TWI487802B - Copper material for sputtering target and method of manufacturing the same - Google Patents

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TWI487802B
TWI487802B TW099131588A TW99131588A TWI487802B TW I487802 B TWI487802 B TW I487802B TW 099131588 A TW099131588 A TW 099131588A TW 99131588 A TW99131588 A TW 99131588A TW I487802 B TWI487802 B TW I487802B
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Hiroaki Kanamori
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Akifumi Nakajima
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Furukawa Electric Co Ltd
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Description

用於濺鍍靶之銅材料及其製造方法
本發明係關於作為濺鍍靶而使用之銅材料及其製造方法。
近年來，自移動PC、行動電話終端等小型電子機器至大型電視，平板顯示器已被用於各種尺寸。於分類為平板顯示器之液晶顯示器或有機EL顯示器中，為滿足對高畫質、動畫之高速繪圖之要求，而開發出於像素點中插入有薄膜電晶體(Thin Film Transistor：以下記為TFT)元件者，目前已成為主流。
圖1中以剖面來圖示液晶顯示器中之TFT元件之構造一例。TFT元件1中，於玻璃基板2之上有掃描線3，及掃描線之一部分具有作為TFT之ON/OFF控制之功能之閘極電極4。以利用氮化矽之絕緣膜5進行覆蓋之形態形成閘極電極，於絕緣膜5之上依序形成非晶矽(以下記為a-Si)層6、摻有P(磷)之a-Si層7、源極-汲極電極8及9。以覆蓋其等之方式形成氮化矽之保護膜10。於像素區域配置有摻錫氧化銦(以下記為ITO)膜11。
以往，掃描線、閘極電極、及源極-汲極電極係使用Mo、Cr之類的高熔點金屬或鋁及其合金等。然而，隨著液晶顯示器之大型化或高像素化，由配線長度增加、信號延遲、電力損失等所引起之圖像顯示不均等問題顯現出來。因此電阻率較低之銅配線開始受到關注。
將銅配線膜用於TFT元件之配線中的問題可舉出：若於玻璃基板上直接形成Cu膜，則Cu配線膜由於Cu/玻璃界面之密合性較差而自玻璃剝離。
作為用以解決該剝離之問題之發明，已提出有專利文獻1～3等中所記載之技術。
於專利文獻1中，係藉由在銅配線與玻璃基板之間插入鉬等高熔點金屬，形成與玻璃基板之密合性優異之障壁層，以抑制剝離。
於專利文獻2及3中，係藉由使用使銅合金化而成之靶，利用「使氧化物形成於銅配線與玻璃基板界面」、「使合金元素濃縮於銅配線與玻璃基板界面」等方法抑制剝離。
如專利文獻2及3之發明，亦開發有銅合金化等方法，但目前在工業上，如專利文獻1所記載之發明，係將與玻璃之密合性較好之Mo或Ti等作為圖1記載之障壁層12而形成於銅配線之下，藉此改善剝離，並利用濺鍍來形成純銅之配線。
TFT元件之閘極電極之形成步驟中所要求之重要特性之一，可舉出配線膜之基板面內均勻性。由於膜之均勻性、即膜厚之不同或凹凸等之存在，而使TFT內之電容變得不均勻，因此對顯示造成不良影響。另外，於TFT元件製造步驟中，若存在膜厚之不同、或粗大之團簇(cluster)(微粒、飛濺等)，則有於利用蝕刻製成配線電極時引起斷線及短路等配線不良之虞。
