JPH10183337A

JPH10183337A - Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金スパッタリングターゲット

Info

Publication number: JPH10183337A
Application number: JP9293208A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Fukuyo; 秀秋福世; Akira Hatashita; 明畠下
Original assignee: Japan Energy Corp
Current assignee: Eneos Corp
Priority date: 1996-11-01
Filing date: 1997-10-13
Publication date: 1998-07-14
Also published as: KR19980042032A

Abstract

(57)【要約】【課題】平面型ディスプレイ回路用として用いるため
の、低比抵抗で高い耐ヒロック特性を有し、現像液に対
する耐腐食性に優れ、なおかつスプラッツの発生が少な
いＡｌ合金薄膜及びＡｌ合金薄膜形成用のスパッタリン
グターゲットを提供する。【解決手段】平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄
膜及びＡｌ合金スパッタリングターゲットにおいて、合
金組成をＭ（Ｍ：Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、ＺｒまたはＨｆから選択された１種以上の元素）：
合計０．２〜２ａｔ％、Ｂ：０．１〜２ａｔ％、残部Ａ
ｌ及び不可避的不純物からなるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレ
イ、プラズマディスプレイ等の平面型ディスプレイ回路
用のＡｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリ
ングターゲットに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイやプラズマディ
プレイ等の平面型ディスプレイは、薄型、軽量、低消費
電力などの理由により急速に用途が拡大しつつある。特
に、大画面の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと呼ぶ）
液晶ディスプレイは、その高画像品質によってパーソナ
ルコンピュータやテレビジョン用を始めとして広範囲に
用いられるようになっている。これらの液晶ディスプレ
イ用ＴＦＴ配線膜は、液晶ディスプレイの大型化および
配線幅の高精細化に伴い、信号遅延を防止することが重
要な課題となりつつある。そのために、薄膜状の配線膜
や電極の低抵抗化が要求されている。

【０００３】従来、半導体電極材料としては、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｔｉなどの高融点金属が用いられてきたが、これら
の高融点金属材料は比抵抗が大きく大型液晶ディスプレ
イ用配線材としては適当ではなかった。低比抵抗の半導
体電極材料として、代表的にはＣｕおよびＡｌが挙げら
れるが、Ｃｕは薄膜の密着性や耐食性に問題があった。
一方、Ａｌは耐熱性が不十分であり、エレクトロマイグ
レーションを起こし電流密度が大きくなると断線し、ま
た、電極膜形成後の加熱工程においてヒロック（hilloc
k ）と呼ばれる突起が発生し、近接配線間での短絡を起
こすという問題があった。

【０００４】こうした問題に対して、種々のＡｌ合金が
提案されており、例えばＮｄなどの希土類元素を添加し
たＡｌ−希土類合金薄膜が主流となりつつある。しかし
ながら、希土類系の添加物は、その酸化物の自由エネル
ギーがＡｌ酸化物の形成自由エネルギーよりも低いため
非常に酸化されやすい材料であり、通常その表面は酸化
されている。そして、一旦、希土類系酸化物がＡｌ溶湯
中に入るとＡｌ溶湯で還元することができないため、そ
のままＡｌ溶湯中に懸濁し、鋳造時にインゴットに巻き
込まれる。従って、Ａｌ−希土類合金ターゲット中に
は、希土類系酸化物系の介在物が多数存在し、これが原
因となって、スパッタリングの際の異常放電をもたら
し、スプラッツ（splats：Ａｌが溶けてドロップ状にな
り基板上に落ちた痕）の発生が多くなり、またパーティ
クルの発生も増加するため、歩留まりが悪化することが
指摘されている。このような成膜時の異常放電やパーテ
ィクルの発生は、薄膜形成工程において大きな問題とな
っていた。

【０００５】ところで、ＬＳＩ、ＶＬＳＩなどの半導体
薄膜配線用として本出願人は、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ
およびＷからなる群より選ばれた１種類又は２種類以上
の合金元素を０．００２〜０．７ｗｔ％、Ｂ：０．００
２〜０．５ｗｔ％、残部Ａｌおよび不可避的不純物から
なることを特徴とする半導体薄膜配線材料を提案してい
る（特公平４−４８８５４号）。しかしながら、特公平
４−４８８５４号の組成範囲のＡｌ合金薄膜では、ＴＦ
Ｔ配線膜用としては耐ヒロック特性が不十分であり、使
用することができなかった。

