JPS62159143A - レジストの下層材料用組成物 - Google Patents
レジストの下層材料用組成物Info
- Publication number
- JPS62159143A JPS62159143A JP29726485A JP29726485A JPS62159143A JP S62159143 A JPS62159143 A JP S62159143A JP 29726485 A JP29726485 A JP 29726485A JP 29726485 A JP29726485 A JP 29726485A JP S62159143 A JPS62159143 A JP S62159143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- lower layer
- layer material
- light
- cresol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/76—Photosensitive materials characterised by the base or auxiliary layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、選択的な光透過率を有するレジストの下層材
料用組成物に関する。
料用組成物に関する。
（従来の技術）
選択的な光透過率となるポリマ膜は、半導体製造工程に
おいて多層レジストの下層材料として使用されている。
おいて多層レジストの下層材料として使用されている。
この下層材料は、１μｍまたはそれ以下のパターンを形
成する場合に、露光光を吸収し、該露光光がレジスト膜
を通過する際に生ずる基板表面からの反射光や散乱光ま
たはレジスト膜内での光の干渉効果を防止し、精度のよ
いパターン形成に寄与する。
成する場合に、露光光を吸収し、該露光光がレジスト膜
を通過する際に生ずる基板表面からの反射光や散乱光ま
たはレジスト膜内での光の干渉効果を防止し、精度のよ
いパターン形成に寄与する。
ところで下層材料として備えなければならない特性とし
ては、上記の露光光の吸収の他に基板とのマスク合わせ
のために、マスク合わせ波長に対する透過率が高いこと
が必要である。
ては、上記の露光光の吸収の他に基板とのマスク合わせ
のために、マスク合わせ波長に対する透過率が高いこと
が必要である。
従来、このようなポリマ膜の材料としては、芳香族アジ
ド化合物とフェノール樹脂などのポリマとからなる材料
が使用されており、市販品としては例えば日立化成工業
■製ＲＧ−３９００Ｂ等がある。
ド化合物とフェノール樹脂などのポリマとからなる材料
が使用されており、市販品としては例えば日立化成工業
■製ＲＧ−３９００Ｂ等がある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のポリマ膜は、露光光は十分に吸収
するが、マスク合わせ波長が５４６ｎｍ（いわゆるｅ線
）よりも長波長の場合は膜厚２μｍにおいて光透過率が
５０％以上と十分透過するが、５１５ｎｍ付近の波長で
はそれが３０％以下となってしまい、十分に光を透過し
ないという欠点があった。
するが、マスク合わせ波長が５４６ｎｍ（いわゆるｅ線
）よりも長波長の場合は膜厚２μｍにおいて光透過率が
５０％以上と十分透過するが、５１５ｎｍ付近の波長で
はそれが３０％以下となってしまい、十分に光を透過し
ないという欠点があった。
本発明の目的は、この欠点を改善し、露光光に対する吸
収性がよ（、かつマスク合わせに必要な５１５ｎｍ付近
の光透過率の良好なポリマ膜を与えるレジストの下層材
料用組成物を提供することにある。
収性がよ（、かつマスク合わせに必要な５１５ｎｍ付近
の光透過率の良好なポリマ膜を与えるレジストの下層材
料用組成物を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、クレゾールノボラック樹脂またはフェノール
とクレゾールとの共縮合ノボラック樹脂を主成分とする
レジストの下層材料用組成物に関する。
とクレゾールとの共縮合ノボラック樹脂を主成分とする
レジストの下層材料用組成物に関する。
本発明においては、クレゾールノボラック樹脂またはフ
ェノールとクレゾールとの共縮合ノボラック樹脂が用い
られる。これらは市販品としても求めることができ、ク
レゾールノボラック樹脂としては、群栄化学工業■製商
品名 レジトップＲ３Ｆ−２８０３、Ｒ３Ｆ−２８０７
、Ｒ５Ｆ−２８０８、住友ベークライト側製商品名ＰＲ
−５１５３０、ＰＲ−５１７６７、ヘキスト社製商品名
アルノポール ＰＮ−４３０などがある。樹脂は、脱
溶剤後、成膜できることが必要であり、そのために数平
均分子量は５００以上が好ましく、さらに半導体工程に
使用することを考慮に入れると、数平均分子量は１００
０以上が好ましい。また本発明のレジストの下層材料用
組成物は溶剤を含んでもよい。
ェノールとクレゾールとの共縮合ノボラック樹脂が用い
られる。これらは市販品としても求めることができ、ク
