CN102712986A

CN102712986A - 纯铜板的制造方法及纯铜板

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Publication number: CN102712986A
Application number: CN2011800058276A
Authority: CN
Inventors: 酒井俊宽; 竹田隆弘; 喜多晃一; 牧一诚; 森広行
Original assignee: Mitsubishi Shindoh Co Ltd; Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Shindoh Co Ltd; Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2010-02-09
Filing date: 2011-02-04
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2031-02-04
Also published as: WO2011099426A1; JP2011161479A; JP4792116B2; CN102712986B; KR20120124405A; TW201139706A; TWI480396B

Abstract

本发明提供不需要热锻、热轧后的冷锻、冷轧以及其后的热处理的纯铜板的制造方法，以及通过该制造方法得到的具有微细组织的同时利用部分再结晶化形成双晶组织而赋予高的特殊晶界比率的、特别适用于溅射用铜靶原材料、电镀用阳极等的纯铜板。本发明的纯铜板的制造方法中，实施热轧加工，该热轧加工中，将纯度为99.96wt%以上的纯铜锭在550℃～800℃进行加热，使总轧制率为85%以上且轧制结束时温度为500～700℃，并且具有一次轧制以上的每次轧制的轧制率为5～24%的精轧，实施所述热轧加工之后，根据需要以200～1000℃/分钟的冷却速度从所述轧制结束时温度骤冷至200℃以下的温度。

Description

纯铜板的制造方法及纯铜板

技术领域

本发明涉及具有良好品质的纯铜板的制造方法，特别是具体地涉及具有微细组织的同时、利用部分再结晶化形成双晶组织来赋予高的特殊晶界比率的纯铜板的制造方法，以及通过该制造方法制造的适合作为溅射用铜靶原材料、电镀用阳极原材料等的纯铜板。

本申请基于2010年2月9日申请的日本特愿2010-26455号主张优先权，在此引用其内容。

背景技术

纯铜板通常如下制造：对纯铜锭进行热轧或热锻之后，实施冷轧或冷锻，然后实施用于解除应力或再结晶化的热处理，由此制造纯铜板。这样的纯铜板利用锯切、切削加工、压纹加工、冷锻等加工成所需的形状来使用，但为了减少加工时的挤裂、变形，还要求结晶粒径小、结晶组织中的残余应力小。

此外，用上述方法制造的纯铜板最近被用作半导体元件的配线材料用的溅射靶。作为半导体元件的配线材料，一直使用Al（电阻率3.1μΩ·cm左右），但伴随着最近的配线微细化，电阻更低的铜配线（电阻率1.7μΩ·cm左右）被实用化。作为该铜配线的形成工艺，多数情况下在接触孔或配线槽的凹部形成Ta/TaN等的扩散阻挡层之后电镀铜，为了进行该电镀，作为基底层（晶种层），将纯铜溅射成膜。

通常，将4N（纯度99.99%以上，除去气体成分）程度的电解铜作为粗金属，通过湿式或干式的高纯度化工艺，制造5N（纯度99.999%以上）～6N（纯度99.9999%以上）纯度的高纯度铜，利用上述方法将其形成纯铜板，进而加工成所需形状之后用作溅射靶。为了制作电阻低的溅射膜，有必要将溅射靶中的杂质含量抑制在一定值以下，此外为了进行合金化而添加的元素也有必要降低到一定水平以下，为了得到溅射膜厚的均匀性，有必要抑制溅射靶的结晶粒径和结晶取向性的偏差。

作为在工业上制造这样的溅射用纯铜靶的现有方法，在专利文献1公开了以下方法。即，对纯度为99.995wt%以上的纯铜锭进行热加工，然后在900℃以下的温度下进行退火，接着以40%以上的轧制率实施冷轧之后，在500℃以下的温度下进行再结晶退火，由此得到实质上具有再结晶组织、平均结晶粒径为80微米以下且维氏硬度为100以下的溅射用铜靶的方法。

