TWI504769B - Copper material for sputtering target and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

濺鍍靶用銅材料及其製造方法

本發明係關於一種作為濺鍍靶而使用之銅材料及其製造方法。

近年來，自移動PC(Personal Computer，個人電腦)、行動電話終端等小型電子機器至大型電視為止，於各種尺寸中使用平板顯示器。於分類為平板顯示器之液晶顯示器或有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器中，為滿足對高畫質、動態圖像之高速描繪之要求，而開發於像素點中插入有薄膜電晶體(Thin Film Transistor：以下記為TFT)元件者，目前正成為主流。

圖1中以剖面來圖示液晶顯示器中之TFT元件之構造一例。TFT元件1係：於玻璃基板2之上有掃描線3及閘極電極4(掃描線之一部分，作為進行TFT之ON/OFF控制而具有功能)。以利用氮化矽之絕緣膜5進行覆蓋之形態形成閘極電極，於絕緣膜5之上依序形成非晶矽(以下記為a-Si)層6、摻雜P(磷)之a-Si層7、源極-汲極電極8及9。以覆蓋其等之方式形成氮化矽之保護膜10。於像素區域配置有摻錫氧化銦(以下記為ITO(Indium Tin Oxide))膜11。

先前，掃描線、閘極電極、及源極-汲極電極係使用Mo、Cr之類的高熔點金屬或鋁及其合金等。然而，隨著液晶顯示器之大型化或高像素化，由配線長度增加、信號延遲、電力損失等所引起之圖像顯示不均等問題顯現出來。因此電阻率較低之銅配線開始受到關注。

TFT元件之配線使用銅配線膜之問題可舉出：若於玻璃基板上直接形成Cu膜，則Cu配線膜由於Cu/玻璃界面之密著性較差而自玻璃剝離。

作為用於解決該剝離之問題之發明，提出有專利文獻1～3等中所記載之技術。

於專利文獻1中，係藉由在銅配線與玻璃基板之間插入鉬等高熔點金屬，形成與玻璃基板之密著性優異之障壁層，而抑制剝離。

於專利文獻2及3中，係藉由使用將銅合金化而成之靶，而使氧化物形成於銅配線與玻璃基板界面，使合金元素富集於銅配線與玻璃基板界面等，藉由該等方法抑制剝離。

如專利文獻2及3之發明，亦開發有銅合金化等方法，但目前在工業上，係如專利文獻1所記載之發明，將與玻璃之密著性較好之Mo或Ti等作為圖1記載之障壁層12而形成於銅配線之下，藉此改善剝離，並利用濺鍍而形成純銅之配線。

TFT元件之閘極電極之形成步驟中所要求之重要特性之一，可舉出配線膜之基板面內均勻性。由於膜之均勻性、即膜厚之不同或凹凸等之存在，而使TFT內之電容變得不均勻，因此對顯示造成不良影響。另外，於TFT元件製造步驟中，若存在膜厚之不同、或粗大之團簇(cluster)(微粒、飛濺等)，則有於蝕刻製成配線電極時引起斷線及短路等配線不良之虞。

作為於藉由濺鍍步驟形成成為半導體配線等之純銅膜之情形時，可製成均勻之配線膜且可抑制粗大團簇及抑制斷線不良的濺鍍靶之發明，提出有專利文獻4～8等中所記載之技術。

於專利文獻4中，揭示有如下之濺鍍靶，其藉由將不記氧、氮、碳及氫之氣體成分的純度99.9999%以上之銅作為基體，並使其於氧濃度0.1 ppm以下熔解、凝固而進行製造，可獲得不良斷線率較少、超LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)用之配線。藉由減少銅材料中之雜質量而減少斷線不良等。

於專利文獻5中，揭示有藉由使用於純度99.995%以上之銅中，使再結晶組織之平均結晶粒徑為80微米以下，且使維氏硬度為100以下之濺鍍靶，而抑制濺鍍粒子之濺出之擴大及粗大團簇產生。

於專利文獻6中，揭示有於不記氣體成分之純度99.999%以上之銅中，提高濺鍍面中之{111}面之X射線繞射峰強度I{111}，使平均粒徑為250 μm以下，且使由位置所致之粒徑偏差為20%以內，藉此使膜厚均勻性良好。

