TWI480396B

TWI480396B - Production method of pure copper plate and pure copper plate

Info

Publication number: TWI480396B
Application number: TW100104284A
Authority: TW
Inventors: Toshihiro Sakai; Takahiro Takeda; Koichi Kita; Kazunari Maki; Hiroyuki Mori
Original assignee: Mitsubishi Shindo Kk; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2010-02-09
Filing date: 2011-02-09
Publication date: 2015-04-11
Also published as: WO2011099426A1; JP2011161479A; CN102712986A; JP4792116B2; CN102712986B; KR20120124405A; TW201139706A

Description

純銅板的製造方法及純銅板

本發明關於一種具有良好品質之純銅板的製造方法，特別詳細地，關於一種與具有微細的組織一起，藉由部分地再結晶化而形成雙晶組織，而賦予高特殊粒界比率之純銅板的製造方法，以及一種適用於由該製造方法所製造的濺鍍用銅靶素材或鍍敷用陽極素材等之純銅板。

本案係以2010年2月9日申請的特願2010-26455號為基礎而主張優先權，在此援用其內容。

純銅板通常係藉由將純銅的鑄錠熱間壓延或熱間鍛造後，施予冷間壓延或冷間鍛造，然後施予消除應力或再結晶化用的熱處理而製造。如此的純銅板係經由鋸子切斷、切削加工、壓花加工、冷間鍛造等加工成所欲的形狀而使用，為了減少加工時的擠裂或變形，要求結晶粒徑小，結晶組織中的殘留應力小。

又，上述方法所製造的純銅板，在最近係作為半導體元件的配線材料用之濺鍍靶使用。作為半導體元件的配線材料，向來使用Al(比電阻3.1μΩ‧cm左右)，惟隨著最近配線的微細化，更低電阻的銅配線(比電阻1.7μΩ‧cm左右)係實用化。作為此銅配線的形成製程，多在接觸孔或配線溝的凹部形成Ta/TaN等的擴散障壁層後將銅電鍍，進行將純銅濺鍍成膜以作為用於進行此電鍍的基底層(種子層)。

通常，以4N(純度99.99%以上：排除氣體成分)程度的電解銅當作粗金屬，藉由濕式或乾式的高純度化製程，製造5N(純度99.999%以上)～6N(純度99.9999%以上)的純度之高純度銅，藉由上述方法使其成為純銅板，再加工成所欲的形狀後，作為濺鍍靶使用。為了製作低電阻的濺鍍膜，將濺鍍靶中的雜質含量抑制在一定值以下，而且必須將合金化用的添加元素降低至一定程度以下，為了得到濺鍍膜厚的均勻性，必須抑制濺鍍靶的結晶粒徑及結晶配向性的偏差。

作為工業上製造如此濺鍍用純銅靶的習知方法，專利文獻1中揭示將純度為99,995wt%以上之純銅的鑄錠熱加工，然後在900℃以下的溫度進行退火，接著以40%以上的壓延率施予冷間壓延後，在500℃以下的溫度進行再結晶退火，而得到實質上具有再結晶組織，平均結晶粒徑為80微米以下，而且維氏硬度為100以下之濺鍍用銅靶的方法。

又，專利文獻2中揭示對5N以上的高純度銅鑄錠施予熱間鍛造或熱間壓延等的加工率50%以上之熱加工後，再進行冷間壓延或冷間鍛造等的加工率30%以上之冷加工，在350～500℃實施1～2小時的熱處理，而得到Na及K含量各自為0.1ppm以下，Fe、Ni、Cr、Al、Ca、Mg含量各自為1ppm以下，碳及氧含量各自為5ppm以下，U及Th含量各自為1ppb以下，去除氣體成分後的銅含量為99.999%以上，更且濺鍍面的平均粒徑為250μm以下，平均粒徑的偏差為±20%以內，X射線繞射強度比I(111)/I(200)在濺鍍面為2.4以上且其偏差為±20%以內之濺鍍用銅靶的方法。

又，專利文獻3中揭示一種去除由純度6N以上的高純度銅與添加元素所形成的鑄錠之表面層，經由熱間鍛造、熱間壓延、冷間壓延、熱處理步驟所得，含有0.5～4.0wt%的Al，Si為0.5wtppm以下之銅合金濺鍍靶，一種含有0.5～4.0wt%的Sn，Mn為0.5wtppm以下之銅合金濺鍍靶，以及一種在此等中含有總量為1.0wtppm以下的由Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As所選出的1或2個以上之銅合金濺鍍靶。特別地，實施例中記載在去除所製造的鑄錠之表面層而成為Φ160mm×厚度60mm後，於400℃熱間鍛造而成為Φ200mm，然後於400℃熱間壓延而壓延到Φ270mm×厚度20mm為止，再進行冷間壓延而壓延到Φ360mm×厚度10mm為止，於500℃熱處理1小時後，將靶全體急速冷卻而成為靶素材。