此外，专利文献2中公开了以下方法。即，对5N以上的高纯度铜锭实施热锻、热轧等加工率50%以上的热加工之后，进而进行冷轧、冷锻等的加工率30%以上的冷加工，实施350～500℃、1～2小时的热处理，由此得到Na和K含量分别为0.1ppm以下，Fe、Ni、Cr、Al、Ca、Mg含量分别为1ppm以下，碳和氧含量分别为5ppm以下，U和Th含量分别为1ppb以下，除去气体成分的铜含量为99.999%以上，进而溅射面中的平均粒径为250μm以下，平均粒径的偏差在±20%以内，X射线衍射强度比I（111）/I（200）在溅射面中为2.4以上且其偏差在±20%以内的溅射用铜靶的方法。

此外，专利文献3中公开了一种铜合金溅射靶，该铜合金溅射靶为除去由纯度6N以上的高纯度铜和添加元素构成的锭的表面层，经过热锻、热轧、冷轧、热处理工序得到的、含0.5～4.0wt%的Al、Si为0.5wtppm以下的铜合金溅射靶，含0.5～4.0wt%的Sn、Mn为0.5wtppm以下的铜合金溅射靶，以及在这些溅射靶中以总量计含有1.0wtppm以下的选自Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In和As中的一种或两种以上的铜合金溅射靶。特别是，实施例中记载了除去制造的锭的表面层形成φ160mm×厚度60mm之后，在400℃下进行热锻形成φ200mm，然后在400℃下进行热轧轧制至φ270mm×厚度20mm，进而利用冷轧轧制至φ360mm×厚度10mm，在500℃下进行1小时热处理后，将靶整体骤冷形成靶原材料。

在以这种溅射用铜靶的制造方法为代表的现有纯铜板的制造方法中，为了得到均匀稳定的再结晶组织，在对纯铜锭进行热锻、热轧之后，进行冷锻、冷轧，进而实施热处理。

专利文献1：日本特开平11-158614号公报

专利文献2：日本特开平10-330923号公报

专利文献3：日本特开2009-114539号公报

在工业上制造大型形状的具有均匀稳定的结晶组织的纯铜板的现有方法中，有必要在对纯铜锭实施热锻、热轧之后，进一步实施冷锻、冷轧、热处理，但对于溅射靶的高输出功率溅射中的异常放电的抑制、电镀用阳极中的均匀溶解性的提高和放热基板中的耐热疲劳特性，难以仅以微细化来进行应对。

发明内容

有鉴于此，本发明提供不需要热锻、热轧后的冷锻、冷轧以及其后的热处理的纯铜板的制造方法，以及通过该制造方法得到的具有微细组织、利用部分再结晶化形成双晶组织而具有高的特殊晶界比率的铜板，特别是适于溅射用铜靶原材料、电镀用阳极等的纯铜板。

本发明人进行深入研究的结果，发现不依赖于对纯铜锭进行热锻、热轧后的冷锻、冷轧以及其后的热处理中促进再结晶化得到微细均匀的晶粒的现有方法，为了抑制粒子生长将纯铜锭在一定条件下进行热轧，利用部分再结晶化促进形成双晶组织，而且根据需要为了停止粒子生长在一定条件下骤冷，由此可制造具有更微细且特殊晶界比率高的金属组织的纯铜板。

本发明的纯铜板的制造方法，实施热轧加工，在所述热轧加工中，将纯度为99.96wt%以上的纯铜锭在550℃～800℃进行加热，使总轧制率为85%以上且轧制结束时温度为500～700℃，并且具有一次轧制以上的每次轧制的轧制率为5～24%的精热轧，根据需要，以200～1000℃/分钟的冷却速度从所述轧制结束时温度骤冷至200℃以下的温度。

为了得到晶粒微细且利用部分再结晶化来促进双晶组织的形成以此提高特殊晶界比率的组织，作为热轧的结束工序的精热轧的温度（以下称为轧制结束温度）和精热轧的每次轧制的轧制率很重要。在精热轧中，轧制结束温度小于500℃，或其每次轧制的轧制率小于5%时，部分再结晶化不充分，而且，轧制结束温度超过700℃，或每次轧制的轧制率为25%以上时，精热轧中动态再结晶成为支配状态，难以伴随部分再结晶化带来的双晶组织的形成而得到高的特殊晶界比率。而且，为了使该轧制结束温度为500～700℃，使热轧开始温度为550～800℃即可。

而且，利用该热轧得到的总轧制率为85%以上是合适的，通过使总轧制率为85%以上来抑制晶粒直径的粗大化，并可减少晶粒直径的偏差。若总轧制率小于85%，则存在结晶粒径增大的倾向，且其偏差增大。