【０００６】また、Ａｌ合金薄膜は、ソース配線の現像
液を使用するパターニング工程においてオーミック接触
した透明電極膜（ＩＴＯ電極等）との局部電池作用によ
る電気化学反応を生じる。つまり、ＩＴＯ側で還元反応
そしてＡｌ合金側で酸化反応が起こり、膜が腐食され
る。腐食の原因は、主として配線膜とＩＴＯ電極との自
然電位の違いによるものであり、自然電位の差が大きい
ほど腐食され易いと言われており、そのため配線膜の自
然電位を改善することが要求されている。この点でも、
特公平４−４８８５４号の組成範囲のＡｌ合金薄膜で
は、自然電位の差が大きく、耐腐食性が不十分であるた
め、ＴＦＴ配線膜用として使用することは不適であっ
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶などの
平面型ディスプレイ回路用として用いるための、低抵抗
で高い耐ヒロック特性を有し、現像液に対する耐腐食性
に優れたＡｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用のスパ
ッタリングターゲットを提供することを課題とした。よ
り具体的には、平面型ディスプレイ回路用薄膜に要求さ
れている特性である、熱処理温度３５０℃でヒロック発
生密度が０（零）で、膜の比抵抗が１０μΩ・ｃｍ以下
であり、なおかつ膜の自然電位が改善され、さらにスパ
ッタリングの際のスプラッツやパーティクルの発生が少
ないＡｌ合金薄膜およびそのためのスパッタリングター
ゲットを提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するために鋭意研究を行った結果、Ａｌに合金
元素としてＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒまたはＨｆの１種以上とＢとを同時に、従来よりも高
濃度の特定量含有するＡｌ合金スパッタリングターゲッ
トを作製し、これにより薄膜を形成したところ、ＴＦＴ
配線膜用として好適な低比抵抗で耐ヒロック特性、現像
液に対する耐腐食性に優れたＡｌ合金薄膜が得られ、ま
たスパッタ特性にも優れることを見いだした。

【０００９】本発明は、この知見に基づき、下記の発明
を提供するものである。１．平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄膜におい
て、合金組成が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選択された１種以上の
元素）：合計で０．２〜２ａｔ％、Ｂ：０．１〜２ａｔ
％、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなることを特徴
とするＡｌ合金薄膜。２．平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄膜におい
て、合金組成が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選択された１種以上の
元素）：合計で０．５〜１ａｔ％、Ｂ：０．５〜２ａｔ
％、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなることを特徴
とするＡｌ合金薄膜。３．平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄膜形成用ス
パッタリングターゲットにおいて、合金組成が、Ｍ（Ｍ
はＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒまたは
Ｈｆから選択された１種以上の元素）：合計で０．２〜
２ａｔ％、Ｂ：０．１〜２．０ａｔ％、残部Ａｌおよび
不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金スパ
ッタリングターゲット。４．平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄膜形成用ス
パッタリングターゲットにおいて、合金組成が、Ｍ（Ｍ
はＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒまたは
Ｈｆから選択された１種以上の元素）：合計で０．５〜
１ａｔ％、Ｂ：０．５〜２ａｔ％、残部Ａｌおよび不可
避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合金スパッタ
リングターゲット。