專利文獻4～8等所記載之技術中，提出了濺鍍靶之發明，該濺鍍靶之發明於藉由濺鍍步驟形成成為半導體配線等之純銅膜之情形時，可製成均勻之配線膜且可抑制粗大團簇及斷線不良。
於專利文獻4中，揭示有如下之濺鍍靶，其藉由將已去除氧、氮、碳及氫之氣體成分的純度99.9999%以上之銅作為基體，並使其於氧濃度0.1 ppm以下熔解、凝固而進行製造，可獲得不良斷線率較少、超LSI用之配線。藉由減少銅材料中之雜質量而減少斷線不良等。
於專利文獻5中，揭示有藉由使用「於純度99.995%以上之銅中，使再結晶組織之平均結晶粒徑為80微米以下，且使維氏硬度為100以下」之濺鍍靶，而抑制濺鍍粒子之濺出之擴大及粗大團簇產生。
於專利文獻6中，揭示有於已去除氣體成分之純度99.999%以上之銅中，提高濺鍍面中之(111)面之X射線繞射峰強度I(111)，使平均粒徑為250μm以下，且使由位置所致之粒徑不均在20%以內，藉此使膜厚均勻性良好。
於專利文獻7中，揭示有藉由使於表面朝向(110)面之結晶之體積為80%以上，且使該等結晶自表面至中心均勻地分佈，而使銅原子之濺出垂直於表面，能夠於縱橫比較大之槽之深處製膜。
於專利文獻8中，揭示有於99.999%以上之純度之銅中，將平均結晶粒徑控制為10～30μm，使具有(111)、(200)、(220)及(311)之各配向之粒子量少於50%，且具有隨機之配向，藉此可實現均勻性及最小之粒子產生。
於先前之發明中，已能夠藉由控制成分、結晶粒徑、應變及結晶配向，而控制濺鍍粒子之濺出，控制均勻之膜生成及粗大團簇。然而，大型電視用液晶顯示器等基板尺寸之大型化正在發展，於第7代等中已成為1870 mm×2200 mm等超過2 m之基板尺寸。伴隨於此，於製成配線之濺鍍步驟中，亦必須於大型之基板上製膜，即便使用上述專利文獻中記載之方法，所生成之配線膜之膜厚於基板之每個部位變得不均勻、粗大團簇之產生變得更多等問題亦會顯現出來。另外，由於所使用之濺鍍靶自身亦大型化，因此於濺鍍靶材之每個部位，金屬組織容易變得不均勻，對膜厚精度及粗大團簇形成造成之影響變大。
[專利文獻1]日本特開平7-66423號公報
[專利文獻2]日本專利第4065959號公報
[專利文獻3]日本特開2008-166742號公報
[專利文獻4]日本專利第3727115號公報
[專利文獻5]日本專利第3975414號公報
[專利文獻6]日本專利第3403918號公報
[專利文獻7]日本專利第3997375號公報
[專利文獻8]日本專利第3971171號公報
鑒於上述先前之問題點，本發明之課題在於提供一種濺鍍靶用銅材料，其在利用濺鍍步驟對用於TFT液晶面板等之大型基板製成配線時，比先前更均勻地產生粒子，且於使用中該粒子之產生頻率亦不易發生變化。
本發明人等藉由對上述課題潛心研究而發現，藉由控制濺鍍面內及自濺鍍面起於板厚深度方向深入之位置的結晶粒徑於該面內之不均及該面間之不均，較佳為此外亦控制對於硬度之同樣之不均，而提供適合作為能夠製作均勻之配線膜的濺鍍靶之銅材料。
本發明係基於該見解而完成者。
即，本發明提供
(1)一種濺鍍靶用銅材料，其特徵在於：其由純度為99.99%以上之高純度銅構成，且於濺鍍面、自該濺鍍面起於板厚深度方向1/4板厚之位置的與濺鍍面平行之面、及自該濺鍍面起於板厚深度方向1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面所測定的結晶粒徑之算術平均分別為100～200μm，於各測定面內及各測定面之間，結晶粒徑之標準偏差為10μm以內；
(2)如(1)之濺鍍靶用銅材料，其中，於濺鍍面、自該濺鍍面起於板厚深度方向1/4板厚之位置的與濺鍍面平行之面、及自該濺鍍面起於板厚深度方向1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面所測定的硬度之算術平均分別為51～100 Hv，於各測定面內及各測定面之間，上述硬度之標準偏差為5 Hv以內；
(3)如(1)或(2)之濺鍍靶用銅材料，其係經熱加工，於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷而製造；
