KR19980042032A - Al 합금박막 및 Al 합금스퍼터링 타겟 - Google Patents

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KR19980042032A
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히데아키 후쿠요
아키라 하타시타
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노미야마 아키히코
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Abstract

본 발명은, 평면형 디스플레이회로용으로서 사용하기 위한, 저비저항으로 높은 내힐록특성을 가지고, 현상액에 대한 내부식성에 뛰어나고, 또한, 스프래트의 발생이 적은 Al합금 박막 및 Al합금 박막형성용의 스퍼터링타겟을 제공하는 것을 과제로 하며, 그 해결수단으로서 평면형 디스플레이 회로용의 Al합금박막 및 Al합금 스퍼터링타겟에 있어서, 합금 조성을 M(M:Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소):합계 0.2~2at%, B:0.1~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 한 것이다.

Description

Al 합금박막 및 Al 합금스퍼터링 타겟.
본 발명은, 액정디스플레이, 플라스마디스플레이 등의 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막 및 Al 합금박막형성용 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.
최근, 액정디스플레이나 플라스마디스플레이 등의 평면형 디스플레이는, 박형, 경량, 저소비전력 등의 이유에 의해 급속히 용도가 확대되고 있다. 특히, 대화면의 박막트랜지스터(이하, TFT로 호칭)액정디스플레이는, 그 고화상 품질에 의해서 개인용 컴퓨터나 TV용을 비롯해서 광범위로 사용되고 있다.
이들 액정디스플레이용 TFT배선막은, 액정디스플레이의 대형화 및 배선폭의 고정밀화에 수반해서, 신호지연을 방지하는 것이 중요한 과제로 되고 있다. 그 때문에, 박막형상의 배선막이나 전극의 저저항화가 요구되고 있다.
종래, 반도체 전극 재료로서는, Ta, Cr, Ti 등의 고융점 금속이 사용되어 왔으나, 이들 고융점 금속재료는 비저항이 크고, 대형액정디스플레이요 배선재로서는 적당하지 않았다.
저비저항의 반도체 전극재료로서, 대표적으로는 Cu 및 Al을 들 수 있으나, Cu는 박막의 밀착성이나 내식성에 문제가 있었다. 한편, Al은 내열성이 불충분하고, 일렉트로마이그레이션을 야기해서 전류밀도가 커지면 단선되고, 또, 전극막 형성후의 가열공정에 있어서 힐록(hillock)로 호칭된 돌기가 발생해서, 근접배선간에서의 단락을 일으킨다고 하는 문제가 있었다.
이러한 문제에 대해서, 여러가지의 Al합금이 제공되어 있고, 예를 들면 Nd 등의 희토류원소를 첨가한 Al-희토류합금박막이 주류로 되고 있다. 그러나, 희토류계의 첨가물은, 그 산화물의 자유에너지가 Al산화물의 형성자유에너지 보다 낮기 때문에 매우 산화되기 쉬운 재료이며, 통상 그 표면은 산화되어 있다. 그리고, 일단, 희토류계산화물이 Al 용탕(溶湯)속에 들어가면 Al용탕으로 환원할 수 없기 때문에, 그대로 Al용탕속에 현탁하고, 주조시에 잉곳에 말려든다. 따라서, Al-희토류합금 타겟속에는, 희토류계산화물계의 개재물이 다수 존재하고, 이것이 원인이 되어, 스퍼터링때의 이상방전을 자초하고, 스프래트(splats:Al이 용해되어 드롭형상으로 되어 기판위에 떨어진 흔적)의 발생이 많아지고, 또 미립자의 발생도 증가하기 때문에, 수율이 악화되는 것이 지적되고 있다. 이와 같은 성막시의 이상방전이나 미립자의 발생은, 박막형성공정에 있어서 큰 문제로 되고 있다.
그런데, LSI, VLSI 등의 반도체 박막배선용으로서 본 출원인은, Hf, Nb, Ta, Mo 및 W로 이루어진 군에서 선택된 1종류 또는 2종류 이상의 합금원소를 0.002~0.7wt%, B:0.002~0.5wt%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 박막배선재료를 제안하고 있다(일본국 특공평 4-48854호). 그러나, 동특공평 4-48854호의 조성범위의 Al합금박막에서는, TFT배선막용으로서는 내힐록 특성이 불충분하며, 사용할 수 없었다.
