JP2017002343A - Al合金スパッタリングターゲット - Google Patents

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Abstract

【課題】成膜速度を高めることができ、タッチパネル等の生産性を格段に向上させることが可能なAl−Nd合金スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ndを0.1〜3原子%含有するAl合金からなり、X線回折ピーク強度が式(1)の関係を満たし、且つ、ビッカース硬さが29〜36であり、平均結晶粒径が10〜100μmであるAl合金スパッタリングターゲット。IAl(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111)…(1)(IAl(200)はAl(200)面のX線回折ピーク強度;IAl(311)はAl(311)面のX線回折ピーク強度;IAl(220)はAl(220)面のX線回折ピーク強度;IAl(111)はAl(111)面のX線回折ピーク強度)
【選択図】なし

Description

本発明は、Al合金スパッタリングターゲットに関する。特にはAl合金薄膜を高い成膜速度で形成することのできるAl合金スパッタリングターゲットに関する。
タッチパネル等の表示装置、例えば液晶ディスプレイ等の生産性を向上させる方法の一つとして、該タッチパネルを構成する例えば引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜の形成時に、薄膜を速く成膜することが挙げられる。薄膜をスパッタリング法で成膜する場合、スパッタリングパワー即ち電力を高くすることで成膜速度を高めることができる。しかし、スパッタリングパワーを高くすると、アーキングやスプラッシュ等の成膜異常が発生しやすく、タッチパネル等の歩留まりが低下する等の不具合が生じる。そのため、スパッタリングパワーを高くしなくとも成膜速度を高めることのできるスパッタリングターゲットが望まれている。
ところで、前記液晶ディスプレイの配線膜には、低電気抵抗率と高耐熱性を兼備するAl−Nd合金薄膜が使用されている。このAl−Nd合金薄膜の成膜方法にはスパッタリング法が採用され、Al−Nd合金スパッタリングターゲットが薄膜形成の原材料として使用されている。該Al−Nd合金スパッタリングターゲットとしては、これまでに次の特許文献1〜5の技術が提案されている。
特許文献1には、Al基合金スパッタリングターゲットのFe含有量を低減することにより、表示デバイス用の耐アルカリ腐食性に優れたAl合金膜を提供できることが示されている。特許文献2には、Al合金スパッタリングターゲットの表面のビッカース硬度のばらつきを低減させることにより、膜均一性に優れた液晶等のAl合金膜を作製できることが示されている。
特許文献3には、所定の合金組成のAl基合金スパッタリングターゲットを用いることにより、耐熱性、ボイド耐性、およびヒロック耐性等に優れたサーマルプリンターのAl合金電極を形成できることが示されている。また特許文献4には、所定の合金組成のAl−Nd合金スパッタリングターゲットを用いることにより、液晶ディスプレイ用導電部のAl−Nd合金薄膜の、アニール処理後のヒロック発生を抑制できると共に、抵抗値を低減できることが示されている。
特許文献5には、酸素含有量を低減させたAl−Nd合金スパッタリングターゲットを用いることにより、液晶ディスプレイ用電極を構成する合金薄膜のヒロック発生を抑制できると共に比抵抗値を低減できることが示されている。
特開2012−132091号公報 特開2004−204284号公報 特開2003−103821号公報 特開2001−125123号公報 特開2001−93862号公報
上記の通り、特許文献1〜5には、形成される膜の特性等を高めるべく、スパッタリングターゲットの成分組成を制御すること等が示されているが、成膜速度を高めて表示装置の生産性を向上させるといった課題は挙げられておらず、この課題を解決するための手段も開示されていない。
本発明は以上のような状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、従来のAl−Nd合金スパッタリングターゲットに比較して高い成膜速度が得られ、タッチパネル等の生産性を格段に向上させることが可能なAl−Nd合金スパッタリングターゲットを提供することにある。
上記課題を解決し得た本発明のAl合金スパッタリングターゲットは、Ndを0.1原子%以上3原子%以下含有するAl合金からなり、X線回析パターンにおけるAl(200)面のX線回折ピーク強度、Al(311)面のX線回折ピーク強度、Al(220)面のX線回折ピーク強度、およびAl(111)面のX線回折ピーク強度が下記式(1)の関係を満たし、且つ、ビッカース硬さHvが29以上、36以下を満たすところに要旨を有するものである。
