JP2005171378A - 配線膜用Ａｌ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 - Google Patents

Abstract

【課題】 高精細な大型ＴＶや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能なより低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Ａｌ合金膜とそのＡｌ合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】 添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。また、上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、Ｇｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、基板上に薄膜を形成して製造される平面表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、以下、ＦＰＤという）等に用いられる配線膜および配線膜形成に用いられるスパッタリングタ−ゲット材に関するものである。

例えば、ガラス基板またはＳｉウェハ−上に薄膜を積層して製造されるＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤという）、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）、フィールドエミッションディスプレイ（以下、ＦＥＤという）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤという）、電子ペーパー等の種々の新規製品が活発に研究、開発がされている。

ＦＰＤの配線膜には、透明導電膜である酸化物のＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）を用いたり、より高精細な表示の必要な場合には表示電極としてＩＴＯを、またより低抵抗で基板との密着性、耐熱性に優れる高融点金属のＣｒやＭｏおよびその合金膜を配線膜として用いている。さらに近年、１５インチの液晶ＴＶでは動画を表示するための高速駆動が必要であり、より低抵抗な配線膜としてＡｌおよびＡｌ合金膜が用いられている。

Ａｌは、耐熱性に劣ると言う欠点を有している。つまり、Ａｌ膜ではＦＰＤや各種デバイスの製造工程中の加熱工程において、応力緩和に伴うヒロックやウィスカ−が発生し、電気的な短絡や保護膜の欠陥を引き起こす場合がある。このため、Ａｌに添加元素を加えてＡｌ膜を合金化したり、Ａｌ膜の表面を他の金属膜で覆う等によりヒロック等の抑制が図られている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照）
特許第２７３３００６号 特開２００１−３５０１５９号

また、今後、小型の携帯機器用ディスプレイ等においては、耐衝撃性や軽量化のためにガラス基板等に替えて、樹脂基板や樹脂フィルム等を用いているため、低いプロセス温度で低い抵抗値の配線膜が必要である。また、３０インチ以上、さらに５０インチ以上の大型ＬＣＤや自発光の有機ＥＬＤでハイビジョンＴＶ等の高品位な表示を実現するには、高精細化とともに動画に対応した高速応答性を向上する為に、低抵抗な配線膜が必要である。

従来、上記に示したＡｌ合金膜は、耐熱性の向上のために種々の添加元素を加え、製造プロセス中で高温の加熱処理を行うことで低抵抗な膜を得ている。例えば特許文献１に記載のＡｌに２原子％Ｎｄを加えたＡｌ−Ｎｄ合金膜は、室温で基板上に成膜した状態の比抵抗は１６μΩｃｍであり、比抵抗が１２μΩｃｍ程度の高融点金属のＭｏに劣る。Ａｌ−Ｎｄ合金膜は加熱処理により急激に比抵抗が低下し、３５０℃以上の加熱処理等を行うことにより６μΩｃｍ程度に低減することが可能となる。以上のようにＡｌ合金膜は製造プロセス中での加熱処理を施すことを前提に添加元素を選定し、耐熱性の向上と低抵抗化を図っている。

このため、十分な加熱処理を行う事の出来ない樹脂基板上等では従来のＡｌ合金膜は低い抵抗値を得難い。また、加熱工程を前提にプロセスを構築する必要があり、製造工程の自由度が少なく、種々のＦＰＤに簡単に適応することが難しい。さらに加熱温度により抵抗値が大きく変化する問題点かある。

また、Ａｌ−Ｎｄ合金膜においては、微細配線とした場合に断線が発生する場合があり信頼性に問題がある。この原因は定かでないが、熱処理を行った際の膜の体積収縮に起因すると考えられる。このため、低温から高温までの幅広い温度範囲に繰り返し放置される厳しい環境で使用される車載用や観測機器等の表示装置に用いることが難しいという問題を有している。