而且，通过将热轧的精热轧中的每次轧制的轧制率为5～24%来进行，促进双晶组织的形成，形成特殊晶界比率得到提高的组织，晶界匹配度得到提高，结晶组织变得微细且均匀。而且，在上述精热轧中，在500～700℃的范围内，使每次轧制的轧制率为5～24％，至少进行一次轧制加工即可，但也可以连续进行多次轧制来进行轧制加工。特别是，通过反复多次轧制可进一步促进双晶组织的形成。这样制造的纯铜板有效用于溅射靶、电镀用阳极、放热基板等用途。

而且，在这种热轧结束后，可进一步以200～1000℃/分钟的冷却速度骤冷至200℃以下的温度。冷却速度小于200℃/分钟时，缺乏抑制晶粒生长的效果，即使超过1000℃/分钟，也不会有助于更好的粒子生长抑制效果。更优选的冷却速度在300～600℃/分钟的范围内。

若以这种范围的冷却速度冷却至200℃以下的温度，则可停止晶粒的生长而得到微细晶粒。另一方面，若在超过200℃的温度下停止骤冷，则此后由于在该高温状态下的放置而晶粒有可能缓慢地生长。

而且，通过本发明的制造方法制造的纯铜板，利用电子背散射衍射法（EBSD法）测定得到的特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ相对于晶界的全部晶界长度L的比率（Lσ/L）为55%以上。

通过使该特殊晶界的频率高至55%以上，晶界匹配度得到提高，溅射靶的溅射特性、电镀用阳极的溶解性和板材的变形特性等各种特性变得良好。

本发明的纯铜板适用于溅射用靶。

特别是利用部分再结晶化来形成双晶组织而具有高的特殊晶界比率，由此即使在高输出功率下的溅射中，也可以抑制异常放电的产生。

根据本发明，可以制造具有微细且均匀的晶粒，适用于在高输出功率下不易产生异常放电的溅射用铜靶原材料、发挥均匀的溶解性的电镀用阳极原材料等的纯铜板。

附图说明

图1为切削纯铜板的表面时产生的挤裂的显微镜照片。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行说明。

该实施方式的纯铜板是铜的纯度为99.96wt%以上的无氧铜或者99.99wt%以上的电子管用无氧铜。

而且，利用EBSD法求出的平均结晶粒径为10～200μm，更优选为80μm，而且利用EBSD法测定得到的特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ相对于晶界的全部晶界长度L的比率（Lσ/L）为55%以上。

此外，若混入粒径超过200μm的大晶粒，则切削加工中容易在表面产生微细的挤裂。如图3所示，该挤裂为用铣刀等切削原材料时，在产生于其切削方向（箭头A所示的方向）的切削痕W中，在与切削方向正交的方向上如符号C所示产生条纹状的微细凹凸。若产生该挤裂，则会损害商品外观。

使平均结晶粒径小于10μm是不现实的，会导致制造成本增加。

此外，通过使特殊晶界的长度比率为55%以上，晶界匹配度得到提高，有效地用于溅射靶、电镀用阳极、放热基板等用途中。

晶界被定义为观察二维截面的结果、相邻的两个结晶间的取向为15°以上时的该结晶间的边界。特殊晶界为结晶学上基于CSL理论（Kronberg et.al.:Trans. Met.Soc.AIME,185,501（1949））定义的按照Σ值计具有3≤Σ≤29的晶界（重位点阵晶界(coincidence lattice grain boundary)），被定义为该晶界中的固有重位点阵取向缺陷Dq满足Dq≤15°/Σ^1/2（D.G.Brandon:Acta.Metallurgica.Vol.14,p1479,1966）的晶界。

在所有的晶界之中，该特殊晶界的长度比率高时，晶界匹配度得到提高，从而可提高作为纯铜板的用途所广泛熟知的溅射靶、电镀用阳极或者放热基板等的特性。

即，在溅射靶中，认为在溅射时的异常放电特性与结晶组织之间具有相关性，通过原材料的高纯度化、即含有杂质量的降低（日本特开2002-129313）、粒径的均匀性（WO03/046250）、组织的晶粒取向性的控制（日本特开平10-330923）等，显示了抑制溅射特性中异常放电的技术方案。然而，近年来，为了提高生产率，谋求溅射速度的进一步提高，溅射电压存在高电压化的趋势。若提高溅射电压，则形成更易引起溅射时的异常放电的环境，因此仅利用现有的组织控制方法时，异常放电抑制效果不充分，要求进一步的组织控制。

