CN110205591B - 铝合金溅射靶材 - Google Patents

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Abstract

本发明是一种铝合金溅射靶材，其包含含有0.1原子％～3原子％的Nd的铝合金，X射线衍射峰值强度满足下述式(1)的关系，维氏硬度为29～36；IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)…(1)式中，IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度，IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度，IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度，IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。

Description

铝合金溅射靶材
本发明是2016年04月20日所提出的申请号为201680029641.7、发明名称为《铝合金溅射靶材》的发明专利申请的分案申请。本申请是基于2015年6月5日提出申请的日本专利申请(日本专利特愿2015-115184)者，其内容作为参照被引用至本申请中。
技术领域
本发明涉及一种铝合金溅射靶材。本发明特别涉及一种能以高的成膜速度形成铝合金薄膜的铝合金溅射靶材。
背景技术
作为提高触摸屏等显示装置、例如液晶显示器等的生产性的方法之一，可列举：在构成所述触摸屏的例如引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜的形成时，将薄膜快速成膜。在利用溅射法将薄膜成膜时，可通过提高溅射功率即电力而提高成膜速度。但是，若提高溅射功率，则会产生以下不良情况：容易产生电弧放电(arcing)或飞溅(splash)等成膜异常，触摸屏等的良率降低等。因此，期望即便不提高溅射功率也可提高成膜速度的溅射靶材。
然而，所述液晶显示器的配线膜使用兼具低电阻率与高耐热性的Al-Nd合金薄膜。所述Al-Nd合金薄膜的成膜方法采用溅射法，Al-Nd合金溅射靶材用作薄膜形成的原材料。作为所述Al-Nd合金溅射靶材，至今为止提出了以下的专利文献1～专利文献5的技术。
在专利文献1中，揭示了通过降低Al基合金溅射靶材的Fe含量，而可提供显示装置用耐碱腐蚀性优异的铝合金膜。在专利文献2中，揭示了通过降低铝合金溅射靶材的表面的维氏硬度(Vickers hardness)的不均，而可制作膜均匀性优异的液晶等的铝合金膜。
在专利文献3中，揭示了通过使用既定的合金组成的Al基合金溅射靶材，而可形成耐热性、空隙耐性、及小丘(hillock)耐性等优异的热打印机的铝合金电极。此外，在专利文献4中，揭示了通过使用既定的合金组成的Al-Nd合金溅射靶材，而可抑制液晶显示器用导电部的Al-Nd合金薄膜的在退火处理后的小丘产生，并且可降低电阻值。
在专利文献5中，揭示了通过使用降低了含氧量的Al-Nd合金溅射靶材，而可抑制构成液晶显示器用电极的合金薄膜的小丘产生，并且可降低比电阻值。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-132091号公报
专利文献2：日本专利特开2004-204284号公报
专利文献3：日本专利特开2003-103821号公报
专利文献4：日本专利特开2001-125123号公报
专利文献5：日本专利特开2001-93862号公报
发明内容
发明所要解决的问题
如上所述那样，在专利文献1～专利文献5中，揭示了为了提高所形成的膜的特性等，而控制溅射靶材的成分组成等，但并未列举提高成膜速度来提高显示装置的生产性等问题，也未揭示解决所述问题的技术手段。
本发明鉴于如以上那样的状况而成，其目的在于提供一种与现有的Al-Nd合金溅射靶材相比可获得高的成膜速度，可大幅提高触摸屏等的生产性的Al-Nd合金溅射靶材。
解决问题的技术手段
