JPH031659B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野： 本発明は、本質的成分として、水中で不溶性で
ありかつアルカリ水溶液中で可溶性である、例え
ばノボラツク樹脂のような少なくとも１つの結合
剤、少なくとも１つの感放射化合物、例えばｏ−
キノンジアジド及びグリコールエーテルエステル
から構成されているか又はグリコールエーテルエ
ステルを含有する有機溶剤又は溶剤混合物からな
る物質の感放射被覆液に関する。 従来技術： ポジ型のフオトレジスト配合物を製造すること
は、例えば米国特許明細書第366473号、同第
4115128号及び同第4173470号に記載されているよ
うに当業界でよく知られている。これらの明細書
は、アルカリ金属−可溶性フエノール−ホルムア
ルデヒドノボラツク樹脂を感光性材料、通常置換
ナフトキノンジアジド化合物と一緒に包含する。
樹脂及びセンシタイザは、有機溶剤又は溶剤混合
物に溶解され、層の製造業者によつて又は使用者
によつて薄膜又は被覆として所望の特殊な適用に
好適な基板に適用することができる。 このフオトレジスト配合物のノボラツク樹脂成
分は、アルカリ水溶液に可溶であるが、ナフトキ
ノンセンシタイザは、樹脂に対する溶解速度抑制
剤として作用する。しし、被覆される基板の選択
した部分を化学線に露光すると、センシタイザ
は、放射により誘発される構造的変換を受け、被
膜の露光した部分は、露光してない部分よりも可
溶性にされる。この溶解速度の差は、基板をアル
カリ現像液中に浸漬した際にフオトレジスト被膜
の露光した部分の溶解を惹起し、露光してない部
分は、殆んど影響を受けず、したがつてポジ型の
リレーフパターンを基板上に生じる。 大抵の場合、現像した基板は、基板−腐蝕剤溶
液によつて処理される。フオトレジスト被膜は、
基板の被覆した部分を腐蝕剤から保護し、したが
つて腐蝕剤は、ポジ型フオトレジストの場合に化
学線に露光した部分に相当する、基板の露光して
ない部分を腐蝕することのみ可能である。従つ
て、腐蝕したパターンは、基板上に生じることが
でき、それは、選択的露光パターンを現像よりも
先に被覆した基板上に生じるために使用された、
マスク、ステンシル、型板等のパターンに相当す
る。 上記した方法によつて得られた、基板上でのフ
オトレジストのレリーフパターンは、例えば小型
化された集積電子部品の製造において使用される
ような露光マスク又はパターンとして通用される
ことをも含めて種々の適用に有用である。 工業的実用において重要なフオトレジスト組成
物の性質は、レジストの感光速度、現像コントラ
スト、レジストの解像力及びレジストの付着力を
包含する。 増加した感光速度は、特に若干の露光が、例え
ば多重パターンを繰り返し法によつて発生させる
場合に必要とされるか又は減少した濃度の光が、
例えば光を一連のレンズ及び単色光フイルターに
通過させる投影露光技術の場合に使用されるよう
な適用においてフオトレジストに重要である。従
つて、増加した感光速度は、マスク又は一連の回
路パターンを基板上に得るために若干の多重露光
（ステツパー（Stepper））を行なわなければなら
ないような方法で使用されるレジスト組成物に特
に重要である。この最適条件は、特殊な現像モー
ドで一定の現像温度及び現像時間、ならびに露光
したレジスト部分の完全な現像を得るために選択
した現像剤系を包含し、露光してない最大レジス
ト膜厚を維持することにより損失は初期膜厚の約
10％を越えない。 現像コントラストは、現像の露光した部分での
膜損失の百分率と、露光してない部分での膜損失
の百分率との比較に帰因する。通常、露光したレ
ジスト被覆基板の現像は、露光した部分での被膜
が実質的に完全に溶解除去されるまで連続され、
したがつて現像コントラストは、露光した被膜部
分を完全に除去した際に露光してない部分での膜
被覆損失の百分率を測定することによつて簡単に
定めることができる。 レジスト解像力は、１対の最小の等間隔の線を
再現するためのレジスト系の能力及び現像して露
出した空間内で高度の画像端縁尖鋭度をもつて露
光の間に利用されるマスクの介在間隔の能力に帰
因する。 多くの工業的適用において、特に小型化電子部
品の製造において、フオトレジストは、高度の解
像力を著しく細かい線及び間隔に対して（１ミク