此外，纯铜制的电镀用阳极材特别是用于印刷电路板的通孔电镀等中，但在阳极溶解时产生电流密度分布的不均、引起局部性的导通不良，结果产生不溶性的残渣，有可能导致电镀不良、生产效率降低。作为对策，提高阳极溶解面的面内溶解均匀性是有效的，通过晶粒的微细化来解决。然而，通常晶界比粒子内部更容易溶解，即使利用微细化提高阳极的面内溶解均匀性，也无法避免选择性地溶解晶界，可知微细化效果有限。由此，认为抑制晶界自身的溶解性对于上述残渣的产生来说是有效的，但以往未从这种观点进行研究。

进而，在放热基板中，从使用时反复膨胀收缩方面考虑，具有均匀的变形特性且疲劳特性优异是重要的。近年来，由于节能化、低CO化的趋势而渐渐普及的混合动力车、太阳能电池等中直·交变流电路是不可或缺的，使用纯铜或者低合金铜板作为用于释放转换时产生的热的放热基板。在这些用途中，系统的大型化带来的大电流化加剧，存在对放热基板施加的热负载增大的趋势。放热基板在使用中常常反复热膨胀/收缩，因此要求长期的耐热疲劳特性。对于耐热疲劳特性来说，虽然组织的均匀性是重要的，但仅以现有的组织均匀性的提高是难以提高上述大电流化带来的疲劳特性。

这些问题可以通过使晶界的特殊晶界的长度比率为55%以上来解决。即，由于在溅射靶中溅射面整体被均匀溅射，因此不易产生成为异常放电原因的晶界台阶，结果异常放电的次数减少。对于电镀用阳极，可知特殊晶界与一般的晶界相比，具有接近粒子内部的溶解特性的性质，通过使用特殊晶界比率提高的铜板，阳极溶解时的面内溶解均匀性显著提高，溶解面保持平滑，由此能抑制不溶性残渣的产生，所形成的电镀膜的品质得到提高。此外，在放热用途基板材料中，显示出均匀的变形特性，即使反复热膨胀/收缩，也不易引起金属疲劳，疲劳特性得到提高。

这样通过使特殊晶界的长度比率为55%以上，溅射靶的溅射特性、电镀用阳极原材料的溶解性以及其他作为铜板的变形特性等各种特性得到提高，有效用于溅射靶、电镀用阳极、放热基板等的用途中。

接着，对制造这种纯铜板的方法进行说明。

该制造方法为对纯铜锭进行热轧，将该热轧以满足规定条件的精轧轧制结束后，根据需要骤冷的简单工艺。

具体来讲，将纯铜锭在550℃～800℃进行加热，使其在轧制辊之间多次往返移动并缓慢缩小轧制辊之间的间隙，轧制至规定的厚度。通过该多次轧制得到的总轧制率为85%以上，作为热轧结束工序的精热轧中的轧制结束温度为500～700℃、上述精热轧中的每次轧制的轧制率为5～24%，一次轧制或连续多次轧制来进行轧制加工。其后，根据需要以200～1000℃/分钟的冷却速度从轧制结束温度骤冷至200℃以下的温度。

通常的纯铜板的制造方法一般工艺为热轧冷却

冷轧

热处理，此时的热轧是在850～900℃的高温下进行加工。若在这种高温状态下进行热轧，则由于晶粒粗大化，因此即使对其进行骤冷也无法微细化至平均结晶粒径80μm以下。

在本实施方式的制造方法中，将热轧条件设为开始温度550～800℃、结束温度500～700℃的较低温状态。若热轧结束温度超过700℃，则晶粒迅速增大，即便在其后进行骤冷也不易得到微细晶粒。此外，热轧结束温度低于500℃时，结晶粒径的微细化效果达到饱和，即使降低到更低的温度，也不会有助于微细化。因此，将轧制结束温度设为500～700℃。而且，为了使该热轧结束温度为500～700℃，使热轧开始温度为550～800℃。

