CN102482768B - 用于溅射靶的铜材料及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种溅射靶用铜材料及其制造方法，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内。

Description

用于溅射靶的铜材料及其制造方法

技术领域

本发明涉及作为溅射靶使用的铜材料及其制造方法。

背景技术

近年来，从移动PC、移动电话终端等小型电子机器至大型电视机，以各种尺寸使用了平板显示器。在分类为平板显示器的液晶显示器或有机EL显示器中，为了满足对高画质和动画的高速描绘的要求，开发了在像素的点中插入有薄膜晶体管(ThinFilm Transistor：以下记为TFT)元件的物质，目前其正成为主流。

图1以截面示出了液晶显示器中的TFT元件的结构的一例。TFT元件1在玻璃基板2上具有扫描线3和扫描线的一部分具有作为TFT的ON/OFF控制的功能的栅电极4。栅电极4以利用氮化硅的绝缘膜5将栅电极覆盖的形式形成，在绝缘膜5上依次形成非晶硅(以下记为a-Si)层6、掺杂P(磷)的a-Si层7、源极-漏极8和9。以覆盖它们的方式形成有氮化硅的保护膜10。在像素区域配置了掺锡氧化铟(以下记为ITO)膜11。

以往，扫描线、栅电极、源极-漏极使用了Mo、Cr之类的高熔点金属或铝及其合金等。但是，随着液晶显示器的大型化和高像素化，显现出了由配线长度增加、信号延迟、电力损失等所引起的图像显示不均等问题。因此，电阻率低的铜配线开始受到关注。

对于TFT元件的配线使用铜配线膜的问题，可以举出：若在玻璃基板上直接形成Cu膜，则由于Cu/玻璃界面的密合性差而使Cu配线膜从玻璃剥离。

作为用于解决该剥离的问题的发明，提出了专利文献1～3等中记载的技术。

在专利文献1中，通过在铜配线与玻璃基板之间夹杂钼等高熔点金属，形成与玻璃基板的密合性优异的阻隔层，从而抑制了剥离。

在专利文献2和3中，利用下述方法来抑制剥离：通过使用将铜合金化的靶材，在铜配线与玻璃基板界面形成氧化物，并使合金元素富集于铜配线与玻璃基板界面等。

如专利文献2和3的发明那样，也开发了铜合金化等方法，目前在工业上，如专利文献1中记载的发明那样，将与玻璃的密合性良好的Mo或Ti等作为图1中记载的阻隔层12而形成于铜配线之下，从而改善剥离，并利用溅射形成纯铜的配线。

作为TFT元件的栅电极的形成工序中所要求的重要特性之一，可以举出配线膜的基板面内均匀性。由膜的均匀性、即膜厚的不同或凹凸等的存在，而使TFT内的电容变得不均匀，因此对显示造成不良影响。另外，在TFT元件制造工序中，若存在膜厚的不同或粗大的团簇(cluster)(颗粒、喷溅等)，则在利用蚀刻制作配线电极时可能会引起断线和短路等配线不良。

作为在通过溅射工序形成成为半导体配线等的纯铜膜时能够制作均匀的配线膜、且能够抑制粗大团簇和抑制断线不良的溅射靶的发明，提出了专利文献4～8等中记载的技术。

在专利文献4中，记载了下述溅射靶：其将除氧、氮、碳和氢的气体成分外的纯度为99.9999％以上的铜作为基体，使其在氧浓度0.1ppm以下熔解、凝固而进行制造，从而能够得到不良断线率少且用于超LSI(超大规模集成电路)的配线。通过降低铜材料中的杂质量，可以减少断线不良等。

在专利文献5中，记载了下述内容：通过使用在纯度为99.995％以上的铜中，使再结晶组织的平均结晶粒径为80微米以下、且使维氏硬度为100以下的溅射靶，由此来抑制溅射颗粒的溅出的扩大和粗大团簇的产生。

在专利文献6中，记载了下述内容：在除气体成分外的纯度为99.999％以上的铜中，提高溅射面内的{111}面的X射线衍射峰强度I{111}，使平均粒径为250μm以下，且使位置所致的粒径偏差为20％以内，从而使膜厚均匀性良好。

