KR20110085996A - 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃 - Google Patents

박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃 Download PDF

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KR20110085996A
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마사토 고이데
사토루 모리
겐이치 야구치
요스케 나카사토
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미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
가부시키가이샤 알박
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Abstract

이 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃은, Mg : 0.1 ∼ 5 원자％, Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 함유하고, 잔부로서 Cu 및 불가피한 불순물을 함유하는 조성을 갖는다. 추가로 Mn 및 Al 중 적어도 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 10 원자％ 함유해도 된다. 추가로 P : 0.001 ∼ 0.1 원자％ 를 함유해도 된다.

Description

박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃{SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN FILM TRANSISTOR WIRING FILM}
본 발명은, 밀착성이 우수한 박막 트랜지스터 (이하, TFT 라고 한다) 의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 등의 배선막 및 배선 하지막 (下地膜) (이하, 배선막이라고 한다) 을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃에 관한 것이다.
본원은, 2008년 10월 24일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2008-273938호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
일반적으로, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등 플랫 패널 디스플레이는, 유리 기판 위에 박막 트랜지스터 (이하, TFT 라고 한다) 가 형성된 구조로 되어 있고, 이 TFT 의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 등의 배선막으로서 구리 합금 배선막이 사용되고 있다.
예를 들어, Mg : 1 ∼ 5 원자％ 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 구리 합금 배선막을 형성한 액정 표시 장치가 알려져 있다 (특허문헌 1 참조).
또한, 금속 재료 전체에 대하여 대략 80 원자％ 이상의 Cu 와, Mg, Ti, Al 및 Cr 의 금속 산화물 형성용 금속을 금속 재료 전체에 대하여 0.5 ∼ 20 원자％ 를 함유한 구리 합금으로 이루어지는 것이 바람직한 것으로 되어 있다 (특허문헌 2 참조).
이 구리 합금 배선막은, 유리 기판 및 Si 막을 코팅한 유리 기판 위에 스퍼터링에 의해 성막한 후, 열처리되어 형성된다. 이 열처리가 실시되면, 구리 합금 배선막에 함유된 첨가 원소가 구리 합금 배선막의 표면 및 이면으로 이동하여, 산화물이 된다. 이로써, 구리 합금 배선막의 표면 및 이면에, 첨가 원소를 함유하는 산화물층이 형성된다.
이 첨가 원소를 함유하는 산화물층의 생성은, 유리 기판 및 Si 막의 기본 성분인 Si 등이 구리 합금 배선막에 확산 침투하는 것을 저지하여, 구리 합금 배선막의 비저항의 증가를 방지한다. 또한, 이 첨가 원소를 함유하는 산화물층의 생성은, 유리 기판 및 Si 막에 대한 구리 합금 배선막의 밀착성을 향상시킨다고 되어 있다.
그리고, 이 유리 기판 위에 형성된 TFT 는, TFT 를 확실하게 작동시키기 위해 TFT 의 Si 막의 댕글링 본드를 종단시킬 목적에서, 수소화 처리 (이하, 수소 어닐이라고 한다) 가 실시된다 (비특허문헌 1 참조).
플랫 패널 디스플레이는 최근 점점 대형화되고 있어, 50 인치 이상의 대형 액정 패널이 양산되게 되었다. 그 때문에, 넓은 유리 기판 표면에 구리 합금 배선막을 스퍼터링에 의해 성막하게 되었지만, 넓은 유리 기판 표면에 스퍼터링에 의해 형성되는 구리 합금 배선막은 장소에 따라서 비저항치에 편차가 생긴다. 이 경향은, Mg 함유 구리 합금 타깃을 사용하여 형성한 구리 합금 배선막에 현저하게 나타나고 있다.
또한, Si 막의 댕글링 본드를 종단시킬 목적에서, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 등의 구리 합금 배선막을 사용하여 제작한 TFT 에 대하여 수소 어닐을 실시하면, 상기 열처리에 의해 형성된 구리 합금 배선막의 표면 및 이면의 산화물층이 환원된다. 그 결과, 산화물층이 담당해 온 밀착성이나 Si 의 구리 합금 배선막으로의 확산 방지 특성이 저하되고, 특히 밀착성의 저하가 현저해지는 등의 문제점이 발생되어 왔다.
