TWI585214B

TWI585214B - Aluminum alloy sputtering target

Info

Publication number: TWI585214B
Application number: TW105115267A
Authority: TW
Inventors: Katsutoshi Takagi
Original assignee: Kobelco Res Inst Inc
Priority date: 2015-06-05
Filing date: 2016-05-18
Publication date: 2017-06-01
Also published as: KR20200029634A; CN110205591A; CN107614745B; CN110205591B; TW201643263A; JP6377021B2; JP2017002343A; WO2016194508A1; KR20180004214A; CN107614745A

Description

鋁合金濺鍍靶材

本發明是有關於一種鋁合金濺鍍靶材。本發明特別是有關於一種能以高的成膜速度形成鋁合金薄膜的鋁合金濺鍍靶材。

作為提高觸控面板等顯示裝置、例如液晶顯示器等的生產性的方法之一，可列舉：在構成所述觸控面板的例如引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜的形成時，將薄膜快速成膜。在藉由濺鍍法將薄膜成膜時，可藉由提高濺鍍功率即電力而提高成膜速度。但是，若提高濺鍍功率，則會產生以下不良情況：容易產生電弧放電（arcing）或飛濺（splash）等成膜異常，觸控面板等的良率降低等。因此，期望即便不提高濺鍍功率亦可提高成膜速度的濺鍍靶材。

然而，所述液晶顯示器的配線膜使用兼具低電阻率與高耐熱性的Al-Nd合金薄膜。所述Al-Nd合金薄膜的成膜方法採用濺鍍法，Al-Nd合金濺鍍靶材用作薄膜形成的原材料。作為所述Al-Nd合金濺鍍靶材，至今為止提出了以下的專利文獻1～專利文獻5的技術。

在專利文獻1中，揭示了藉由降低Al基合金濺鍍靶材的Fe含量，而可提供顯示裝置用耐鹼腐蝕性優異的鋁合金膜。在專利文獻2中，揭示了藉由降低鋁合金濺鍍靶材的表面的維氏硬度（Vickers hardness）的不均，而可製作膜均勻性優異的液晶等的鋁合金膜。

在專利文獻3中，揭示了藉由使用既定的合金組成的Al基合金濺鍍靶材，而可形成耐熱性、空隙耐性、及小丘（hillock）耐性等優異的熱印表機的鋁合金電極。此外，在專利文獻4中，揭示了藉由使用既定的合金組成的Al-Nd合金濺鍍靶材，而可抑制液晶顯示器用導電部的Al-Nd合金薄膜的在退火處理後的小丘產生，並且可降低電阻值。

在專利文獻5中，揭示了藉由使用降低了含氧量的Al-Nd合金濺鍍靶材，而可抑制構成液晶顯示器用電極的合金薄膜的小丘產生，並且可降低比電阻值。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2012-132091號公報專利文獻2：日本專利特開2004-204284號公報專利文獻3：日本專利特開2003-103821號公報專利文獻4：日本專利特開2001-125123號公報專利文獻5：日本專利特開2001-93862號公報

[發明所欲解決之課題] 如上所述般，在專利文獻1～專利文獻5中，揭示了為了提高所形成的膜的特性等，而控制濺鍍靶材的成分組成等，但並未列舉提高成膜速度來提高顯示裝置的生產性等課題，亦未揭示解決所述課題的手段。

本發明鑒於如以上般的狀況而成，其目的在於提供一種與先前的Al-Nd合金濺鍍靶材相比可獲得高的成膜速度，可大幅提高觸控面板等的生產性的Al-Nd合金濺鍍靶材。 [解決課題之手段]

可解決所述課題的本發明的鋁合金濺鍍靶材具有以下要旨：包含含有0.1原子%以上、3原子%以下的Nd的鋁合金，X射線繞射圖案中的Al（200）面的X射線繞射峰值強度、Al（311）面的X射線繞射峰值強度、Al（220）面的X射線繞射峰值強度、及Al（111）面的X射線繞射峰值強度滿足下述式（1）的關係，且維氏硬度Hv滿足29以上、36以下。 I_Al _（ ₂₀₀ _）＞I_Al _（ ₃₁₁ _）＞I_Al _（ ₂₂₀ _）＞I_Al _（ ₁₁₁ _） …（1）式中，I_Al _（ ₂₀₀ _）表示Al（200）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₃₁₁ _）表示Al（311）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₂₂₀ _）表示Al（220）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₁₁₁ _）表示Al（111）面的X射線繞射峰值強度。