本発明の目的は、上述の問題点を鑑みてなされたものであり、今後の高精細な大型ＴＶや低いプロセス温度の種々の平面表示装置に適応可能な、より低抵抗で高い信頼性を有する優れた配線膜用Ａｌ合金膜とそのＡｌ合金膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット材を提供することにある。

本発明者は、上記の課題を解決するべく、鋭意検討を行った結果、ＡｌにＮｉとＧｅを所定量添加してＡｌ合金膜とすることにより、配線膜として優れた耐熱性、信頼性と低抵抗なＡｌ合金膜が得られることを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明の配線膜用Ａｌ合金膜は、添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなるＡｌ合金膜である。
また、好ましくは、添加元素としてＧｅを０．２〜０．８原子％、さらにＮｉを１．０〜２．０原子％含み、添加元素の総和が２．５原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜用Ａｌ合金膜である。

また、本発明は上記組成の配線膜用Ａｌ合金膜を得るための、添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。
また、好ましくは、添加元素としてＧｅを０．２〜０．８原子％、さらにＮｉを１．０〜２．０原子％含み、添加元素の総和が２．５原子％以下、残部実質的にＡｌからなる配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材である。

本発明は、低抵抗かつ耐熱性、信頼性を有したＡｌ合金膜であるために、今後低抵抗化が必要な大型液晶ＴＶや電子ペ−パ−等のＦＰＤ用配線膜としてきわめて有効なものとなる。また、本発明の配線膜用Ａｌ合金膜を形成する場合、ターゲット材を用いたスパッタリングが最適である。スパッタリング法でＦＰＤの大面積の基板に安定に、ターゲット材とほぼ同組成の膜が形成できるためであり、本発明の配線膜用Ａｌ合金膜を安定に形成することが可能となる。

本発明の重要な特徴は、平面表示装置等の電子部品に要求される低抵抗かつ耐熱性、パタ−ン形成、断線を抑制した高信頼性といった配線膜に要求される課題を解決するのに最適な合金構成として、ＡｌにＧｅとＮｉを複合添加したＡｌ合金膜を見いだしたところにある。

以下に本発明の配線膜用Ａｌ合金膜で、添加元素にＧｅとＮｉを選定した理由およびその添加量を選定した理由を説明する。
ＡｌにＧｅを添加する効果は、Ａｌ合金膜の加熱時のマイグレーションを抑制して耐熱性を向上させることと耐食性を改善できることである。その改善効果の理由は明確でないが、次のように推測される。一般に、表示装置等で金属膜を形成する方法として、代表的にはスパッタリング法が用いられている。スパッタリング法により基板上に薄膜を形成した際には、添加元素は非平衡状態で固溶される。Ａｌに対して約４００℃で約２原子％の固溶域を有する元素であるＧｅは、Ａｌに固溶することでＡｌそのものの性質を変化させ、Ａｌのマイグレ−ションを抑制する。さらに、ＡｌへのＧｅの固溶が粒界腐食も防ぐために表示装置等を製造する際に使用される薬液等による腐食に対する耐食性を向上させ、信頼性の高いＡｌ合金膜とすることが可能となる。

さらに、Ｎｉを添加することで耐熱性向上にさらに高い効果が得られる。この理由は以下のように推測している。ＮｉはＡｌおよびＧｅと化合物を形成する元素であり、ＡｌやＧｅの原子移動を抑制し、微細で緻密な膜組織となるとともに膜中ボイドが減少する。また、加熱処理を実施した場合には、Ａｌと化合物を形成するＮｉと、Ａｌに固溶しているＧｅが、Ａｌの原子の移動を抑制する。さらに、加熱処理によりＡｌ−Ｇｅ−Ｎｉ合金は平衡状態に近づくために、低温域でＡｌとの固溶域の少ないＧｅは、Ａｌと分離し、ＮｉＧｅ化合物もしくはＡｌＮｉＧｅの複合化合物を形成しようとする。そして、これらの化合物が粒界や膜表面に析出することで、Ａｌの粒成長とヒロックの発生が抑制されるので高い耐熱性を有することが可能となると考えられる。