일본 공개특허공보 평9-43628호 일본 공개특허공보 2005-166757호
2003 FPD 테크놀로지 대전 (2003 FPD Technology Outlook) P155 ∼ 165
본 발명은, 비저항치의 편차가 적어 전체가 균일한 비저항치를 갖고, 더욱 우수한 밀착성을 갖는 구리 합금 배선막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타깃의 제공을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 이하의 특징을 갖는 구리 합금 배선막을 얻기 위해 연구를 실시하였다.
(i) 비저항치의 편차가 적어 전체가 균일한 비저항치를 갖는다.
(ii) 수소 어닐이 실시되어도 구리 합금 배선막의 표면 및 이면에 형성된 산화물층이 잘 환원되지 않고, 따라서, 산화물층이 담당해 온 밀착성의 저하가 적다.
그 결과, Mg : 0.1 ∼ 5 원자％, Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 함유하고, 추가로, 필요에 따라서 Mn 및 Al 중 적어도 1 종 또는 2 종의 합계 : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 함유하고, 추가로, 필요에 따라서 P : 0.001 ∼ 0.1 원자％ 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 조성을 갖는 구리 합금 타깃을 사용하여 스퍼터링하는 것이 중요하다는 것을 알았다.
상기 조성을 갖는 구리 합금 타깃을 사용하여 스퍼터링함으로써 얻어진 구리 합금 박막은, 종래의 Mg : 1 ∼ 5 원자％ 를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 조성을 갖는 구리 합금 타깃을 사용하여 스퍼터링에 의해 성막한 구리 합금 박막과 비교해서, 비저항치의 편차가 적어 전체가 균일한 비저항치를 갖는 구리 합금 박막이 얻어진다는 연구 결과가 얻어졌다.
또한, 이 조성을 갖는 구리 합금 타깃을 사용하여 얻어진 구리 합금막은, 종래의 구리 합금막과 비교하여 산화물층의 화학적 안정성이 높아, 즉, 열처리하여 형성된 산화물층이 잘 환원되지 않는다. 따라서, 수소 어닐 후의 밀착성 저하가 작기 때문에, TFT 의 배선막으로서 우수한 특성을 갖는다는 연구 결과가 얻어졌다.
본 발명은, 상기 연구 결과에 기초하여 이루어진 것으로서, 이하의 요건을 갖는다.
본 발명의 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃은, Mg : 0.1 ∼ 5 원자％, Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 함유하고, 잔부로서 Cu 및 불가피한 불순물을 함유하는 조성을 갖는다.
본 발명의 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃에서는, 추가로 Mn 및 Al 중 적어도 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 ∼ 10 원자％ 함유해도 된다.
추가로 P : 0.001 ∼ 0.1 원자％ 를 함유해도 된다.
본 발명의 스퍼터링 타깃은, 단층으로 이루어지는 배선막뿐만 아니라, 적층 구조로 이루어지는 배선막을 형성하기 위해서 사용할 수도 있다. 적층 구조로 이루어지는 배선막을 형성하기 위해서 사용하는 경우, 그 최하층의 배선 하지막을 형성하기 위해서 사용해도 된다.
본 발명의 타깃을 사용하여 스퍼터링하면, 유리 기판이 커져도, 비저항치의 편차가 적고, 나아가 유리 기판 표면 및 Si 막 표면에 대한 밀착성이 우수하며, 또한 비저항치가 낮은 구리 합금 박막을 성막할 수 있다. 이 때문에, 고정세화되고 대형화된 박막 트랜지스터의 구리 합금 배선막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 타깃을 사용하여 형성된 TFT 용 배선막 및 TFT 용 배선 하지막에 있어서, 열처리하여 형성되는 산화물층이 잘 환원되지 않는다. 따라서, 수소 어닐 후의 밀착성의 저하가 작기 때문에, TFT 의 배선막으로서 우수한 특성을 갖고, 또한 유리 기판 표면 및 Si 막 표면에 대한 밀착성이 한층 더 향상된다. 이 때문에, 고정세화되고 대형화된 플랫 패널 디스플레이에 있어서의 TFT 용 배선막을 형성할 수 있다.
