
ジスト上に光退色性材料を凸パターン上が薄くなるよう
に塗布し、少なくとも凸パターンより大きい領域に紫外
線を照射し、凸パターン上のレジストのみを自己整合的
に露光し光退色性材料を除去した後、現像処理を行って
レジストパターンを形成するものである。 ゛〔作用〕 この発明においては、レジスト塗布後光退色性材料を塗
布し、その後、紫外線を照射することにより半導体基板
上の凸パターンの上層の光退色性材料の薄い部分を退色
させ、その下層のレジストのみを感光させて微小な凸パ
ターン上に開口したレジストパターンを形成する。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例を示すパタ
ーン形成方法の工程図で、この図において、１は半導体
基板、２は前記半導体基板１上に形成された微小な凸パ
ターン、３はレジスト、３ａはレジスト感光部、４は光
退色性材料、４ａは退色部分、５は金属膜である。
ーン形成方法の工程図で、この図において、１は半導体
基板、２は前記半導体基板１上に形成された微小な凸パ
ターン、３はレジスト、３ａはレジスト感光部、４は光
退色性材料、４ａは退色部分、５は金属膜である。
次に、パターン形成工程について説明する。
まず、第１図（ＩＬ）に示すような凸パターン２の形成
された半導体基板１上に第１図（ｂ）のように、レジス
ト３および光退色性材料４を塗布する。この時、凸パタ
ーン２上の光退色性材料４は、凸パターン２のない部分
に塗布されたものよりも薄く塗布される。この状態で光
退色性材料４の薄い部分が退色し、厚い部分は退色しな
いようなエネルギーで紫外線を全面に照射する。すると
第１図（Ｃ）のように、光退色性材料４が退色した退色
部分４ａの下層のレジスト３のみが露光される０次に、
光退色性材料４を除去し、通常の現像処理を施して第１
図（ｄ）のようなレジストパターンが得られる０次に第
１図（ｅ）のように、金属膜５を蒸着などにより半導体
基板１全面に形成し、リフトオフ法により第１図（ｆ）
のような金属パターンを得る。
された半導体基板１上に第１図（ｂ）のように、レジス
ト３および光退色性材料４を塗布する。この時、凸パタ
ーン２上の光退色性材料４は、凸パターン２のない部分
に塗布されたものよりも薄く塗布される。この状態で光
退色性材料４の薄い部分が退色し、厚い部分は退色しな
いようなエネルギーで紫外線を全面に照射する。すると
第１図（Ｃ）のように、光退色性材料４が退色した退色
部分４ａの下層のレジスト３のみが露光される０次に、
光退色性材料４を除去し、通常の現像処理を施して第１
図（ｄ）のようなレジストパターンが得られる０次に第
１図（ｅ）のように、金属膜５を蒸着などにより半導体
基板１全面に形成し、リフトオフ法により第１図（ｆ）
のような金属パターンを得る。
なお、上記実施例では、紫外線を全面照射したものを示
したが、少なくとも凸パターン２より若□ 干大き
めの領域に選択的に露光すればよい。
したが、少なくとも凸パターン２より若□ 干大き
めの領域に選択的に露光すればよい。
この発明は以上説明したとおり、微小な凸パターンが形
成された半導体基板上にレジストを形成し、このレジス
ト上に光退色性材料を凸パターン上が薄くなるように塗
布し、少なくとも凸パターンより大きい領域に紫外線を
照射し、凸パターン上のレジストのみを自己整合的に露
光した後、現像して凸パターン上に開口したレジストパ
ターンを形成するようにしたので、既存の凸パターンが
微小であっても、その凸パターン上には高精度、かつ容
易に所望のパターンが形成できる利点が得られる。
成された半導体基板上にレジストを形成し、このレジス
ト上に光退色性材料を凸パターン上が薄くなるように塗
布し、少なくとも凸パターンより大きい領域に紫外線を
照射し、凸パターン上のレジストのみを自己整合的に露
光した後、現像して凸パターン上に開口したレジストパ
ターンを形成するようにしたので、既存の凸パターンが
微小であっても、その凸パターン上には高精度、かつ容
易に所望のパターンが形成できる利点が得られる。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例を示すパタ
ーン形成方法の工程図、第２図（ａ）〜Ｃｅ）は従来の
パターン形成方法の工程図である。 図において、１は半導体基板、２は凸パターン、３はレ
ジスト、４は光退色性材料、５は金属膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （ほか２名）第１図 第２図
ーン形成方法の工程図、第２図（ａ）〜Ｃｅ）は従来の
パターン形成方法の工程図である。 図において、１は半導体基板、２は凸パターン、３はレ
ジスト、４は光退色性材料、５は金属膜である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （ほか２名）第１図 第２図
Claims (1)
- 微小な凸パターンが形成された半導体基板上にレジスト
を形成する工程、このレジスト上に光退色性材料を前記
凸パターン上が薄くなるように塗布する工程、少なくと
も前記凸パターンより大きい領域に紫外線を照射し前記
凸パターン上のレジストのみを自己整合的に露光する工
程、前記光退色性材料を除去した後、現像処理を行って
レジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴と
するパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14892986A JPS634613A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14892986A JPS634613A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634613A true JPS634613A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15463818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14892986A Pending JPS634613A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634613A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043960A (en) * | 1997-12-22 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Inverted merged MR head with track width defining first pole tip component constructed on a side wall |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP14892986A patent/JPS634613A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6043960A (en) * | 1997-12-22 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Inverted merged MR head with track width defining first pole tip component constructed on a side wall |
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