於專利文獻7中，揭示有藉由使於表面朝向{110}面之結晶之體積為80%以上，且使該等結晶自表面至中心均勻地分佈，而使銅原子之濺出垂直於表面，能夠於縱橫比較大之槽之深處形成薄膜。

於專利文獻8中，揭示有於99.999%以上之純度之銅中，將平均結晶粒徑控制為10～30 μm，使具有{111}、{200}、{220}及{311}之各配向之粒子量少於50%，且具有隨機之配向，藉此可實現均勻性及最小之粒子產生。

於先前之發明中，已能夠藉由控制成分、結晶粒徑、應變及結晶配向，而控制濺鍍粒子之濺出，控制均勻之膜生成及抑制粗大團簇。然而，大型電視用液晶顯示器等基板尺寸之大型化正在發展，於第7代等中已成為1870 mm×2200 mm等超過2 m之基板尺寸。伴隨於此，於製成配線之濺鍍步驟中，亦必須於大型之基板上形成薄膜，即便使用上述專利文獻中記載之方法，所生成之配線膜之膜厚於基板之每個部位變得不均勻、粗大團簇之產生變得更多等問題顯現出來。另外，由於所使用之濺鍍靶自身亦大型化，因此於濺鍍靶材之每個部位，金屬組織容易變得不均勻，對膜厚精度及粗大團簇造成之影響變大。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平7-66423號公報

[專利文獻2]日本專利第4065959號公報

[專利文獻3]日本專利特開2008-166742號公報

[專利文獻4]日本專利第3727115號公報

[專利文獻5]日本專利第3975414號公報

[專利文獻6]日本專利第3403918號公報

[專利文獻7]日本專利第3997375號公報

[專利文獻8]日本專利第3971171號公報

鑒於上述先前之問題點，本發明之課題在於提供一種濺鍍靶用銅材料，其在利用濺鍍步驟對用於TFT液晶面板等之大型基板製成配線時，比先前更均勻地產生粒子，且於使用中亦難以引起該粒子之產生頻率之變化。

本發明者等人藉由對上述課題進行銳意研究而發現，藉由將結晶之配向及結晶粒控制於特定之範圍內，另外，藉由適當使用可更加均勻地組織控制製造方法之熱擠壓法，可提供一種適於能夠製作均勻之配線膜的濺鍍靶之銅材料。

本發明係基於該見解而成者。

亦即，本發明係提供：

(1)一種濺鍍靶用銅材料，其特徵在於：其由純度為99.99%以上之高純度銅所構成，進行濺鍍之面中之{111}面、{200}面、{220}面、及{311}面各自之X射線繞射之峰強度，即I{111}、I{200}、I{220}、及I{311}滿足下述式(1)，且結晶粒之粒徑為100～200 μm；

I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≧0.4　(1)

(2)如(1)項之濺鍍靶用銅材料，其係對純度為99.99%以上之高純度銅之鑄錠進行熱擠壓，將經擠壓之材料於該熱擠壓後立即冷卻而製造；

(3)如(1)項之濺鍍靶用銅材料，其係對純度為99.99%以上之高純度銅之鑄錠進行熱擠壓，將經擠壓之材料於該熱擠壓後立即冷卻，其後進行冷軋而製造；

(4)如(1)項之濺鍍靶用銅材料，其係於700～1050℃下對純度為99.99%以上之高純度銅之鑄錠進行熱擠壓，將經擠壓之材料於該熱擠壓後立即以50℃/秒以上之冷卻速度冷卻而製造；

(5)一種濺鍍靶用銅材料之製造方法，其係製造如(1)項之濺鍍靶用銅材料之方法，其特徵在於包含如下步驟：於700～1050℃下對純度為99.99%以上之高純度銅進行熱擠壓，將經擠壓之材料於熱擠壓後立即以50℃/秒以上之冷卻速度冷卻。

藉由本發明，可提供一種適於能夠製作均勻之配線膜的濺鍍靶之銅材料。本發明之濺鍍靶用銅材料，在利用濺鍍步驟對用於TFT液晶面板等之大型基板製成配線時，比先前更均勻地產生粒子，且於使用中亦難以引起該粒子之產生頻率之變化。