Al(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111) …(1)
式中、IAl(200)はAl(200)面のX線回折ピーク強度を、IAl(311)はAl(311)面のX線回折ピーク強度を、IAl(220)はAl(220)面のX線回折ピーク強度を、IAl(111)はAl(111)面のX線回折ピーク強度を示す。
本発明の好ましい実施形態において、上記Al合金スパッタリングターゲットは、平均結晶粒径が10μm以上100μm以下である。
本発明の好ましい実施形態において、上記Al合金スパッタリングターゲットは、タッチパネルの引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜の形成に用いられるものである。
本発明によれば、Al−Nd合金スパッタリングターゲットの、特にX線回折ピーク強度とビッカース硬さを制御しているため、該スパッタリングターゲットをAl−Nd合金薄膜の形成に用いた時に、成膜速度を十分高めることができる。その結果、上記薄膜を例えば引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜に用いたタッチパネル等の生産性を格段に向上させることができる。
図1は、本発明のAl合金スパッタリングターゲットのAlの(111)面、(200)面、(220)面、および(311)面のX線回折ピーク強度の一例を示す。
本発明者は上記課題の下で、Al−Nd合金薄膜を高速で形成できるAl−Nd合金スパッタリングターゲットを提供すべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、後述する成分組成のAl−Nd合金スパッタリングターゲットの、スパッタリング面のAl(200)面、Al(311)面、Al(220)面、およびAl(111)面のX線回折ピーク強度を、下記式(1)の関係を満たすように制御し、且つ、ビッカース硬さを29以上、36以下に制御すれば、上記Al−Nd合金スパッタリングターゲットを実現できることを見出した。
Al(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111) …(1)
式中、IAl(200)はAl(200)面のX線回折ピーク強度を、IAl(311)はAl(311)面のX線回折ピーク強度を、IAl(220)はAl(220)面のX線回折ピーク強度を、IAl(111)はAl(111)面のX線回折ピーク強度を示す。
更にAl−Nd合金スパッタリングターゲットの平均結晶粒径を、好ましくは10μm以上100μm以下に制御すれば、成膜速度を更に高めることができることを見出し、本発明を完成した。
本明細書において、Al−Nd合金薄膜を高速で形成できる特性を「高成膜速度を有する」ということがある。
以下、本発明について詳しく説明する。
まず、Al−Nd合金スパッタリングターゲットのX線回折パターンについて説明する。本発明は、X線回折ピーク強度の大小関係がIAl(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111)を満たすところに特徴がある。
上記X線回折ピーク強度の大小関係を満たすことにより、高成膜速度を実現できることを見出した経緯は以下の通りである。
(a)スパッタリング時のArイオンの衝突エネルギーは、金属の結晶面の原子の充填度の高い方向に効率良く伝わることが知られていた。
(b)特にAlの結晶面は(200)面、(311)面、(220)面、(111)面の順序で、その結晶面の法線方向の原子充填度が高く、上記法線方向に上記衝突エネルギーが、より効率良く伝わり易いことが知られていた。
(c)しかし、Al基合金スパッタリングターゲットを対象とした場合、例えばSi含有Al基スパッタリングターゲットにおいて、<111>の結晶方位の比率を高めて成膜速度を向上させている技術が存在する一方で、<111>の結晶方位の比率は低い方がよいとする技術も存在していた。このように結晶方位と成膜速度の関係については不明な部分が多かった。本発明者は、結晶面と成膜速度の関係について鋭意検討した結果、Al−Nd合金スパッタリングターゲットにおいて、Alの結晶面の法線方向の原子充填度が高い順序の(200)面、(311)面、(220)面、(111)面の上記X線回折ピーク強度の大小関係を満たすことにより、多くのスパッタ粒子が射出され、高成膜速度を実現することができることを見出した。なお上記大小関係は、X線回折の測定範囲2θ=30〜90゜のX線回折パターンにおいて、(222)面等も含む複数のピークの中から(200)面、(311)面、(220)面、(111)面のピークを選出し、X線回折ピーク強度を比較することによって決定される。