在专利文献7中，记载了下述内容：使在表面朝向{110}面的结晶的体积为80％以上，且使这些结晶从表面至中心均匀地分布，从而使铜原子的溅出与表面垂直，能够在纵横比较大的槽的深处成膜。

在专利文献8中，记载了下述内容：在99.999％以上的纯度的铜中，将平均结晶粒径控制为10～30μm，使具有{111}、{200}、{220}和{311}的各取向的颗粒的量少于50％，且具有无规的取向，从而能够实现均匀性和产生最小的颗粒。

在现有的发明中，已经能够通过成分、结晶粒径、应变和结晶取向的控制来控制溅射颗粒的溅出，生成均匀的膜和抑制粗大团簇。但是，大型电视机用液晶显示器等基板尺寸的大型化正在发展，在第7代等中已有1870mm×2200mm等超过2m的基板尺寸。与之相伴，在制作配线的溅射工序中也必须在大型的基板上成膜，即使使用上述专利文献中记载的方法，还是会出现所生成的配线膜的膜厚在基板的每个部位变得不均匀、粗大团簇的产生变得更多等问题。另外，由于所使用的溅射靶自身也大型化，因此在溅射靶材的每个部位，金属组织容易变得不均匀，对膜厚精度和粗大团簇形成造成的影响变大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-66423号公报

专利文献2：日本专利第4065959号公报

专利文献3：日本特开2008-166742号公报

专利文献4：日本专利第3727115号公报

专利文献5：日本专利第3975414号公报

专利文献6：日本专利第3403918号公报

专利文献7：日本专利第3997375号公报

专利文献8：日本专利第3971171号公报

发明内容

鉴于上述现有问题，本发明的课题在于提供一种溅射靶用铜材料，其在利用溅射工序对用于TFT液晶面板等的大型基板制作配线时，比以往更均匀地产生颗粒，且在使用中也难以发生该颗粒的产生频率的变化。

本发明人对上述课题进行了深入的研究，从而发现通过控制溅射面内和从溅射面起在板厚深度方向深入的位置的结晶粒径在该面内的偏差及该面间的偏差，优选除此之外还控制对于硬度的同样的偏差，能够提供一种适合于可制作均匀的配线膜的溅射靶的铜材料。

本发明基于该见解而完成。

即，本发明提供下述技术手段。

(1)一种溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料由纯度为99.99％以上的高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内；

(2)如(1)所述的溅射靶用铜材料，其特征在于，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的硬度的算术平均值分别为51～100Hv，在各测定面内及各测定面之间，上述硬度的标准偏差为5Hv以内；

(3)如(1)或(2)所述的溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料是通过进行热加工，并在该热加工后立即以冷却速度50℃/秒以上进行水冷而制造的；

(4)如(1)或(2)所述的溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料是通过进行热加工，并在该热加工后立即以冷却速度50℃/秒以上进行水冷，在该水冷之后进行冷轧而制造；

(5)一种溅射靶用铜材料的制造方法，其为制造(1)或(2)项所述的溅射靶用铜材料的方法，其特征在于，该制造方法包括以下工序：对纯度为99.99％以上的高纯度铜进行热加工的工序；和在该热加工后立即以冷却速度50℃/秒以上进行水冷的工序；和

(6)如(5)所述的溅射靶用铜材料的制造方法，其特征在于，该制造方法包括在该水冷之后以冷轧率的总和为30％以下的方式进行冷轧的工序。

根据本发明，能够提供一种适合于可制作均匀的配线膜的溅射靶的铜材料。本发明的溅射靶用铜材料在利用溅射工序对用于TFT液晶面板等的大型基板制作配线时，比以往更均匀地产生颗粒，且在使用中也难以发生该颗粒的产生频率的变化。

本发明的上述和其他特征及优点可以参照适当附图由下述记载来阐明。

附图说明

图1是示出液晶显示器中的TFT元件的结构的一例的示意性截面图。

图2是实施例1中的测定试验的采样的说明图。

图3是实施例2中的测定试验的采样的说明图。

具体实施方式

本发明的溅射靶用铜材料在纯度为99.99％以上的高纯度铜(以下简称为“纯铜”)中将溅射面内及板内部的与溅射面平行的面的微组织的结晶粒径设为特定范围，在优选的实施方式中，进一步将硬度设为特定范围。