可解决所述问题的本发明的铝合金溅射靶材具有以下要旨：包含含有0.1原子％以上、3原子％以下的Nd，其余部分为Al及不可避免的杂质的铝合金，X射线衍射图案中的Al(200)面的X射线衍射峰值强度、Al(311)面的X射线衍射峰值强度、Al(220)面的X射线衍射峰值强度、及Al(111)面的X射线衍射峰值强度满足下述式(1)的关系，且维氏硬度Hv满足29以上、36以下。
IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)…(1)
式中，IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度，IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度，IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度，IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。
在本发明的优选的实施方式中，所述铝合金溅射靶材的平均结晶粒径为10μm以上、100μm以下。
在本发明的优选的实施方式中，所述铝合金溅射靶材用于形成触摸屏的引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜。
发明的效果
根据本发明，由于控制了Al-Nd合金溅射靶材的特别是X射线衍射峰值强度与维氏硬度，因此在将所述溅射靶材用于Al-Nd合金薄膜的形成时，可充分提高成膜速度。其结果，可大幅提高将所述薄膜用于例如引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜的触摸屏等的生产性。
附图说明
图1表示本发明的铝合金溅射靶材的Al的(111)面、(200)面、(220)面、及(311)面的X射线衍射峰值强度的一例。
具体实施方式
以本发明人在所述问题下，为了提供可高速形成Al-Nd合金薄膜的Al-Nd合金溅射靶材，而反复地进行了努力研究。其结果发现，若以满足下述式(1)的关系的方式，控制后述成分组成的Al-Nd合金溅射靶材的溅射面的Al(200)面、Al(311)面、Al(220)面、及Al(111)面的X射线衍射峰值强度，且将维氏硬度控制在29以上、36以下，则可实现所述Al-Nd合金溅射靶材。
IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)…(1)
式中，IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度，IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度，IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度，IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。
进而发现，若将Al-Nd合金溅射靶材的平均结晶粒径控制在优选为10μm以上、100μm以下，则可进一步提高成膜速度，从而完成了本发明。
在本说明书中，有时将可高速形成Al-Nd合金薄膜的特性称为“具有高成膜速度”。
以下，对本发明进行详细说明。
首先，对Al-Nd合金溅射靶材的X射线衍射图案进行说明。本发明的特征在于：X射线衍射峰值强度的大小关系满足IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)。
发现通过满足所述X射线衍射峰值强度的大小关系，而可实现高成膜速度的经过如以下所述。
(a)已知溅射时的Ar离子的碰撞能量向金属的结晶面的原子的填充度高的方向效率良好地传递。
(b)已知特别是Al的结晶面按照(200)面、(311)面、(220)面、(111)面的顺序，其结晶面的法线方向的原子填充度高，所述碰撞能量容易效率更良好地向所述法线方向传递。