如以這樣的濺鍍用銅靶之製造方法為代表，在以往的純銅板之製造方法中，為了得到均質且安定的再結晶組織，將純銅鑄錠熱間鍛造或熱間壓延後，進行冷間鍛造或冷間壓延，再施予熱處理。

先前技術文獻專利文獻

專利文獻1：特開平11-158614號公報

專利文獻2：特開平10-330923號公報

專利文獻3：特開2009-114539號公報

於工業上製造大型形狀的具有均質且安定的結晶組織之純銅板的習知方法中，對純銅鑄錠施予熱間鍛造或熱間壓延後，必須更施予冷間鍛造或冷間壓延、熱處理，但對於濺鍍靶的高輸出之濺鍍所致的異常放電之抑制、鍍敷用陽極的均質溶解性之提高以及散熱基板的耐熱疲勞特性，僅微細化係難以對應。

本發明係鑒於如此的情事而完成者，提供一於熱間鍛造或熱間壓延後無需進一步施予冷間鍛造或冷間壓延及其後的熱處理之純銅板的製造方法，以及提供一藉由與具有由該製造方法所得之微細組織一起部分地再結晶化使雙晶組織形成，而具有高特殊粒界比率之銅板，尤其適用於濺鍍用銅靶素材或鍍敷用陽極等之純銅板。

本發明者們進行專心致力的檢討，結果發現：不依賴以往的方，其係在藉由將純銅的鑄錠熱間鍛造或熱間壓延後，進行冷間鍛造或冷間壓延、其後的熱處理，而促進再結晶化，得到微細且均質的結晶粒之以往方法，而藉由對純銅的鑄錠，為了抑制結晶粒之成長，在一定的條件下熱間壓延，藉由部分再結晶化而促進雙晶組織的形成，而且按照需要為了停止粒成長，在一定的條件化下急速冷卻，可製造更微細且具有高特殊粒界比率之金屬組織的純銅板。

本發明之純銅板的製造方法之特徵為：將純度為99.96wt%以上的純銅之鑄錠加熱到550℃～800℃，總壓延率為85%以上、壓延結束時溫度為500～700℃，而且施予每1道次壓延(one pass)的壓下率為5～24%之精整熱間壓延有1道次(one pass)以上的熱間壓延加工，且特徵為：按照需要，可以200℃～1000℃/min的冷卻速度，自前述壓延結束時的溫度急速冷卻至200℃以下的溫度為止。

為了得到結晶粒為微細，藉由部分的再結晶化促進行雙晶組織的形成，而提高特殊粒界比率之組織，重要的是熱間壓延的結束步驟之精整熱間壓延的溫度(以下稱為壓延結束溫度)，與精整熱間壓延的每1道次之壓下率。於精整熱間壓延中，當壓延結束溫度未達500℃，或其每1道次的壓下率未達5%時，部分地再結晶化係不充分發生，另外當壓延結束溫度超過700℃，或每1道次之壓下率為25%以上時，精整熱間壓延中的動態再結晶係變成支配因素，難以隨著部分地再結晶化所致的雙晶組織之形成而得到高特殊粒界比率。而且，為了使此壓延結束溫度成為500～700℃，熱間壓延開始溫度可為550～800℃。

又，此熱間壓延所致的總壓延率宜為85%以上，由於總壓延率為85%以上，可抑制結晶粒徑的粗大化，同時可減小該粒徑的偏差。總壓延率若未達85%，則結晶粒徑有變大的傾向，同時該粒徑的偏差變大。

另外，藉由以5～24%進行熱間壓延的精整熱間壓延之每1道次的壓下率，而促進雙晶組織的形成，成為己提高特殊粒界比率的組織，提高結晶粒界的整合性，結晶組織變成微細且均勻。又，在上述精整熱間壓延，只要是於500～700℃的範圍中，每1道次的壓下率為5～24%，進行至少1道次的壓延加工即可，但亦可連續複數道次而壓延加工。特別地，藉由進行複數道次重複壓延，可更促進雙晶組織的形成。如此所製造的純銅板係有效於濺鍍靶、鍍敷用陽極、散熱基板等的用途。