作为溅射靶用的铜材料，必须具有99.99％以上的纯度(质量基础)。作为制造纯铜的铸块时的原料的电解铜中含有某种程度的杂质，纯铜的铸块中也出现这些杂质。杂质中，特别希望将B、Al、Si、P、As、Sb、Bi的含量分别抑制为5ppm以下。这是因为，这些元素是作为Si半导体的掺杂剂而利用的元素，有可能对半导体特性造成不良影响。更优选的纯度为99.995％以上。

溅射靶用的铜材料要求组织的均匀性，因此希望通过热加工而破坏由铸造凝固所导致的不均匀的组织而具有再结晶组织。在再结晶组织的结晶粒径小时，晶界的总面积会随之变大，而晶界为原子排列混乱的部分，溅射时的元素的飞溅容易度与粒内不同，所形成的膜容易变得不均匀。另外，在结晶粒径大时，为了使靶物质飞起需要较高的能量，靶原子较多地聚集并溅出，粗大团簇的形成增多，所形成的膜容易变得不均匀。本发明中，结晶粒径的算术平均值为100～200μm，优选为120～180μm，进一步优选为130～170μm。

对于抑制晶粒的偏差而言，重要的是通过控制靶物质的溅出来进行均匀的制膜。在使用中，溅射靶材在板厚方向被切削，使用板厚的1/3～1/2左右后再进行交换。为了利用溅射进行均匀的制膜，需要靶的面内和板内部的均匀性。通过将溅射面(在平板材料的情况下为其中一个平面的板表面)、和距溅射面1/4板厚及1/2板厚的位置的与溅射面平行的面的结晶粒径的分布控制为标准偏差10μm以内，能够提供在整个面上具有均匀的金属组织的溅射靶，能够利用溅射实现均匀的制膜。若标准偏差超过10μm，则形成为不均匀的金属组织，无法实现均匀的制膜。在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差优选为8μm以下，更优选为6μm以下。

本发明中，结晶粒径的测定的样品数在各面设为6个以上。测定部位在各面内在长度方向至少等分为3个，并测定各分割区域内的测定数相等的数。各测定部位的结晶粒径为利用JIS H 0501(切割法)测定的平均粒径(结晶粒度)。

另外，铜材料中固有的应变会对靶物质的溅出产生影响，因此优选对其进行控制。若材料中固有的应变在每个部位存在偏差，由于能量与周围的不同，因此靶物质的溅出方式在每个部位不同，无法实现均匀的制膜。铜材料内部的应变可以通过进行硬度测定来评价。通过以硬度作为指标来控制固有的应变，能够提供偏差小的铜材料。本发明中，硬度((显微)维氏硬度)的算术平均值优选为51～100Hv，进一步优选为51～90Hv。若应变过多、即硬度过硬，则靶原子较多地聚集并溅出，粗大团簇的形成增多，所形成的膜容易变得不均匀，期望使硬度为100Hv以下。另外，《伸铜品数据手册(第2版)》(日本伸铜协会编、平成21年3月31日第2版发行61页)中记载了：“通常，关于无氧铜(C1020)，完全地进行再结晶或退火，并进行拉伸强度达到最低的热处理时(O材)的硬度为51～59Hv”，将其值设为上述优选范围的下限值。

需要说明的是，硬度的调节通过轧制等冷加工来进行，通过将冷加工的加工率抑制为30％以下左右，能够使硬度的优选范围的上限值为100Hv以下，从而简便地得到硬度为51～100Hv的铜材料。

如上所述，冷加工是为了调节硬度而实施的。加工率为0％、即完全退火的状态(O材)下的硬度为51～59Hv，若提高加工率，则硬度缓慢提高，加工率为30％时硬度达到100Hv。若加工率过高，则硬度会超过100Hv，会产生上述问题。

本发明中优选的是，与结晶粒径同样地将溅射面、及1/4板厚和1/2板厚的位置的与溅射面平行的面的硬度的分布控制为标准偏差5Hv以内，由此能够提供在整个面上具有均匀的金属组织的溅射靶，能够利用溅射进行均匀的制膜。若硬度的标准偏差超过5Hv，则形成为不均匀的金属组织，无法实现均匀的制膜。在各测定面内和各测定面之间，硬度的标准偏差更优选为3Hv以下。

