JP2008107710A - 熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】希土類元素(Y、La、Ce):0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。
【選択図】なし
Description
(イ)純銅(特に純度:99.99%以上の無酸素銅)に、希土類元素を0.01〜3原子%を含有し、さらにAgを0.01〜4原子%を含有した成分組成を有する銅合金薄膜は、従来の希土類元素:3原子%以下含有し、残部がCuからなる銅合金薄膜に比べて、比抵抗が低く、高温に曝されてもヒロックおよびボイドの熱欠陥が発生することが一層少なくかつ表面荒れの少ないことから、かかる成分組成を有する銅合金薄膜は液晶表示装置用配線および電極として使用した場合に優れた効果を奏する、
(ロ)前記希土類元素のうちでもY、La、Ceが一層好ましい、
(ハ)前記銅合金薄膜は、前記銅合金薄膜と同じ成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成することができる、という研究結果が得られたのである。
(1)希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線、
(2)前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計である前記(1)記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線、
(3)希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用電極、
(4)前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計である前記(3)記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用電極、
(5)希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット、
(6)前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計である前記(5)記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
希土類元素:
希土類元素はヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生を抑制する作用を有するが、その含有量が0.01原子%未満では十分な熱欠陥発生防止効果が得られないので好ましくなく、一方、3原子%を越えて含むと、比抵抗が上昇し過ぎるようになるので好ましくない。したがって、希土類元素含有量を0.01〜3原子%に定めた。前記希土類元素のうちでもY、La、Ceが一層好ましい。
Agは希土類元素と共に添加することにより比抵抗の上昇を抑制すると共に希土類元素のヒロックおよびボイドなどの熱欠陥発生防止効果を一層強化しかつ表面状態が荒れるのを抑制する効果があるが、その含有量が0.01原子%未満では十分な比抵抗上昇阻止効果および熱欠陥発生防止効果を強化することができずさらに表面荒れを防止することができない。一方、Agを4原子%を越えて含有するとかえって比抵抗が上昇するのみでなく、銅合金薄膜の表面荒れが大きくなるので好ましくない。したがって、Agの含有量を0.01〜4原子%に定めた。
さらに、無酸素銅製バッキングプレートを用意し、この無酸素銅製バッキングプレートに前記本発明ターゲット1〜20、比較ターゲット1〜6および従来ターゲット1〜2を重ね合わせ、温度:200℃でインジウムはんだ付けすることにより本発明ターゲット1〜20、比較ターゲット1〜6および従来ターゲット1〜2を無酸素銅製バッキングプレートに接合してバッキングプレート付きターゲットを作製した。
電源:直流方式、
スパッタパワー:600W、
到達真空度:5×10−5Pa、
雰囲気ガス組成:Ar、
Arガス圧:0.67Pa、
ガラス基板:150℃、
の条件でガラス基板の表面に、厚さ:300nmを有し、表2に示される成分組成を有する本発明銅合金配線用薄膜(以下、本発明配線用薄膜という)1〜20および比較銅合金配線用薄膜(以下、比較配線用薄膜という)1〜6および従来銅合金配線用薄膜(以下、従来配線用薄膜という)1〜2を形成した。
さらに、得られた本発明配線用薄膜1〜20、比較配線用薄膜1〜6および従来配線用薄膜1〜2における5点の比抵抗を四探針法により測定し、その平均値を求め、それらの結果を表2〜3に示した。
さらに、AFM(原子間力顕微鏡)で表面粗さを測定し、その結果を表2に示し、熱処理による膜の表面荒れを評価した。
(i)希土類元素を単独で含む従来配線用薄膜1〜2に比べて希土類元素およびAgを共に含む本発明配線用薄膜1〜20はヒロックおよびボイドの発生が一層少なく、さらに比抵抗が一層小さく、さらに熱処理によって表面状態の荒れが少ないことがわかる。
(ii)しかし、この発明の条件から外れて少ないAgを含む比較配線用薄膜1、3、5はヒロックおよびボイドの発生を阻止する効果が弱く、一方、Agをこの発明の条件から外れて多く含む比較配線用薄膜2、4、6は比抵抗が大きくなり過ぎて好ましくないことが分かる。
Claims (7)
- 希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線。
- 前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計であることを特徴とする請求項1記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線。
- 希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなることを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用電極。
- 前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計であることを特徴とする請求項3記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用電極。
- 希土類元素:0.01〜3原子%を含有し、さらにAg:0.01〜4原子%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 前記希土類元素は、Y、La、Ceのうちの1種または2種以上の合計であることを特徴とする請求項5記載の熱欠陥発生がなくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線または電極を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 請求項1または2記載の配線および請求項3または4記載の電極を形成した液晶表示装置。
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JP2006292509A JP2008107710A (ja) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好な液晶表示装置用配線および電極並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲット |
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2006
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