ロン又はそれ以下の程度で）得るために必要とさ
れる。 著しく小さい寸法を１ミクロン又はそれ以下の
程度で再現するためのレジストの能力は、シリコ
ーンチツプ及び同様の構成素子に大規模に集積回
路を製造する際に極めて重要である。このような
チツプ上での回路密度は、フオトリングラフイー
技術を利用すると仮定して、レジストの解像能力
を増大させることによつてのみ増大することがで
きる。レジスト被膜の露光した部分が不溶性にな
りかつ露光してない部分が現像液によつて溶解除
去されるようなネガ型のフオトレジストは、この
目的のために半導体工業によつて広範囲に使用さ
れたのだけれども、ポジ型のフオトレジストは、
本質的に高い解像力を有し、かつネガ型レジスト
の代替品として利用される。 小型化集積回路構成素子の製造において常用の
ポジ型フオトレジストを使用することによる問題
は、ポジ型レジストが一般にネガ型レジストより
も遅い感光速度を有することにある。 公知技術においてポジ型フオトレジスト組成物
の感光速度を改善することは、種々に試みられ
た。例えば、米国特許明細書第3666473号の場合、
２種類のフエールホルムアルデヒドノボラツク樹
脂の混合物は、典型的なセンシタイザと一緒に利
用されたが、この場合このノボラツク樹脂は、特
別のPHのアルカリ溶液中でのその溶解速度及び曇
り点によつて定義された。米国特許明細書第
4115128号の場合、有機酸環式無水物から構成さ
れる第３成分は、増加した感光速度を得るためめ
にフエノール樹脂及びナフトキノンジアジドセン
シタイザに添加された。 溶剤又は溶剤混合物として米国特許明細書第
3666473号には、例えばエーテル、エステル及び
ケトン、例えば酢酸ブチル及びキシレンの割合を
有するか又は有しないメチルセロソルブ
（Cellosolve ）アセテート又はエチルセロソル
ブ（Cellosolve ）アセテート、グリコールモノ
メチルエーテル又はグリコールモノエチルエーテ
ル、ならびにメチルイソブチルケトン又はアセト
ンのような種々の物質が記載されている。更に、
高められた温度に抵抗しようとする、米国特許明
細書第4439516号によるフオトレジスト配合物は、
例えばジメチルホルムアミド、セロソルブ
（Cellosolve ）エステル及びグリコールエステ
ル又はグリコールエーテルのようなアルコール、
エーテル及びアミドが溶剤として指摘される。ま
た相当する溶剤は、米国特許明細書第4397973号
及び同第4308368号にも開示されている。 しかし、溶剤を選択する場合、前記刊行物の記
載では、溶液の製造業者又はフオトレジストの製
造業者が特別の溶剤を使用するということから生
じうる環境への影響力を考慮に入れていない。多
数の使用者は、例えば小規模でのみ被覆を行な
い、溶剤を回収する装置を所有しないか又は溶剤
蒸気を環境上安全に除去する装置を所有しない。
より厳しい標準規格が有機溶剤の使用に対して設
定確立されたので、溶剤を選択することも制限さ
れた。 更に、公知の溶剤又は溶剤混合物は、露光速度
に対してプラスの影響を有しない。 発明が解決しようとする問題点： 従つて、本発明の課題は、沸点、蒸気圧及び溶
解力の点でこれまで使用された溶剤に相当する溶
剤を含有し、他の所望の性質は不変のままで有効
な感光速度を有し、かつ健康に対して殆んど害の
ないフオトレジスト溶液を得ることである。 問題点を解決するための手段： この課題は、プロピレングリコールアルキルエ
ーテルアセテート、有利にプロピレングリコール
−（C₁〜C₂−アルキル）エーテルアセテートをグ
リコールエーテルエステルとして含有する上記型
の被覆液によつて解決される。 従つて、実質的に増加された感光速度を証明
し、耐浸蝕性速度、プラズマエツチング速度及び
コントラストを保持又は改善するフオトレジスト
組成物を得ることができる。意外なことに、改善
されたレジストは、ノボラツク樹脂及びキノンジ
アジドセンタイザをプロピレングリコールアルキ
ルエーテルアセテート成分と混合する際に調製す
ることができることが見い出された。この成分
は、基板へのレジストの適用を簡易化するために
樹脂及びセンシタイザに対する溶剤としても作用
する。この成分は、フオトレジストを形成するた
めに有用な他の溶剤よりも低い毒性であることが