これらの改善効果は、Ｇｅの添加量が０．２原子％未満では十分ではなく、添加量が多くなるとともに抵抗値が増加するため、添加量は０．２〜１．５原子％の範囲であることが望ましい。さらにＮｉを添加する効果は０．２原子％未満では十分でなく添加量によりその改善効果は増加するが２．５原子％を越えると低い抵抗値を維持できなくなる。さらにＡｌ−Ｇｅ−Ｎｉ合金膜として、耐熱性、信頼性と低い抵抗値を得るためには、ＧｅとＮｉの添加量の総和は３．０原子％以下であることが望ましい。
さらに配線膜として、最も望まれる低い抵抗値の維持と耐熱性、信頼性を満たすにはＧｅは０．２〜０．８原子％、Ｎｉは１．０〜２．０原子％、添加する元素の総量を２．５原子％以下である。

また、本発明のＡｌ合金膜は、配線パターンへの加工を行う際に実施される薬液を用いたウェットエッチング時にも、微細な膜組織を有しているために、配線幅を安定に形成することが可能である。さらに、本発明で選定したＧｅとＮｉはドライエッチング時にエッチングガスに含まれるハロゲン元素と反応しても揮発性の低い生成物を発生しない。このため、本発明のＡｌ−Ｇｅ−Ｎｉ合金膜は、ドライエッチングの際に残渣が生じにくいため、より精細な配線パターンを形成できるドライエッチングの適用も可能である。

また、本発明のＡｌ合金膜は、ＬＣＤ等のＦＰＤにおける画素電極であるＩＴＯ（Indium-Tin-Oxcide）膜と製造工程中のフォトエッチング工程を経た後も電気的なコンタクトを得ることも可能である。従来の純ＡｌやＡｌ−Ｎｄ合金等のＡｌ系膜は、フォトエッチング工程での薬液浸積時に、局部電池作用によってＩＴＯ膜とＡｌ系膜との接触界面にＡｌの酸化物を生じてコンタクトが得られなくなるため、ＩＴＯ膜とＡｌ系膜との間にＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等のバリヤ膜を形成していた。本発明のＡｌ合金膜では、Ａｌに電極電位を上げる効果のあるＮｉと、Ａｌと分離してＮｉの界面への移動を促進するＧｅを適量添加することで、ＩＴＯ膜との接触界面の局部電池作用を抑制し、電気的なコンタクトを維持することが可能となるため、従来のＡｌ系膜とＩＴＯ膜の間に形成していたＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ等のバリヤ膜をなくした配線、電極を形成することも可能となる。この際の、ＮｉおよびＧｅの添加量は、Ｇｅを０．２〜０．８原子％、Ｎｉを１．０〜２．０原子％、添加する元素の総量を２．５原子％以下とすることが、ＩＴＯとのコンタクト性と低抵抗を維持する上から好ましい。

また、Ｇｅと同様の効果が期待できる元素としてＳｉがあるが、ＳｉはＡｌに添加した場合の抵抗値の増加と耐熱性、耐食性の効果がＧｅより劣るため、Ｇｅが最も望ましい。
また、Ｎｉと同様の効果が期待できる元素としてＣｏやＦｅ、Ｐｄ、Ｐｔもあるが、Ｃｏ、ＦｅはＮｉに比較して添加した場合の抵抗値の増加が大きいため、また、Ｐｄ、Ｐｔは高価な元素であるため、ＮｉがＧｅと組み合わせる場合に最も望ましく優れた特性を有するＡｌ合金膜が得られる。

本発明のＡｌ合金膜は、上述のように、Ａｌの欠点を改善し、必要最少量のＧｅとＮｉを添加することで、成膜時から容易に比抵抗で１２μΩｃｍ以下の低い電気抵抗を得ることが可能であり、配線膜としての利用に適している。

