JP5077695B2 - フラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
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このターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られたフラットパネルディスプレイにおける銅合金配線膜は、ガラス基板の上にスパッタリングにより成膜した後、熱処理される。この熱処理が行われると、銅合金配線膜に含まれる添加元素が銅合金配線膜の表面および裏面に移動し、酸化物となって銅合金配線膜の表面および裏面に添加元素の酸化物層が形成され、この添加元素の酸化物層の生成はガラス基板の基本成分であるSiなどが銅合金配線膜に拡散浸透するのを阻止して銅合金配線膜の比抵抗の増加を防止するとともにこの添加元素の酸化物層の生成はガラス基板に対する銅合金配線膜の密着性を向上させている。
その結果、純銅(特に純度:99.99%以上の無酸素銅)に、Crを0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種を合計で0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに必要に応じてMg:0.1〜5原子%を含有した成分組成を有する銅合金ターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られた銅合金薄膜はCr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、必要に応じてMg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有し、この組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線膜は、従来のCrおよびCaをそれぞれ単独で含有したCr:0.5〜10原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金ターゲットまたはCa:0.5〜10原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金ターゲットを用いてスパッタリングにより成膜した銅合金薄膜に比べて密着性が一層優れるようになり、さらに比抵抗値の場所によるバラツキが少なく膜全面が均一な比抵抗値を有する銅合金薄膜が得られる、という研究結果が得られたのである。
(1)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(2)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有するフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
(3)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線膜、
(4)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線膜、に特徴を有するものである。
(5)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線下地膜、
(6)Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなるフラットパネルディスプレイ用配線下地膜、に特徴を有するものである。
また、このターゲットは、無酸素銅溶湯にCr、Li、Caを直接添加して作製しても良いが、CuとCrの母合金粉末、CuとLiの母合金粉末、CuとCaの母合金粉末をガスアトマイズにより作製し、これら母合金粉末をホットプレスすることにより作製しても良い。
このようにして得られたターゲットをバッキングプレートに接合し、通常の条件でスパッタリングすることによりこの発明のフラットパネルディスプレイ用配線膜を構成する銅合金薄膜を形成することができる。
Cr:
Crは、フラットパネルディスプレイにおける銅合金配線膜のヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制して耐マイグレーション性を向上させ、さらに熱処理に際してCuとの複酸化物を銅合金配線膜の表面および裏面に形成してガラス基板の主成分であるSiなどが銅合金配線膜に拡散浸透するのを阻止し、さらに銅合金配線膜の比抵抗の増加を防止するとともにガラス基板に対する密着性に優れた銅合金配線膜をスパッタリングにより得るためにターゲットに添加するが、その含有量が0.1原子%未満では所望の効果を有する銅合金配線膜が得られないので好ましくなく、一方、15原子%を越えて含有しても特性の更なる向上が認められず、さらに比抵抗値は著しく増加するので好ましくない。したがって、この発明のスパッタリングターゲットに含まれるCrを0.1〜15原子%に定めた。
Li、Ca:
Li、CaをCrと共存して含有させたターゲットを用いてスパッタリングすることにより、成膜された銅合金配線膜の密着性が一層向上し、さらに成膜された銅合金配線膜の場所による比抵抗値のバラツキが少なくなり、さらにLi、CaはCuのみならずSiとの複酸化物を銅合金配線膜/ガラス基板の界面に形成してガラス基板の主成分であるSiなどが銅合金配線膜に拡散浸透することをより一層阻止するところからガラス基板に対する密着性が一層優れたかつ化学的安定性の高い銅合金配線膜を得ることができるので、Li、CaをCrと共存してターゲットに含有させるが、ターゲットにLiおよびCaのうちの1種または2種を合計で0.1原子%未満含有しても所望の効果を有する銅合金配線膜が得られないので好ましくなく、一方、ターゲットにLiおよびCaのうちの1種または2種を合計で15原子%を越えて含有すると、所望の特性が更に向上した銅合金配線膜が得られることはなく、成膜される銅合金配線膜の抵抗が著しく上昇するので好ましくない。したがって、ターゲットに含まれるLi、Caは、LiおよびCaのうちの1種または2種を合計で0.1〜15原子%の範囲内に定めた。