証明される。 プロピレングリコールアルキルエーテルを使用
することは、他の適用分野から公知である。この
プロピレングリコールアルキルエーテルは、例え
ば他の有機溶剤及び水との混合物で画像に応じて
の露光及び現像の後に感光層の処理に使用される
（米国特許明細書第4411983号）か又は現像液の成
分として使用される（米国特許明細書第4416976
号）。しかし、これらの明細書の記載から、プロ
ピレングリコールアルキルエーテルアセテートを
組成物による被覆液に特に有利に使用することが
できることは明らかではなかつた。 特に好ましくは、本発明による被覆液はプロピ
レングリコールメチルエーテルアセテートを含有
する。 本発明によるフオトレジスト組成物は、公知技
術水準のポジ型フオトレジストと比較して増加し
た感光速度を示すことの他に、高度の解像力及び
良好な現像コントラスト及び付着性を示す。これ
らの性質は、中位に増加した感光速度を達成し、
同時に解像力及びコントラストを犠性にする幾つ
かの先行技術水準のフオトレジストと明らかに対
比される。 本発明による被覆液は、プロピレングリコール
アルキルエーテルアセテートを、溶剤の重量に対
して５〜100重量％の範囲内の量で含有する。特
別の実施態様の場合、被覆液は、プロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテートを唯一の溶剤
として含有する。 感光性組成物を製造するために使用することが
できるノボラツク樹脂の製造は、当業界でよく知
られている。その製造法は、参考のために本発明
書中に含されている、エイ・クノツプ（A.
Knop）及びダブリユー・シヤイプ（Ｗ・
Scheib）、“ケミストリー・アンド・アプリケー
シヨン・フエノリツク・レジスト（Chemistry
and Application of Phenolic Resins）、シユプ
リンガー社（Springer Verlag（ニユーヨーク
在））刊、1979年、の第４章に記載されている。
同様に、感放射ｏ−キノンジアジドの使用は、ジ
エイ・コサール（J.Kosar）、“ライト・センシテ
イブ・システムズ（Light Sensitive
Systemg）”、ジヨン・ウイリー・アンド・サンズ
社（Jonn Wiley＆Sons（ニユーヨーク在））刊、
1965年、の第７，４章（これも参考のために本明
細書中に含まれている）、によつて証明されるよ
うに当業者によく知られている。本発明による被
覆液の成分よりなる前記センシタイザは、ポジ型
フオトレジスト配合物に当業界で常用される置換
ナフトキノンジアジドセンシタイザの群から選択
される。このようなセンシタイジング化合物は、
例えば米国特許明細書第2797213号；同第3106465
号；同第3148983号；同第3130047号；同第
3201329号；同第3785825号；及び同第3802885号
に開示されている。有用なフオトセンシタイザ
は、ナフトキノン−（１，２）−ジアジド−５−ス
ルホニルクロリド及び例えばヒドロキシベンゾフ
エノンのようなフエノール性化合物と縮合したナ
フトキノン．（１，２）−ジアジド−４−スルホニ
ルクロリドを包含する。 ノボラツク樹脂は、固体レジスト部分に対して
約50重量％〜約90重量％、有利に約65重量％〜約
85重量％の範囲内の量で被覆液中に含有されてい
る。ジアジドの好ましい範囲は、固体レジスト部
分に対して約10重量％〜約50重量％、有利に約15
重量％〜約35重量％である。被覆液を製造する場
合、ノボラツク及びジアジドは、プロピレングリ
コールアルキルエーテルアセテートと混合され、
この場合このアセテートは、被覆液に対して約40
重量％〜約90重量％の量で存在する。好ましい範
囲は、被覆液に対して約60重量％〜約83重量％、
最も好ましくは約65重量％〜約70重量％である。 添加剤、例えば染料、フローライン防止剤、定
着剤、増感剤、溶剤及び非イオン性界面活性剤の
ような界面活性剤は、ノボラツク樹脂、センシタ
イザ及びプロピレングリコールアルキルエーテル
アセテートの溶液に、この溶液を基板上に塗布す
る前に添加することができる。 使用することができる染料の例は、メチルバイ
オレツト2B（C.I.No.42535）、クリスタルバイオレ
ツト（C.I.No.42555）、マラカイトグリーン（C.I.