또, Al 합금박막은, 소스배선의 현상액을 사용하는 패턴잉공정에 있어서 오믹접촉한 투명전극막(ITO 전극 등)과의 국부전지작용에 의한 전기화학반응이 발생한다. 즉, ITO쪽에서 환원반응 그리고 Al합금쪽에서 산화반응이 일어나고, 막이 부식된다. 부식의 원인은, 주로 배선막과 ITO 전극과의 자연전위의 차이에 의한 것이며, 자연전위 차이가 클수록 부식되기 쉽다고 말하며, 그 때문에 배선막의 자연전위를 개선하는 것이 요구되고 있다. 이 점에서도, 동 특공평 4-48854호의 조성 범위의 Al 합금박막에서는, 자연전위의 차이가 크고, 내부식성이 불충분하기 때문에, TFT배선막용으로서 사용하는 것이 부적당하였다.
본 발명은, 액정 등의 평면형 디스플레이 회로용으로 사용하기 위한, 저저항이며 높은 내 힐록특성을 가지고, 현상액에 대한 내부식성에 뛰어난 Al 합금박막 및 Al 합금박막 형성용의 스퍼터링 타겟을 제공하는 것을 과제로 하였다. 보다 구체적으로는, 평면형 디스플레이회로용 박막에 요구되고 있는 특성인, 열처리온도 350℃에서 힐록 발생밀도가 0(영)이며, 막의 비저항이 10μΩ·cm이하이고, 또한 막의 자연전위가 개선되고, 또 스퍼터링 때의 스프래터나 미립자의 발생이 적은 Al 합금박막 및 그것을 위한 스퍼터링 타겟을 제공하는 일이다.
본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 행한 결과, Al에 합금원소로서, Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf의 1종 이상과 B를 동시에, 종래보다 고농도의 특정량 함유하는 Al 합금스퍼터링 타겟을 제작하고, 이에 의해 박막을 형성하였던 바, TFT배선막 용으로서 호적한 저비저항이며 내힐록 특성, 현상액에 대한 내부식성에 뛰어난 Al 합금박막을 얻게 되고, 또 스퍼터특성에도 뛰어난 것을 발견하였다.
본 발명은, 이 지견에 기초하여, 하기의 발명을 제공하는 것이다.
1. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소): 합계해서 0.2~2at%, B:0.1~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금박막.
2. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소): 합계해서 0.5~1at%, B:0.5~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금박막.
3. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막 형성용 스퍼터링 타겟에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소): 합계해서 0.2~2at%, B:0.1~2.0at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금스퍼터링 타겟.
4. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막 형성용 스퍼터링 타겟에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소): 합계해서 0.5~1at%, B:0.5~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금스퍼터링 타겟.
이와 관련해서, 동 특공평 4-48854호의 조성범위를 at%로 환산하면, Hf : 0.0003 ~ 0.106at%, Nb : 0.00058 ~ 0.204at%, Ta : 0.0003 ~ 0.105at%, Mo : 0.00056 ~ 0.198at%, W : 0.00029 ~ 0.103at% 그리고 B : 0.005 ~ 1.74at%로 되어, 본 발명의 M농도는 동특공평 4-48854호의 M농도보다 높은 것이다.
본 발명의 Al합금은 평면형 디스플레이회로용의 박막배선 재료로서 사용된다. 여기서, 평면형 디스플레이로서는, 예를 들면 이하와 같은 것을 들 수 있다.
1) Liquid Crystal Display(L, C, D)
a) amorphous-Si 계 T.F.T
b) poly-si 계 TFT
c) STN형(비틀림, 단순매트릭스형)등
2) Plasma Display(P. D. P)
3) Field Emission Display(F, E, D)
4) 유기 Electroluminescence(EL) Display
5) Plasma Address Liquid Crystal display(PALC)
6) 발광 폴리머(LEP) Display
본 발명의 Al 합금박막 조성은, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소): 합계해서 0.2~2at%, B:0.1~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 한다. 이것은, 상술한 바와 같이, M농도가 동 특공평 4-48854호의 조정범위보다 높은 것이다.
본 발명은 박막 및 스퍼터링 타겟에는, Al 합금 중에서 B와의 봉화물 석출물을 형성하는 금속원소 M을 첨가한다. 금속원소 M로서는, Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf에서 선택된 1종 이상의 원소가 적당하다. 가장 대표적으로 Mo가 선택된다. M의 첨가량이 0.2at% 미만인 경우에는, 힐록 밀도가 1×105개/mm2이상으로 되어 내힐록특성이 비저항이 크게되기 때문에 바람직하지 않다.