본 발명의 스퍼터링 타깃의 성분 조성의 범위를 전술한 바와 같이 한정한 이유를 설명한다.
Mg :
Mg 는, 결정립을 미세화하여, 박막 트랜지스터에 있어서의 배선막을 구성하는 구리 합금 박막의 힐록 및 보이드 등의 열 결함의 발생을 억제하고 내(耐)마이그레이션성을 향상시킨다.
그리고, 열처리시에 있어서, 구리 합금 박막의 표면 및 이면에 Mg 를 함유하는 산화물층을 형성한다. 이로써, 유리 기판 및 Si 막의 주성분인 Si 등이 구리 합금 배선막에 확산 침투되는 것을 저지하여 구리 합금 배선막의 비저항의 증가를 방지함과 함께, 유리 기판 및 Si 막에 대한 구리 합금 배선막의 밀착성을 향상시키는 작용을 갖는다.
이상의 작용 효과를 얻기 위해서 Mg 를 첨가하는데, 그 함유량이 0.1 원자％ 미만에서는, 원하는 효과가 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 5 원자％ 를 초과하여 함유하더라도 특성의 향상이 인정되지 않으며, 또한 비저항치는 증가되어 배선막으로서는 충분한 기능을 나타내지 못하게 되므로 바람직하지 않다. 따라서, 구리 합금 박막에 함유되는 Mg 를 0.1 ∼ 5 원자％ 로 정하였다.
Ca :
Mg : 0.1 ∼ 5 원자％ 에 Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 공존하여 함유시킨 타깃을 사용하여 스퍼터링하면, 성막된 구리 합금 박막의 장소에 따른 비저항치의 편차가 적어진다. 이 때문에, Ca 를 함유한다.
Mg : 0.1 원자％ 미만, Ca : 0.1 원자％ 미만 함유되어 있어도, 원하는 효과가 얻어지지 않는다. 한편, Mg : 5 원자％ 초과, Ca : 10 원자％ 를 초과하여 첨가한 타깃을 사용해서 스퍼터링하면, 원하는 특성의 추가적인 향상이 인정되지 않으며, 특히 성막되는 구리 합금 박막의 저항이 상승하기 때문에 바람직하지 않다.
이들 성분을 갖는 타깃을 사용하여 스퍼터링함으로써 형성된 구리 합금 박막에서는, 열처리 공정에 있어서, Mg, Cu 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상과 Ca 와의 복산화물 또는 산화물 고용체가, 구리 합금 박막의 표면 및 이면에 형성된다. 이로써, 특히, 수소 처리 공정 후의 유리 기판 및 Si 막의 표면에 대한 밀착성이 한층 더 향상된다. 나아가 구리 합금 박막의 표면 및 이면에 형성되는 산화물은, 화학적 안정성이 높은 Mg, Cu 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상과 Ca 와의 복산화물 또는 산화물 고용체를 함유하기 때문에, 구리 합금 배선의 화학적 안정성을 향상시킨다.
Mn, Al :
이들 성분은, Mg, Ca 와 공존하여 함유시킴으로써, 밀착성, 화학적 안정성을 한층 더 향상시킨다. 그 이유는, 다음과 같이 생각된다.
이들 성분을 갖는 타깃을 사용하여 스퍼터링함으로써 형성된 막에서는, 열처리 공정에 있어서, Mg, Cu 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상과, Ca 와 Mn 및 Al 의 일방 또는 양방과의 복산화물 또는 산화물 고용체가 구리 합금 박막의 표면 및 이면에 형성된다. 이로써, 특히, 수소 처리 공정 후의 유리 기판 표면 및 Si 막 표면에 대한 밀착성이 한층 더 향상된다. 또한 구리 합금 박막의 표면 및 이면에 형성되는 산화물은, 화학적 안정성이 높은 Mg, Cu 및 Si 에서 선택되는 1 종 이상과, Ca 와 Mn 및 Al 의 일방 또는 양방과의 복산화물 또는 산화물 고용체를 함유하기 때문에, 구리 합금 배선의 화학적 안정성을 향상시킨다.