No.42000）、ビクトリアブル−Ｂ（C.I.No.44045）及
びニユートラルレツド（C.I.No.50040）を、ノボ
ラツク及び感放射化合物の結合した重量に対して
１〜10重量％の濃度で包含する。染料添加剤は、
基板から離れての光の後方散乱を阻止することに
よつて増大した解像力を得るのに役立つ。 フローライン防止剤は、ノボラツク及び感放射
組成物の結合した重量に対して５重量％までの量
で使用することができる。 使用することができる可塑剤は、例えば燐酸ト
リ−（β−クロルエチル）−エステル；ステアリン
酸；ジカンフアー；ポリプロピレン；アセタール
樹脂；フエノキシ樹脂；及びアルキド樹脂をノボ
ラツク及び感放射化合物の結合した重量に対して
１〜10重量％の濃度で包含する。可塑剤添加剤
は、材料の被覆性を改善し、滑らかでありかつ基
板に対して均一の厚さを有する被膜の適用を可能
にする。 使用することができる定着剤は、例えばヘキサ
メチルジシラザン；β−（３，４−エポキシ−シ
クロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン；ｐ
−メチル−ジシランメチルメタクリレート；ビニ
ルトリクロルシラン；及びγ−アミノ−プロピル
トリエトキシシランをノボラツク及び感放射化合
物の結合した重量に対して４重量％までの量で包
含する。 使用することができる増感剤は、例えばピクリ
ン酸、ニコチン酸又はニトロ柱皮酸をノボラツク
及び感放射化合物の結合した重量に対して20重量
％までの濃度で包含する。この増感剤は、露光し
た部分と露光してない部分の双方でのフオトレジ
スト被膜の溶解度を増大させる傾向にあり、した
がつてそれは、ある程度のコントラストが犠性に
なりうることがあるとしても現像速度を無視して
考えた場合に適用に供される。すなわち、フオト
レジスト被膜の露光した部分は、現像液によつて
迅速に溶解され、増感剤が存在することにより露
光してない部分からのフオトレジスト被膜の大き
な損失も生じるであろう。 溶剤は、キシレン、酢酸ブチル及びセロソルブ
（Cellosolve ）アセテートを包含することがで
きかつ95重量％までの量で溶剤中に存在すること
ができるが、好ましくは付加的な溶剤は、組成物
中に使用されない。 使用することができる非イオン性界面活性剤
は、例えばノニルフエノキシポリ（エチレンオキ
シ）エタノール；オクチルフエノキシ（エチレン
オキシ）エタノール；及びジノニルフエノキシポ
リ（エチレンオキシ）エタノールをノボラツク及
びセンシタイザの結合した重量に対して10重量％
までの濃度で包含する。 本発明による感放射被覆液は、浸漬塗布、噴霧
塗布及び回転塗布を含めてフオトレジスト技術に
使用される全ての常法によつて基板に塗布するこ
とができる。回転塗布の場合、例えばレジスト溶
液は、利用される回転塗布機の型及び回転塗布法
に許容される時間の程度を定めて、所望の厚さの
被膜を得るために固体含量の百分率の点で調節す
ることができる。適当な基板は、珪素、アルミニ
ウム又は高分子量樹脂、二酸化珪素、ドープした
二酸化珪素、窒化珪素、タンタル、銅、ポリ珪