(4)如(1)或(2)之濺鍍靶用銅材料，其係經熱加工，於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷，該水冷之後，進行冷軋而製造；
(5)一種濺鍍靶用銅材料之製造方法，其係製造(1)或(2)項之濺鍍靶用銅材料之方法，其特徵在於包括：對純度為99.99%以上之高純度銅進行熱加工之步驟、及於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷之步驟；及
(6)如(5)之濺鍍靶用銅材料之製造方法，其包括於該水冷之後，以冷軋率之總和成為30%以下之方式進行冷軋之步驟。
藉由本發明，可提供適合作為能夠製作均勻之配線膜的濺鍍靶之銅材料。本發明之濺鍍靶用銅材料，在利用濺鍍步驟對用於TFT液晶面板等之大型基板製成配線時，比先前更均勻地產生粒子，且於使用中亦難以引起該粒子之產生頻率之變化。
參照適當地隨附之圖式，由下述之記載應可更加明瞭本發明之上述及其他特徵及優點。
本發明之濺鍍靶用銅材料係於純度為99.99%以上之高純度銅(以下簡稱為「純銅」)中，將濺鍍面內及板內部之與濺鍍面平行之面中的微組織之結晶粒徑設為特定範圍，於較佳實施態樣中，進而將硬度設為特定範圍者。
作為濺鍍靶用之銅材料，必須具有99.99%以上之純度(質量基礎)。作為製造純銅之鑄錠時的原料之電解銅中含有某種程度之雜質，純銅之鑄錠中亦出現該等雜質。雜質之中，特別是將B、Al、Si、P、As、Sb、Bi之含量分別抑制為5 ppm以下較理想。因為該等元素係作為Si半導體之摻雜劑而利用之元素，有可能對半導體特性造成不良影響。更佳之純度為99.995%以上。
濺鍍靶用之銅材料要求組織之均勻性，因此藉由熱加工而破壞由鑄造凝固所致之不均勻之組織而具有再結晶組織較理想。於再結晶組織之結晶粒徑較小之情形時，晶界之總面積會隨之變大，而晶界係原子排列混亂之部分，濺鍍時之元素之易飛濺度與粒內不同，所形成之膜容易變得不均勻。另外，於結晶粒徑較大之情形時，為了使靶物質飛起需要較高之能量，靶原子大量凝聚而濺出，粗大團簇之形成增多，所形成之膜容易變得不均勻。於本發明中，結晶粒徑之算術平均為100～200μm，較佳為120～180μm，更佳為130～170μm。
抑制結晶粒之不均，重要的是控制靶物質之濺出，以進行均勻之製膜。濺鍍靶材係在使用中於板厚方向進行切削，使用板厚之1/3～1/2左右後再進行交換。為了利用濺鍍進行均勻之製膜，需要靶之面內及板內部之均勻性。藉由將濺鍍面(於平板材料之情況下為其中一個平面之板表面)、與自濺鍍面起於1/4板厚及1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面中的結晶粒徑之分佈控制為標準偏差10μm以內，可提供於整個面上具有均勻之金屬組織之濺鍍靶，能夠利用濺鍍實現均勻之製膜。若標準偏差超過10μm，則成為不均勻之金屬組織，無法實現均勻之製膜。於各測定面內及各測定面之間，結晶粒徑之標準偏差較佳為8μm以下，更佳為6μm以下。
於本發明中，結晶粒徑之測定之樣本數於各面內設為6個以上。測定部位係設為於各面內於長邊方向至少等分割為3個、並測定各分割區域內之測定數相等之數者。各測定部位之結晶粒徑設為藉由JIS H 0501(切割法)所測定之平均粒徑(結晶粒度)。
另外，由於銅材料固有之應變會對靶物質之濺出造成影響，因此較佳為加以控制。若材料中固有之應變於每個部位不均，由於能量與周圍不同，因此靶物質之濺出方式於每個部位不同，無法實現均勻之製膜。銅材料內部之應變可藉由進行硬度測定而評價。藉由以硬度為指標控制固有之應變，可提供不均較小之銅材料。於本發明中，硬度((顯微)維氏硬度)之算術平均較佳為51～100 Hv，更佳為51～90 Hv。若應變過多、即硬度過硬，則靶原子大量凝聚而濺出，粗大團簇之形成增多，所形成之膜容易變得不均勻，使硬度在100 Hv以下較理想。另外，「伸銅品數據手冊(第2版)」(日本伸銅協會編、2001年3月31日第2版發行61頁)中有記載：「一般而言，於無氧銅(C1020)之中，完全地進行再結晶或退火，並進行拉伸強度達到最低之熱處理之情形(O材)時之硬度為51～59 Hv」，將其值設為上述較佳範圍之下限值。