參照適當地隨附之圖式，並根據下述之記載而闡明本發明之上述及其他特徵及優點。

本發明之濺鍍靶用銅材料，係於由純度為99.99%以上之高純度銅(以下，簡稱為「純銅」)所構成之銅材料中，將材料表面之微組織之結晶配向及結晶粒徑設為特定之範圍者。

純銅若藉由退火而進行再結晶，則容易生成{111}面、{200}面、{220}面、及{311}面。通常該等係隨機配向，但本發明者等人發現，該等之中{200}面之濺鍍特性尤為優異，將{111}面、{200}面、{220}面、及{311}面各自之X射線繞射之峰強度設為I{111}、I{200}、I{220}、及I{311}時，當I{200}之比例為40%以上，亦即滿足下述式(1)之情形時，會形成濺鍍特性、例如成膜時之膜厚之均勻性與膜質之均質性優異者。

I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≧0.4　(1)

式(1)之左邊即

I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})

之值(以下，定義為結晶配向度)小於0.4之情形時，無法充分地發揮I{200}之效果，因此宜為0.4以上，較佳為0.5以上，更佳為0.7～0.9。

於本發明中，上述各面之X射線繞射之峰強度係使X射線自銅材料之做為靶使用之表面入射而測定之各繞射面的強度之峰值。

結晶粒徑亦與結晶配向同樣對濺鍍特性造成影響。本發明之濺鍍靶用銅材料之結晶粒之粒徑為100～200 μm，較佳為110～190 μm，更佳為120～180 μm。

於結晶粒徑較小之情形時，結晶粒界相對地變多，但結晶粒界之原子排列混亂，濺鍍時之元素之易飛濺度與粒內不同，因此所形成之膜容易變得不均勻。另外，於結晶粒徑較大之情形時，為使靶物質飛起而必需較高之能量，使數個靶原子同時濺出等粗大團簇之形成增加，所形成之膜容易變得不均勻。

另外，於本發明中，結晶粒之粒徑表示基於JIS H 0501(切割法)所測定之平均粒徑(粒度)。

再者，推測{200}面之濺鍍特性優異之主要原因在於：於考慮FCC(Face-Centered Cubic，面心立方)金屬中之各面之原子密度之情形時，{111}面最多，其次{200}面較多，但{111}面最密，因此為使1個原子飛起所需之能量較大，平衡最佳者為{200}面。

本發明之濺鍍靶用銅材料之製造方法並無特別限定，作為提高{200}面之配向之製造程序，較佳為使用熱擠壓。熱擠壓時預先將材料之加熱溫度設為700℃以上為宜。於低於700℃之情形時，無法於擠壓中充分地產生動態再結晶，難以獲得(1)式之關係。再者，加熱溫度之上限並無特別限定，但由於純銅之熔點約為1080℃，故若過高則小坯會部分性地熔解而無法進行擠壓。熱擠壓之溫度更佳為750～900℃。熱擠壓可使用通常之擠壓機，且可以任意之壓力進行。

經熱擠壓之材料之溫度非常高，通常於短時間內結晶粒粗大化、成長，成為200 μm以上。為防止該情況並使結晶之粒徑為100～200 μm，較佳為於擠壓後立即(通常為自模具擠出後5秒以內)藉由水冷等將材料以50℃/秒以上之冷卻速度冷卻。冷卻速度更佳為100℃/秒以上。該冷卻速度之上限值並無特別限制，實際上通常為300℃/秒左右以下。另外，較佳為進行冷卻直至材料成為200℃以下為止。

結晶之配向、即上述式(1)所示之結晶配向度由於熱加工時之加工之方向(金屬流根據鍛造、軋製、擠壓而不同，因此方向分別發生改變)、加工率(量)、溫度等發生各種變化。藉由熱擠壓進行加工，容易將上述結晶配向度控制為滿足本發明所規定之上述式(1)所示之條件。另外，於自上述動態再結晶至粒成長之階段，結晶配向大致確定。除此以外，為固定熱擠壓組織，較佳為於上述擠壓後立即進行冷卻。藉由達成該等兩點，可獲得本發明之銅材料。

另外，就熱鍛造而言，對應近年來之靶之大型化要求之尺寸，難以消除鍛造後之冷卻之不均勻，無法獲得均勻之結晶粒組織。

另外，為獲得上述結晶配向或結晶粒徑，純銅之純度變得重要。作為製造純銅之鑄錠時的原料之電解銅中含有某種程度之雜質，純銅之鑄錠中亦出現該等雜質。若雜質較多，則材料之耐熱性提高，難以產生再結晶，變得難以獲得結晶配向。於本發明中，純銅之純度必須為99.99%以上，較佳為99.995%以上。再者，於上述熱擠壓及緊跟其後之冷卻之前後，純銅之純度實質上並無變化。