次に、Al−Nd合金スパッタリングターゲットのビッカース硬さHvについて説明する。Al−Nd合金スパッタリングターゲットのビッカース硬さが36を超える場合、スパッタリング時のArイオンの衝突エネルギーが効率良く伝播されず、スパッタ粒子がスパッタリングターゲットから射出されにくいため、高成膜速度が得られない。よって本発明ではビッカース硬さの上限を36以下とする。ビッカース硬さの上限は、好ましくは35以下、より好ましくは34以下、更に好ましくは33以下である。
但し、ビッカース硬さが29を下回り、低すぎてもスパッタリング時のArイオンの衝突エネルギーが効率良く伝播されず、スパッタ粒子がスパッタリングターゲットから射出されにくいため、高成膜速度が得られにくい。よって、ビッカース硬さの下限を29以上とする。ビッカース硬さの下限は、好ましくは30以上、より好ましくは31以上である。
Al−Nd合金スパッタリングターゲットの平均結晶粒径は、10μm以上100μm以下であることが、優れた高成膜速度を確保する観点から好ましい。10μm未満では、スパッタリング時のArイオンの衝突エネルギーが効率良く伝播されず、スパッタ粒子がスパッタリングターゲットから射出されにくい。その結果、高成膜速度が得られない場合があるため、上述の通り10μm以上が好ましい。平均結晶粒径の下限は、より好ましくは20μm以上、更に好ましくは30μm以上、更により好ましくは40μm以上である。
一方、平均結晶粒径が大きくなり過ぎて100μmを超えてもスパッタリング時のArイオンの衝突エネルギーが効率良く伝播されず、スパッタ粒子がスパッタリングターゲットから射出されにくい。その結果、高成膜速度が得られにくいため、上述の通り100μm以下が好ましい。平均結晶粒径の上限は、より好ましくは90μm以下、更に好ましくは80μm以下である。
なお、上記平均結晶粒径は次のようにして求める。Al−Nd合金スパッタリングターゲットのスパッタリング面の光学顕微鏡写真を撮影する。顕微鏡倍率が大きい程正確に結晶粒径を求めることができ、通常、100〜500倍程度に設定する。次に、得られた写真に井桁状に4本以上の直線を引く。なお直線の数が多い程正確に結晶粒径を求めることができる。上記直線上にある結晶粒界の数nを調べ、各直線ごとに下記式に基づいて結晶粒径dを算出する。その後、複数本の直線それぞれから求めた結晶粒径dの平均値をスパッタリングターゲットの平均結晶粒径とする。
d(単位:μm)=L/n/m
式中、Lは直線の長さLを示し、nは直線上の結晶粒界の数nを示し、mは光学顕微鏡写真の倍率を示す。
次に、本発明に係るAl−Nd合金スパッタリングターゲットの成分組成とその限定理由を説明する。
本発明のスパッタリングターゲットは、原子%で、Ndを0.1%以上3%以下含有するAl合金からなる。以下、化学成分について「%」は「原子%」を意味する。
[Nd:0.1%以上3%以下]
Ndは、ヒロックの発生を防止し、耐熱性向上に有用な元素である。Al合金中の含有率が0.1%未満の場合は、高耐熱性を有するAl合金薄膜を成膜できない。そのため、Nd含有率の下限は0.1%以上である。Nd含有率の下限は、好ましくは0.15%以上、より好ましくは0.20%以上である。一方、Nd含有率が3%を超える場合は、低電気抵抗率を有するAl合金薄膜を成膜できない。そのため、Nd含有率の上限は3%以下である。Nd含有率の上限は、好ましくは2%以下、より好ましくは1%以下である。
本発明で規定する含有元素は上記の通りであって、残部はAlおよび不可避不純物である。不可避不純物として、原料、資材、製造設備等から持ち込まれる元素、例えばFe、Si、Cu、C、O、N等の元素の混入が許容され得る。
Al−Nd合金スパッタリングターゲットは、上記の通り、実質的にAlとNdのみからなるAl合金スパッタリングターゲットであってもよいが、本発明に悪影響を与えない範囲で、以下の元素を含有しても良い。
[Ti:0.0005%以上0.01%以下]
TiはAlの結晶粒の微細化に有効な元素である。このような効果を有効に発揮させるために、Ti含有率の下限は、好ましくは0.0005%以上、より好ましくは0.0010%以上である。しかし、Ti含有率が過剰になると、低電気抵抗率を有するAl合金薄膜を成膜できない。そのため、Ti含有率の上限は、好ましくは0.01%以下、より好ましくは0.005%以下である。
[B:0.0005%以上0.01%以下]