本发明中，硬度的测定的样品数在各面内设为6个以上。关于测定部位，在各面内在长度方向至少等分为3个，并测定各分割区域内的测定数相等的数。

对于本发明的溅射靶用铜材料的制造方法没有特别限定，但是为了在溅射面和板内部控制结晶粒径和硬度，优选在制造工艺中注意以下所示的要点。本发明中的铜材料的优选制造方法采用熔解铸造-热加工-冷轧-热处理的工序。另外，在热加工与冷加工之间还可以包含平面切削的工序。另外，也可以重复进行冷轧与热处理。此处，热加工为热轧和热挤出等，其是指利用高温对由熔解铸造工艺得到的铸块进行加工的工艺。通过注意以下所示的事项进行制造，能够制作满足上述金属组织的规定的铜材料，在用作组合长条状板来进行靶制造那样的大型显示器用靶材时，可以获得容易均匀地形成溅射膜的效果。

热加工在加工中产生动态再结晶，所形成的再结晶粒在材料温度仍为高温的期间进行晶粒成长。在用作溅射靶的铜材料中，结晶粒径基本上由该热加工决定，因此优选对该工序进行控制。

在现有的热轧工艺中，产生动态再结晶后，曝露于大气中的时间较长，难以将结晶粒径控制为所期望的大小。另外，由于板的端部在大气中的冷却较大，因此存在结晶粒径在材料的宽度方向端部及长度端部与中央部变得不均匀的问题。

本发明中，在利用热轧工艺进行热加工时，进行热加工，在该热加工后立即以冷却速度50℃/秒以上进行水冷，由此能够将晶粒控制为所期望的大小。此处，所谓热加工后立即，在热轧的情况下是指离开辊后60秒以内，另外，在热挤出的情况下是指从模具挤出后10秒以内。

优选温度在700～1000℃的范围内进行热轧前对由纯铜构成的材料的加热。材料的加热温度低于700℃时，挤出中无法充分地产生动态再结晶，无法获得均匀的金属组织。高于1000℃时，难以控制结晶粒径。在热轧中，为了避免由于从传送辊和侧边辊的除热而使材料端部等局部冷却，必须使材料不停滞。通过避免从端部的冷却，能够在材料整个面上获得均匀的组织，能够缩小铜材料内部的结晶粒径和硬度的偏差。热轧的轧制进行多次的道次，最终的道次后希望利用水冷进行冷却。为了使结晶粒径为上述100～200μm，优选将最终道次后至立即进行水冷的时间设为60秒以内，将水冷的冷却速度设为50℃/秒以上，进一步优选设为70℃/秒以上。

冷却速度更优选为100℃/秒以上。对于该冷却速度的上限值没有特别限制，但实际上，通常为300℃/秒左右以下。另外，冷却优选进行至材料达到200℃以下。

对于热加工而言，从可以更加严密地进行结晶粒径和硬度的控制的方面考虑，相对于热轧，优选热挤出工艺。本发明中的热挤出工艺因为能够在无需使挤出的材料暴露于大气中的情况下直接进行水冷，因而能够在动态再结晶后立即以较快的速度进行冷却。因此，可以得到材料内部的温度变动小、在长度方向(从挤出的材料的前端向后端的方向)和宽度方向上结晶粒径和硬度的偏差非常小的金属组织。在利用热挤出工艺进行热加工时，优选温度在700～1000℃的范围进行热挤出前的材料的加工。材料的加热温度低于700℃时，在挤出中无法充分地产生动态再结晶，难以得到均匀的金属组织。高于1000℃时，难以控制结晶粒径。为了使结晶粒径为上述100～200μm，希望将热挤出后立即进行的冷却速度设为50℃/秒以上。