在本發明的較佳的實施形態中，所述鋁合金濺鍍靶材的平均結晶粒徑為10 μm以上、100 μm以下。

在本發明的較佳的實施形態中，所述鋁合金濺鍍靶材用於形成觸控面板的引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜。 [發明的效果]

根據本發明，由於控制了Al-Nd合金濺鍍靶材的特別是X射線繞射峰值強度與維氏硬度，因此在將所述濺鍍靶材用於Al-Nd合金薄膜的形成時，可充分提高成膜速度。其結果，可大幅提高將所述薄膜用於例如引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜的觸控面板等的生產性。

本發明者在所述課題下，為了提供可高速形成Al-Nd合金薄膜的Al-Nd合金濺鍍靶材，而反覆地進行了努力研究。其結果發現，若以滿足下述式（1）的關係的方式，控制後述成分組成的Al-Nd合金濺鍍靶材的濺鍍面的Al（200）面、Al（311）面、Al（220）面、及Al（111）面的X射線繞射峰值強度，且將維氏硬度控制在29以上、36以下，則可實現所述Al-Nd合金濺鍍靶材。 I_Al _（ ₂₀₀ _）＞I_Al _（ ₃₁₁ _）＞I_Al _（ ₂₂₀ _）＞I_Al _（ ₁₁₁ _） …（1）式中，I_Al _（ ₂₀₀ _）表示Al（200）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₃₁₁ _）表示Al（311）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₂₂₀ _）表示Al（220）面的X射線繞射峰值強度，I_Al _（ ₁₁₁ _）表示Al（111）面的X射線繞射峰值強度。

進而發現，若將Al-Nd合金濺鍍靶材的平均結晶粒徑控制在較佳為10 μm以上、100 μm以下，則可進一步提高成膜速度，從而完成了本發明。

在本說明書中，有時將可高速形成Al-Nd合金薄膜的特性稱為「具有高成膜速度」。

以下，對本發明進行詳細說明。

首先，對Al-Nd合金濺鍍靶材的X射線繞射圖案進行說明。本發明的特徵在於：X射線繞射峰值強度的大小關係滿足I_Al _（ ₂₀₀ _）＞I_Al _（ ₃₁₁ _）＞I_Al _（ ₂₂₀ _）＞I_Al _（ ₁₁₁ _）。

發現藉由滿足所述X射線繞射峰值強度的大小關係，而可實現高成膜速度的經過如以下所述。（a）已知濺鍍時的Ar離子的碰撞能量向金屬的結晶面的原子的填充度高的方向效率佳地傳遞。（b）已知特別是Al的結晶面按照（200）面、（311）面、（220）面、（111）面的順序，其結晶面的法線方向的原子填充度高，所述碰撞能量容易效率更佳地向所述法線方向傳遞。（c）但是，在將Al基合金濺鍍靶材作為對象時，例如在含有Si的Al基濺鍍靶材中，存在提高＜111＞的結晶方位的比率而提高成膜速度的技術，另一方面，亦存在以＜111＞的結晶方位的比率低為佳的技術。如此，對於結晶方位與成膜速度的關係，不明瞭的部分多。本發明者對結晶面與成膜速度的關係進行了努力研究，結果發現，在Al-Nd合金濺鍍靶材中，藉由滿足Al的結晶面的法線方向的原子填充度高的順序的（200）面、（311）面、（220）面、（111）面的所述X射線繞射峰值強度的大小關係，而可射出大量的濺鍍粒子，並實現高成膜速度。再者，所述大小關係藉由以下方式決定：在X射線繞射的測定範圍2θ=30°～90°的X射線繞射圖案中，自亦包括（222）面等的多個峰值中選出（200）面、（311）面、（220）面、（111）面的峰值，並對X射線繞射峰值強度進行比較。

繼而，對Al-Nd合金濺鍍靶材的維氏硬度Hv進行說明。在Al-Nd合金濺鍍靶材的維氏硬度超過36時，濺鍍時的Ar離子的碰撞能量不會效率佳地傳遞，濺鍍粒子難以自濺鍍靶材射出，因此無法獲得高成膜速度。因此，在本發明中，將維氏硬度的上限設為36以下。維氏硬度的上限較佳為35以下，更佳為34以下，尤佳為33以下。

但在維氏硬度低於29而過低時，濺鍍時的Ar離子的碰撞能量亦不會效率佳地傳遞，濺鍍粒子難以自濺鍍靶材射出，因此難以獲得高成膜速度。因此，將維氏硬度的下限設為29以上。維氏硬度的下限較佳為30以上，更佳為31以上。