再者，硬度之調節係藉由軋延等冷加工而進行，將冷加工之加工率抑制為30%以下左右，藉此可使硬度之較佳範圍之上限值為100 Hv以下，從而簡便地獲得硬度為51～100 Hv之銅材料。
如上所述，冷加工係為調節硬度而實施。加工率為0%、即完全退火之狀態(O材)下之硬度為51～59 Hv，若提高加工率，則硬度緩慢提高，加工率為30%時硬度達到100 Hv。若加工率過高，則硬度會超過100 Hv，而產生上述問題。
於本發明中，較佳為與結晶粒徑同樣地，將濺鍍面、與1/4板厚及1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面內的硬度之分佈控制為標準偏差5 Hv以內，藉此可提供於整個面上具有均勻之金屬組織之濺鍍靶，能夠利用濺鍍進行均勻之製膜。若硬度之標準偏差超過5 Hv，則成為不均勻之金屬組織，無法實現均勻之製膜。於各測定面內及各測定面之間，硬度之標準偏差更佳為3 Hv以下。
於本發明中，硬度之測定之樣本數於各面內設為6個以上。測定部位係設為於各面內於長邊方向至少等分割為3個、並測定各分割區域內之測定數相等之數者。
本發明之濺鍍靶用銅材料之製造方法並無特別限定，但為了於濺鍍面及板內部控制結晶粒徑及硬度，較佳為於製造工序中注意如下所示要點。本發明中之銅材料之較佳製造方法係採用熔解鑄造-熱加工-冷軋-熱處理之步驟。另外，於熱加工與冷加工之間亦可包含端面切削之步驟。另外，亦可重複進行冷軋與熱處理。此處，熱加工為熱軋及熱擠壓等，係指將利用熔解鑄造工序所獲得之鑄錠於高溫下進行加工之工序。藉由注意如下所示進行製造，能夠製作滿足上述金屬組織之規定之銅材料，於作為如組合帶狀板而進行靶製造之類的大型顯示器用靶材時，可獲得容易均勻地形成濺鍍膜之效果。
熱加工於加工中產生動態再結晶，所形成之再結晶粒在材料溫度仍為高溫期間進行粒成長。於用作濺鍍靶之銅材料中，由於結晶粒徑基本上由該熱加工決定，較佳為對該步驟進行控制。
於先前之熱軋工序中，產生動態再結晶後，曝露於大氣中之時間較長，難以將結晶粒徑控制為所期望之大小。另外，因板之端部於大氣中之冷卻較大，故存在結晶粒徑於材料之寬度方向端部及長邊端部與中央部變得不均勻之問題。
於利用熱軋工序進行熱加工之情形時，於本發明中，進行熱加工，於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷，藉此可控制為結晶粒之所期望之大小。此處，所謂熱加工後立即，於熱軋之情形時，係指離開輥後60秒以內，另外，於熱擠壓之情形時，係指自模具擠出後10秒以內。
由熱軋前之純銅構成之材料之加熱溫度於700～1000℃之範圍內進行較理想。於材料之加熱溫度低於700℃之情形時，擠壓中不會充分地產生動態再結晶而無法獲得均勻之金屬組織。於高於1000℃之情形時，難以控制結晶粒徑。於熱軋中，為避免由於搬送輥及側邊輥之除熱而使材料端部等局部冷卻，必須使材料不停滯。藉由避免端部之冷卻，而於材料整個面上獲得均勻之組織，可縮小銅材料內部之結晶粒徑及硬度之不均。熱軋之軋延係進行數次之道次，最終之道次後利用水冷進行冷卻較理想。為使結晶粒徑為上述100～200μm，將最終道次後至進行水冷之時間設為60秒以內，將水冷之冷卻速度設為50℃/秒以上較理想，更佳為設為70℃/秒以上。
冷卻速度更佳為100℃/秒以上。該冷卻速度之上限值並無特別限制，但實際上，通常為300℃/秒左右以下。另外，較佳為進行冷卻直到材料達到200℃以下。