此外，通过该热轧得到的总轧制率为85%以上是合适的，通过使总轧制率为85%以上，可以抑制结晶粒径的粗大化且可减少其偏差。若总轧制率小于85%，则存在晶粒增大的趋势的同时，其偏差增大。此时，对于多次轧制中最终阶段轧制的精热轧，较优选以每次轧制的轧制率为5～24%进行一次轧制或连续多次轧制来进行轧制加工。通过在热轧的最后阶段使每次轧制的轧制率为5～24%，双晶组织的比率增大，可以使晶界的特殊晶界的长度比率为55%以上。该每次轧制的轧制率为通过轧制辊后的基体的板厚相对于通过轧制辊之前的基体的板厚的减少率（或本次轧制的轧制辊之间的间隙相对于上一次轧制时的轧制辊之间的间隙的减少率），总轧制率为轧制结束后的基体的板厚相对轧制前的基体的板厚的减少率。即，若通过轧制辊之前的基体的板厚为t₀、通过轧制辊后的基体的板厚为t₁，则每次轧制的轧制率γ（%）可以定义为γ=（（t₀-t₁）/t₀）×100（%）。

然后，在这种热轧结束之后，进一步以200～1000℃/分钟的冷却速度通过水冷骤冷至200℃以下的温度，由此可抑制热轧后的粒径粗大化。冷却速度小于200℃/分钟时，缺乏抑制晶粒生长的效果，即便超过1000℃/分钟，也不会有助于进一步的微细化。

若以这种范围的冷却速度冷却至200℃以下的温度，则可以停止晶粒生长而得到微细晶粒。若在超过200℃的温度下停止骤冷，则其后由于在该高温状态下的放置而晶粒有可能缓慢生长。

[实施例]

接着，对本发明的实施例进行说明。

轧制原材料使用电子管用无氧铜（纯度99.99wt%以上）的铸锭。轧制前的原材料尺寸为宽度650mm×长度900mm×厚度290mm，热轧及其后的冷却各条件如表1所示地进行多个组合来制作纯铜板。此外，温度测定通过使用辐射温度计、测定轧制板的表面温度来进行。

[表1]

在该表1中，比较例1在轧制开始温度510℃（预计结束温度490℃）开始了轧制，但由于温度过低，变成过负荷状态，中止了轧制的继续进行。

因此，对该比较例1以外的纯铜板测定了平均结晶粒径、特殊晶界长度比率、切削时的挤裂状态、用作溅射靶时的异常放电次数、用作电镀阳极时的残渣产生量。

<平均结晶粒径、特殊晶界长度比率>

对于各试样，利用防水砂纸、金刚石磨粒进行机械抛光之后，使用胶体二氧化硅溶液进行精抛光。

然后，通过EBSD测定装置（HITACHI公司制S4300-SE，EDAX/TSL公司制OIM Data Collection）和分析软件（EDAX/TSL公司制OIM Data Analysis ver.5.2），对晶界、特殊晶界进行特定，算出其长度，由此进行平均结晶粒径和特殊晶界长度比率的分析。

首先，使用扫描型电子显微镜，对试样表面的测定范围内的各测定点（像点）照射电子射线，通过利用电子背散射衍射的取向分析，将邻接的测定点间的取向差达到15°以上的测定点间作为晶界。

平均结晶粒径（双晶也作为晶粒来计数）的测定如下进行。即，从所得到的晶界，计算出观察区域内的晶粒数，将区域面积除以晶粒数算出晶粒面积，对其进行圆换算，作为平均结晶粒径（直径）。

此外，对测定范围中的晶界的全部晶界长度L进行测定，对邻接的晶粒的界面构成特殊晶界的晶界位置进行确定，同时求出特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ与上述测定的晶界的全部晶界长度L的晶界长度比率Lσ/L作为特殊晶界长度比率。

<挤裂状态>

将各试样制作为100×2000mm的平板，用铣床使用硬质合金刀刃的刀具以切削深度0.1mm、切削速度5000m/分钟对该平板的表面进行切削加工，对该切削表面的500μm见方的视野内存在几处长度100μm以上的挤裂缺陷进行调查。