就確保優異的高成膜速度的觀點而言，Al-Nd合金濺鍍靶材的平均結晶粒徑較佳為10 μm以上、100 μm以下。在平均結晶粒徑小於10 μm時，濺鍍時的Ar離子的碰撞能量不會效率佳地傳遞，濺鍍粒子難以自濺鍍靶材射出。其結果，有無法獲得高成膜速度的情況，因此如上所述般，平均結晶粒徑較佳為10 μm以上。平均結晶粒徑的下限更佳為20 μm以上，尤佳為30 μm以上，特佳為40 μm以上。

另一方面，在平均結晶粒徑變得過大而超過100 μm時，濺鍍時的Ar離子的碰撞能量亦不會效率佳地傳遞，濺鍍粒子難以自濺鍍靶材射出。其結果，難以獲得高成膜速度，因此如上所述般，平均結晶粒徑較佳為100 μm以下。平均結晶粒徑的上限更佳為90 μm以下，尤佳為80 μm以下。

再者，所述平均結晶粒徑以如下方式求出。拍攝Al-Nd合金濺鍍靶材的濺鍍面的光學顯微鏡照片。顯微鏡倍率越大則可越準確地求出結晶粒徑，通常設定為100倍～500倍左右。繼而，對所得的照片呈井狀畫4條以上的直線。再者，直線的數量越多則可越準確地求出結晶粒徑。調查位於所述直線上的結晶晶界的數量n，對每條直線根據下述式算出結晶粒徑d。然後，將由多條直線分別求出的結晶粒徑d的平均值作為濺鍍靶材的平均結晶粒徑。 d（單位：μm）=L/n/m 式中，L表示直線的長度L，n表示直線上的結晶晶界的數量n，m表示光學顯微鏡照片的倍率。

繼而，對本發明的Al-Nd合金濺鍍靶材的成分組成及其限定理由進行說明。

本發明的濺鍍靶材包含以原子%計含有0.1%以上、3%以下的Nd的鋁合金。以下，關於化學成分，「%」是指「原子%」。

[Nd：0.1%以上、3%以下] Nd是防止小丘的產生，且有效用於提高耐熱性的元素。在鋁合金中的含有率小於0.1%時，無法將具有高耐熱性的鋁合金薄膜成膜。因此，Nd含有率的下限為0.1%以上。Nd含有率的下限較佳為0.15%以上，更佳為0.20%以上。另一方面，在Nd含有率超過3%時，無法將具有低電阻率的鋁合金薄膜成膜。因此，Nd含有率的上限為3%以下。Nd含有率的上限較佳為2%以下，更佳為1%以下。

本發明中所規定的含有元素為如上所述，其餘部分為Al及不可避免的雜質。作為不可避免的雜質，可容許自原料、材料、製造設備等帶入的元素、例如Fe、Si、Cu、C、O、N等元素的混入。

Al-Nd合金濺鍍靶材如上所述般，可為實質上僅包含Al與Nd的鋁合金濺鍍靶材，但在不對本發明造成不良影響的範圍內，亦可含有以下元素。

[Ti：0.0005%以上、0.01%以下] Ti是對Al的結晶粒的微細化有效的元素。為了有效地發揮出此種效果，Ti含有率的下限較佳為0.0005%以上，更佳為0.0010%以上。但是，若Ti含有率變得過量，則無法將具有低電阻率的鋁合金薄膜成膜。因此，Ti含有率的上限較佳為0.01%以下，更佳為0.005%以下。

[B：0.0005%以上、0.01%以下] B是對Al的結晶粒的微細化有效的元素。為了有效地發揮出此種效果，B含有率的下限較佳為0.0005%以上，更佳為0.0010%以上。但是，若B含有率變得過量，則無法將具有低電阻率的鋁合金薄膜成膜。因此，B含有率的上限較佳為0.01%以下，更佳為0.005%以下。

濺鍍靶材的形狀並無特別限定，可設為圓板、四角板等平板形狀，或圓筒形狀等公知的各種形狀。例如可設為圓板形狀。此種圓板形狀的濺鍍靶材例如是對藉由鍛造與熱處理而金屬組織與Nd分佈均勻化的圓柱形狀的鍛造體進行切成圓片加工；對藉由軋製與熱處理而金屬組織與Nd分佈均勻化的平板形狀的軋製體進行鑿挖加工；或對藉由鍛造與軋製及熱處理而金屬組織與Nd分佈均勻化的平板形狀的軋製體進行鑿挖加工而得，因此可持續且穩定地形成均勻性優異的Al系薄膜。

