JP4840173B2 - 熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法 - Google Patents
熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法 Download PDFInfo
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Description
さらに、大型液晶パネルの低コスト化のためにガラス基板表面に形成される配線および電極を高スピードで成膜すべくスパッタリング装置の出力を上げて可及的に短時間で成膜するよう求められている。
これら要求に対処すべく、従来の希土類元素から選ばれる1種または2種以上の元素を総量で0.1〜10原子%を含有し残部がCuおよび不可避不純物からなる銅合金ターゲットを用いて400W以上の高出力でスパッタリングすると、得られた銅合金配線薄膜は、ヒロックやボイド等の熱欠陥が発生し、さらに比抵抗値が高く、さらにガラス基板表面に対する密着性が悪という欠点があった。
(イ)純銅(特に純度:99.99%以上の無酸素銅)に、希土類元素を0.01〜2原子%を添加し、さらにAgを0.05〜2原子%添加して得られた成分組成を有する銅合金薄膜は、従来の希土類元素を含有する銅合金薄膜に比べて比抵抗値が一層低く、さらに、高温に曝されてもヒロックおよびボイドの熱欠陥が発生することがなく、さらにガラス基板に対する密着性が優れていることから、かかる成分組成を有する銅合金薄膜は液晶表示装置用配線および電極として使用した場合に優れた効果を奏する、
(ロ)純銅(特に純度:99.99%以上の無酸素銅)に、希土類元素を0.01〜2原子%を添加し、さらにAgを0.1〜4原子%添加して得られた成分組成を有するターゲットを用い、酸素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより得られた希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜は、ガラス基板に対する密着性が一層向上し、したがってこの酸素含有銅合金薄膜を前記(イ)記載の銅合金薄膜に積層させた複合銅合金膜を液晶表示装置用の配線および電極として使用した場合、複合銅合金膜の酸素含有銅合金薄膜がガラス基板に対する密着性が一層優れていることから複合銅合金膜はガラス基板に対する密着性に優れたものとなり、フォトリソやエッチング等の加工中に剥離することがなく、かかる複合銅合金薄膜を液晶表示装置の配線および電極として使用した場合に製造歩留まりが一層向上する、
(ハ)前記純銅にAgと共に添加する希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyのうちの1種または2種以上であることが特に好ましい、という研究結果が得られたのである。
(1)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(2)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(1)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(3)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、
(4)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(3)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、に特徴を有するものである。
(5)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする(1)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(6)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(5)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(7)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用い酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする(3)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、
(8)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(7)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、に特徴を有するものである。
この発明の液晶表示装置における積層配線および積層電極を構成する銅合金薄膜に含まれるAgは結晶粒を微細化し、さらにターゲットの結晶粒を微細化してパーティクルの発生を抑制し、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制する作用を有するが、その含有量が0.05原子%未満では所望の効果が得られないので好ましくなく、一方、2原子%を越えて含有してもコストアップとなるだけなので好ましくない。したがって、銅合金薄膜に含まれるAg含有量を0.05〜2原子%に定めた。
この発明の液晶表示装置における積層配線および積層電極を構成する酸素含有銅合金薄膜に含まれる希土類元素およびAgの限定理由は先に述べた銅合金薄膜の限定理由と同じであるので省略する。この発明の液晶表示装置における積層配線および積層電極を構成する酸素含有銅合金薄膜に含まれる酸素は、ガラス基板表面に対する密着性を一段と格段に向上させ、加工中に剥離が生じて不良品が生じることがないので歩留まりを向上させる作用を有するが、その含有量が0.02原子%未満では所望の効果が得られないので好ましくなく、一方、2原子%を越えて含有すると電気抵抗が著しく上昇してしまうので好ましくない。したがって、酸素含有量を0.02〜2原子%に定めた。
この濃度勾配酸素含有銅合金薄膜および銅合金薄膜からなるこの発明の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線および積層電極をガラス基板表面に形成するには、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより酸素含有銅合金薄膜をガラス基板表面に形成したのち、直ちに不活性ガス雰囲気中の酸素供給量を漸次減少させながらスパッタリングすることにより濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を形成し、次いで酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングすることにより銅合金薄膜を形成することにより作製することができる。したがって、この発明は、
(9)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって遠ざかるにつれて漸次酸素量が増加し、前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって最も離れた酸素含有銅合金薄膜面の成分組成が希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(10)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(9)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(11)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって遠ざかるにつれて漸次酸素量が増加し、前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって最も離れた酸素含有銅合金薄膜面の成分組成が希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、
(12)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(11)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、