BはAlの結晶粒の微細化に有効な元素である。このような効果を有効に発揮させるために、B含有率の下限は、好ましくは0.0005%以上、より好ましくは0.0010%以上である。しかし、B含有率が過剰になると、低電気抵抗率を有するAl合金薄膜を成膜できない。そのため、B含有率の上限は、好ましくは0.01%以下、より好ましくは0.005%以下である。
スパッタリングターゲットの形状は特に限定されず、円板、四角板等の平板形状や、円筒形状などの公知の種々の形状のものとすることができる。例えば、円板形状とすることができる。このような円板形状のスパッタリングターゲットは、例えば、鍛造と熱処理によって金属組織とNd分布が均一化された円柱形状の鍛造体を輪切り加工;圧延と熱処理によって金属組織とNd分布が均一化された平板形状の圧延体を丸抜き加工;あるいは鍛造と圧延と熱処理によって金属組織とNd分布が均一化された平板形状の圧延体を丸抜き加工;されたものであるため、均一性に優れたAl系薄膜を継続かつ安定して形成することができる。
本発明のAl−Nd合金スパッタリングターゲットは、生産性の向上、特に高い成膜速度が求められるタッチパネルの引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜の形成に用いられることが好ましい。該引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜の形成に用いることによって、タッチパネルの生産性を格段に向上させることができる。
次に、上記Al−Nd合金スパッタリングターゲットを製造する方法について説明する。本発明のAl−Nd合金スパッタリングターゲットは、Al材料とNd材料を大気溶解し、鋳造した後、鍛造および圧延のうち少なくとも1つの塑性加工を行い、熱処理し、機械加工して、必要に応じてバッキングプレートにボンディングを行うことによって製造することができる。
例えば、本発明のAl−Nd合金スパッタリングターゲットを以下の条件で製造することができる。
Al材料とNd材料を大気溶解し、DC(Direct Chill Casting)鋳造法によって厚み150〜180mmの鋳塊を造塊した後、冷間鍛造と熱間圧延を行ない焼鈍する。次いで、丸抜き加工、旋盤加工等の機械加工を行なって、Al−Nd合金スパッタリングターゲットを製造すれば良い。
このうち、上記式(1)のX線回折パターンおよびビッカース硬さを確保するためには、特に熱間圧延の加熱温度および圧下率の上限と下限、並びに焼鈍の加熱温度の上限と下限を下記の範囲に制御することが重要である。以下、冷間鍛造以後の工程について詳述する。
冷間鍛造の加工率:30〜50%
冷間鍛造の加工率が低すぎると、10μm以上100μm以下の平均結晶粒径が得られなくなる。そのため、冷間鍛造の加工率の下限は、好ましくは30%以上、より好ましくは35%以上とする。一方、冷間鍛造の加工率が高過ぎると、割れ等の破壊が生じる。そのため、冷間鍛造の加工率の上限は、好ましくは50%以下、より好ましくは45%以下とする。
尚、冷間鍛造の加工率は、下記式で求められるものである。
加工率(%)=100×(冷間鍛造開始前厚−冷間鍛造完了厚)/冷間鍛造開始前厚
熱間圧延の加熱温度:350〜450℃
熱間圧延の加熱温度が350℃を下回ると、Al(200)面のX線回折ピーク強度が小さくなり、上記式(1)のX線回折パターンが得られなくなる。そのため、熱間圧延の加熱温度の下限は、350℃以上とする。熱間圧延の加熱温度の下限は、好ましくは370℃以上とする。一方、熱間圧延の加熱温度が450℃を上回ると、Al(111)面のX線回折ピーク強度が大きくなり、上記式(1)のX線回折パターンが得られなくなる。そのため、熱間圧延の加熱温度の上限は450℃以下とする。熱間圧延の加熱温度の上限は、好ましくは430℃以下とする。
熱間圧延の圧下率:75〜95%
熱間圧延の圧下率が75%を下回ると、Al(200)面のX線回折ピーク強度が小さくなり、上記式(1)のX線回折パターンが得られなくなる。そのため、熱間圧延の圧下率の下限は75%以上とする。熱間圧延の圧下率の下限は、好ましくは77%以上とする。一方、熱間圧延の圧下率が95%を上回ると、割れ等の破壊が生じる。そのため、熱間圧延の圧下率の上限は95%以下とする。熱間圧延の圧下率の上限は、好ましくは90%以下とする。
尚、熱間圧延の圧下率は、下記式で求められるものである。
圧下率(%)=100×(圧延開始前厚−圧延完了厚)/圧延開始前厚
焼鈍の加熱温度:350〜450℃
焼鈍の加熱温度が350℃を下回ると、平均結晶粒径が小さくなりすぎ、ビッカース硬さが高くなりすぎる。そのため、焼鈍の加熱温度の下限は350℃以上とする。焼鈍の加熱温度の下限は、好ましくは370℃以上である。一方、焼鈍の加熱温度が450℃を上回ると、平均結晶粒径が大きくなりすぎ、ビッカース硬さが低くなりすぎる。そのため、焼鈍の加熱温度の上限は、好ましくは450℃以下、より好ましくは430℃以下とする。