本發明的Al-Nd合金濺鍍靶材較佳為用於形成要求生產性提高、特別是高的成膜速度的觸控面板的引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜。藉由用於形成所述引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜，而可大幅提高觸控面板的生產性。

繼而，對製造所述Al-Nd合金濺鍍靶材的方法進行說明。本發明的Al-Nd合金濺鍍靶材可藉由以下方法製造：將Al材料與Nd材料進行大氣熔解，鑄造後，進行鍛造及軋製中至少一種塑性加工，進行熱處理、機械加工，根據需要對垫板（backing plate）進行接合。

例如可在以下條件下製造本發明的Al-Nd合金濺鍍靶材。

將Al材料與Nd材料進行大氣熔解，藉由半連續澆鑄（Direct Chill Casting，DC）鑄造法將厚度150 mm～180 mm的鑄塊進行造塊後，進行冷鍛與熱軋並退火。繼而，只要進行鑿挖加工、車床加工等機械加工，製造Al-Nd合金濺鍍靶材即可。

其中，為了確保所述式（1）的X射線繞射圖案及維氏硬度，特別重要的是將熱軋的加熱溫度及壓下率的上限與下限、以及退火的加熱溫度的上限與下限控制在下述範圍內。以下，對冷鍛以後的步驟進行詳細敍述。

冷鍛的加工率：30%～50% 若冷鍛的加工率過低，則無法獲得10 μm以上、100 μm以下的平均結晶粒徑。因此，冷鍛的加工率的下限較佳為設為30%以上，更佳為設為35%以上。另一方面，若冷鍛的加工率過高，則會產生裂紋等破損。因此，冷鍛的加工率的上限較佳為設為50%以下，更佳為設為45%以下。

再者，冷鍛的加工率藉由下述式求出。加工率（%）=100×（冷鍛開始前厚度-冷鍛完畢厚度）/冷鍛開始前厚度

熱軋的加熱溫度：350℃～450℃ 若熱軋的加熱溫度低於350℃，則Al（200）面的X射線繞射峰值強度會變小，無法獲得所述式（1）的X射線繞射圖案。具體而言，Al（200）面的X射線繞射峰值變得小於Al（311）面的X射線繞射峰值。因此，熱軋的加熱溫度的下限設為350℃以上。熱軋的加熱溫度的下限較佳為設為370℃以上。另一方面，若熱軋的加熱溫度高於450℃，則Al（111）面的X射線繞射峰值強度會變大，無法獲得所述式（1）的X射線繞射圖案。具體而言，Al（111）面的X射線繞射峰值變得大於Al（220）面的X射線繞射峰值。因此，熱軋的加熱溫度的上限設為450℃以下。熱軋的加熱溫度的上限較佳為設為430℃以下。

熱軋的壓下率：75%～95% 若熱軋的壓下率低於75%，則Al（200）面的X射線繞射峰值強度會變小，無法獲得所述式（1）的X射線繞射圖案。具體而言，Al（200）面的X射線繞射峰值變得小於Al（300）面的X射線繞射峰值。因此，熱軋的壓下率的下限設為75%以上。熱軋的壓下率的下限較佳為設為77%以上。另一方面，若熱軋的壓下率高於95%，則會產生裂紋等破損。因此，熱軋的壓下率的上限設為95%以下。熱軋的壓下率的上限較佳為設為90%以下。

再者，熱軋的壓下率藉由下述式求出。壓下率（%）=100×（軋製開始前厚度-軋製完畢厚度）/軋製開始前厚度

退火的加熱溫度：350℃～450℃ 若退火的加熱溫度低於350℃，則平均結晶粒徑會變得過小，維氏硬度會變得過高。因此，退火的加熱溫度的下限設為350℃以上。退火的加熱溫度的下限較佳為370℃以上。另一方面，若退火的加熱溫度高於450℃，則平均結晶粒徑會變得過大，維氏硬度會變得過低。因此，退火的加熱溫度的上限較佳為設為450℃以下，更佳為設為430℃以下。