【００１０】ちなみに、特公平４−４８８５４号の組成
範囲をａｔ％に換算すると、Ｈｆ：０．０００３〜０．
１０６ａｔ％、Ｎｂ：０．０００５８〜０．２０４ａｔ
％、Ｔａ：０．０００３〜０．１０５ａｔ％、Ｍｏ：
０．０００５６〜０．１９８ａｔ％、Ｗ：０．０００２
９〜０．１０３ａｔ％そしてＢ：０．００５〜１．７４
ａｔ％となり、本発明のＭ濃度は特公平４−４８８５４
号のＭ濃度より高いものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明のＡｌ合金は平面型ディス
プレイ回路用の薄膜配線材料として用いられる。ここ
で、平面型ディスプレイとしては、例えば以下のような
ものを挙げることができる。１）Liquid Crystal Display(L.C.D) ａ）amorphous-Si系T.F.T ｂ）poly-Si 系T.F.T ｃ）STN 型（ネジレ、単純マトリックス型）等２）Plasma Display(P.D.P) ３）Field Emission Display(F.E.D) ４）有機 Electroluminescence(EL) Display ５）Plasma Address Liquid Crystal Display(PALC) ６）発光ポリマー (LEP) Display

【００１２】本発明のＡｌ合金薄膜組成は、Ｍ（ＭはＭ
ｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ
から選択された１種以上の元素）：合計で０．２〜２ａ
ｔ％、Ｂ：０．１〜２ａｔ％、残部Ａｌおよび不可避的
不純物からなることを特徴とする。これは、上述した通
り、Ｍ濃度が特公平４−４８８５４号の組成範囲より高
いものである。

【００１３】本発明の薄膜およびスパッタリングターゲ
ットには、Ａｌ合金中でＢとの硼化物析出物を形成する
金属元素Ｍを添加する。金属元素Ｍとしては、Ｍｏ、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選
択された１種以上の元素が適当である。最も代表的には
Ｍｏが選択される。Ｍの添加量が０．２ａｔ％未満の場
合には、ヒロック密度が１×１０⁵ 個／ｍｍ² 以上とな
って耐ヒロック特性が不十分であるため適当でない。一
方、Ｍの添加量が２ａｔ％を超える場合には比抵抗が大
きくなるため好ましくない。

【００１４】Ｂの添加量が０．１ａｔ％未満の場合に
は、ヒロック密度が１×１０⁵ 個／ｍｍ² 以上となって
耐ヒロック特性が不十分であるため適当でない。Ｂの添
加量が２ａｔ％を超える場合には、合金中にＢが溶解し
難くなるため好ましくない。ヒロックフリーであり比抵
抗が１０μΩ・ｃｍ以下と十分に低くなるようなより好
ましい範囲は、Ｍ：０．５〜１ａｔ％そしてＢ：０．５
〜２ａｔ％の組成範囲である。

【００１５】本発明のＡｌ合金からなる平面型ディスプ
レイ回路用薄膜配線材料は、通常、次のような方法によ
り得ることができる。すなわち、高純度（９９．９％以
上）Ａｌに、高純度（９９．９％以上）のＭｏ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選択さ
れた１種以上の合金元素と高純度（９９．５％以上）の
Ｂとを添加して、真空雰囲気中で溶解鋳造してインゴッ
トを得た後、次にこのインゴットを圧延／鍛造加工しさ
らに熱処理した後、所定形状に加工してスパッタリング
ターゲットとする。得られたＡｌ合金スパッタリングタ
ーゲットをスパッタ装置を用いてスパッタリングしてガ
ラス基板上にスパッタ膜を形成し、さらに、通常窒素雰
囲気中で３００〜４５０℃程度の温度でアニーリングを
行うことによって配線用Ａｌ合金薄膜を形成する。熱処
理温度が高いほど比抵抗は低くなるが、ヒロックの発生
は逆に熱処理温度が高いほど多くなる。

【００１６】（作用）本発明と関与するＡｌ−Ｍ−Ｂ合
金においては、合金元素Ｍ（Ｍ：Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ）とＢとが同時に含
有される。Ａｌ合金中でＭの原子１個に対して、Ｂの原
子１〜４個が化合し硼化物ＭＢ_X を形成する。合金の鋳
造およびその後の熱処理による結晶化の際に、このＭＢ
_X が析出して核発生効果を起こし結晶が微細化し、ター
ゲットの組織の均一性が向上する。さらにまた、薄膜に
おいてＭＢ_X 粒子が結晶粒界に析出することによって、
Ａｌ原子の粒界拡散が起こり難くなり、エレクトロマイ
グレーションによるボイドやヒロックの形成防止に対し
て有効に作用する。合金元素Ｍ（Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ）およびＢはＡｌ中
において酸化し難く、酸化物系介在物を形成しない。酸
化物系介在物は通常スパッタ時の異常放電の原因となる
と考えられており、本発明のＡｌ合金ターゲットでは、
異常放電の発生は抑制される。また、Ｍの添加量が大き
くなるほど、Ａｌ合金薄膜の現像液に対する自然電位Ｅ
ｃが、ＩＴＯ薄膜の現像液に対する自然電位Ｅｃ_(ITO)
（＝−１４００ｍＶ）に近づくため、Ａｌ合金薄膜の耐
腐食性が向上する。