B의 첨가량이 0.1at% 미만인 경우에는, 힐록 밀도가 1×105개/mm2이상으로 되어 내힐록특성이 불충분하기 때문에 적당하지 않다. B의 첨가량이 2at%를 초과하는 경우에는, 합금속에 B가 용해하기 어렵게 되기 때문에 바람직하지 않다.
힐록 프리이며 비저항이 10μΩ·cm이하로 충분히 낮아지는 보다 바람직한 범위는, M : 0.5~1at% 그리고 B : 0.5~2at%의 조성범위이다.
본 발명의 Al합금으로 이루어진 평면형 디스플레이 회로용 박막배선재료는, 통상, 다음과 같은 방법에 의해 얻을 수 있다. 즉, 고순도(99.9%이상)Al에, 고순도(99.9%이상)의 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf에서 선택된 1종 이상의 합금 원소와 고순도(99.5%이상)의 B를 첨가해서, 진공분위기속에서 용해주조해서 잉곳을 얻은 후, 다음에 이 잉곳을 압연/단조가공해서 또 열처리한 후, 소정 형상으로 가공해서 스퍼터링 한다.
얻게된 Al 합금 스퍼터링 타겟을 스퍼터장치를 사용 스퍼터링해서 유리기판위에 스퍼터막을 형성하고, 또, 통상 질소분위기속에서 300~450℃ 정도의 온도에 의해 어니일링을 행하므로서 배선용 Al 합금박막을 형성한다. 열처리온도가 높을 수록 비저항은 낮게되나, 힐록의 발생은 열처리온도가 높을 수록 많아진다.
본 발명과 관여하는 Al-M-B 합금에 있어서는, 합금원소 M(M:Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf)와 B가 동시에 함유된다. Al 합금속에서 M의 원자 1개에 대해서, B의 원자 1~4개가 화합해서 봉화물 MBx를 형성한다. 합금의 구조 및 그 후의 열처리에 의한 결정화때에, 이 MBx가 석출해서 핵발생효과를 야기해서 결정이 미세화하고, 타겟의 조직 균일성이 향상한다.
또, 박막에 있어서 MBx입자가 결정입자계에 석출되므로서, Al 원자의 입자계 확산이 일어나기 어렵게 되어, 일렉트로 마이그레이션에 의한 보이드나 힐록의 형성방지에 대해서 유효하게 작용한다.
합금원소 M(Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf) 및 B는 Al속에 있어서 산화되기 어렵고, 산화물계 개재물을 형성하지 않는다. 산화물계 개재물은 통상 스퍼터때의 이상방전의 원인이 되는 것으로 사료되며, 본 발명의 Al 합금타겟에서는, 이상방전의 발생은 억제된다.
또, M의 첨가량이 크게 될수록, Al 합금박막의 현상액에 대한 자연전위 EC가, ITO박막의 현상액에 대한 자연전위 EC(ITO)(=-1,400mV)에 접근하기 때문에, Al 합금박막의 내부식성이 향상한다.
이하, 실시예 및 비교예에 기초해서 설명한다. 또한, 실시예는 M로서 Mo, Ti, W의 경우에 대해서만 표시하나, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 및 비교예 1 : Al-Mo-B]
Mo 농도가 0.75at%가 되도록, 고순도(99.99%)Al에 고순도(99.99%)Mo 및 고순도(99.9%)의 B를 표 1에 표시한 조성으로 조정한 후, 도가니 속에 장입해서, 진공용해로를 사용해서 진공분위기속에서 용해하여, 소정의 주형으로 구조해서 잉곳을 얻었다. 다음에, 이 잉곳을 열간압연/단조가공, 냉각압연/단조가공하고, 또 열처리한 후, 소정형상으로 기계가공해서 스퍼터링 타겟으로 하였다.
얻게된 Al 합금스퍼터링 타겟을 스퍼터 장치를 사용해서 스퍼터링해서, 유리기판위에 두께 400nm의 스퍼터막을 형성하였다.
비교예로서 순 Al 및 Al-0.75at% Mo 합금박막을 마찬가지 방법으로 형성하였다.
또, 질소분위기속에서 300, 350, 400℃의 온도에서 램프·어니일링에 의해 1시간의 열처리를 행하였다.
[실시예 2 및 비교예 2 : Al-Mo-B]
B 농도가 1at%가 되도록 원료를 표 2에 표시한 조성으로 조정한 후, 실시예 1과 아주 똑같은 방법으로 Al 합금박막을 형성하였다.