그러나, Mn, Al 중 1 종 또는 2 종을 합계로 0.1 원자％ 미만 함유해도 원하는 기능 (밀착성, 화학적 안정성) 을 향상시키는 효과가 얻어지지 않기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 10 원자％ 를 초과하여 함유해도 특성의 향상이 인정되지 않고, 나아가, 구리 합금 배선막의 비저항치가 상승하기 때문에 바람직하지 않다.
따라서, Mn, Al 중 1 종 또는 2 종을 함유하는 경우, 그 합계량을 0.1 ∼ 10 원자％ 로 정하였다.
P :
소량의 P 는, 구리 합금 박막에 요구되는 비저항, 힐록, 보이드, 밀착성 등의 특성을 열화시키지 않고, 구리 합금의 주조를 용이하게 하기 때문에, 필요에 따라서 첨가한다.
그러나, P 를 0.001 원자％ 미만 첨가해도 효과는 없다. 한편, 0.1 원자％ 를 초과하여 첨가해도 주조성의 향상은 없다. 따라서, P 를 함유하는 경우, 그 함유량을 0.001 ∼ 0.1 원자％ 로 정하였다.
본 발명에 관련된 박막 트랜지스터의 배선막을 형성하기 위한 타깃의 제조 방법의 일례를 이하에 설명한다.
먼저, 순도 : 99.99 ％ 이상의 무산소 구리를, 불활성 가스 분위기 중, 고순도 그래파이트 도가니 내에서 고주파 용해시킨다. 얻어진 용탕에 Mg 를 0.1 ∼ 5 원자％, Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 첨가하고, 필요에 따라서 Mn 및 Al 중 적어도 1 종 또는 2 종을 합계량 : 0.1 ∼ 10 원자％ 로 첨가하며, 추가로 필요에 따라서 P : 0.001 ∼ 0.1 원자％ 를 첨가하여 용해시킨다.
얻어진 용탕을 불활성 가스 분위기 중에서 주조하여 급랭 응고시킨다. 이어서, 필요에 따라서 열간 압연하고, 마지막으로 변형 제거 소둔을 실시하여 압연체를 얻는다. 이어서 압연체의 표면을 선반 가공한다. 이상으로부터 타깃이 제작된다.
또, 무산소 구리 용탕에 Mg, Ca, Mn, Al, P 를 직접 첨가하고, 이어서 애토마이즈 등에 의해서 모 (母) 합금 분말을 제작한 후, 이 모합금 분말을 핫 프레스하는 방법에 의해서 타깃을 제작할 수도 있다.
실시예
순도 : 99.99 질량％ 의 무산소 구리를 준비하고, 이 무산소 구리를 Ar 가스분위기 중, 고순도 그래파이트 도가니 내에서 고주파 용해시킨다. 얻어진 용탕에 Mg 및 Ca 를 첨가하고, 필요에 따라서 Mn, Al 중 적어도 1 종을 첨가하며, 추가로 필요에 따라서 P 를 첨가하고, 용해시켜, 표 1 ∼ 3 에 나타내는 성분 조성을 갖는 용탕이 되도록 성분 조정하였다.
얻어진 용탕을, 냉각된 카본 주형에 주조하고, 다시 열간 압연하였다. 이어서 최종적으로 변형 제거 소둔하여 압연체를 얻었다.
얻어진 압연체의 표면을 선반 가공하여 외경 : 200 ㎜ × 두께 : 10 ㎜ 의 치수를 갖고, 표 1 ∼ 3 에 나타내는 성분 조성을 갖는 원판 형상의 본 발명예의 구리 합금 스퍼터링 타깃 (이하, 본 발명 타깃이라고 한다) 1 ∼ 30 및 비교예의 구리 합금 스퍼터링 타깃 (이하, 비교 타깃이라고 한다) 1 ∼ 6 및 종래예의 스퍼터링 타깃 (이하, 종래 타깃이라고 한다) 1 ∼ 2 를 제작하였다.