焼鈍の加熱時間:1.0時間以上3.0時間未満
焼鈍の加熱時間が短すぎると、Al−Nd合金スパッタリングターゲットの平均結晶粒径が小さくなりすぎ、ビッカース硬さが高くなりすぎる。そのため、焼鈍の加熱時間の下限は、好ましくは1.0時間以上、より好ましくは1.2時間以上とする。一方、焼鈍の加熱時間が長過ぎると、Al−Nd合金スパッタリングターゲットの平均結晶粒径が大きくなりすぎ、ビッカース硬さが低くなりすぎる。そのため、焼鈍の加熱時間の上限は、好ましくは3.0時間未満、より好ましくは2.8時間以下とする。
以下の実施例によって本発明をさらに詳述するが、以下の実施例は本発明を制限するものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施することは全て本発明の技術範囲に包含される。
〔Al−Nd合金スパッタリングターゲットの製造〕
はじめに、Al−Nd合金スパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
原材料として以下のAlとNdの各材料を用意する。
(1)Al材料:純度99.99原子%のAl
(2)Nd材料:純度99.5原子%のNd
上記材料を用い、大気溶解しDC鋳造法によって幅300mm×長さ350mm×厚み65mmの四角板形状の鋳塊を造塊した。その後、加工率38%の条件で冷間鍛造を行い、幅380mm×長さ450mm×厚み40mmの四角板形状の鍛造体を得た。次いで、表1に示す条件で熱間圧延を行い、幅400mmで、表1に示す厚さの熱間圧延板を得た。その後、焼鈍を行なった。なお、No.3については、熱間圧延の圧下率が高く圧延板が割れたため、その後の工程へ進めることができず、以後の試験を行わなかった。
次いで、圧延板切断、丸抜き加工および旋盤加工を行なった。詳細には、切断と丸抜き加工を行った圧延板の厚さ方向に向って片面の表層部から0.5mmまで研削し、両面で合計1.0mm研削し、その研削後の片面がスパッタリング面となるように旋盤加工を行った。こうして直径101.6mm×厚さ5.0mmのサイズの円板形状のAl−Nd合金スパッタリングターゲットを製造した。このようにして得られたスパッタリングターゲット中のNd量を、誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)発光分光分析法によって分析した。
上記で得られた厚さ5.0mmのスパッタリングターゲットの物性は、下記の方法に従って求めた。
[X線回折ピーク強度]
スパッタリングターゲットのターゲット表面の任意の4箇所を下記に示す条件でX線回折法によって分析し、Alの(111)面、(200)面、(220)面、および(311)面のX線回折ピーク強度、より具体的には積分強度を、単位はCPS(counts per second)で測定した。これらの値の大小関係を評価した。その一例として、本発明例である表1のNo.5の結果を図1に示す。尚、上記のとおり4箇所について分析したが、いずれのターゲットも上記4箇所の上記X線回折ピーク強度の大小関係は同じであった。
X線回折条件
a)試験片の前処理
本実験例では試験片の表面が平滑であったため前処理は行わなかった。尚、試験片表面の切削ひずみの影響を除去したい場合は、試験片の前処理として、表面を湿式研磨後に、希硝酸にてエッチングすることが好ましい。
b)分析装置
理学電機(株)製「RINT1500」
c)分析条件
ターゲット:Cu
単色化:モノクロメータ使用によるCuKα線
ターゲット出力:40kV−200mA
スリット:発散1゜,散乱1°,受光0.15mm
走査速度:4゜/min
サンプリング幅:0.02゜
測定範囲(2θ):30〜90゜
[ビッカース硬さ]
各スパッタリングターゲットのビッカース硬さHvを、ビッカース硬さ試験機(株式会社明石製作所製、AVK−G2)を用いて、荷重1kgfにて測定した。
[平均結晶粒径]
スパッタリングターゲットのスパッタリング面の光学顕微鏡写真を撮影し、得られた写真に、井桁状の4本の直線を引いた。該直線上にある結晶粒界の数nを調べ、各直線ごとに下記式に基づいて、結晶粒径dを算出した。
d(単位:μm)=L/n/m
式中、Lは直線の長さLを示し、nは直線上の結晶粒界の数nを示し、mは光学顕微鏡写真の倍率を示す。4本の直線それぞれから求めた結晶粒径dの平均値を、平均結晶粒径(μm)とした。
[成膜速度]
上記のAl−Nd合金スパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法によるAl−Nd合金薄膜の成膜速度を評価した。詳細には、直径50.0mm×厚さ0.70mmのサイズのガラス基板に対し、株式会社島津製作所製「スパッタリングシステムHSR−542S」のスパッタリング装置を用い、DCマグネトロンスパッタリングを成膜時間120秒間で行ってAl−Nd合金膜を得た。