비교예로서 순 Al, Al-1at% B합금, Al-0.18at% Mo-1at% B합금(동 특공평 4-48854호의 조성범위의 것) 및 Al-3at% Mo-1at% B합금의 박막을 마찬가지 방법으로 형성하였다.
또, 질소분위기속에서 300, 350, 400℃의 온도에서 램프·어니일링에 의해 1시간의 열처리를 행하였다.
[실시예 3 및 비교예 3 : Al-Mo-B]
표 3에 표시한 조성이 되도록 원료를 조정한 후, 실시예 1, 2와 마찬가지 방법으로 Al 합금스퍼터막을 형성하였다.
또한, 비교예로서 Al-1at% Mo합금 및 Al-희토류합금의 예로서 Al-1at% Nd합금의 스퍼터막을 각각 형성하였다.
이들에 대해서 온도 350℃에서 램프·어니일링에 의해 1시간의 열처리를 행하였다.
(측정방법)
형성한 Al 합금박막의 비저항을 4단침(端針)법에 의해 측정하였다.
또, 표면의 형태 관찰을 AFM(Atomic Force Microscopy)을 사용해서 행하고, 상기 열처리중에 발생한 돌기높이 25nm이상의 힐록 밀도를 측정하였다.
또, ITO패턴잉시의 현상액에 대한 내부식성을 조사하기 위해, 상기와 마찬가지 방법으로 Al-Mo-B박막을 1,000nm의 두께로 형성해서, 성막직후의 자연전위를 3전극 방식에 의해 이하의 조건으로 측정하였다.
참조전극 : Ag/Ag Cl, 대전극 : Pt
전해액 : 일본국 툐쿄오카코교 제 OFPR용 NMD-3
(N(CH3)4 OH, 2.38wt%)
또, 실시예 3에 대해서는, 기판사이즈 460×360nm의 유리기판을 사용해서 400nm의 두께로 성막을 행하고, 성막시의 유리기판위에 부착한 50㎛이상의 스프레트의 개수를 광학 현미경으로 측정하였다.
(결과)
표 1 및 표 2에 각각 실시예 1 및 실시예 2의, as depo상태, 열처리온도 300℃, 350℃, 400℃에서 열처리를 행한 경우의 Al-Mo-B합금박막의 비저항, 열처리를 행한 경우의 힐록 높이 25nm이상의 힐록밀도, as depo상태의 자연전위를 표시하였다.
또, 표 3에는, 실시예 3의 열처리온도 350℃의 경우의 비저항, 힐록밀도 및 as depo상태의 자연전위, 및 50㎛이상의 스프래트 개수를 표시하였다.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
(고찰)
1. 힐록밀도
Mo량이 증가하는데 따라 힐록밀도가 감소되고 있음을 알 수 있다. Mo만을 1at%첨가, B를 첨가하지 않는 경우(비교예 3-2)에서는, 순 Al(비교예 3-1)에 비하면, 힐록특성은 격단으로 개선되고 있으나, 350℃에서의 열처리에서는 저밀도이면서 힐록은 관찰되고, 또, 막의 비저항은 10μΩ·cm를 초과하고 있다. 이에 대해서, 동일한 Mo농도에서도, B를 0.125at%첨가하므로서(실시예 3-1), 막의 비저항은 10μΩ·cm를 하회하고, 또한 350℃의 열처리에 의해서도, 힐록 발생밀도는 0이였다.
일본국, 특공평 4-48854호의 조성범위인 Mo=0.18at%, B:1at%의 것(비교예 2-3)의 경우, 350℃에서의 열처리에서는, 저밀도이면서 힐록은 관찰되었다. 한편, 또 Mo농도를 크게한 본 발명의 실시예에서는 , 힐록발생밀도는 0이 되었다.
열처리 온도가 높아지면, 힐록밀도는 크게 되나, B:0.5at%이상, Mo=0.5at%이상의 조성범위에서는, 350℃, 1h의 열처리에 의해서도 힐록의 발생은 관찰되지 않았다.
2. 비저항
Mo량이 많고 B량이 적을수록, 비저항은 크게되는 경향이 있으나, Mo=1at%이하, B:2at%이하의 범위에서는, 350℃, 1h의 열처리에 의해서 어느것이나 비저항 10μΩ·cm이하로 충분히 낮은 비저항치의 것을 얻게된다.