또, 취성이 있어 열간 압연을 할 수 없었던 잉곳에 대해서는, 열간 압연을 하지 않고서, 직접 잉곳으로부터 잘라내어 스퍼터링 타깃을 제작하였다.
그리고 무산소 구리제 배킹 플레이트를 준비하고, 이 무산소 구리제 배킹 플레이트에, 상기 본 발명 타깃 1 ∼ 30, 비교 타깃 1 ∼ 6 및 종래 타깃 1 ∼ 2 를 겹쳐서, 온도 : 200 ℃ 에서 인듐 납땜하였다. 이상에 의해, 본 발명예의 타깃 1 ∼ 30, 비교예의 타깃 1 ∼ 6 및 종래예의 타깃 1 ∼ 2 를 무산소 구리제 배킹 플레이트에 접합하여, 배킹 플레이트 부착 타깃을 제작하였다.
얻어진 배킹 플레이트 부착 타깃을, 타깃과, 아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판 (직경 : 200 ㎜, 두께 : 0.7 ㎜ 의 치수를 갖는 코닝사 제조 1737 의 유리 기판) 과의 거리 : 70 ㎜ 가 되도록, 스퍼터 장치에 세팅하였다.
아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판의 표면에, 표 1 ∼ 3 에 나타내는 성분 조성을 갖는 타깃을 사용하여, 이하의 조건으로, 반경 : 100 ㎜, 두께 : 300 ㎚ 를 갖고, 미량의 산소를 함유하는 구리 합금으로 이루어지는 배선용 박막을 형성하였다. 또, 형성된 배선용 박막은 모두 원형이었다.
전원 : 직류 방식
스퍼터 파워 : 600 W
도달 진공도 : 4 × 10-5 Pa
분위기 가스 조성 : Ar : 99 용량％, 산소 : 1 용량％ 의 혼합 가스
가스압 : 0.2 Pa
유리 기판 가열 온도 : 150 ℃
얻어진 원형의 배선용 박막을 각각 가열로에 장입 (裝入) 하고, Ar 분위기 중, 승온 속도 : 5 ℃/min, 최고 온도 : 350 ℃, 30 분간 유지의 열처리를 실시하였다.
이어서, 열처리를 실시한 원형의 배선용 박막에 있어서의 중심과, 중심에서부터 50 ㎜ 떨어진 점과, 중심에서부터 100 ㎜ 떨어진 점의 비저항을 4 탐침법에 의해 측정하여, 그 최대와 최소의 차를 구했다. 그들 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타냄으로써, 배선용 박막의 비저항치의 편차를 평가하였다.
그리고, 열처리를 실시한 원형의 배선용 박막에 대하여 바둑판눈금 부착 시험을 다음과 같이 실시하였다.
JIS-K5400 에 준하여, 1 ㎜ 간격으로 배선용 박막에 바둑판눈금 형상으로 칼집을 형성하였다. 그 후, 3M 사 제조 스카치 테이프를 밀착시킨 후 떼어내어 벗겨, 유리 기판 중앙부의 가로세로 10 ㎜ 내에서 유리 기판에 부착되어 있던 배선용 박막의 면적％ 를 측정하였다. 그 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타내어, 아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판에 대한 배선용 박막의 밀착성을 평가하였다.
이들 열처리를 실시한 배선용 박막의 표면에 관해서, 5000 배의 SEM 으로 5 군데의 막 표면을 관찰하여, 힐록 및 보이드 발생의 유무를 관찰하였다. 그 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타내었다.
그리고, 상기 열처리를 실시한 본 발명예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 30, 비교예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 6 및 종래예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 2 에 대해 이하의 조건으로 수소 어닐을 실시하였다.
분위기 : H2/N2 = 50/50 (Vol％) 의 혼합 가스 (1 기압)
온도 : 300 ℃
유지 시간 : 30 분
수소 어닐 후의 본 발명예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 30, 비교예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 4 및 종래예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 2 에 대해, 전술한 방법과 동일하게 하여 바둑판눈금 부착 시험을 실시하였다. 그 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타내어, 아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판에 대한 수소 어닐 후의 본 발명예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 30, 비교예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 6 및 종래예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 2 의 밀착성을 평가하였다.