本発明のＡｌ合金膜を形成する際に用いる基板として、ガラス基板、Ｓｉウェハーを用いることが好適である。これらの基板は表示装置を製造する上でプロセス安定性に優れるとともに、本発明のＡｌ合金膜を形成する際に基板を加熱することで、室温で成膜する場合よりも低い抵抗値を有するＡｌ合金膜を得ることが可能となる。

また、本発明のＡｌ合金膜は成膜ままでも低い抵抗値を有しているために、十分な加熱を行えない樹脂基板上にデバイスを形成するシ−トディスプレイやフレキシブルディスプレイ等の配線膜としても好適である。

また、本発明の配線膜を形成する場合、本発明の配線膜と同じ組成を有するＡｌ合金膜形成用スパッタリングターゲット材を用いたスパッタリングが最適である。スパッタリング法ではターゲット材とほぼ同組成の膜が形成できるためであり、本発明のＡｌ合金膜を安定に形成することが可能となる。

ターゲット材の製造方法については種々あるが、一般にターゲット材に要求される高純度、均一組織、高密度等を達成できるものであれば良い。例えば、真空溶解法により所定の組成に調整した溶湯を金属製の鋳型に鋳込み、さらにその後、鍛造、圧延等の塑性加工により板状に加工し、機械加工により所定の形状のターゲットに仕上げることで製造できる。また、さらに均一な組織を得るために粉末焼結法、またはスプレ−フォ−ミング法（液滴堆積法）等で急冷凝固したインゴットを用いても良い。

なお、本発明の配線膜用Ａｌ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材は、添加元素以外の成分元素は実質的にＡｌとしているが、本発明の作用を損なわない範囲で、ガス成分である酸素、窒素、炭素等の不可避的不純物を含んでもよい。例えば、ガス成分の酸素、窒素、炭素は各々５０ｐｐｍ以下であり、ガス成分を除いた純度として９９．９％以上であることが望ましい。

また、表示素子を製造する場合に用いる基板は、上述のようにガラス基板、Ｓｉウェハー等が好適であるが、スパッタリングで薄膜を形成できるものであればよく、例えば樹脂基板、絶縁処理を施した金属基板、その他樹脂箔、金属箔等でもよい。

本発明のＡｌ合金膜は、安定した特性を得るために膜厚としては１００〜３００ｎｍとすることが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、膜が薄いために表面散乱の影響が大きくなり抵抗値が増加し易くなる。一方、膜厚が３００ｎｍを超えると、結晶粒が成長して膜表面形態の凹凸が大きくなり平滑性が保てなくなるとともに、膜応力によって膜が剥がれ易くなったり、膜を形成する際に時間が掛かり、生産性が低下するためである。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
まず、以下に述べる方法でＡｌ合金タ−ゲット材を製造した。
Ａｌに各種の添加元素を加えたＡｌ合金膜の目標組成と実質的に同一となるように原料を配合し真空溶解炉にて溶解した後、鋳造することでＡｌ合金インゴットを作製した。次に塑性加工により板状に加工した後、機械加工により直径１００ｍｍ、厚さ５ｍｍのスパッタリングターゲット材を作製した。
上記で作製した種々の組成のターゲット材を用いてスパッタリング法により寸法１００×１００ｍｍの平滑なガラス基板上に膜厚２００ｎｍの純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜を形成し、４探針法により比抵抗を測定した。測定結果を表１に示す。

また、表示装置としての所定の製造工程を経た後での膜特性の変化を評価するために、上記で形成した純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜の耐熱性を評価した。まず、上記で形成した純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜を大気中で温度２５０℃、１時間の加熱処理を施した後に比抵抗を測定した。その後、基板を１０×１０ｍｍに切断し、その際の純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜の膜表面状況を電解放射型走査型電子顕微鏡(以下ＦＥ−ＳＥＭという)により観察し、それぞれに関して２．５×２．５μｍの視野で各１０箇所でのヒロック等の突起の発生状態を確認した。ＦＥ−ＳＥＭによる膜表面観察は、膜面に対して斜め４５゜方向から観察し、観察倍率は５万倍で行った。そして、膜表面にヒロックが発生していない物を良好として○、膜表面にヒロックの発生している物を×と評価して、加熱処理後の比抵抗とともに膜表面評価として表１に示す。