3. 자연전위
Mo량이 많을수록, 막의 자연전위는 ITO막의 자연전위에 접근하고 있다. B량에 대해서는 특별한 경향은 보이지 않았다. 특히, Mo=0.5at%를 초과하면, EC-CE(ITO)가 약 400mV미만까지 작아져 있고, 순 Al의 경우(EC=-1879mV)에 비해서 현상액에 대한 내부식성이 대폭으로 향상되고 있음을 알 수 있다.
4. 스프래트 개수
본 발명의 Al-M-B계 합금의 경우에는, 스프래트는 관찰되지 않았다. 이에 대해서, Al-1at% Nd합금의 경우에는, 다수의 스프래트이 관찰되었다.
[실시예 4 및 비교예 4 : Al-Ti-B]
고순도(99.99%)Al에, 고순도(99.99%)Ti 및 고순도(99.9%)의 B를 표 4에 표시한 조성으로 조정한 후, 도가니속에 장입해서, 진공용해로를 사용해서 진공분위기 속에서 용해하여 소정의 주형으로 주조해서 잉곳을 얻었다. 다음에, 이 잉곳을 열간압연/단조가공, 냉간압연/단조가공하고, 또 열처리한 후, 소정 형상으로 기계 가공해서 스퍼터링 타겟으로 하였다.
얻게된 스퍼터링 타겟을 스퍼터장치를 사용해서 스퍼터링해서, 유리기판위에 두께 400nm의 스퍼터막을 형성하였다.
비교예로서 순 Al 및 Al-0.50 at% Ti합금, Al-1.00at% Ti합금, Al-2.00at% Ti합금(어느것이나 B함유하지 않음)박막을 마찬가지 방법으로 형성하였다.
또, 질소분위기속에서 300, 350, 400℃의 온도에서 램프·어니일링에 의해 1시간의 열처리를 행하였다.
표 4에서 아는 바와 같이, Al-Ti-B계 합금에 있어서도, Al-Mo-B계 합금의 경우와 대략 마찬가지 경향이 보인다.
[표 4]
[실시예 5 및 비교예 5 : Al-W-B]
고순도(99.99%)Al에, 고순도(99.99%)W 및 고순도(99.9%)의 B를 표 5에 표시한 조성으로 조정한 후, 도가니속에 장입해서, 진공용해로를 사용해서 진공분위기 속에서 용해하고, 소정의 주형으로 주조해서 잉곳을 얻었다. 다음에, 이 잉곳을 열간압연/단조가공, 냉간압연/단조가공하해서 또 열처리한 후, 소정 형상으로 기계 가공해서 스퍼터링 타겟으로 하였다.
얻게된 스퍼터링 타겟을 스퍼터장치를 사용해서 스퍼터링해서, 유리기판위에 두께 400nm의 스퍼터막을 형성하였다.
비교예로서 순 Al 및 Al-0.50 at%합금, Al-1.00at% W합금, Al-2.00at% w합금(어느것이나 B함유하지 않음)박막을 마찬가지 방법으로 형성하였다.
또, 질소분위기속에서 300, 350, 400℃의 온도에서 램프·어니일링에 의해 1시간의 열처리를 행하였다.
표 5에서 아는 바와 같이, Al-W-B계 합금에 있어서도, Al-Mo-B계 합금의 경우와 대략 마찬가지 경향이 보인다.
[표 5]
본 발명에 의한 M(M:Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf)와 B를 동시에 고농도에서 함유하는 Al-M-B합금은 저저항에서 높은 힐록 특성을 가지고, 또 현상액에 대한 내부식성에도 뛰어나고, 또한, 스프래트의 발생이 보이지 않기 때문에, 액정 등의 평면형디스플레이 회로용의 박막배선재료로서 호적한 Al합금박막을 얻는 것이 가능하다.

Claims (4)

  1. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소)=합계해서 0.2~2at%, B:0.1~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금박막.
  2. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소):합계해서 0.5~1at%, B:0.5~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금박막.
  3. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막 형성용 스퍼터링 타겟에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소):합계해서 0.2~2at%, B:0.1~2.0at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금스퍼터링 타겟.
  4. 평면형 디스플레이 회로용의 Al 합금박막 형성용 스퍼터링 타겟에 있어서, 합금조성이, M(M은 Mo, Cr, W, V, Nb, Ta, Ti, Zr 또는 Hf로부터 선택된 1종 이상의 원소):합계해서 0.5~1at%, B:0.5~2at%, 나머지부 Al 및 불가피적 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 Al 합금스퍼터링 타겟.
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