作為熱擠壓之優異之方面，可舉出：可於擠壓材料之前端～後端及寬度方向上以較小之偏差進行利用上述結晶配向或冷卻速度之結晶粒徑控制。

先前銅靶材係藉由熱軋而製造，但由於熱軋係經幾道次～十幾道次而使經加熱之錠坯逐漸變薄，故於軋製中產生溫度下降，該溫度下降容易於材料之前後端產生差異。另外，寬度方向之兩側之溫度由於散熱而容易下降。進而最後實施之水冷，一般係自軋製材料之單側逐漸進入水冷帶，因此於此處亦容易產生前後端之差異。

另一方面，由於熱擠壓係將經擠壓之材料立即冷卻而形成擠壓材料，因此不會於長度方向及寬度方向上產生冷卻過程之溫度差。所產生之溫度差為擠壓開始與擠壓結束之小坯之溫度下降，但由於與熱軋相比加工時間較短，因此下降量較少，亦會產生加工發熱之蓄積，故溫度差幾乎不會成為問題。如此，利用熱擠壓所製造之材料於長度方向、寬度方向上特性偏差較小，因此將其用作組合短片狀板而進行靶製造之類的大型顯示器用靶材料時，有容易均勻地形成濺鍍膜之效果。

另外，更佳為將熱擠壓所獲得之擠壓材料，於該熱擠壓後立即將材料冷卻之步驟之後，進行冷軋。可藉由與先前相同之條件而進行冷軋。

另外，由於銅材料中固有之應變會對靶物質之濺出產生影響，因此較佳為預先對其進行控制。銅材料內部之應變可藉由進行硬度測定而評估。於本發明中，硬度較佳為51～100 Hv(維氏硬度)之範圍。若應變過多，則靶原子較多地聚集並濺出而增加粗大團簇之形成，所形成之膜容易變得不均勻，期望使硬度為100 Hv以下。再者已知，一般而言，關於無氧銅(C1020)，完全地進行再結晶或退火，並進行拉伸強度達到最低之熱處理之情形(O材)時之硬度為51～59 Hv(「伸銅品數據手冊(第2版)」日本伸銅協會編2009年3月31日第2版發行61頁)，硬度之較佳範圍之下限值係基於該值者。

再者，硬度之調節係藉由軋製等冷加工而進行，將冷加工之加工率抑制為30%以下左右，藉此可使硬度之較佳範圍之上限值為100 Hv以下，從而簡便地獲得硬度為51～100 Hv之銅材料。

如上所述，冷加工係為調節硬度而實施。加工率為0%、即完全退火之狀態(O材)下之硬度為51～59 Hv，若提高加工率，則硬度緩慢提高，加工率為30%時硬度達到100 Hv。若加工率過高，則硬度會超過100 Hv，而產生上述問題。

將於熱擠壓後立即進行冷卻，並視需要進行冷軋所製造之材料、較佳為平板狀之材料，藉由車床加工等任意之機械加工等加工至靶形狀為止，而用於濺鍍。

[實施例]

以下，基於實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。

(實施例1)

製作具有表1所示純度之材料No.1～8的直徑300 mm×長度800 mm之鑄錠，作為熱擠壓用小坯。將上述小坯加熱至約1000℃後進行擠壓，繼而立即將擠壓材料以冷卻速度約100℃/秒進行20秒鐘水冷而獲得厚度22 mm×寬度200 mm之素板。繼而對上述素板進行冷軋，製造出厚度20 mm×寬度200 mm×長度約12 m之平板(擠壓)之濺鍍靶用銅材料No.1-1～1-8。再者，No.1-1～1-5為本發明例，No.1-6～1-8為銅之純度低於本發明例之比較例。

另外，作為先前例，係於製造程序中使用熱軋而製作平板之濺鍍靶用銅材料No.1-9～1-11。亦即，製作材料No.1、3、5之純度之厚度150 mm×寬度220 mm×長度1800 mm之鑄錠，作為熱軋用錠坯。將上述錠坯加熱至約1000℃後進行熱軋而製作出厚度23 mm×寬度220 mm之素板。熱軋時之材料冷卻係藉由於最終道次後使材料通過水冷區域而進行。繼而對所獲得之素板之表面進行平面切削後，利用冷軋製成厚度20 mm×寬度220 mm，進而切除邊緣部分，藉此製造出厚度20 mm×寬度200 mm×長度約12 m之平板(軋製)之濺鍍靶用銅材料No.1-9～1-11。