就熱加工而言，相對於熱軋，熱擠壓工序於更加嚴密地進行結晶粒徑及硬度之控制之方面較佳。本發明中之熱擠壓工序，因可無須使經擠壓之材料曝露於大氣中而直接進行水冷，故能夠於動態再結晶後立即以較快之速度進行冷卻。因此，獲得材料內部之溫度變動較小、於長邊方向(自經擠壓之材料之前端朝向後端之方向)及寬度方向結晶粒徑及硬度之不均非常小之金屬組織。於利用熱擠壓工序進行熱加工之情形時，較佳為於700～1000℃之範圍內進行熱擠壓前之材料之加工。於材料之加熱溫度低於700℃之情形時，於擠壓中不會充分地產生動態再結晶，難以獲得均勻之金屬組織。於高於1000℃之高溫之情形時，難以控制結晶粒徑。為使結晶粒徑為上述100～200μm，將熱擠壓後立即進行之冷卻之速度設為50℃/秒以上較理想。
冷卻速度更佳為100℃/秒以上。該冷卻速度之上限值並無特別限制，但實際上，通常為300℃/秒左右以下。另外，較佳為進行冷卻直到材料達到200℃以下。
相對於此，於熱鍛造中，對於因應近年來之靶之大型化要求之尺寸，難以消除鍛造後之冷卻之不均勻，無法獲得均勻之結晶粒組織。
熱加工後之材料亦可進行冷軋及退火而進行調質。冷加工率之總和設為30%以下(包含0%，表示未軋延)較理想。若冷加工率之總和超過30%，則材料內部之應變量增多，容易超過硬度之規定值。
如上所述於熱加工(熱擠壓或熱軋)後立即進行冷卻、視需要進行冷軋所製造之材料，較佳為藉由車床加工等任意之機械加工等將平板狀之材料加工為靶形狀，用於濺鍍。
【實施例】
以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等。
實施例1
(本發明例1～3、比較例5～7)
以表1-1所示之純度(mass%)製作板厚150 mm、寬度220 mm、長度2100 mm之尺寸之鑄錠。將該等利用表1-1所示之加熱溫度加熱後，進行熱軋，製成厚度23 mm、寬度220 mm、長度約13 m之素板。熱軋時以材料不於搬送輥上停滯之方式進行，將最終道次至水冷之時間設為45秒。水冷係使其通過搭載有噴水器之水冷帶，以表1-1所示之50℃/秒以上之冷卻速度而進行。其次對所獲得之素板之表面之氧化膜進行端面切削而使板厚成為22 mm後，利用冷軋製成厚度20 mm×寬度220 mm，進而切割去除邊緣部分，藉此製成厚度20 mm×寬度200 mm×長度約12 m之平板之本發明例1～3及比較例5～7之濺鍍靶用銅材料。
(比較例8)
除將最終道次至水冷之秒數設為90秒以外，以與本發明例1～3同樣之方式製成比較例8之濺鍍靶用銅材料。
(比較例9)
除將水冷速度設為12℃/秒以外，以與本發明例1～3同樣之方式製成比較例9之濺鍍靶用銅材料。再者水冷速度之變更係利用水冷帶中之通過速度與噴水器流量進行調整。
(比較例10)
除不進行水冷以外，以與本發明例1～3同樣之方式製成比較例10之濺鍍靶用銅材料。
(本發明例4)
使熱軋結束之板厚為28 mm，對表面之氧化膜進行端面切削，使板厚為27 mm後，進行冷軋，除此以外，以與本發明例1～3同樣之方式製成本發明例4之濺鍍靶用銅材料。
(比較例11)
使熱軋結束之板厚為31 mm，對表面之氧化膜進行端面切削，使板厚為30 mm後，進行冷軋，除此以外，以與本發明例1～3同樣之方式製成比較例11之濺鍍靶用銅材料。
關於以此方式所得之本發明例及比較例之平板之銅材料21，在基於圖2之模式性立體圖的說明圖所示之板表面22、自板表面22起於板厚深度方向1/4板厚位置的與板表面22平行之面23、及自板表面22起於板厚深度方向1/2板厚位置的與板表面22平行之面24的各個面上，於材料之長邊方向(即加工方向)之軋延前端部(長邊前端)的寬度方向之中央部(31，41，51)及側(端)部(32，42，52)、長邊方向之中央部(長邊中央)的寬度方向之中央部(33，43，53)及側(端)部(34，44，54)、長邊方向之後端部(長邊後端)的寬度方向之中央部(35，45，55)及側(端)部(36，46，56)之6個部位之共計18個部位，藉由下述方法測定結晶粒徑、及硬度。
另外，圖2中，圖2(a)為表示銅材料21之整體之立體圖，圖2(a)中，虛線25表示自板表面22起於板厚深度方向1/4板厚之位置，虛線26表示自板表面22起於板厚深度方向1/2板厚之位置。