素、セラミツク及びアルミニウム／銅混合物を包
含する。 上記した方法によつて得られる被覆液は、マイ
クロプロセツサ及び他の小型化集積回路構成素子
の製造に利用されるような蒸成長した珪素／二酸
化珪素−被覆したウエフアーに塗布するのに特に
好適である。アルミニウム／酸化アルミニウムウ
エフアーは十分に使用することができる。基板
は、種々の高分子量樹脂、殊に例えばポリエステ
ルのような透明ポリマーからなることができる。 被覆液を基板上に塗布した後、基板は、数分間
ないし30分間、実質的に全溶剤が蒸発されるまで
80℃〜105℃で焼付けされる。 更に、被覆された基板は、適正なマスクの使用
によつて得られた、全ての所望の露光パターンで
化学線、殊に紫外線に暴露することができる。 露光したレジスト被覆された基板は、次に実質
的にアルカリ現像液中に浸漬される。この現像液
は、例えば窒素吹込みによる撹拌によつて撹拌す
るのが好ましい。 基板は、露光した部分からのレジスト被膜の全
部が溶解されるまで現像液中に留めることができ
る。 被覆したウエフアーを現像液から取出した後、
後現像熱処理又は焼付けは、被膜付着力ならびに
エツチング溶液及び他の物質に対する耐薬品性を
増大させるために使用することができる。後現像
熱処理は、被膜の軟化点よりも低い温度でのオー
ブン焼付けよりなることができる。工業的適用の
場合、特に珪素／二酸化珪素型基板上でのマイク
ロ回路ユニツトの製造の場合、現像した基板は、
緩衝した、弗化水素酸をベースとするエツチング
溶液で処理することができる。本発明によるレジ
スト組成物は、酸をベースとするエツチング溶液
に対して抵抗性を有し、基板の露光してないレジ
スト被膜部分に対する有効な保護を生じる。 実施例： 次に特定の実施例により、本発明による被覆液
を製造しかつ利用する方法を詳説する。しかし、
これらの実施例は、本発明の範囲を何らかの方法
で限定又は制限するものではなく、本発明を実施
するために専ら利用しなければならない条件、パ
ラメーター又は値を生じものと解釈してはならな
い。 例 １ ２種類の被覆液は、次のようにして得られる：

【表】 光活性成分は、ナイトキノン−（１，２）−ジア
ジド−(2)５−スルホニルクロリドと、トリヒドロ
キシベンゾフエノンとの縮合生成物である。レジ
ストＡの吸光係数は1.31であり、レジストＢの吸
光係数は1.33であり、それぞれの場合の光活性成
分の濃度は同じであることが確認される。それぞ
れの場合に使用したノボラツク樹脂と光活性成分
は同じである。樹脂を１晩の撹拌によつて溶剤に
溶解し、次に光活性成分を溶解し、この溶液を
0.2μのミリポーア・テフロン（Millipore
Teflon）濾過装置に通過させた。 感光性の評価 被覆液を一定の、予め定められた回転速度で
種々のウエフアー上に回転塗布する。次に、この
ウエフアーを90℃で30分間焼付ける。塗布したレ
ジストの初期膜厚をルドルフ（Rudolf）型膜厚
監視装置によつて測定する。感光性を前記したよ
うなコントラスト曲線を発生させることによつて
測定する〔ジ−・シ−・ウイルソン（G.C.