(c)但是，在将Al基合金溅射靶材作为对象时，例如在含有Si的Al基溅射靶材中，存在提高＜111＞的结晶方位的比率而提高成膜速度的技术，另一方面，也存在以＜111＞的结晶方位的比率低为佳的技术。如此，对于结晶方位与成膜速度的关系，不明了的部分多。本发明人对结晶面与成膜速度的关系进行了努力研究，结果发现，在Al-Nd合金溅射靶材中，通过满足Al的结晶面的法线方向的原子填充度高的顺序的(200)面、(311)面、(220)面、(111)面的所述X射线衍射峰值强度的大小关系，而可射出大量的溅射粒子，并实现高成膜速度。再者，所述大小关系通过以下方式决定：在X射线衍射的测定范围2θ＝30°～90°的X射线衍射图案中，自还包括(222)面等的多个峰值中选出(200)面、(311)面、(220)面、(111)面的峰值，并对X射线衍射峰值强度进行比较。
继而，对Al-Nd合金溅射靶材的维氏硬度Hv进行说明。在Al-Nd合金溅射靶材的维氏硬度超过36时，溅射时的Ar离子的碰撞能量不会效率良好地传递，溅射粒子难以自溅射靶材射出，因此无法获得高成膜速度。因此，在本发明中，将维氏硬度的上限设为36以下。维氏硬度的上限优选为35以下，更优选为34以下，尤其优选为33以下。
但即使在维氏硬度低于29而过低，溅射时的Ar离子的碰撞能量也不会效率良好地传递，溅射粒子难以自溅射靶材射出，因此难以获得高成膜速度。因此，将维氏硬度的下限设为29以上。维氏硬度的下限优选为30以上，更优选为31以上。
就确保优异的高成膜速度的观点而言，Al-Nd合金溅射靶材的平均结晶粒径优选为10μm以上、100μm以下。在平均结晶粒径小于10μm时，溅射时的Ar离子的碰撞能量不会效率良好地传递，溅射粒子难以自溅射靶材射出。其结果，有无法获得高成膜速度的情况，因此如上所述那样，平均结晶粒径优选为10μm以上。平均结晶粒径的下限更优选为20μm以上，尤其优选为30μm以上，特别优选为40μm以上。
另一方面，在平均结晶粒径变得过大而超过100μm时，溅射时的Ar离子的碰撞能量也不会效率良好地传递，溅射粒子难以自溅射靶材射出。其结果，难以获得高成膜速度，因此如上所述那样，平均结晶粒径优选为100μm以下。平均结晶粒径的上限更优选为90μm以下，尤其优选为80μm以下。
再者，所述平均结晶粒径以如下方式求出。拍摄Al-Nd合金溅射靶材的溅射面的光学显微镜照片。显微镜倍率越大则可越准确地求出结晶粒径，通常设定为100倍～500倍左右。继而，对所得的照片呈井状画4条以上的直线。再者，直线的数量越多则可越准确地求出结晶粒径。调查位于所述直线上的结晶晶界的数量n，对每条直线根据下述式算出结晶粒径d。然后，将由多条直线分别求出的结晶粒径d的平均值作为溅射靶材的平均结晶粒径。
d(单位：μm)＝L/n/m
式中，L表示直线的长度L，n表示直线上的结晶晶界的数量n，m表示光学显微镜照片的倍率。
继而，对本发明的Al-Nd合金溅射靶材的成分组成及其限定理由进行说明。
本发明的溅射靶材包含以原子％计含有0.1％以上、3％以下的Nd的铝合金。以下，关于化学成分，“％”是指“原子％”。
[Nd：0.1％以上、3％以下]
Nd是防止小丘的产生，且有效用于提高耐热性的元素。在铝合金中的含有率小于0.1％时，无法将具有高耐热性的铝合金薄膜成膜。因此，Nd含有率的下限为0.1％以上。Nd含有率的下限优选为0.15％以上，更优选为0.20％以上。另一方面，在Nd含有率超过3％时，无法将具有低电阻率的铝合金薄膜成膜。因此，Nd含有率的上限为3％以下。Nd含有率的上限优选为2％以下，更优选为1％以下。
本发明中所规定的含有元素为如上所述，其余部分为Al及不可避免的杂质。作为不可避免的杂质，可容许自原料、材料、制造设备等带入的元素、例如Fe、Si、Cu、C、O、N等元素的混入。
Al-Nd合金溅射靶材如上所述那样，可为实质上仅包含Al与Nd的铝合金溅射靶材，但在不对本发明造成不良影响的范围内，也可含有以下元素。
[Ti：0.0005％以上、0.01％以下]
Ti是对Al的结晶粒的微细化有效的元素。为了有效地发挥出此种效果，Ti含有率的下限优选为0.0005％以上，更优选为0.0010％以上。但是，若Ti含有率变得过量，则无法将具有低电阻率的铝合金薄膜成膜。因此，Ti含有率的上限优选为0.01％以下，更优选为0.005％以下。
[B：0.0005％以上、0.01％以下]
B是对Al的结晶粒的微细化有效的元素。为了有效地发挥出此种效果，B含有率的下限优选为0.0005％以上，更优选为0.0010％以上。但是，若B含有率变得过量，则无法将具有低电阻率的铝合金薄膜成膜。因此，B含有率的上限优选为0.01％以下，更优选为0.005％以下。