CrとLiとCaの合計:
LiとCaをCrと共存してターゲットに含まれても、CrとLiとCaの合計が0.2原子%未満では上述した作用効果を有する銅合金配線膜が得られないので好ましくなく、一方、ターゲットに含まれるCrとLiとCaの合計が20原子%を超えるようになると、成膜される銅合金配線膜の抵抗が著しく上昇するので好ましくない。したがって、ターゲットに含まれるCrとLiとCaの合計を0.2〜20原子%に定めた。
Mg:
Mgを含むターゲットを用いてスパッタリングすることにより、結晶粒が微細でヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなく、さらに耐マイグレーション性を向上させ、熱処理に際して銅合金配線膜の表面および裏面にMgを含有した酸化物層を形成してガラス基板の主成分であるSiなどが銅合金配線膜に拡散浸透するのを阻止し、銅合金配線膜の比抵抗の増加を防止するとともにガラス基板に対する銅合金配線膜の密着性が向上する銅合金配線膜を成膜することができるので必要に応じて含有させるが、その含有量が0.1原子%未満では所望の効果を有する銅合金配線膜が得られないので好ましくなく、一方、5原子%を越えて含有しても特性の向上が認められず、さらに比抵抗値は増加して銅合金配線膜としては十分な機能を示さなくなるので好ましくない。したがって、この発明のターゲットに含まれるMgを0.1〜5原子%に定めた。
さらに、無酸素銅製バッキングプレートを用意し、この無酸素銅製バッキングプレートに前記本発明ターゲット1〜30、比較ターゲット1〜4および従来ターゲット1〜2を重ね合わせ、温度:200℃でインジウムはんだ付けすることにより本発明ターゲット1〜30、比較ターゲット1〜4および従来ターゲット1〜2を無酸素銅製バッキングプレートに接合してバッキングプレート付きターゲットを作製した。
電源:直流方式、
スパッタパワー:600W、
到達真空度:4×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:Ar:90容量%、酸素:10容量%の混合ガス、
ガス圧:0.2Pa、
ガラス基板加熱温度:150℃、
の条件でガラス基板の表面に、半径:100mm、厚さ:300nmを有し、表3〜5に示される成分組成を有するいずれも円形のフラットパネルディスプレイ用配線膜および配線下地膜となる本発明銅合金配線用薄膜(以下、本発明配線用薄膜という)1〜30および比較銅合金配線用薄膜(以下、比較配線用薄膜という)1〜4および従来銅合金配線用薄膜(以下、従来配線用薄膜という)1〜2を形成した。得られた本発明配線用薄膜1〜30、比較配線用薄膜1〜4および従来配線用薄膜1〜2をそれぞれ加熱炉に装入し、1気圧のAr雰囲気中、昇温速度:5℃/min、最高温度:350℃、30分間保持の熱処理を施した。これら熱処理した円形の本発明配線用薄膜1〜30、比較配線用薄膜1〜4および従来配線用薄膜1〜2の中心、中心から50mm離れた点および中心から100mm離れた点の比抵抗を四探針法により測定し、その最大と最小の差を求め、それらの結果を表3〜5に示すことにより配線用薄膜の比抵抗値のバラツキを評価した。
(i)Crを単独で含む従来ターゲット1およびCaを単独で含む従来ターゲット2を用いてスパッタリングすることにより成膜した従来配線用薄膜1および2は、中心部の比抵抗と周辺部の比抵抗との差が大きく、さらにガラス基板に対する密着性が劣るが、これに対してCrとLiおよびCaうちの1種または2種を含む本発明配線用薄膜1〜30は、中心部の比抵抗と周辺部の比抵抗値との差が小さいことから比抵抗値のバラツキが少なく、さらにガラス基板に対する密着性が優れること、
(ii)さらに、この発明の条件から外れてCr、LiおよびCaを含む比較ターゲット1〜2を用いてスパッタリングすることにより成膜した比較配線用薄膜1〜2は密着性が低く、ヒロックおよびボイドが発生するのでマイグレーションが発生しやすく、さらにこの発明の条件から外れてCr、LiおよびCaを含む比較ターゲット3〜4を用いてスパッタリングすることにより成膜した比較配線用薄膜3〜4は、中心部の比抵抗と周辺部の比抵抗値との差がやや大きくなって比抵抗値のバラツキがやや大きく、さらに比抵抗が著しく高くなるなど、少なくとも一つの好ましくない特性が現れるので配線用薄膜として好ましくないこと、などが分かる。
Claims (6)
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線膜。
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。
- Cr:0.1〜15原子%、LiおよびCaのうちの1種または2種の合計:0.1〜15原子%を、CrとLiとCaの合計が0.2〜20原子%の範囲内にあるように含有し、さらに、Mg:0.1〜5原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とするフラットパネルディスプレイ用配線下地膜。
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