Willson）、“イントロダクシヨン・トウ・マイク
ロリソグラフイー（Introduction to
Microlithography）”、第３章、第105頁、アメリ
カン・ケミカル・ソサイエテイ（American
Chemical Society）、ワシントン、デイー・シー
（Washington、D.C.）、1983年〕。UV露光線量の
対数に対する現像１分後の膜厚の損失をプロツト
する。膜厚を前記技術を使用することによりレー
ザー干渉計法によつて監視する。次に、レジスト
を緩衝したアルカリ水溶液〔脱イオン水で１：１
に稀釈した、アメリカン・ヘキスト社
（American Hoechst Corporation（Somerville、
New Jersey.U.S.A.在））から入手しうるAZ現像
液〕を使用することにより25.0±0.5℃で現像す
る。全膜厚損失に対するプロツトの補外法によつ
て、感光性の値（mJ／cm²）が得られ、このプロ
ツトの傾斜はコントラストである。レジストＡ及
びＢに対して下記の結果を得た。 レジストＡ レジストＢ 感光性(mJ/cm²) 111.6 97.2 コントラスト 1.52 1.54 初期膜厚 1.811 1.797 結果は、レジストＢが比較可能な膜厚に対する
配合物の場合に感光速度の15％の改善を生じるこ
とを示す。コントラストにおいては、目に見える
ほどの損失はない。 浸蝕速度 現像時の露光してない部分でのレジスト被膜の
損失の速度（浸蝕速度）は、端縁尖鋭度を保持す
るために低く維持しなければならない。浸蝕速度
がより低いと、露光に必要とされる光量はますま
す少なくなる。浸蝕速度は、露光してない、焼付
け（90℃、30分間）したレジスト被膜を脱イオン
水で１：１に稀釈した現像液中で10分間現像しか
つ１分間当りの膜厚損失を計算することによつて
測定される。レジストＡ及びＢに対する結果は下
記のとおりである。 レジストＡ レジストＢ 浸蝕速度（nm／min）
1.7 1.0 レジストＢは、少なくともレジストＡと比較し
うる浸蝕速度を有する。 例 ２ 例１と同じ光活性成分の異なるロツト（ロツト
Ｂ）を使用することにより繰り返す。

【表】 回転塗布後のウエフアーの焼付け時間を変え、
上記例１に記載したように感光性及びコントラス
トを測定する。

【表】 レジストＤの感光速度は、この場合に９％から
16％へ改善される。 レジストの引火点 引火点が高いことは、安全のために望ましい性
質である。レジストＣ及びＤの引火点は、
ASTM試験法（D93、方法Ａ）によつて比較さ
れた。 引火点 レジストＣ 42℃ レジストＤ 48℃ レジストＤは、引火点の顕著な改善を示す。 プラズマエツチング速度 レジスト膜のプラズマエツチング速度は、乾燥
処理に可能であるのと同程度に低く維持しなけれ
ばならない。このプラズマエツチング速度の試験
のためには、塗布したフオトレジスト試料を、典
型的に、“硬質焼付け”と呼ばれるように、140℃
で30分間焼付ける。レジストＣとレジストＤを比
較したプラズマエツチング速度は下記のとおりで
ある。プラズマエツチング装置の条件は、出力
150W、圧力0.6トル（Torr）、CF₄／O₂比95／５、
O₂流量60SCCMである。 エツチング速度（nm／min） レジストＣ 33.4 レジストＤ 31.3 レジストＤのプラズマエツチング速度は、少な
くともレジストＣと比較可能である。 侵入深さ試験法 ポジ型レジストの感光性の他の測定法は、デイ
ー・ジエイ・エリオツト（D.J.Elliot）、“インテ
グレイテツド・サーキツト・フアブリケーシヨ
ン・テクノジー（Integrated Circuit
Fabrication Technology）”、第13章、第325頁、
マツクグロー・ヒル書点（McGraw Hill Book
Company（ニユーヨーク在））刊（1982年）、によ
つて記載された侵入深さ（DOP）試験法である。
この試験法は、UV光線の測定線量を用いて現像
後に除去されたフオトレジスト膜厚を測定する。
除去される膜厚が大きければ大きいほど、感光性
にいつそう高くなる。脱イオン水で１：１に稀釈
した、例１に記載した現像液を使用しての結果
は、下記のとおりである。