【００１７】

【実施例】以下、実施例および比較例に基づいて説明す
る。なお、実施例はＭとして、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗの場合に
ついてのみ示すが、本発明はこれらに限定されるもので
はない。

【００１８】（実施例１および比較例１：Ａｌ−Ｍｏ−
Ｂ）Ｍｏ濃度が０．７５ａｔ％になるように、高純度
（９９．９９％）Ａｌに高純度（９９．９９％）Ｍｏお
よび高純度（９９．９％）のＢを表１に示す組成に調整
した後、るつぼ内へ装入し、真空溶解炉を用いて真空雰
囲気中で溶解し、所定の鋳型へ鋳造してインゴットを得
た。次に、このインゴットを熱間圧延／鍛造加工、冷間
圧延／鍛造加工し、さらに熱処理した後、所定形状に機
械加工してスパッタリングターゲットとした。得られた
Ａｌ合金スパッタリングターゲットをスパッタ装置を用
いてスパッタリングして、ガラス基板上に厚さ４００ｎ
ｍのスパッタ膜を形成した。比較例として純Ａｌおよび
Ａｌ−０．７５ａｔ％Ｍｏ合金薄膜を同様の方法で形成
した。さらに、窒素雰囲気中で３００、３５０、４００
℃の温度でランプ・アニーリングにより１時間の熱処理
を行った。

【００１９】（実施例２および比較例２：Ａｌ−Ｍｏ−
Ｂ）Ｂ濃度が１ａｔ％になるよう原料を表２に示す組成
に調整した後、実施例１と全く同様の方法でＡｌ合金薄
膜を形成した。比較例として純Ａｌ、Ａｌ−１ａｔ％Ｂ
合金、Ａｌ−０．１８ａｔ％Ｍｏ−１ａｔ％Ｂ合金（特
公平４−４８８５４号の組成範囲のもの）およびＡｌ−
３ａｔ％Ｍｏ−１ａｔ％Ｂ合金の薄膜を同様の方法で形
成した。さらに、窒素雰囲気中で３００、３５０、４０
０℃の温度でランプ・アニーリングにより１時間の熱処
理を行った。

【００２０】（実施例３および比較例３：Ａｌ−Ｍｏ−
Ｂ）表３に示す組成となるように原料を調整した後、実
施例１、２と同様の方法でＡｌ合金スパッタ膜を形成し
た。なお、比較例としてＡｌ−１ａｔ％Ｍｏ合金および
Ａｌ−希土類合金の例としてＡｌ−１ａｔ％Ｎｄ合金の
スパッタ膜をそれぞれ形成した。これらについて温度３
５０℃でランプ・アニーリングにより１時間の熱処理を
行った。

【００２１】（測定方法）形成したＡｌ合金薄膜の比抵
抗を４端針法により測定した。また、表面の形態観察を
ＡＦＭ(Atomic Force Microscopy) を用いて行い、上記
熱処理中に発生した突起高さ２５ｎｍ以上のヒロック密
度を測定した。また、ＩＴＯパターニング時の現像液に
対する耐腐食性を調べるために、上記と同様の方法でＡ
ｌ−Ｍｏ−Ｂ薄膜を１０００ｎｍの厚さに形成し、成膜
直後の自然電位を３電極方式により以下の条件で測定し
た。参照電極：Ａｇ／ＡｇＣｌ、対電極：Ｐｔ電解液：東京応化工業製ＯＦＰＲ用ＮＭＤ−３（Ｎ（ＣＨ₃ ）₄ ＯＨ、２．３８ｗｔ％）さらに、実施例３については、基板サイズ４６０×３６
０ｎｍのガラス基板を用いて４００ｎｍの厚みで成膜を
行い、成膜時のガラス基板上に付着した５０μｍ以上の
スプラッツの個数を光学顕微鏡で測定した。