スパッタリング条件は、以下の通りである。
背圧:3.0×10-6Torr以下
Arガス圧:2.25×10-3Torr
Arガス流量:30sccm
スパッタリングパワー:DC260W
極間距離:51.6mm
基板温度:室温
成膜されたAl−Nd合金薄膜の膜厚を触針式膜厚計で測定し,成膜速度[nm/s]=膜厚[nm]/(成膜時間[s]=120秒)によって成膜速度を算出した。ここで下記の通り判断し、AおよびBを成膜速度が速いとして合格、特にAの場合を成膜速度がより速く好ましいと評価し、Cを成膜速度が遅いとして不合格と評価した。これらの結果を表1に示す。
A・・・成膜速度2.0nm/s以上
B・・・成膜速度1.8nm/s以上、2.0nm/s未満
C・・・成膜速度1.8nm/s未満
表1から次のことがわかる。表1のNo.5、8、11は本発明例でありX線回折ピーク強度の大小関係、およびビッカース硬さが適切に制御されているため、高成膜速度を達成でき、判定は合格である。このAl−Nd合金スパッタリングターゲットは高成膜速度を有するため、タッチパネル等の生産性を向上させることが可能である。
特に、表1のNo.5、11は、ビッカース硬さが更に好ましい範囲内にあり、平均結晶粒径が更により好ましい範囲内にあるため、極めて優れた高成膜速度が得られ、タッチパネルの生産性を格段に向上させることが可能である。
これに対し、表1のNo.1、2、4、6、7、9、10は、本発明のいずれかの要件を満足しないため、高成膜速度が得られなかった。
表1のNo.1は、焼鈍の加熱温度が低いため、平均結晶粒径が小さくなり、ビッカース硬さが高い比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.2は、熱間圧延の圧下率が低いため、X線回折ピーク強度の大小関係が適切に制御されていない比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.4は、焼鈍の加熱温度が高いため、平均結晶粒径が大きくなり、ビッカース硬さが低い比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.6は、熱間圧延の加熱温度が低いため、X線回折ピーク強度の大小関係が適切に制御されていない比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.7は、熱間圧延の加熱温度が高いため、X線回折ピーク強度の大小関係が適切に制御されていない比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.9は、焼鈍の加熱時間が短いため、平均結晶粒径が小さくなり、ビッカース硬さが高い比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
No.10は、焼鈍の加熱時間が長いため、平均結晶粒径が大きくなり、ビッカース硬さが低い比較例であり、高成膜速度が得られず、判定は不合格である。
尚、No.3は、前述のとおり熱間圧延の圧下率が高いため、圧延板に割れが生じた。
本発明のAl合金スパッタリングターゲットは上記のように高成膜速度を有するため、タッチパネルなどの表示装置の生産性を格段に向上させることができる。

Claims (3)

  1. Ndを0.1原子%以上3原子%以下含有するAl合金からなるAl合金スパッタリングターゲットであって、
    X線回析パターンにおけるAl(200)面のX線回折ピーク強度、Al(311)面のX線回折ピーク強度、Al(220)面のX線回折ピーク強度、およびAl(111)面のX線回折ピーク強度が下記式(1)の関係を満たし、且つ、
    ビッカース硬さHvが29以上、36以下であることを特徴とするAl合金スパッタリングターゲット。
    Al(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111) …(1)
    式中、IAl(200)はAl(200)面のX線回折ピーク強度を、IAl(311)はAl(311)面のX線回折ピーク強度を、IAl(220)はAl(220)面のX線回折ピーク強度を、IAl(111)はAl(111)面のX線回折ピーク強度を示す。
  2. 平均結晶粒径が10μm以上100μm以下である請求項1に記載のAl合金スパッタリングターゲット。
  3. タッチパネルの引き出し配線膜およびタッチパネルセンサーの配線膜の形成に用いられる請求項1または2に記載のAl合金スパッタリングターゲット。
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