【表】 レジストＢは、この試験によつて大きい感光性
を有することが明らかになる。 回転塗布機の回転速度の機能としての層厚（回転
曲線特性値） 回転曲線は、焼付けしたフオトレジスト膜の厚
さを塗布回転速度ら予め定めるために使用され
る。従つて、この曲線は、規則的でなければなら
ず、log回転速度に対するlog膜厚としてプロツト
した場合には、直線を生じる。２種類のフオトレ
ジスト（レジストＣ及びＤ）を下記したように
種々の回転速度でそれぞれ回転塗布し、90℃で30
分間焼付けし、かつフオトレジスト膜厚を測定し
た。

【表】 前記したようにプロツトした場合、それぞれの
レジストは曲線を生じる。 レジストＤはレジストＣよりも高い粘度を有す
るので（37.8cm²／Ｓに対して29.6cm²／Ｓ）、２つ
の曲線に互いに置き換えられる。しかし、それぞ
れのレジストは、膜厚を予想するのに必要とされ
る十分に作用した回転曲線を生じる。 例 ３ 例１を混合した溶剤系をレジストＢに使用する
ことにより繰り返す。

【表】 レジストＡ レジストＢ 感光性(mJ/cm²) 111.6 98.2 コントラスト 1.52 1.54 初期膜厚 1.811 2.170 結果は、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテートを他の溶剤と一緒に使用する場合であ
つても、レジストＢが配合物において感光速度の
12％の改善を生じることを示す。これは、レジス
トＢが極めて大きい膜厚を有するので殊に驚異的
なことである。 例 ４ 例１を繰り返すが、付加的な可塑剤の使用を証
明する。

【表】 レジストＡ レジストＢ 初期膜厚 6.05μ 6.74μ 感光性(mJ/cm²) 114.85 100.0 結果は、レジストＢが可塑剤（ポリメチルビニ
ルエーテル）を含有する比較可能な配合物の場合
に感光速度の14.85％の改善を生じることを示す。 例 ５ ３種類の被覆液を次のようにして得る：

【表】 レジストＣ ノボラツク樹脂 23.5％ 例１の場合と同様のナフトキシノンジアジド
7.5％ プロピレングリコールエチルエーテルアセテー
ト 69.0％ 例１の記載と同様にして、３種類の混合物の感
光性を測定する。得られた結果は、次のとおりで
ある：

【表】 混合物Ｂ及びＣは、Ａと比較した場合、増大し
た感光性を有する。更に、相当するエチルエーテ
ルを用い製造されたレジストＣは、メチルエーテ
ルを用いて製造されたレジストＢよりも高い感光
性を有する。高分解能マスクの下で画像に応じて
の露光後、間隔1μの素子は簡単に分解されるこ
とができ、それは高い端縁尖鋭度を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 本質的成分として水中で不溶性でありかつア
   ルカリ水溶液中で可溶性である少なくとも１つの
   高分子量結合剤、少なくとも１つの感放射化合物
   及びグリコールエーテルエステルから構成されて
   いるか又はグリコールエーテルエステルを含有す
   る有機溶剤又は溶剤混合物からなるポジ型の感放
   射被覆液において、このグリコールエーテルエス
   テルがプロピレングリコールアルキルエーテルア
   セテートであることを特徴とする、ポジ型の感放
   射被覆液。 ２ グリコールエーテルエステルがプロピレング
   リコール・（C₁〜C₂−アルキル−エーテルアセテ
   ートである、特許請求の範囲第１項記載の被覆
   液。 ３ グリコールエーテルエステルがプロピレング
   リコールメチルエーテルアセテートである、特許
   請求の範囲第１項又は第２項に記載の被覆液。 ４ プロピレングリコールアルキルエーテルアセ
   テートを溶剤の重量に対して５〜100重量％の範
   囲内の量で含有する、特許請求の範囲第１項から
   第３項までのいずれか１項に記載の被覆液。 ５ 高分子量結合剤がノボラツク樹脂からなる、
   特許請求の範囲第１項記載の被覆液。 ６ 感放射化合物がヒドロキシベンゾフエノンと
   縮合したナフトキノン−（１，２）−ジアジド−５
   −スルホニルクロリド又はナフトキノン−（１，
   ２）−ジアジド−４−スルホニルクロリドからな
   る、特許請求の範囲第１項記載の被覆液。