【００２２】（結果）表１および表２にそれぞれ実施例
１および実施例２の、as depo 状態、熱処理温度３００
℃、３５０℃、４００℃で熱処理を行った場合のＡｌ−
Ｍｏ−Ｂ合金薄膜の比抵抗、熱処理を行った場合のヒロ
ック高さ２５ｎｍ以上のヒロック密度、as depo 状態の
自然電位を示した。また、表３には、実施例３の熱処理
温度３５０℃の場合の比抵抗、ヒロック密度およびas d
epo 状態の自然電位、並びに５０μｍ以上のスプラッツ
個数を示した。

【００２３】

【表１】

【００２４】

【表２】

【００２５】

【表３】

【００２６】（考察）１．ヒロック密度Ｍｏ量が増加するにつれてヒロック密度が減少している
ことが分かる。Ｍｏのみを１ａｔ％加え、Ｂを加えない
場合（比較例３−２）では、純Ａｌ（比較例３−１）に
比べると、ヒロック特性は格段に改善されているが、３
５０℃での熱処理では低密度ながらヒロックは観察さ
れ、また、膜の比抵抗は１０μΩ・ｃｍを超えている。
これに対して、同じＭｏ濃度でも、Ｂを０．１２５ａｔ
％加えることによって（実施例３−１）、膜の比抵抗は
１０μΩ・ｃｍを下回り、かつ３５０℃の熱処理によっ
ても、ヒロック発生密度は０であった。特公平４−４８
８５４号の組成範囲であるＭｏ：０．１８ａｔ％、Ｂ：
１ａｔ％のもの（比較例２−３）の場合、３５０℃での
熱処理では、低密度ながらヒロックは観察された。一
方、さらにＭｏ濃度を大きくした本発明の実施例では、
ヒロック発生密度は０となった。熱処理温度が高くなる
と、ヒロック密度は大きくなるが、Ｂ：０．５ａｔ％以
上、Ｍｏ：０．５ａｔ％以上の組成範囲では、３５０
℃、１ｈの熱処理によってもヒロックの発生は観察され
なかった。

【００２７】２．比抵抗Ｍｏ量が多くＢ量が少ないほど、比抵抗は大きくなる傾
向があるが、Ｍｏ：１ａｔ％以下、Ｂ：２ａｔ％以下の
範囲では、３５０℃、１ｈの熱処理によっていずれも比
抵抗１０μΩ・ｃｍ以下と十分低い比抵抗値のものが得
られる。

【００２８】３．自然電位Ｍｏ量が多くなるほど、膜の自然電位はＩＴＯ膜の自然
電位に近づいている。Ｂ量に対しては特に傾向は見られ
なかった。特に、Ｍｏ：０．５ａｔ％を超えると、Ｅｃ
−Ｅｃ_(ITO) が約４００ｍＶ未満にまで小さくなってお
り、純Ａｌの場合（Ｅｃ＝−１８７９ｍＶ）に比べて現
像液に対する耐腐食性が大幅に向上していることがわか
る。

【００２９】４．スプラッツ個数本発明のＡｌ−Ｍ−Ｂ系合金の場合には、スプラッツは
観察されなかった。これに対して、Ａｌ−１ａｔ％Ｎｄ
合金の場合には、多数のスプラッツが観察された。