而且，在如此的熱間壓延結束後，可更以200～1000℃/min的冷卻速度，急速冷卻至200℃以下的溫度為止。冷卻速度未達200℃/min時，缺乏抑制結晶粒的成長之效果，即使超過1000℃/min，也無助於其以上的粒成長抑制效果。更佳的冷卻速度為300～600℃/min的範圍。

若以如此範圍的冷卻速度進行冷卻直到200℃以下的溫度為止，則可停止結晶粒的成長，而得到微細的結晶粒者。另一方面，若以超過200℃的溫度停止急速冷卻，則其後由於在該高溫狀態的放置，有結晶粒會徐徐成長之虞。

又，由本發明的製造方法所製造的純銅板之特徵為：以EBSD法所測定的特殊粒界的全特殊粒界長度Lσ對結晶粒界的全粒界長度L之比率(Lσ/L)為55%以上。

由於此特殊粒界的頻率為高到55%以上，而提高結晶粒界的整合性，濺鍍靶的濺鍍特性、在鍍敷用陽極的溶解性及板材的變形特性等之各種特性係變良好。

本發明的純銅板係適用於濺鍍用靶。

特別地，由於藉由部分地再結晶化以形成雙晶組織，而具有高特殊粒界比率，故即使在高輸出下的濺鍍中，也可抑制異常放電的發生。

若依照本發明，可製造一種純銅板，其具有微細且均勻的結晶粒，適用於製造即使在高輸出下也不易發生異常放電的濺鍍用銅靶素材或發揮均勻溶解性的鍍敷用陽極素材等。

實施發明的形態

以下說明本發明的實施形態。

此實施形態的純銀板係銅純度為99.96wt%以上的無氧銅或99.99wt%以上的電子管用無氧銅。

又，以EBSD法所求得的平均結晶粒徑為10～200μm，較佳為80μm，而且以EBSD法所測定的特殊粒界的全特殊粒界長度Lσ對結晶粒界的全粒界長度L之比率(Lσ/L)為55%以上。

又，若粒徑超過200μm的大結晶粒混入，則切削加工中在表面容易發生微細的擠裂。此擠裂係如第1圖中所示，以銑刀等切削素材時，在其切削方向(箭號A所示的方向)所發生的切削痕W之中，於與切削方向正交的方向中發生如符號C所示之筋狀的微細凹凸。若發生此擠裂，則會損害商品外觀。

使平均結晶粒徑成為未達10μm者係不符現實，導致製造成本的增加。

又，藉由使特殊粒界的長度比率成為55%以上，而提高結晶粒界的整合性，有效於濺鍍靶、鍍敷用陽極、散熱基板等的用途。

結晶粒界係二次元截面觀察的結果，定義為相鄰2個結晶間之配向成為15°以上時的該結晶間之邊界。特殊粒界係結晶學上以CSL理論(Kronberg et.al.：Trans. Met. Soc. AIME,185,501(1949))為基礎所定義的Σ值為具有3≦Σ≦29的結晶粒界(對應粒界)，定義為該粒界的固有對應部位晶格方位缺陷Dq滿足Dq≦15°/Σ^1/2 (D,G. Brandon：Acta. Metallurgica. Vol. 14,P1479,1966)之結晶粒界。

於全部的結晶粒界之中，此特殊粒界的長度比率若高，則結晶粒界的整合性升高，可提高作為純銅板之用途廣泛已知的濺鍍靶或鍍敷用陽極、或散熱基板等之特性。

即，於濺鍍靶中，濺鍍時的異常放電特性與結晶組織之間係有關係，藉由素材的高純度化，即雜質含量的減低(特開2002-129313)、粒徑的均質性(WO03/046250)、組織的結晶配向性之控制(特開平10-330923)等，而在濺鍍特性之中顯示抑制異常放電之手段。然而近年來為了提高生產性，要求濺鍍速率的進一步提高，濺鍍電壓朝向高電壓化。若濺鍍電壓升高，則成為濺鍍時的異常放電更容易發生的環境，故僅藉由以往的組織控制手法，異常放電抑止效果係不充分，而要求進一步的組織控制。