退火的加熱時間：1.0小時以上、且小於3.0小時若退火的加熱時間過短，則Al-Nd合金濺鍍靶材的平均結晶粒徑會變得過小，維氏硬度會變得過高。因此，退火的加熱時間的下限較佳為設為1.0小時以上，更佳為設為1.2小時以上。另一方面，若退火的加熱時間過長，則Al-Nd合金濺鍍靶材的平均結晶粒徑會變得過大，維氏硬度會變得過低。因此，退火的加熱時間的上限較佳為設為小於3.0小時，更佳為設為2.8小時以下。 [實施例]

藉由以下實施例對本發明進行更詳細敍述，但以下實施例並不限制本發明，在不脫離本發明的主旨的範圍內變更實施的情況全部包括在本發明的技術範圍中。

[Al-Nd合金濺鍍靶材的製造] 首先，對Al-Nd合金濺鍍靶材的製造方法進行說明。

作為原材料，準備以下的Al與Nd的各材料。（1）Al材料：純度為99.99原子%的Al （2）Nd材料：純度為99.5原子%的Nd

使用所述材料，進行大氣溶解藉由DC鑄造法將寬度300 mm×長度350 mm×厚度65 mm的四角板形狀的鑄塊造塊。然後，在加工率為38%的條件下進行冷鍛，獲得寬度380 mm×長度450 mm×厚度40 mm的四角板形狀鍛造體。繼而，在表1所示的條件下進行熱軋，以寬度400 mm獲得表1所示的厚度的熱軋板。然後進行退火。再者，關於No.3，由於熱軋的壓下率高而軋製板破裂，因此無法向其後的步驟推進，未進行以後的試驗。

繼而，進行軋製板切割、鑿挖加工及車床加工。詳細而言，向進行了切割與鑿挖加工的軋製板的厚度方向研磨至距單面的表層部為0.5 mm為止，在兩面研磨合計1.0 mm，以所述研磨後的單面成為濺鍍面的方式進行車床加工。如此製造直徑101.6 mm×厚度5.0 mm的尺寸的圓板形狀的Al-Nd合金濺鍍靶材。藉由感應耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，ICP）發光分光分析法對如此獲得的濺鍍靶材中的Nd量進行分析。

所述獲得的厚度5.0 mm的濺鍍靶材的物性根據下述方法求出。

[X射線繞射峰值強度] 在下述所示的條件下藉由X射線繞射法對濺鍍靶材的靶材表面的任意4個部位進行分析，以單位為每秒計數（counts per second，CPS）測定Al的（111）面、（200）面、（220）面、及（311）面的X射線繞射峰值強度、更具體為積分強度。對該等值的大小關係進行評價。作為其一例，將作為本發明例的表1的No.5的結果表示於圖1。再者，如上所述般對4個部位進行分析，但任一靶材的所述4個部位的所述X射線繞射峰值強度的大小關係均相同。即，任一靶材中，所述分析部位4個部位的各X射線繞射峰值強度的大小關係均分別與表1所示的4個部位的大小關係相同。

X射線繞射條件 a）試驗片的預處理本實驗例中，由於試驗片的表面平滑，因此未進行預處理。再者，在欲除去試驗片表面的切削應變的影響時，作為試驗片的預處理，較佳為在濕式研磨後藉由稀硝酸對表面進行蝕刻。 b）分析裝置理學電機（股）製造的「RINT1500」 c）分析條件靶材：Cu 單色化：藉由使用單色器而產生的CuKα射線靶材輸出：40 kV-200 mA 狹縫：發散1°、散射1°、受光0.15 mm 掃描速度：4°/min 採樣寬度：0.02° 測定範圍（2θ）：30°～90°

[維氏硬度] 使用維氏硬度試驗機（明石製作所股份有限公司製造、AVK-G2），以負荷1 kgf測定各濺鍍靶材的維氏硬度Hv。

[平均結晶粒徑] 拍攝濺鍍靶材的濺鍍面的光學顯微鏡照片，對所得的照片畫井狀4條直線。調查位於所述直線上的結晶晶界的數量n，對每條直線根據下述式算出結晶粒徑d。

d（單位：μm）=L/n/m 式中，L表示直線的長度L，n表示直線上的結晶晶界的數量n，m表示光學顯微鏡照片的倍率。將由4條直線分別求出的結晶粒徑d的平均值作為平均結晶粒徑（μm）。

[成膜速度] 使用所述Al-Nd合金濺鍍靶材，評價利用直流（direct current，DC）磁控濺鍍法的Al-Nd合金薄膜的成膜速度。詳細而言，對直徑50.0 mm×厚度0.70 mm的尺寸的玻璃基板，使用島津製作所股份有限公司製造的「濺鍍系統HSR-542S」的濺鍍裝置，以成膜時間120秒鐘進行DC磁控濺鍍，而獲得Al-Nd合金膜。