【００３０】（実施例４および比較例４：Ａｌ−Ｔｉ−
Ｂ）高純度（９９．９９％）Ａｌに、高純度（９９．９
９％）Ｔｉおよび高純度（９９．９％）のＢを表４に示
す組成に調整した後、るつぼ内へ装入し、真空溶解炉を
用いて真空雰囲気中で溶解し所定の鋳型へ鋳造してイン
ゴットを得た。次に、このインゴットを熱間圧延／鍛造
加工、冷間圧延／鍛造加工し、さらに熱処理した後、所
定形状に機械加工してスパッタリングターゲットとし
た。得られたスパッタリングターゲットをスパッタ装置
を用いてスパッタリングして、ガラス基板上に厚さ４０
０ｎｍのスパッタ膜を形成した。比較例として純Ａｌお
よびＡｌ−０．５０ａｔ％Ｔｉ合金、Ａｌ−１．００ａ
ｔ％Ｔｉ合金、Ａｌ−２．００ａｔ％Ｔｉ合金（いずれ
もＢ含まず）薄膜を同様の方法で形成した。さらに、窒
素雰囲気中で３００、３５０、４００℃の温度でランプ
・アニーリングにより１時間の熱処理を行った。表４か
らわかるように、Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ系合金においても、Ａ
ｌ−Ｍｏ−Ｂ系合金の場合とほぼ同様な傾向が見られ
る。

【００３１】

【表４】

【００３２】（実施例５および比較例５：Ａｌ−Ｗ−
Ｂ）高純度（９９．９９％）Ａｌに、高純度（９９．９
９％）Ｗおよび高純度（９９．９％）のＢを表５に示す
組成に調整した後、るつぼ内へ装入し、真空溶解炉を用
いて真空雰囲気中で溶解し、所定の鋳型へ鋳造してイン
ゴットを得た。次に、このインゴットを熱間圧延／鍛造
加工、冷間圧延／鍛造加工しさらに熱処理した後、所定
形状に機械加工してスパッタリングターゲットとした。
得られたスパッタリングターゲットをスパッタ装置を用
いてスパッタリングして、ガラス基板上に厚さ４００ｎ
ｍのスパッタ膜を形成した。比較例として純Ａｌおよび
Ａｌ−０．５０ａｔ％Ｗ合金、Ａｌ−１．００ａｔ％Ｗ
合金、Ａｌ−２．００ａｔ％Ｗ合金（いずれもＢ含ま
ず）薄膜を同様の方法で形成した。さらに、窒素雰囲気
中で３００、３５０、４００℃の温度でランプ・アニー
リングにより１時間の熱処理を行った。表５からわかる
ように、Ａｌ−Ｗ−Ｂ系合金においても、Ａｌ−Ｍｏ−
Ｂ系合金の場合とほぼ同様な傾向が見られる。

【００３３】

【表５】

【００３４】

【発明の効果】本発明によるＭ（Ｍ：Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆ）とＢとを同時
に高濃度で含有するＡｌ−Ｍ−Ｂ合金は、低抵抗で高い
耐ヒロック特性を有し、さらに現像液に対する耐腐食性
にも優れており、しかも、スプラッツの発生が見られな
いため、液晶などの平面型ディスプレイ回路用の薄膜配
線材料として好適なＡｌ合金薄膜を得ることが可能であ
る。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄
膜において、合金組成が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選択された
１種以上の元素）：合計で０．２〜２ａｔ％、Ｂ：０．
１〜２ａｔ％、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなる
ことを特徴とするＡｌ合金薄膜。
【請求項２】平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄
膜において、合金組成が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、ＺｒまたはＨｆから選択された
１種以上の元素）：合計で０．５〜１ａｔ％、Ｂ：０．
５〜２ａｔ％、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなる
ことを特徴とするＡｌ合金薄膜。
【請求項３】平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄
膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、合金組成
が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、
ＺｒまたはＨｆから選択された１種以上の元素）：合計
で０．２〜２ａｔ％、Ｂ：０．１〜２．０ａｔ％、残部
Ａｌおよび不可避的不純物からなることを特徴とするＡ
ｌ合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】平面型ディスプレイ回路用のＡｌ合金薄
膜形成用スパッタリングターゲットにおいて、合金組成
が、Ｍ（ＭはＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、
ＺｒまたはＨｆから選択された１種以上の元素）：合計
で０．５〜１ａｔ％、Ｂ：０．５〜２ａｔ％、残部Ａｌ
および不可避的不純物からなることを特徴とするＡｌ合
金スパッタリングターゲット。