図１に純Ａｌ膜（試料Ｎｏ．１）、Ａｌ−２原子％Ｎｄ膜（試料Ｎｏ．２）と、本発明のＡｌ−０．６原子％Ｇｅ−１．５原子％Ｎｉ膜（試料Ｎｏ．５）、Ａｌ−０．６原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉ膜（試料Ｎｏ．１０）、Ａｌ−０．３原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉ膜（試料Ｎｏ．１８）の膜表面をＦＥ−ＳＥＭで観察した写真を示す。純Ａｌでは膜表面に大きな突起であるヒロックが多数発生している。Ａｌ−２原子％Ｎｄ膜とＡｌ−０．６原子％Ｎｉ−１．５原子％Ｇｅ膜では、ヒロックが発生していない良好な膜であることがわかる。また、Ａｌ−２原子％Ｎｄ膜よりも、Ａｌ−０．６原子％Ｇｅ−１．５原子％Ｎｉ膜、Ａｌ−０．６原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉ膜、Ａｌ−０．３原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉ膜の方が膜の結晶粒が細かく膜表面が平滑であるので、耐熱性に優れている事がわかる。

また、図３に、本発明である試料Ｎｏ．１０のＡｌ−０．６原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉターゲット材、試料Ｎｏ．１８のＡｌ−０．３原子％Ｇｅ−１．０原子％Ｎｉターゲット材の光学顕微鏡写真を示す。

表１および図１から、純Ａｌ膜（試料Ｎｏ．１）は、低い比抵抗を有するが、加熱処理を行なうと膜表面にヒロックと呼ばれる大きな突起が観察されることが分かる。Ａｌ−２原子％Ｎｄ膜はヒロックの発生はないが比抵抗が高い。一方、本発明のＡｌにＧｅとＮｉを添加したＡｌ合金膜では、成膜時に１２μΩｃｍ以下、加熱処理後に６μΩｃｍ以下の低い比抵抗とヒロックの発生のない高い耐熱性を有していることがわかる。さらに、試料Ｎｏ．３〜１４の評価結果から、ＧｅとＮｉの添加量は各々の元素の添加量が少ないとヒロックの抑制効果が十分でなく、添加量の総和が３．０原子％を越えると比抵抗が高くなることが分かる。
また、試料Ｎｏ．１５〜１７からＧｅ、Ｎｉに近い元素であるＳｉ、Ｇａ、Ｃｏを添加した場合には、低い比抵抗が得難く、ＧｅとＮｉが最も低い比抵抗が得られる組合せであることがわかる。

つぎに、表２に示す純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜を表示装置に実装して長時間使用した場合を想定した信頼性評価を行った。まず、寸法１００×１００ｍｍのガラス基板上に、図２に示す幅２０μｍ、高さ５μｍ、テ−パ−角４５°の凸部２を各々の凸部の間隔を２００μｍとして形成したガラス基板１を用意した。この凸部２を形成したガラス基板１上に実施例１で作製した純ＡｌおよびＡｌ合金ターゲット材のうち表２に示す組成のターゲット材を用いて、スパッタリング法により膜厚２００ｎｍの純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜３を形成した。その後、フォトエッチング工程により、燐酸、硝酸、酢酸混合液でエッチングを施して、ガラス基板上１に形成した凸部２に対して直角に交差する短冊状になるように純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜パターンに加工した。

純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜パタ−ンの形状は、幅５、１０、２０、３０μｍの短冊状のパタ−ンを各々２５本づつ計１００本形成した素子を１ブロック（３０×３０ｍｍ）とし、１００×１００ｍｍのガラス基板上に９ブロック形成した。その後に、保護膜となる酸化シリコンを上記の純ＡｌおよびＡｌ合金膜上にスパッタリングにより約３μｍ形成し、さらにスピンコ−トによりポリイミド膜を３μｍ形成した。ポリイミドは窒素雰囲気中で３５０℃の温度でキュアした。その後、上記パタ−ンを有する１ブロックを切断して切り離し、作製した短冊状の純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜の両端から５Ｖの電圧を印加し、温度６０℃、湿度８０％の高温高湿の環境に３００時間放置した後の比抵抗の変化と断線した本数を測定した。純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜パターンの断線した本数の割合および腐食状態を評価し、その結果を表２に示す。