濺鍍條件如以下所述。背壓：3.0×10^-6 Torr以下 Ar氣壓：2.25×10^-3 Torr Ar氣流量：30 sccm 濺鍍功率：DC260 W 極間距離：51.6 mm 基板溫度：室溫

藉由觸針式膜厚計測定已成膜的Al-Nd合金薄膜的膜厚，藉由成膜速度[nm/s]=膜厚[nm]/（成膜時間[s]=120秒）算出成膜速度。此處，如下述般進行判斷，將A及B設為成膜速度快而評價為合格，特別是將A的情形評價為成膜速度更快而較佳，將C設為成膜速度慢而評價為不合格。將該等的結果表示於表1。 A…成膜速度為2.0 nm/s以上 B…成膜速度為1.8 nm/s以上、且小於2.0 nm/s C…成膜速度小於1.8 nm/s

[表1]

根據表1可知如下結果。表1的No.5、No.8、No.11為本發明例，X射線繞射峰值強度的大小關係、及維氏硬度得到恰當控制，因此可達成高成膜速度，判定為合格。所述Al-Nd合金濺鍍靶材由於具有高成膜速度，因此可提高觸控面板等的生產性。

特別是表1的No.5、No.11中，維氏硬度處於更佳的範圍內，平均結晶粒徑處於尤佳的範圍內，因此可獲得極優異的高成膜速度，可大幅提高觸控面板的生產性。

相對於此，表1的No.1、No.2、No.4、No.6、No.7、No.9、No.10中，由於不滿足本發明的任一要件，因此未能獲得高成膜速度。

表1的No.1是由於退火的加熱溫度低，因而平均結晶粒徑變小，維氏硬度高的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.2是由於熱軋的壓下率低，因而X射線繞射峰值強度的大小關係未得到恰當控制的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.4是由於退火的加熱溫度高，因而平均結晶粒徑變大，維氏硬度低的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.6是由於熱軋的加熱溫度低，因而X射線繞射峰值強度的大小關係未得到恰當控制的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.7是由於熱軋的加熱溫度高，因而X射線繞射峰值強度的大小關係未得到恰當控制的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.9是由於退火的加熱時間短，因而平均結晶粒徑變小，維氏硬度高的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

No.10是由於退火的加熱時間長，因而平均結晶粒徑變大，維氏硬度低的比較例，無法獲得高成膜速度，判定為不合格。

再者，No.3如上所述般由於熱軋的壓下率高，因此軋製板產生裂紋。

詳細且參照特定實施形態對本發明進行了說明，但對所屬技術領域中具有通常知識者而言，明顯能夠在不脫離本發明的精神與範圍的情況下實施各種變更或修正。本申請案是基於2015年6月5日提出申請的日本專利申請案（日本專利特願2015-115184）者，其內容作為參照被引用至本申請案中。 [產業上之可利用性]

本發明的鋁合金濺鍍靶材如上所述般由於具有高成膜速度，因此可大幅提高觸控面板等顯示裝置的生產性。

無

圖1表示本發明的鋁合金濺鍍靶材的Al的（111）面、（200）面、（220）面、及（311）面的X射線繞射峰值強度的一例。

無

Claims

一種鋁合金濺鍍靶材，其包含含有0.1原子%以上、3原子%以下的Nd的鋁合金，且所述鋁合金濺鍍靶材的特徵在於：X射線繞射圖案中的Al(200)面的X射線繞射峰值強度、Al(311)面的X射線繞射峰值強度、Al(220)面的X射線繞射峰值強度、及Al(111)面的X射線繞射峰值強度滿足下述式(1)的關係，且維氏硬度Hv為29以上、36以下；I_Al(200)>I_Al(311)>I_Al(220)>I_Al(111)...(1)式中，I_Al(200)表示Al(200)面的X射線繞射峰值強度，I_Al(311)表示Al(311)面的X射線繞射峰值強度，I_Al(220)表示Al(220)面的X射線繞射峰值強度，I_Al(111)表示Al(111)面的X射線繞射峰值強度，其中，平均結晶粒徑為10μm以上、100μm以下。
如申請專利範圍第1項所述的鋁合金濺鍍靶材，其用於形成觸控面板的引出配線膜及觸控面板感測器的配線膜。