(13)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中でスパッタリングしたのち雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする(9)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(14)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(13)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(15)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中でスパッタリングしたのち雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする(11)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、
(16)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである(15)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、に特徴を有するものである。
したがって、この発明は、
(17)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜と、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜との間に前記(9)に記載の濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(18)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである前記(17)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線、
(19)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜と、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜との間に、前記(11)に記載の濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、
(20)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである前記(19)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極、
(21)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、引き続いて雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする前記(17)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(22)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである前記(21)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法、
(23)希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用い酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、引き続いて雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングする前記(19)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、
(24)前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである前記(23)記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法、に特徴を有するものである。
さらに、無酸素銅製バッキングプレートを用意し、この無酸素銅製バッキングプレートに前記ターゲットA〜Zを重ね合わせ、温度:200℃でインジウムはんだ付けすることによりバッキングプレート付きターゲットを作製した。このときAgを4.5原子%含むターゲットXは熱間圧延と焼鈍を繰り返す内に割れが発生してスパッタリングターゲットとして使用不能となった。
表1のターゲットA〜Wを無酸素銅製バッキングプレートにはんだ付けして得られたバッキングプレート付きターゲットを、ターゲットとガラス基板(縦:50mm、横:50mm、厚さ:0.7mmの寸法を有するコーニング社製1737のガラス基板)との距離:70mmとなるようにセットし、
電源:直流方式、
スパッタパワー:100W、
到達真空度:5×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:表1に示されるO2を含有したAr混合ガス、
スパッタガス圧:0.67Pa、
ガラス基板:加熱なし、
の条件で15秒間スパッタリングすることによりガラス基板の表面に、厚さ:15nmを有し、表2〜3に示される成分組成を有する酸素含有銅合金薄膜を形成し、次いで雰囲気ガス組成を純Arガスに切り換えてスパッタパワーを600Wに上げて純Arガス雰囲気中でスパッタリングを行なうことにより厚さ:285nmの銅合金薄膜を形成することにより、銅合金薄膜および酸素含有銅合金薄膜からなる表2〜3に示される本発明銅合金積層薄膜(以下、本発明積層薄膜という)1〜20および比較銅合金積層薄膜(以下、比較積層薄膜という)1〜5を形成した。
表1に示される成分組成を有するターゲットY〜Zを用い、スパッタリング条件として酸素を含まない純Arガスを雰囲気ガスとして使用する以外は実施例1と同様にして表3に示される従来銅合金薄膜(以下、従来薄膜という)1〜2を形成した。
さらに、得られた本発明積層薄膜1〜20、比較積層薄膜1〜6および従来薄膜1〜2をそれぞれ赤外線加熱炉に装入し、到達真空度:4×10−4Paの真空雰囲気中、昇温速度:5℃/min、最高温度:350℃、30分間保持の熱処理を施した。これら熱処理を施した本発明積層薄膜1〜20、比較積層薄膜1〜6および従来薄膜1〜2の表面を5000倍のSEMで5個所の膜表面を観察し、ヒロックおよびボイドの発生の有無を観察し、その結果を表4に示した。
さらに、得られた本発明積層薄膜1〜20、比較積層薄膜1〜6および従来薄膜1〜2の5点の比抵抗を四探針法により測定し、その平均値を求め、それらの結果を表4に示した。
(a)本発明積層薄膜1〜20は、従来薄膜1〜2に比べて比抵抗が小さく、ヒロックおよびボイドの発生がなく、さらに密着性に優れている。
(b)この発明の条件から外れて希土類元素、AgおよびOを含む酸素含有銅合金薄膜を積層した比較積層薄膜1〜5は、密着性が低下するなど好ましくない特性が現れる。
(c)Agを4原子%を越えて含むは熱間圧延で割れが発生してスパッタリングターゲットとして使用不能となる。
表1のターゲットA〜Wを無酸素銅製バッキングプレートにはんだ付けして得られたバッキングプレート付きターゲットを、ターゲットとガラス基板(縦:50mm、横:50mm、厚さ:0.7mmの寸法を有するコーニング社製1737のガラス基板)との距離:70mmとなるようにセットし、
電源:直流方式、
スパッタパワー:100W、
到達真空度:5×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:表1に示されるO2を含有したAr混合ガス、
スパッタガス圧:0.67Pa、
ガラス基板:加熱なし、
の条件でスパッタリングを開始して、ガラス基板に接する面が表5〜6に示される成分組成を有する酸素含有銅合金薄膜を形成し、引き続いてその後ただちにAr混合ガス中のO2供給量を漸次減らしながらAr混合ガス中のO2含有量が0になるまで15秒間スパッタリングすることにより厚さ:15nmを有する表5〜6に示される濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を形成し、その後、引き続いてO2の供給を止めた状態でスパッタパワーを600Wに上げてスパッタリングすることにより厚さ:285nmを有する酸素を含まない銅合金薄膜を形成し、ガラス基板の表面に銅合金薄膜および表5〜6に示される濃度勾配酸素含有銅合金薄膜からなる全体の膜の厚さ:300nmを有する本発明濃度勾配酸素含有銅合金積層薄膜(以下、本発明濃度勾配積層薄膜という)1〜20および比較濃度勾配酸素含有銅合金積層薄膜(以下、比較濃度勾配積層薄膜という)1〜5を形成した。