表２から純Ａｌは耐食性が低いために腐食し、その断線率が高いことが分かる。Ａｌ−２原子％Ｎｄは腐食していないが断線率が純Ａｌ膜よりも高く信頼性に劣ることがわかる。それに対して本発明のＡｌにＧｅとＮｉを添加した試料Ｎｏ．５、６、１０、１１、１８のＡｌ合金膜は腐食の発生もなく断線率が低く、信頼性が高いことがわかる。
また、試料Ｎｏ．３、１２のＡｌ合金膜からＧｅ、Ｎｉとも添加量が少ない場合は断線率が高くなり、腐食が発生する場合があることが分かる。

また、表３に示す純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜とＩＴＯ膜との電気的なコンタクトに関する評価を行った。平滑な２５×５０ｍｍのガラス基板上１に、スパッタリング法により膜厚２００ｎｍの純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜３を形成し、エッチングにより幅５ｍｍの短冊状のパタ−ンを形成した。さらに、この純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜上に一部積層構造となるようにマスクスパッタリングによって膜厚２００ｎｍのＩＴＯ膜４を形成した膜積層パターンを作製した。この膜積層パターンの断面模式図を図４に示す。この膜積層パターンを用いて４端針プロ−ブ５で、純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜パタ−ンとＩＴＯ膜間の抵抗値を測定し、膜積層時のＩＴＯコンタクト性として表３に示す。また、上記の膜積層パターンを、東京応化製のアルカリ現像液であるＮＭＤ−３に６０秒間浸漬させた後の膜積層パターンを用いて、再度純Ａｌ膜およびＡｌ合金膜パタ−ンとＩＴＯ膜間の抵抗値を４端針プロ−ブで測定した。その結果を現像液浸漬後のＩＴＯコンタクト性として表３に示す。なお、表３に測定不能と表記したものは、導通が得られていないことを示している。

表３に示すように、純Ａｌ膜やＡｌ−Ｎｄ膜ではフォトエッチング工程を経た後は、電気的な導通が得られないが、本発明のＡｌ合金膜では同様の工程を経た後にも電気的な導通が得られていることがわかる。

本発明例および比較例の膜を２５０℃で加熱した後の膜表面の５万倍の電解放射型走査型電子顕微鏡写真である。 実施例２における凸部を有するガラス基板上を示す模式図である。 本発明のターゲット材の例を示す光学顕微鏡によるミクロ組織写真である。 実施例３におけるＩＴＯコンタクト性を評価した膜積層パターンの断面模式図である。

符号の説明

１．ガラス基板
２．凸部
３．純ＡｌおよびＡｌ合金膜
４．ＩＴＯ膜
５．４端針プローブ

Claims (4)

1. 添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなることを特徴とする配線膜用Ａｌ合金膜。
2. 添加元素としてＧｅを０．２〜０．８原子％、さらにＮｉを１．０〜２．０原子％含み、添加元素の総和が２．５原子％以下、残部実質的にＡｌからなることを特徴とする請求項１に記載の配線膜用Ａｌ合金膜。
3. 添加元素としてＧｅを０．２〜１．５原子％、さらにＮｉを０．２〜２．５原子％含み、添加元素の総和が３．０原子％以下、残部実質的にＡｌからなることを特徴とする配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材。
4. 添加元素としてＧｅを０．２〜０．８原子％、さらにＮｉを１．０〜２．０原子％含み、添加元素の総和が２．５原子％以下、残部実質的にＡｌからなることを特徴とする請求項３に記載の配線膜形成用スパッタリングタ−ゲット材。