レゾールノボラック樹脂としては、群栄化学工業■製商
品名 レジトップＲ３Ｆ−２８０３、Ｒ３Ｆ−２８０７
、Ｒ５Ｆ−２８０８、住友ベークライト側製商品名ＰＲ
−５１５３０、ＰＲ−５１７６７、ヘキスト社製商品名
アルノポール ＰＮ−４３０などがある。樹脂は、脱
溶剤後、成膜できることが必要であり、そのために数平
均分子量は５００以上が好ましく、さらに半導体工程に
使用することを考慮に入れると、数平均分子量は１００
０以上が好ましい。また本発明のレジストの下層材料用
組成物は溶剤を含んでもよい。
本発明になる組成物は、溶剤に溶解した状態でシリコン
、アルミ、石英、ガラス等の基板表面に塗布される。こ
の際使用する溶剤としては、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン系溶剤、メチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロ
ソルブ系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミ
ル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、プロ
パツール等のアルコール系溶剤などがあげられる。これ
らの溶剤は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
、アルミ、石英、ガラス等の基板表面に塗布される。こ
の際使用する溶剤としては、例えばアセトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン系溶剤、メチルセロソルブ、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロ
ソルブ系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミ
ル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、プロ
パツール等のアルコール系溶剤などがあげられる。これ
らの溶剤は単独でまたは２種以上混合して用いられる。
本発明の組成物は、その目的に応じて副次的な成分を含
有していてもよい。これらの例としては、例えば貯蔵安
定性を図るための熱重合防止剤、基板からのハレーショ
ンを防止するためのハレーション防止剤、基板との密着
性を向上させるための密着性向上剤、塗膜面の平滑性を
あたえる界面活性剤等が挙げられる。
有していてもよい。これらの例としては、例えば貯蔵安
定性を図るための熱重合防止剤、基板からのハレーショ
ンを防止するためのハレーション防止剤、基板との密着
性を向上させるための密着性向上剤、塗膜面の平滑性を
あたえる界面活性剤等が挙げられる。
本発明になる組成物を塗布する方法としては、スピンナ
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が用
いられる。
ーを用いた回転塗布、浸漬、噴霧、印刷などの手段が用
いられる。
基板に塗布された組成物は、２００〜２５０℃に加熱さ
れ、ポリマ膜が形成される。加熱温度が２００℃未満の
場合には、得られるポリマ膜は５１５ｎｍ以上の光を十
分に透過でき、マスク合わせが可能であるが、露光光と
して縮小投影露光装置などに用いられる４３６ｎｍ、４
０５ ｎｍの光は５０％以上が透過してしまい、好まし
くない。
れ、ポリマ膜が形成される。加熱温度が２００℃未満の
場合には、得られるポリマ膜は５１５ｎｍ以上の光を十
分に透過でき、マスク合わせが可能であるが、露光光と
して縮小投影露光装置などに用いられる４３６ｎｍ、４
０５ ｎｍの光は５０％以上が透過してしまい、好まし
くない。
また加熱温度が２５０℃を越える場合は、４３６ｎｍ以
下の光は十分に吸収するが、５１５ｎｍの光も吸収し、
十分な光透過が望めないので好ましくない。
下の光は十分に吸収するが、５１５ｎｍの光も吸収し、
十分な光透過が望めないので好ましくない。
加熱の方法としては、赤外線ベーク炉、ホットプレート
に乗せる方法、加熱ベーク炉などの手段が用いられる。
に乗せる方法、加熱ベーク炉などの手段が用いられる。
加熱時間は、レジストの下層材料用組成物がその温度に
到達すればよく、加熱の方法によっても異なるが、通常
１〜６０分でよい。
到達すればよく、加熱の方法によっても異なるが、通常
１〜６０分でよい。
このように製造されたポリマ膜には、さらに副次的な処
理を施してもよ（、たとえば多層レジストのために上層
にレジストを形成することができる。
理を施してもよ（、たとえば多層レジストのために上層
にレジストを形成することができる。
（実施例）
実施例１
群栄化学工業＠製 クレゾールノボラック樹脂ＰＳＦ−
２８０３２７，４ｇをシクロへキサノン ７２．６ ｇ
に溶解し、０．２μｍのフィルタを使用してポリマ溶液
を得た。
２８０３２７，４ｇをシクロへキサノン ７２．６ ｇ
に溶解し、０．２μｍのフィルタを使用してポリマ溶液
を得た。