溅射靶材的形状并无特别限定，可设为圆板、四角板等平板形状，或圆筒形状等公知的各种形状。例如可设为圆板形状。此种圆板形状的溅射靶材例如是对通过锻造与热处理而金属组织与Nd分布均匀化的圆柱形状的锻造体进行切成圆片加工；对通过轧制与热处理而金属组织与Nd分布均匀化的平板形状的轧制体进行凿挖加工；或对通过锻造与轧制及热处理而金属组织与Nd分布均匀化的平板形状的轧制体进行凿挖加工而得，因此可持续且稳定地形成均匀性优异的Al系薄膜。
本发明的Al-Nd合金溅射靶材优选为用于形成要求生产性提高、特别是高的成膜速度的触摸屏的引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜。通过用于形成所述引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜，而可大幅提高触摸屏的生产性。
继而，对制造所述Al-Nd合金溅射靶材的方法进行说明。本发明的Al-Nd合金溅射靶材可通过以下方法制造：将Al材料与Nd材料进行大气熔解，铸造后，进行锻造及轧制中至少一种塑性加工，进行热处理、机械加工，根据需要对垫板(backing plate)进行接合。
例如可在以下条件下制造本发明的Al-Nd合金溅射靶材。
将Al材料与Nd材料进行大气熔解，利用半连续浇铸(Direct Chill Casting，DC)铸造法将厚度150mm～180mm的铸块进行造块后，进行冷锻与热轧并退火。继而，只要进行凿挖加工、车床加工等机械加工，制造Al-Nd合金溅射靶材即可。
其中，为了确保所述式(1)的X射线衍射图案及维氏硬度，特别重要的是将热轧的加热温度及压下率的上限与下限、以及退火的加热温度的上限与下限控制在下述范围内。以下，对冷锻以后的步骤进行详细叙述。
冷锻的加工率：30％～50％
若冷锻的加工率过低，则无法获得10μm以上、100μm以下的平均结晶粒径。因此，冷锻的加工率的下限优选为设为30％以上，更优选为设为35％以上。另一方面，若冷锻的加工率过高，则会产生裂纹等破损。因此，冷锻的加工率的上限优选为设为50％以下，更优选为设为45％以下。
再者，冷锻的加工率根据下述式求出。
加工率(％)＝100×(冷锻开始前厚度-冷锻完毕厚度)/冷锻开始前厚度
热轧的加热温度：350℃～450℃
若热轧的加热温度低于350℃，则Al(200)面的X射线衍射峰值强度会变小，无法获得所述式(1)的X射线衍射图案。具体而言，Al(200)面的X射线衍射峰值变得小于Al(311)面的X射线衍射峰值。因此，热轧的加热温度的下限设为350℃以上。热轧的加热温度的下限优选为设为370℃以上。另一方面，若热轧的加热温度高于450℃，则Al(111)面的X射线衍射峰值强度会变大，无法获得所述式(1)的X射线衍射图案。具体而言，Al(111)面的X射线衍射峰值变得大于Al(220)面的X射线衍射峰值。因此，热轧的加热温度的上限设为450℃以下。热轧的加热温度的上限优选为设为430℃以下。
热轧的压下率：75％～95％
若热轧的压下率低于75％，则Al(200)面的X射线衍射峰值强度会变小，无法获得所述式(1)的X射线衍射图案。具体而言，Al(200)面的X射线衍射峰值变得小于Al(311)面的X射线衍射峰值。因此，热轧的压下率的下限设为75％以上。热轧的压下率的下限优选为设为77％以上。另一方面，若热轧的压下率高于95％，则会产生裂纹等破损。因此，热轧的压下率的上限设为95％以下。热轧的压下率的上限优选为设为90％以下。
再者，热轧的压下率根据下述式求出。
压下率(％)＝100×(轧制开始前厚度-轧制完毕厚度)/轧制开始前厚度
退火的加热温度：350℃～450℃
若退火的加热温度低于350℃，则平均结晶粒径会变得过小，维氏硬度会变得过高。因此，退火的加热温度的下限设为350℃以上。退火的加热温度的下限优选为370℃以上。另一方面，若退火的加热温度高于450℃，则平均结晶粒径会变得过大，维氏硬度会变得过低。因此，退火的加热温度的上限优选为设为450℃以下，更优选为设为430℃以下。
退火的加热时间：1.0小时以上、且小于3.0小时