又，純銅製的鍍敷用陽極材係特別用於印刷配線板的貫通孔鍍敷等，但在陽極溶解時發生電流密度分布的不均，而引起局部的導通不良，結果發生不溶性的黏渣(slime)，與鍍敷不良或生產效率的降低有關聯。作為對策，提高陽極的溶解面之面內溶解均質性者係有效，採取結晶粒之微細化的對策。然而，一般而言粒界係比粒內容易溶解，即使藉由微細化來提高陽極的面內溶解均質性，也無法避免粒界選擇地溶解，得知微細化效果係有限度。因此，判斷抑制粒界本身的溶解性者，對於前述黏渣的發生係有效，然而以往並沒有對如此的觀點進行檢討。

再者，於散熱基板中，由於在使用時重複膨脹收縮，故重要的是具有均一的變形特性，而且疲勞特性優異。近年來，於隨著節能化、低CO化的潮流而進行普及的混合動力車或太陽能電池等中，直‧交流反相電路係不可欠缺，為了散逸變換時所產生的熱，使用純銅或低合金銅板當作散熱基板。於此等用途中，由於系統的大型化而往大電流化進展，對散熱基板所施加的熱負荷係有增大的傾向。散熱基板由於在使用中經常重複地熱膨脹/收縮，故要求長期的耐熱疲勞特性。關於耐熱疲勞特性，組織的均質性係重要，但以往僅提高組織的均勻性，係難以改善前述大電流化所伴隨的疲勞特性。

此等問題係可藉由使結晶粒界的特殊粒界之長度比率成為55%以上而解決。即，於濺鍍靶中，由於在濺鍍面全體上均勻地濺鍍，故成為異常放電的原因之結晶粒界的階梯差係不易發生，結果減低異常放電的次數。關於鍍敷用陽極，判斷特殊粒界係具有比一般粒界還接近粒內的溶解特性之性質，藉由使用已提高特殊粒界比率的銅板，由於陽極溶解時的面內溶解均質性係明顯提高，將溶解面保持平滑，故可抑制不溶性的黏渣之發生，所形成的鍍敷膜之品質升高。又，於散熱用途基板材料中，顯示均一的變形特性，即使重複的熱膨脹/收縮，也不易發生金屬疲勞，而改善疲勞特性。

如此地藉由使特殊粒界的長度比率成為55%以上，而改善濺鍍靶的濺鍍特性、鍍敷用陽極素材的溶解性、其它作為銅板的變形特性等之各種特性，有效於濺鍍靶、鍍敷用陽極、散熱基板等的用途。

其次說明製造如此的純銅板之方法。

此製造方法係將純銅的鑄錠熱間壓延，使該熱間壓延道次滿足指定條件的精壓而結束後，視需要進行急速冷卻的單純製程。

具體地，將純銅的鑄錠加熱到550℃～800℃，一邊使其複數次地在壓延輥之間往復行進，一邊徐徐地減小壓延輥間的間隙，壓延到指定的厚度為止。此複數次的壓延所致的總壓延率為85%以上，熱間壓延的結束步驟之精整熱間壓延的壓延結束溫度為500～700℃，前述精整熱間壓延中的每1道次之壓下率為5～24%，進行1道次或複數道次連續地壓延加工。然後，按照需要，以200～1000℃/min的冷卻速度進行急速冷卻，而由壓延結束溫度起到成為200℃以下的溫度為止。

通常的純銅板之製造方法一般為熱間壓延冷卻冷間壓延熱處理之製程，該情況的熱間壓延係以850～900℃的高溫進行加工。若在如此高溫狀態下進行熱間壓延，由於結晶粒係粗大化，即使將其急速冷卻，也無法將平均結晶粒徑微細化到80μm以下。

於本實施形態的製造方法中，熱間壓延係開始溫度為550～800℃，結束溫度為500～700℃之比較低溫的狀態。熱間壓延的結束溫度若超過700℃，則結晶粒係急劇變大，其後即使急速冷卻也難以得到微細的結晶粒。又，即使熱間壓延結束溫度未達500℃，結晶粒徑的微細化效果也飽和，即使將溫度降低到其以下，也無助於微細化。因此，壓延結束溫度為500～700℃。而且，由於此熱間壓延的結束溫度為500～700℃，故熱間壓延的開始溫度為550～800℃。