次いでこの溶液を石英基板上に１６０Ｏｒｐｍで３０秒
間回転塗布し、ヤマト科学製 クリーンオープン型番
ＤＴ−４１で２３０°Ｃで２０分間ベークし、２μｍの
厚さの塗膜を得た。
間回転塗布し、ヤマト科学製 クリーンオープン型番
ＤＴ−４１で２３０°Ｃで２０分間ベークし、２μｍの
厚さの塗膜を得た。
得られた基板上のポリマ膜を■日立製作所製スペクトロ
ホトメータ２００−２０形を用い、紫外線透過率を測定
した。結果を曲線Ａとして第１図に示す。
ホトメータ２００−２０形を用い、紫外線透過率を測定
した。結果を曲線Ａとして第１図に示す。
このポリマ膜は、４３６ｎｍの透過率が１４％と小さく
、露光光の吸収性が良好であり、５１５ｎｍの透過率は
５１％と十分な透過率を与えることが示される。
、露光光の吸収性が良好であり、５１５ｎｍの透過率は
５１％と十分な透過率を与えることが示される。
比較例１
実施例１に用いたポリマ溶液に芳香族アジド化合物とし
て１−（４−アジドベンジリデン）−３（４−アジド−
αヒドロキシベンジル）インデン（下記構造式（１）参
照）５．４ｇを加えて溶解し、０．２μｍのフィルタを
使用してポリマ溶液を得た。
て１−（４−アジドベンジリデン）−３（４−アジド−
αヒドロキシベンジル）インデン（下記構造式（１）参
照）５．４ｇを加えて溶解し、０．２μｍのフィルタを
使用してポリマ溶液を得た。
次いで実施例１と同一条件で２μｍの塗膜を得、同一の
スペクトロホトメータで紫外線透過率を測定した。結果
を第１図に曲線Ｂとして示す。
スペクトロホトメータで紫外線透過率を測定した。結果
を第１図に曲線Ｂとして示す。
本比較例の材料は、４３６ｎｍの透過率が２％と非常に
小さく、吸収性に優れてはいるものの、５１５ｎｍの透
過率が２７％と小さく、透明性に不十分なことがわかっ
た。
小さく、吸収性に優れてはいるものの、５１５ｎｍの透
過率が２７％と小さく、透明性に不十分なことがわかっ
た。
実施例２
群栄科学工業■製 クレゾールノボラック樹脂Ｒ３Ｆ−
２８０７を使用し、実施例１と同一の配合でポリマ溶液
を得、石英基板上に２０００ｒｐｍで３０秒間回転塗布
し、２３０℃で２０分間ベークし、２μの塗膜を得た。
２８０７を使用し、実施例１と同一の配合でポリマ溶液
を得、石英基板上に２０００ｒｐｍで３０秒間回転塗布
し、２３０℃で２０分間ベークし、２μの塗膜を得た。
実施例１で用いたスペクトロホトメータで透過率を測定
したところ、５１５ｎｍ、４３６ｎｍはそれぞれ４０％
、８％であった。
したところ、５１５ｎｍ、４３６ｎｍはそれぞれ４０％
、８％であった。
実施例３〜５
樹脂の種類および溶剤をエチルセロソルブアセテート７
０ｇに変える他は実施例１と同様にして塗膜を得、透過
率を測定した。結果を第１表にまとめて示した。
０ｇに変える他は実施例１と同様にして塗膜を得、透過
率を測定した。結果を第１表にまとめて示した。
実施例６
実施例１で作製したポリマ溶液を使用し、べ−り温度を
２００℃とし、他は実施例１と同一の条件のもとで、紫
外線透過率を測定した。結果を第１表に示すが、良好な
透過率を示すことがわかった。
２００℃とし、他は実施例１と同一の条件のもとで、紫
外線透過率を測定した。結果を第１表に示すが、良好な
透過率を示すことがわかった。
実施例７
実施例１で作製したポリマを使用し、ベータ温度を２５
０℃とし、他は実施例１と同一条件のもとて紫外線透過
率を測定した。結果を第１表に示すが、良好な透過率を
示すことかわかった。
０℃とし、他は実施例１と同一条件のもとて紫外線透過
率を測定した。結果を第１表に示すが、良好な透過率を
示すことかわかった。
比較例２
実施例１では作製したポリマ溶液を使用し、ベーク温度
を１７０℃とし、他は実施例１と同一条件のもとで、紫
外線透過率を測定した。第１表から４３６ ｎｍの透過
率が８５％となり、不十分な結果となった。
を１７０℃とし、他は実施例１と同一条件のもとで、紫
外線透過率を測定した。第１表から４３６ ｎｍの透過
率が８５％となり、不十分な結果となった。
比較例３
実施例１で作製したポリマ溶液を使用し、べ−り温度を
３００℃とし、他は実施例１と同一条件のもとで紫外線
透過率を測定した。第１表から５１５ｎｍの透過率が１
０％となり、不十分な結果となった。
３００℃とし、他は実施例１と同一条件のもとで紫外線
透過率を測定した。第１表から５１５ｎｍの透過率が１
０％となり、不十分な結果となった。
以下余白
（発明の効果）
本発明になるレジストの下層材料用組成物より得られる
ポリマ膜は、波長４３６ ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５
ｎｍの露光波長をよく吸収し、一方、波長５１５ｎｍ付
近の波長を選択的に透過するので、半導体工業における
レジストの下層材料として好適である。
ポリマ膜は、波長４３６ ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５
ｎｍの露光波長をよく吸収し、一方、波長５１５ｎｍ付
近の波長を選択的に透過するので、半導体工業における
レジストの下層材料として好適である。