若退火的加热时间过短，则Al-Nd合金溅射靶材的平均结晶粒径会变得过小，维氏硬度会变得过高。因此，退火的加热时间的下限优选为设为1.0小时以上，更优选为设为1.2小时以上。另一方面，若退火的加热时间过长，则Al-Nd合金溅射靶材的平均结晶粒径会变得过大，维氏硬度会变得过低。因此，退火的加热时间的上限优选为设为小于3.0小时，更优选为设为2.8小时以下。
实施例
通过以下实施例对本发明进行更详细叙述，但以下实施例并不限制本发明，在不脱离本发明的主旨的范围内变更实施的情况全部包括在本发明的技术范围中。
[Al-Nd合金溅射靶材的制造]
首先，对Al-Nd合金溅射靶材的制造方法进行说明。
作为原材料，准备以下的Al与Nd的各材料。
(1)Al材料：纯度为99.99原子％的Al
(2)Nd材料：纯度为99.5原子％的Nd
使用所述材料，进行大气溶解利用DC铸造法将宽度300mm×长度350mm×厚度65mm的四角板形状的铸块造块。然后，在加工率为38％的条件下进行冷锻，获得宽度380mm×长度450mm×厚度40mm的四角板形状锻造体。继而，在表1所示的条件下进行热轧，以宽度400mm获得表1所示的厚度的热轧板。然后进行退火。再者，关于No.3，由于热轧的压下率高而轧制板破裂，因此无法向其后的步骤推进，未进行以后的试验。
继而，进行轧制板切割、凿挖加工及车床加工。详细而言，向进行了切割与凿挖加工的轧制板的厚度方向研磨至距单面的表层部为0.5mm为止，在两面研磨合计1.0mm，以所述研磨后的单面成为溅射面的方式进行车床加工。如此制造直径101.6mm×厚度5.0mm的尺寸的圆板形状的Al-Nd合金溅射靶材。利用感应耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma，ICP)发光分光分析法对如此获得的溅射靶材中的Nd量进行分析。
所述获得的厚度5.0mm的溅射靶材的物性根据下述方法求出。
[X射线衍射峰值强度]
在下述所示的条件下利用X射线衍射法对溅射靶材的靶材表面的任意4个部位进行分析，以单位为每秒计数(counts per second，CPS)测定Al的(111)面、(200)面、(220)面、及(311)面的X射线衍射峰值强度、更具体为积分强度。对这些值的大小关系进行评价。作为其一例，将作为本发明例的表1的No.5的结果表示于图1。再者，如上所述那样对4个部位进行分析，但任一靶材的所述4个部位的所述X射线衍射峰值强度的大小关系均相同。即，任一靶材中，所述分析部位4个部位的各X射线衍射峰值强度的大小关系均分别与表1所示的4个部位的大小关系相同。
X射线衍射条件
a)试验片的预处理
本实验例中，由于试验片的表面平滑，因此未进行预处理。再者，在欲除去试验片表面的切削应变的影响时，作为试验片的预处理，优选为在湿式研磨后利用稀硝酸对表面进行蚀刻。
b)分析装置
理学电机(股)制造的“林特(RINT)1500”
c)分析条件
靶材：Cu
单色化：通过使用单色器而产生的CuKα射线
靶材输出：40kV-200mA
狭缝：发散1°、散射1°、受光0.15mm
扫描速度：4°/min
采样宽度：0.02°
测定范围(2θ)：30°～90°
[维氏硬度]
使用维氏硬度试验机(明石制作所股份有限公司制造、AVK-G2)，以负荷1kgf测定各溅射靶材的维氏硬度Hv。
[平均结晶粒径]
拍摄溅射靶材的溅射面的光学显微镜照片，对所得的照片画井状4条直线。调查位于所述直线上的结晶晶界的数量n，对每条直线根据下述式算出结晶粒径d。
d(单位：μm)＝L/n/m
式中，L表示直线的长度L，n表示直线上的结晶晶界的数量n，m表示光学显微镜照片的倍率。将由4条直线分别求出的结晶粒径d的平均值作为平均结晶粒径(μm)。
[成膜速度]
使用所述Al-Nd合金溅射靶材，评价利用直流(direct current，DC)磁控溅射法的Al-Nd合金薄膜的成膜速度。详细而言，对直径50.0mm×厚度0.70mm的尺寸的玻璃基板，使用岛津制作所股份有限公司制造的“溅射系统HSR-542S”的溅射装置，以成膜时间120秒钟进行DC磁控溅射，而获得Al-Nd合金膜。
溅射条件如以下所述。
背压：3.0×10-6Torr以下
Ar气压：2.25×10-3Torr
Ar气流量：30sccm
溅射功率：DC260W
极间距离：51.6mm
基板温度：室温