又，此熱間壓延所致的總壓延率宜為85%以上，藉由使總壓延率成為85%以上，可抑制結晶粒徑的粗大化，同時可減小其偏差。總壓延率若未達85%，則結晶粒有變大的傾向，同時其偏差變大。此時，於複數次的壓延之中，關於最終階段的壓延之精整熱間壓延，更佳為使每1道次的壓下率成為5～24%，進行1道次或複數道次連續地壓延加工。藉由在熱間壓延的最後階段，使每1道次的壓下率成為5～24%，可使雙晶組織的比率增大，使結晶粒界的特殊粒界之長度比率成為55%以上。此每1道次的壓下率係通過壓延後的母材之板厚相對於通過壓延輥前的母材之板厚而言的減少率(或這一道次的壓延輥間之間隙相對於上一道次時的壓延輥間之間隙的減少率)，總壓延率係壓延結束後的母材相對於壓延前的母材之板厚減少率。即，若以通過壓延輥前的母材之板厚為t₀ ，以通過壓延輥後的母材之板厚為t₁ ，則每1道次的壓下率γ(%)係可定義為γ=((t₀ -t₁ )/t₀ )×100(%)。

而且，於如此的熱間壓延結束後，更藉由以200～1000℃/min的冷卻速度之水冷，進行急速冷卻直到成為200℃以下的溫度，可抑制熱間壓延後的粒徑之粗大化。冷卻速度未達200℃/min時，缺乏抑制結晶粒的成長之效果，而即使超過1000℃/min，也無助於其以上的微細化。

若以如此範圍的冷卻速度進行冷卻直到200℃以下的溫度為止，則停止結晶粒的成長，可得到微細的結晶粒者。若在超過200℃的溫度停止急速冷卻，則其後由於在高溫狀態下放置而有結晶粒徐徐成長之虞。

實施例

其次說明本發明的實施例。

壓延素材係用電子管用無氧銅(純度99.99wt%以上)的鑄錠。壓延前的素材尺寸為寬度650mm×長度900mm×厚度290mm，如表1中所示地複數組合熱間壓延及其後的冷卻之各條件，以製作純銅板。又，溫度測定係使用輻射式溫度計，測定壓延板的表面溫度而進行。

於此表1中，比較例1雖然在壓延開始溫度為510℃(結束預料溫度490℃)開始壓延，但由於溫度過低，變成過負荷狀態，而中止壓延的繼續進行。

因此，對於此比較例1以外的純銅板，測定平均結晶粒徑、特殊粒界長度比率、切削時的擠裂狀態、作為濺鍍靶用時的異常放電次數、作為鍍敷陽極用時的黏渣發生量。

＜平均結晶粒徑、特殊粒界長度比率＞

對於各試料，使用耐水硏磨紙、鑽石磨粒，進行機械硏磨後，使用膠態矽石溶液，進行精整硏磨。

然後，藉由EBSD測定裝置(HITACHI公司製S4300-SE，EDAX/TSL公司製OIM Data Collection)與解析軟體(EDAX/TSL公司製OIM Data Analysis ver. 5.2)，鑑定結晶粒界、特殊粒界，算出其長度，進行平均結晶粒徑及特殊粒界長度比率之解析。

首先，使用掃描型電子顯微鏡，對試料表面的測定範圍內之各個測定點(畫素)，照射電子射線，藉由反向散射電子射線繞射的方位解析，將鄰接的測定點間之方位差成為15°以上的測定點間當作結晶粒界。

平均結晶粒徑(雙晶亦當作結晶粒計數)的測定係由所得之結晶粒界中，算出觀察範圍內的結晶粒子數，將範圍面積除法結晶粒子數而算出結晶粒子面積，將其換算為圓，而成為平均結晶粒徑(直徑)。

又，測定該測定範圍中的結晶粒界之全粒界長度L，決定鄰接的結晶粒之界面構成特殊粒界的結晶粒界之位置，同時求得特殊粒界的全特殊粒界長度Lσ與上述所測定的結晶粒界之全粒界長度L之粒界長度比率Lσ/L，當作特殊粒界長度比率。

＜擠裂狀態＞

使各試料成為100×2000mm的平板，對其表面，使用銑床的超硬刀尖之刀頭，以切入深度0.1mm、切削速度5000m/分鐘進行切削加工，在其切削表面的500μm四方之視野內，調查長度100μm以上的擠裂瑕疵有幾個存在。

＜濺鍍異常放電次數＞

由各試料製作含有背板部分的一體型靶，以使得靶部分成為直徑152mm、厚度6mm，將該靶安裝於濺鍍裝置，使室內的到達真空壓力成為1×10^-5 Pa以下，使用Ar作為濺鍍氣體，濺鍍氣體壓力為0.3Pa，以直流(DC)電源在濺鍍輸出2kW的條件下實施濺鍍試驗。濺鍍係連續2小時。其間使用附屬於電源的電弧計數器，計數由於濺鍍異常所發生的異常放電之次數。