さらに、得られた本発明濃度勾配積層薄膜1〜20および比較濃度勾配積層薄膜1〜5をそれぞれ赤外線加熱炉に装入し、到達真空度:4×10−4Paの真空雰囲気中、昇温速度:5℃/min、最高温度:350℃、30分間保持の熱処理を施した。これら熱処理を施した本発明濃度勾配積層薄膜1〜20および比較濃度勾配積層薄膜1〜5の表面を5000倍のSEMで5個所の膜表面を観察し、ヒロックおよびボイドの発生の有無を観察し、その結果を表7に示した。
さらに、得られた本発明濃度勾配積層薄膜1〜20および比較濃度勾配積層薄膜1〜5の5点の比抵抗を四探針法により測定し、その平均値を求め、それらの結果を表7に示した。
従来薄膜1〜2の評価結果を示す表4、本発明濃度勾配積層薄膜1〜20および比較濃度勾配積層薄膜1〜2の評価結果を示す表5〜7に示される結果から以下の事項が分かる。
(d)本発明濃度勾配積層薄膜1〜20は従来薄膜1〜2と比較して比抵抗が小さく、ヒロックおよびボイドの発生がなく、さらにガラス基板に対する密着性に優れている。
(e)しかし、この発明の条件から外れて希土類元素、AgおよびOを含む比較濃度勾配積層薄膜1〜5は比抵抗が大きくなり過ぎたり、密着性が低下するなど好ましくない特性が現れる。
表1のターゲットA〜Tを無酸素銅製バッキングプレートにはんだ付けして得られたバッキングプレート付きターゲットを、ターゲットとガラス基板(縦:50mm、横:50mm、厚さ:0.7mmの寸法を有するコーニング社製1737のガラス基板)との距離:70mmとなるようにセットし、
電源:直流方式、
スパッタパワー:100W、
到達真空度:5×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:表1に示されるO2を含有したAr混合ガス、
スパッタガス圧:0.67Pa、
ガラス基板:加熱なし、
の条件で15秒間スパッタリングして厚さ:15nmを有する酸素含有銅合金薄膜を形成し、その後Ar混合ガス中のO2含有量を漸次減らしながら15秒間スパッタリングすることにより厚さ:15nmを有する濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を形成し、さらにO2の供給を止めた状態でスパッタパワーを600Wに上げてスパッタリングすることにより厚さ:270nmを有する銅合金薄膜を形成し、ガラス基板の表面に酸素含有銅合金薄膜、濃度勾配酸素含有銅合金薄膜および銅合金薄膜からなる全体の膜の厚さ:300nmを有する本発明濃度勾配積層薄膜を形成した。
さらに、得られた本発明濃度勾配積層薄膜21〜40をそれぞれ赤外線加熱炉に装入し、到達真空度:4×10−4Paの真空雰囲気中、昇温速度:5℃/min、最高温度:350℃、30分間保持の熱処理を施した。これら熱処理を施した本発明濃度勾配積層薄膜21〜40の表面を5000倍のSEMで5個所の膜表面を観察し、ヒロックおよびボイドの発生の有無を観察し、その結果を表10に示した。
さらに、得られた本発明濃度勾配積層薄膜21〜40の5点の比抵抗を四探針法により測定し、その平均値を求め、それらの結果を表10に示した。
Claims (24)
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項1記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項3記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項1記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項5記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用い酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項3記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項7記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって遠ざかるにつれて漸次酸素量が増加し、前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって最も離れた酸素含有銅合金薄膜面の成分組成が希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項9記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって遠ざかるにつれて漸次酸素量が増加し、前記銅合金薄膜から厚さ方向に向かって最も離れた酸素含有銅合金薄膜面の成分組成が希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項11記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングしたのち雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項9記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項13記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングしたのち雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項11記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項15記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜と、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜との間に請求項9に記載の濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項17記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜と、希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.05〜2原子%、O:0.02〜2原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜との間に請求項11に記載の濃度勾配酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項19記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用いて酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、引き続いて雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項17記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyであることを特徴とする請求項21記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線の形成方法。
- 希土類元素のうちの1種または2種以上を合計で0.01〜2原子%、Ag:0.1〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるターゲットを用い酸素を含んだ雰囲気中で一定時間スパッタリングし、引き続いて雰囲気中の酸素を漸次減少させながらスパッタリングし、次いで酸素を含まない雰囲気中で一定時間スパッタリングすることを特徴とする請求項19記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
- 前記希土類元素は、Pr、Nd、Eu、Gd、TbおよびDyである請求項23記載の熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層電極の形成方法。
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