另外，圖2(b)～(c)分別相當於沿著虛線25及26將圖2(a)之銅材料21分解之銅材料21a、21b、21c之分解立體圖。
另外，如基於圖3之模式性立體圖的說明圖，自本發明例及比較例之平板之銅材料21，於板表面22、自板表面22起於1/4板厚之位置的與板表面22平行之面23、及自板表面22起於1/2板厚之位置的與板表面22平行之面24之各個面上，於軋延前端部(長邊前端)(61，64，67)、中央部(長邊中央)(62，65，68)、後端部(長邊後端)(63，66，69)之3個部位之共計9個部位，以面22、23、24分別為靶面(濺鍍面)之方式切下直徑6英吋之圓形板，利用下述方法調查濺鍍特性。再者，圖3為與圖2同樣之銅材料21之整體立體圖(圖3(a))及其分解立體圖(圖3(b)～(c))，與圖2中之符號相同之符號表示與圖2中者相同之含義。
[1]結晶粒徑
銅材料板中之結晶粒徑係於上述部位31～36、41～46、51～56之面進行微組織觀察，基於JIS H 0501(切割法)進行測定。
[2]硬度
銅材料板中之硬度係於上述部位31～36、41～46、51～56之面，基於JIS Z 2244利用顯微維氏硬度試驗機進行測定。
[3]濺鍍特性
自所獲得之銅材料板，於圖3所示之位置61～69切下直徑Φ 6英吋(15.24 cm)、厚度6 mm，進行研磨而製成濺鍍靶。為消除靶面之粗糙度之影響，粗糙度係將所有最大粗糙度Ra研磨為0.5～0.8μm並使其一致。使用如上所述而製成之濺鍍靶，利用DC磁控濺鍍裝置，對膜厚0.7 mm之日本電氣硝子公司製造之OA-10玻璃基板實施濺鍍而製成0.3μm膜厚之銅配線。濺鍍條件為將Ar氣壓力設為0.4 Pa，將放電功率設為12 W/cm2 。其後於真空中進行300℃、30 min之熱處理。對熱處理後之銅配線之膜厚進行10點測定。於9片自同一板切下之靶材之總數90點中，將最大膜厚及最小膜厚之範圍達到±7%之板設為「良」，將存在其以上之不均者設為「不良」。
將上述[1]～[3]之結果示於表1-2。本發明例均呈現出良好之濺鍍特性。比較例5因雜質量變多而濺鍍特性變得不良。比較例6、7、9及10因結晶粒徑及其標準偏差偏離規定值而濺鍍特性變得不良。比較例8因結晶粒徑及硬度之標準偏差均偏離規定值而濺鍍特性變得不良。
另外，比較例11(上述(2)項之發明之比較例)因偏離硬度算術平均之規定值，故無法獲得均勻之厚度之膜，濺鍍特性變得不良。
[表1-1]
實施例2
(本發明例101～103、比較例105～108)
製作具有表2-1所示之純度的直徑300 mm×長度800 mm之純銅之鑄錠，作為熱擠壓用之小坯。將上述小坯加熱至表2-1所示之加熱溫度後，進行擠壓，接著將擠壓材料立即以表2-1所示之冷卻速度水冷至150℃以下，獲得厚度22 mm×寬度200 mm之素板。其次於冷卻狀態下對上述素板進行軋延，製造厚度20 mm×寬度200 mm×長度約12 m之平板之本發明例101～103及比較例105～108之濺鍍靶用銅材料。
(本發明例104)
使擠壓後板厚為27 mm而製成素板，利用冷軋製成厚度20 mm之平板，除此以外以與本發明例101～103同樣之方式製作本發明例104之濺鍍靶用銅材料。
(比較例109)
使擠壓後板厚為30 mm而製成素板，利用冷軋製成厚度20 mm之平板，除此以外以與本發明例101～103同樣之方式製成比較例109之濺鍍靶用銅材料。
關於所獲得之利用熱擠壓而成之平板，在與實施例1相同之位置，與實施例1同樣調查結晶粒徑、硬度及濺鍍特性。將結果示於表2-2。
如表2-2所示之結果，本發明例101～104均滿足特性。比較例105因雜質量較多而濺鍍特性變得不良。比較例106在熱擠壓時材料之變形阻力過高，材料無法恰當地進行擠壓而無法獲得樣本。比較例107及108因偏離結晶粒徑之算術平均與標準偏差之規定而濺鍍特性變得不良。比較例109(上述(2)項之發明之比較例)因偏離硬度算術平均之規定值而無法獲得均勻之厚度之膜，濺鍍特性變得不良。