＜陽極黏渣發生量＞

將已切成直徑270mm的圓盤狀之銅板固定於電極支架(執行電極面積約530cm² )當作陽極電極，將直徑200mm的矽晶圓當作陰極，於以下的條件下進行銅鍍敷，測定自鍍敷開始起到處理第5片的晶圓之際所產生的不溶性黏渣發生量。再者，黏渣係在回收後，於使乾燥後進行重量測定。

鍍敷液：在離子交換水中，添加70g/l的焦磷酸銅、300g/l焦磷酸鉀，用氨水調整至pH8.5者，鍍敷條件：在液溫50℃，藉由空氣攪拌及陰極搖動而實施攪拌，陰極電流密度：3A/dm² ，鍍敷時間：1小時/片。

表2中顯示此等的結果。

如由此表2可明知，以本實施例的製造方法所製造的純銅板，係平均結晶粒徑為10～200μm，尤其在精壓後進行急速冷卻的實施例1～10中為10～80μm，而且實施例皆特殊粒界長度比率為55%以上。相對於此，比較例的純銅板係特殊粒界長度比率未達55%。由該結果可知，實施例中的熱間壓延時之精壓為5～24%的壓下率者，係在濺鍍靶特性評價中，濺鍍時的異常放電次數少，在鍍敷用陽極溶解特性評價中，不溶性黏渣的發生量少。

以上雖然說明本發明之實施形態，惟本發明不受此記載所限定，在不脫離本發明之技術思想的範圍內可適宜變更。

例如，於熱間壓延的精壓道次排程(schedule)中，在進行複數次的道次之際，雖然壓下率為固定，但不受此所拘束，只要每1道次為5～24%的壓下率，則每壓延道次的壓下率亦可相異。

又，於得到高的特殊粒界比率之方面，雖然在精壓道次結束後，不必要進行快速的冷卻，但由於在提高鑄錠內部與表面的組織均質性之方面具有效果，故宜實施快速的冷卻。

另外，本發明係在指定的條件下熱間壓延後，急速冷卻至200℃以下為止，其後不施予冷間壓延而成為純銅板的製品，但作為急速冷卻後的最終精整，不妨可以冷間進行稍微的(數%以下的壓延率之)壓延。

產業上的利用可能性

本發明的純銅板係可適用於濺鍍用靶或鍍敷用陽極、靶用背板，此外亦可適用於模具、放電電極、散熱板、散熱器、模型、水冷板、電極、電用端子、匯流排、墊片、凸緣、印刷版等。

W．．．切削痕

C．．．擠裂瑕疵

第1圖係將純銅板的表面切削時所產生的擠裂之顯微鏡照片。

W．．．切削痕

C．．．擠裂瑕疵

Claims

一種純銅板的製造方法，其特徵為將純度為99.96wt%以上的純銅之鑄錠加熱到550℃～800℃，其總壓延率為85%以上、壓延結束時溫度為500～700℃，而且施予每1道次壓延(one pass)的壓下率為5～24%之精壓有1道次(one pass)以上的熱間壓延加工。
一種純銅板的製造方法，其特徵為將純度為99.96wt%以上的純銅之鑄錠加熱到550℃～800℃，其總壓延率為85%以上、壓延結束時溫度為500～700℃，而且於施予每1道次壓延的壓下率為5～24%之精壓有1道次以上的熱間壓延加工後，以200℃～1000℃/min的冷卻速度自前述壓延結束時的溫度急速冷卻至200℃以下的溫度為止。
一種純銅板，其係藉由如申請專利範圍第1項的製造方法所製造之純銅板，其特徵為：以EBSD法所測定的特殊粒界的全特殊粒界長度Lσ對結晶粒界的全粒界長度L之比率(Lσ/L)為55%以上。
一種純銅板，其係藉由如申請專利範圍第2項的製造方法所製造之純銅板，其特徵為：以EBSD法所測定的特殊粒界的全特殊粒界長度Lσ對結晶粒界的全粒界長度L之比率(Lσ/L)為55%以上。
如申請專利範圍第3項之純銅板，其係濺鍍用靶。
如申請專利範圍第4項之純銅板，其係濺鍍用靶。
如申請專利範圍第3項之純銅板，其係鍍敷用陽極。
如申請專利範圍第4項之純銅板，其係鍍敷用陽極。