<溅射异常放电次数>

从各试样制作出靶部分为直径152mm、厚度6mm的包括背板部分的一体型靶，将该靶安装到溅射装置，室内的到达真空压力为1×10^-5Pa以下、溅射气体使用Ar、溅射气压为0.3Pa、利用直流（DC）电源以溅射输出功率2kW的条件实施溅射实验。溅射持续2小时。其间，使用附属于电源的电弧计数器，对由于溅射异常产生的异常放电次数进行计数。

<阳极残渣产生量>

将切取为直径270mm的圆盘状的铜板固定在电极夹（执行电极面积约530cm²）作为阳极电极，将直径200mm的硅片作为阴极，在以下条件下进行镀铜，对从电镀开始直至第5块晶片处理时产生的不溶性残渣产生量进行测定。而且，残渣在回收后，使其干燥，并测定重量。

电镀液：在离子交换水中添加焦磷酸铜70g/l、焦磷酸钾300g/l，用氨水调整至pH 8.5而得到的液体，

电镀条件：在液温50℃下实施空气搅拌以及利用阴极摇动进行的搅拌，

阴极电流密度：3A/dm²，

电镀时间：1小时/块。

这些结果示于表2。

[表2]

从表2可知，用本实施例的制造方法制造的纯铜板的平均结晶粒径为10～200μm，特别是在精轧后进行骤冷的实施例1～10中为10～80μm，而且，所有实施例的特殊晶界长度比率为55%以上。与此相对地，比较例的纯铜板的特殊晶界长度比率小于55%。结果可知，在实施例中热轧时的精轧的轧制率为5～24%时，溅射靶特性评价中，溅射时的异常放电次数少，在电镀用阳极溶解特性评价中，不溶性残渣的产生量少。

以上对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不被这些记载所限定，在不脱离本发明技术思想的范围内可进行适当变更。

例如，在热轧的精轧轧制方案上，进行多次轧制时使轧制率为一定，但不局限于此，只要每次轧制的轧制率为5～24%，则每一次轧制的轧制率可以不同。

而且，在得到高的特殊晶界比率方面，不需要在精轧轧制结束后迅速进行冷却，但在提高锭内部和表面的组织均匀性方面具有效果，因此优选实施迅速冷却。

而且，本发明为在规定的条件下进行热轧后骤冷至200℃以下，其后不实施冷轧的纯铜板的制品，但并不妨碍在骤冷后作为最终精加工实施少许（百分之几以下的轧制率的）冷轧。

产业上的可利用性

本发明的纯铜板能够适用于溅射用靶、电镀用阳极、靶用的背板，以及还可以适用于模具、放电电极、放热板、散热器、铸型、水冷板、电极、电用端子、汇流条、垫圈、凸缘、印刷版等中。

[符号说明]

W切削痕

C挤裂缺陷。

Claims

1.一种纯铜板的制造方法，其特征在于，实施热轧加工，所述热轧加工中，将纯度为99.96wt%以上的纯铜锭在550℃～800℃进行加热，使总轧制率为85%以上且轧制结束时温度为500～700℃，并且具有一次轧制以上的每次轧制的轧制率为5～24%的精轧。

2.一种纯铜板的制造方法，其特征在于，实施热轧加工，该热轧加工中，将纯度为99.96wt%以上的纯铜锭在550℃～800℃进行加热，使总轧制率为85%以上且轧制结束时温度为500～700℃，并且具有一次轧制以上的每次轧制的轧制率为5～24%的精轧，实施所述热轧加工之后，以200～1000℃/分钟的冷却速度从所述轧制结束时温度骤冷至200℃以下的温度。

3.一种纯铜板，其特征在于，为根据权利要求1所述的制造方法制造的纯铜板，利用电子背散射衍射法测定得到的特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ相对于晶界的全部晶界长度L的比率Lσ/L为55%以上。

4.一种纯铜板，其特征在于，为根据权利要求2所述的制造方法制造的纯铜板，利用电子背散射衍射法测定得到的特殊晶界的全部特殊晶界长度Lσ相对于晶界的全部晶界长度L的比率Lσ/L为55%以上。

5.根据权利要求3所述的纯铜板，其特征在于，用作溅射用靶。

6.根据权利要求4所述的纯铜板，其特征在于，用作溅射用靶。

7.根据权利要求3所述的纯铜板，其特征在于，用作电镀用阳极。

8.根据权利要求4所述的纯铜板，其特征在于，用作电镀用阳极。