對本發明及其實施態樣一併進行了說明，但只要本發明者未特別指定，則於說明之任一細節中均不對本發明加以限定，應在不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神及範圍的情況下，進行廣泛之解釋。
本案係基於2009年9月18日於日本提出申請之日本專利特願2009-216579而主張優先權，該案以參照之形式將其內容作為本說明書之記載之一部分而併入本文中。
1．．．TFT元件
2．．．玻璃基板
3．．．掃描線
4．．．閘極電極
5．．．絕緣膜
6．．．非晶矽層
7．．．摻磷非晶矽層
8、9．．．源極-汲極電極
10．．．氮化矽之保護膜
11．．．摻錫氧化銦膜
12．．．障壁層
21、21a、21b、21c．．．平板之銅材料
22．．．板表面
23．．．自板表面起於板厚深度方向1/4板厚位置的與板表面平行之面
24．．．自板表面起於板厚深度方向1/2板厚位置的與板表面平行之面
25．．．自板表面起於板厚深度方向1/4板厚之位置
26．．．自板表面起於板厚深度方向1/2板厚之位置
31、41、51．．．長邊方向之軋延前端部(長邊前端)的寬度方向之中央部
32、42、52．．．長邊方向之軋延前端部(長邊前端)的寬度方向之側(端)部
33、43、53．．．長邊方向之中央部(長邊中央)的寬度方向之中央部
34、44、54．．．長邊方向之中央部(長邊中央)的寬度方向之側(端)部
35、45、55．．．長邊方向之後端部(長邊後端)的寬度方向之側(端)部
36、46、56．．．長邊方向之後端部(長邊後端)的寬度方向之側(端)部
圖1係表示液晶顯示器中之TFT元件的構造一例之概略剖面圖。
圖2係實施例1中之測定試驗之取樣之說明圖。
圖3係實施例2中之測定試驗之取樣之說明圖。

Claims (6)

  1. 一種濺鍍靶用銅材料，其特徵在於：其由純度為99.99%以上之高純度銅構成，且於濺鍍面、自該濺鍍面起於板厚深度方向1/4板厚之位置的與濺鍍面平行之面、及自該濺鍍面起於板厚深度方向1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面所測定的結晶粒徑之算術平均分別為100～200μm，於各測定面內及各測定面之間，結晶粒徑之標準偏差為10μm以內。
  2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶用銅材料，其中，於濺鍍面、自該濺鍍面起於板厚深度方向1/4板厚之位置的與濺鍍面平行之面、及自該濺鍍面起於板厚深度方向1/2板厚之位置的與濺鍍面平行之面所測定的硬度之算術平均分別為51～100 Hv，於各測定面內及各測定面之間，該硬度之標準偏差為5 Hv以內。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶用銅材料，其係經熱加工，於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷而製造。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶用銅材料，其係經熱加工，於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷，該水冷之後，進行冷軋而製造。
  5. 一種濺鍍靶用銅材料之製造方法，其係製造申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶用銅材料之方法，其特徵在於包括：對純度為99.99%以上之高純度銅進行熱加工之步驟、及於該熱加工後立即以冷卻速度50℃/秒以上進行水冷之步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項之濺鍍靶用銅材料之製造方法，其包括於該水冷之後，以冷軋率之總和成為30%以下之方式進行冷軋之步驟。
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