關於如此所得之No.1-1～1-12之平板之銅材料21，針對基於圖2之模式立體圖之說明圖中所示的擠壓時之長度方向前端部(長度前端)之寬度方向之中央部(22)及兩側部(端1(23)、端2(24))、擠壓時之長度方向中央部(長度中央)之寬度方向之中央部(25)及兩側部(端1(26)、端2(27))、及擠壓時之長度方向後端部(長度後端)之寬度方向之中央部(28)及兩側部(端1(29)、端2(30))之合計9個部位，藉由下述方法調查結晶方位分佈、結晶粒徑及硬度。另外，自基於圖3之模式立體圖之說明圖中所示的擠壓時之長度方向前端部(長度前端)31、擠壓時之長度方向中央部(長度中央)32、及擠壓時之長度方向後端部(長度後端)33之3個部位切下直徑6英吋之圓形板，藉由下述方法調查濺鍍特性。

[1]結晶方位分佈

關於銅材料板中之結晶方位，係於上述各部位，使X射線自做為靶來使用之表面入射，測定來自各繞射面之強度。比較其中主要之{111}、{200}、{220}及{311}面各自之繞射強度，算出上述式(1)之強度比(結晶配向度)。再者，將X射線照射之條件設為：X射線之種類為CuKα1，管電壓為40 kV，管電流為20 mA。

[2]結晶粒徑

關於銅材料板中之結晶粒徑，係於上述各部位中，於做為靶來使用之表面進行微組織觀察，並基於JIS H 0501(切割法)進行測定。

[3]硬度

銅材料板中之硬度係於做為靶來使用之表面，依據JIS Z 2244並利用微維氏硬度試驗機而進行測定。

[4]濺鍍特性

於圖3所示之位置31、32、33，自所獲得之銅材料板切下直徑Φ 6英吋(15.24 cm)、厚度8 mm，並進行研磨而製成濺鍍靶。為消除靶面之粗糙度之影響，粗糙度係將所有最大粗糙度Ra研磨為0.5～0.8 μm並使其一致。使用如上所述而製成之濺鍍靶，利用DC(Direct Current，直流)磁控濺鍍裝置，對膜厚0.7 mm之日本電氣硝子公司製造之OA-10玻璃基板實施濺鍍而製成0.3 μm膜厚之銅配線。濺鍍條件為將Ar氣壓力設為0.4 Pa，將放電功率設為12 W/cm² 。其後於真空中進行300℃、30 min之熱處理。對熱處理後之銅配線之膜厚進行10點測定，將最大膜厚及最小膜厚之範圍達到±7%者設為「良」，將存在其以上之偏差者設為「不良」。

將結果示於表2、3。本發明例之No.1-1～1-5滿足任一特性。比較例之No.1-6～1-8中，結晶配向度、結晶粒徑於材料之整個區域或一部分中偏離本發明之規定範圍，濺鍍特性幾乎為「不良」。先前例之No.1-9～1-12係利用熱軋之製造，結晶配向度於所有示例之整個區域中成為本發明之規定範圍以外。另外，雖結晶粒徑於本發明之規定範圍內，但於材料寬度方向上，兩端之結晶粒徑小於中央部，另外，於長度方向上不均勻，即後端出現結晶粒徑較大之傾向等。與本發明例相比，硬度亦於材料寬度方向、長度方向上變得不均勻。據此先前例之濺鍍特性幾乎成為「不良」。

[表1]

[表2]

[表3]

(實施例2)

製作由實施例1中之純銅No.1所構成之小坯，以表4所示之熱擠壓條件A～I進行擠壓。條件A～F為本發明例，條件G～I為比較例。再者，加熱溫度之調整係藉由加熱爐之爐溫設定而進行。另外，冷卻速度係藉由水冷帶之噴淋量之變更而進行。對所獲得之熱擠壓材料與實施例1同樣進行冷軋，而製造出厚度20 mm×寬度200 mm×長度約12 m之平板之濺鍍靶用銅材料。另外，與實施例1同樣對結晶方位分佈、結晶粒徑、硬度及濺鍍特性進行調查。