第１図は実施例および比較例で得たポリマ膜の紫外線透
過率を示す特性図である。 ＼−′Ｊ二ｐ“ ｄａ１５５／ｇｐρ ｔ５り ４変
仮−長、勿ジ ％＋ 図
過率を示す特性図である。 ＼−′Ｊ二ｐ“ ｄａ１５５／ｇｐρ ｔ５り ４変
仮−長、勿ジ ％＋ 図
Claims (1)
- （１）クレゾールノボラック樹脂またはフェノールとク
レゾールとの共縮合ノボラック樹脂を主成分とするレジ
ストの下層材料用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29726485A JPS62159143A (ja) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | レジストの下層材料用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29726485A JPS62159143A (ja) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | レジストの下層材料用組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159143A true JPS62159143A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=17844267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29726485A Pending JPS62159143A (ja) | 1985-12-30 | 1985-12-30 | レジストの下層材料用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159143A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04254327A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体製造方法 |
| WO2004092238A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 下地材用樹脂、下地材、積層体、及び多層レジストパターン形成方法 |
| DE4414808B4 (de) * | 1993-09-08 | 2006-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verwendung einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung und Herstellungsverfahren für eine Antireflexschicht und ein Halbleiterbauelement |
| US10250109B2 (en) | 2011-09-30 | 2019-04-02 | Fujitsu General Limited | Molded motor with conductive plate to reduce bearing corrosion |
-
1985
- 1985-12-30 JP JP29726485A patent/JPS62159143A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04254327A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-09-09 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体製造方法 |
| DE4414808B4 (de) * | 1993-09-08 | 2006-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verwendung einer Antireflexbeschichtungszusammensetzung und Herstellungsverfahren für eine Antireflexschicht und ein Halbleiterbauelement |
| WO2004092238A1 (ja) * | 2003-04-18 | 2004-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | 下地材用樹脂、下地材、積層体、及び多層レジストパターン形成方法 |
| US10250109B2 (en) | 2011-09-30 | 2019-04-02 | Fujitsu General Limited | Molded motor with conductive plate to reduce bearing corrosion |
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