Figure pct00001
Figure pct00002
Figure pct00003
표 1 ∼ 3 에 나타내는 결과로부터 이하의 사항을 알 수 있다.
(i) Mg 를 단독으로 함유하는 종래 타깃 1 ∼ 2 를 사용하여 스퍼터링함으로써 성막한 배선용 박막 (종래예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 2) 은, 중심부의 비저항과 주변부의 비저항의 차가 크다. 그리고 아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판에 대한 밀착성이 떨어진다.
이에 대하여, Mg 와 Ca 를 함유하고, 필요에 따라서 Mn, Al 및 P 를 함유하는 본 발명예의 타깃 1 ∼ 30 을 사용하여 스퍼터링함으로써 성막한 배선용 박막 (본 발명예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 30) 은, 중심부의 비저항과 주변부의 비저항의 차가 작기 때문에 비저항치의 편차가 적다. 그리고 수소 어닐 전후에 있어서, 어느 것도 아모르퍼스 Si 막을 코팅한 유리 기판에 대한 밀착성이 우수하다.
(ii) 본 발명의 조건보다 낮은 Mg 및 Ca 를 함유하는 비교예의 타깃 1 을 사용하여 스퍼터링함으로써 성막한 배선용 박막 (비교예의 배선용 구리 합금막 1) 에서는, 힐록 및 보이드가 발생되어 있다. 수소 어닐 전후의 밀착성이 낮기 때문에 배선용 박막으로서 바람직하지 않다.
또한, 본 발명의 조건에서 벗어나 Mg 를 많이 함유하는 비교예의 타깃 2 및 본 발명의 조건에서 벗어나 Mg 및 Ca 를 많이 함유하는 비교예의 타깃 4 를 사용하여 스퍼터링함으로써 성막한 배선용 박막 (비교예의 배선용 구리 합금막 2, 4) 은, Mg 및 Ca 를 첨가한 본 발명예의 타깃 1 ∼ 9 를 사용하여 성막한 배선용 박막 (본 발명예의 배선용 구리 합금막 1 ∼ 9) 과 비교하여 비저항치가 커져, 배선용 박막으로는 바람직하지 않다.
(iii) 본 발명의 조건보다 낮은 Ca, Mn, Al 을 함유하는 비교예의 타깃 3, 5 를 사용하여 스퍼터링함으로써 성막한 배선용 박막 (비교예의 배선용 구리 합금막 3, 5) 은, 수소 어닐 전후의 밀착성이 낮고, 또한 비저항치의 편차가 크기 때문에 바람직하지 않다.
Mn 및 Al 의 합계가 본 발명의 조건에서 벗어나 많이 함유하고 있는 비교 타깃 6 을 사용하여 스퍼터링에 의해 성막한 배선용 박막 (비교예의 배선용 구리 합금막 6) 은, 비저항치가 지나치게 커져 배선용 박막으로서 바람직하지 않다.
본 발명의 타깃을 사용함으로써, 비저항치의 편차가 적고, 나아가 유리 기판 표면 및 Si 막 표면에 대한 밀착성이 우수하며, 또한 비저항치가 낮은 구리 합금 박막을 제작할 수 있다. 이 때문에, 고정세화되고 대형화된 플랫 패널 디스플레이에 있어서의 박막 트랜지스터의 구리 합금 배선막을 제조하는 공정에서 바람직하게 적용할 수 있다.

Claims (3)

  1. Mg : 0.1 ∼ 5 원자％, Ca : 0.1 ∼ 10 원자％ 를 함유하고, 잔부로서 Cu 및 불가피한 불순물을 함유하는 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃.
  2. 제 1 항에 있어서,
    추가로 Mn 및 Al 중 적어도 1 종 또는 2 종을, 합계로 0.1 ∼ 10 원자％ 함유하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃.
  3. 제 2 항에 있어서,
    추가로 P : 0.001 ∼ 0.1 원자％ 를 함유하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터용 배선막을 형성하기 위한 스퍼터링 타깃.
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