將結果示於表5、6。本發明例中製造之銅材料滿足任一特性。比較例G中製造之銅材料，其結晶配向度於本發明之規定範圍內，但結晶粒徑低於100 μm，濺鍍特性部分性地不良。比較例H中製造之銅材料，其結晶配向度於本發明之規定範圍內，但結晶粒徑超過200 μm，濺鍍特性部分性地不良。比較例I中，加熱溫度較高而於加熱爐內產生局部熔解，無法進行擠壓。

[表4]

[表5]

[表6]

對本發明及其實施態樣一併進行了說明，但只要本發明者未特別指定，則於說明之任一細節中均不對本發明加以限定，應在不違反隨附之申請專利範圍所示之發明之精神及範圍的情況下，進行廣泛之解釋。

本案係基於2009年8月28日於日本提出申請之日本專利特願2009-198982而主張優先權，本案以參照之形式將其內容作為本說明書之記載之一部分而併入本文中。

1．．．TFT元件

2．．．玻璃基板

3．．．掃描線

4．．．閘極電極

5．．．氮化矽之絕緣膜

6．．．非晶矽層

7．．．摻磷非晶矽層

8、9．．．源極-汲極電極

10．．．氮化矽之保護膜

11．．．摻錫氧化銦膜

12．．．障壁層

21．．．平板之銅材料

22．．．擠壓時之長度方向前端部(長度前端)之寬度方向之中央部

23、24．．．擠壓時之長度方向前端部(長度前端)之寬度方向之兩側部

25．．．擠壓時之長度方向中央部(長度中央)之寬度方向之中央部

26、27．．．擠壓時之長度方向中央部(長度中央)之寬度方向之兩側部

28．．．擠壓時之長度方向後端部(長度後端)之寬度方向之中央部

29、30．．．擠壓時之長度方向後端部(長度後端)之寬度方向之兩側部

31．．．擠壓時之長度方向前端部(長度前端)

32．．．擠壓時之長度方向中央部(長度中央)

33．．．擠壓時之長度方向後端部(長度後端)

圖1係表示液晶顯示器中之TFT元件的構造一例之概略剖面圖。

圖2係實施例中之結晶方位分佈、結晶粒徑、及硬度之測定試驗的取樣之說明圖。

圖3係實施例中之濺鍍特性試樣之取樣之說明圖。

1．．．TFT元件

2．．．玻璃基板

3．．．掃描線

4．．．閘極電極

5．．．氮化矽之絕緣膜

6．．．非晶矽層

7．．．摻磷非晶矽層

8、9．．．源極-汲極電極

10．．．氮化矽之保護膜

11．．．摻錫氧化銦膜

12．．．障壁層

Claims (5)

1. 一種濺鍍靶用銅材料，其係於700~1050℃下對純度為99.99%以上之高純度銅之鑄錠進行熱擠壓，於該熱擠壓後立即以50℃/秒以上之冷卻速度冷卻而製得，該濺鍍靶用銅材料之純度為99.99%以上，進行濺鍍之面中之{111}面、{200}面、{220}面、及{311}面各自之X射線繞射之峰強度，即I{111}、I{200}、I{220}、及I{311}滿足下述式(1)，且結晶粒之粒徑為100~200μm；I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≧0.4 (1)。
2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶用銅材料，其係於該冷卻後，以30%以下之加工率進行冷軋而製得。
3. 如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶用銅材料，其硬度為51~100Hv。
4. 一種濺鍍靶用銅材料之製造方法，可得到由純度為99.99%以上之高純度銅構成，且進行濺鍍之面中之{111}面、{200}面、{220}面、及{311}面各自之X射線繞射之峰強度，即I{111}、I{200}、I{220}、及I{311}滿足下述式(1)，且結晶粒之粒徑為100~200μm之濺鍍靶用銅材料；I{200}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})≧0.4 (1)；該濺鍍靶用銅材料之製造方法包含如下步驟：於700~1050℃下對純度為99.99%以上之高純度銅之鑄錠進行熱擠壓，將經擠壓之材料於熱擠壓後立即以50℃/秒以上之冷卻速度冷卻。
5. 如申請專利範圍第4項之濺鍍靶用銅材料之製造方 法，其中，於該冷卻後，以30%以下之加工率進行冷軋。