利用触针式膜厚计测定已成膜的Al-Nd合金薄膜的膜厚，根据成膜速度[nm/s]＝膜厚[nm]/(成膜时间[s]＝120秒)算出成膜速度。此处，如下述那样进行判断，将A及B设为成膜速度快而评价为合格，特别是将A的情形评价为成膜速度更快而优选，将C设为成膜速度慢而评价为不合格。将所述等的结果表示于表1。
A…成膜速度为2.0nm/s以上
B…成膜速度为1.8nm/s以上、且小于2.0nm/s
C…成膜速度小于1.8nm/s
Figure BDA0002124999990000121
根据表1可知如下结果。表1的No.5、No.8、No.11为本发明例，X射线衍射峰值强度的大小关系、及维氏硬度得到恰当控制，因此可达成高成膜速度，判定为合格。所述Al-Nd合金溅射靶材由于具有高成膜速度，因此可提高触摸屏等的生产性。
特别是表1的No.5、No.11中，维氏硬度处于更优选的范围内，平均结晶粒径处于尤其优选的范围内，因此可获得极优异的高成膜速度，可大幅提高触摸屏的生产性。
相对于此，表1的No.1、No.2、No.4、No.6、No.7、No.9、No.10中，由于不满足本发明的任一要件，因此未能获得高成膜速度。
表1的No.1是由于退火的加热温度低，因而平均结晶粒径变小，维氏硬度高的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.2是由于热轧的压下率低，因而X射线衍射峰值强度的大小关系未得到恰当控制的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.4是由于退火的加热温度高，因而平均结晶粒径变大，维氏硬度低的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.6是由于热轧的加热温度低，因而X射线衍射峰值强度的大小关系未得到恰当控制的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.7是由于热轧的加热温度高，因而X射线衍射峰值强度的大小关系未得到恰当控制的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.9是由于退火的加热时间短，因而平均结晶粒径变小，维氏硬度高的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
No.10是由于退火的加热时间长，因而平均结晶粒径变大，维氏硬度低的比较例，无法获得高成膜速度，判定为不合格。
再者，No.3如上所述那样由于热轧的压下率高，因此轧制板产生裂纹。
详细且参照特定实施方式对本发明进行了说明，但对本领域技术人员而言，明显能够在不脱离本发明的精神与范围的情况下实施各种变更或修正。
产业上的可利用性
本发明的铝合金溅射靶材如上所述那样由于具有高成膜速度，因此可大幅提高触摸屏等显示装置的生产性。

Claims (2)

1.一种铝合金溅射靶材，其包含含有0.1原子％以上、3原子％以下的Nd，其余部分为Al及不可避免的杂质的铝合金，所述铝合金溅射靶材的特征在于：
X射线衍射图案中的Al(200)面的X射线衍射峰值强度、Al(311)面的X射线衍射峰值强度、Al(220)面的X射线衍射峰值强度及Al(111)面的X射线衍射峰值强度满足下述式(1)的关系，且
维氏硬度Hv为29以上、36以下，
平均结晶粒径为10μm以上、100μm以下；
IAl(200)＞IAl(311)＞IAl(220)＞IAl(111)…(1)
式中，IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度，IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度，IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度，IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。
2.根据权利要求1所述的铝合金溅射靶材，其用于形成触摸屏的引出配线膜及触摸屏传感器的配线膜。
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