冷却速度进一步优选为100℃/秒以上。对于该冷却速度的上限值没有特别限制，但实际上，通常为300℃/秒左右以下。另外，冷却优选进行至材料达到200℃以下。

与此相对，就热锻造而言，与近年来的靶材的大型化要求所对应的尺寸难以消除锻造后的冷却的不均匀，无法得到均匀的晶粒组织。

对于热加工后的材料，也可以进行冷轧和退火来调质。冷加工率的总和希望设为30％以下(包含0％，表示未轧制)。若冷加工率的总和超过30％，则材料内部的应变量增多，容易超过硬度的规定值。

如上所述，在热加工(热挤出或热轧)后立即进行冷却并根据需要进行冷轧而制造的材料(优选为平板状的材料)利用旋床加工等任意的机械加工等加工至靶形状为止，用于溅射。

实施例

下面基于实施例对本发明进一步进行详细说明，但本发明并不限于这些。

实施例1

(本发明例1～3、比较例5～7)

以表1-1所示的纯度(质量％)制作板厚150mm、宽度220mm、长度2100mm的尺寸的铸块。将它们以表1-1所示的加热温度加热后，进行热轧，制成厚度23mm、宽度220mm、长度约13m的坯板。热轧时以材料不在传送辊上停滞的方式进行，将最终道次至水冷的时间设为45秒。关于水冷，通过搭载有喷淋器的水冷区域，以表1-1所示的50℃/秒以上的冷却速度进行水冷。接下来，对所得到的坯板的表面的氧化膜进行平面切削而使板厚为22mm后，利用冷轧制成厚度20mm×宽度220mm，进而切割去除边缘部分，由此制成厚度20mm×宽度200mm×长度约12m的平板的本发明例1～3和比较例5～7的溅射靶用铜材料。

(比较例8)

除了将最终道次至水冷的秒数设为90秒以外，与本发明例1～3同样地制作比较例8的溅射靶用铜材料。

(比较例9)

除了将水冷速度设为12℃/秒以外，与本发明例1～3同样地制作比较例9的溅射靶用铜材料。另外，水冷速度的变更利用水冷带中的通过速度和喷淋器流量来进行调整。

(比较例10)

除了不进行水冷以外，与本发明例1～3同样地制作比较例10的溅射靶用铜材料。

(本发明例4)

使热轧结束的板厚为28mm，对表面的氧化膜进行平面切削，使板厚为27mm后，进行冷轧，除此以外与本发明例1～3同样地制作本发明例4的溅射靶用铜材料。

(比较例11)

使热轧结束的板厚为31mm，对表面的氧化膜进行平面切削，使板厚为30mm后，进行冷轧，除此以外与本发明例1～3同样地制作比较例11的溅射靶用铜材料。

关于这样得到的本发明例以及比较例的平板的铜材料21，在基于图2的示意性立体图的说明图所示的板表面22、在板厚深度方向与板表面22距离1/4板厚位置的与板表面22平行的面23、和在板厚深度方向与板表面22距离1/2板厚位置的与板表面22平行的面24的各个面上，在材料的长度方向(即加工方向)的轧制前端部(长度前端)的宽度方向的中央部(31，41，51)和侧(端)部(32，42，52)、长度方向的中央部(长度中央)的宽度方向的中央部(33，43，53)和侧(端)部(34，44，54)、长度方向的后端部(长度后端)的宽度方向的中央部(35，45，55)和侧(端)部(36，46，56)的6个部位的共计18个部位，通过下述方法测定结晶粒径和硬度。

另外，图2中，图2(a)为表示铜材料21的整体的立体图，图2(a)中，虚线25表示在板厚深度方向与板表面22距离1/4板厚的位置，虚线26表示在板厚深度方向与板表面22距离1/2板厚的位置。

另外，图2(b)～图2(c)分别相当于沿着虚线25和26将图2(a)的铜材料21分解的铜材料21a、21b、21c的分解立体图。

另外，如基于图3的示意性立体图的说明图那样，在板表面22、与板表面22距离1/4板厚的位置的与板表面22平行的面23、和与板表面22距离1/2板厚的位置的与板表面22平行的面24的各个面上，在轧制前端部(长度前端)(61，64，67)、中央部(长度中央)(62，65，68)、后端部(长度后端)(63，66，69)的3个部位的共计9个部位，从本发明例和比较例的平板的铜材料21，以面22、23、24分别为靶面(溅射面)的方式切下直径6英寸的圆形板，利用下述方法调查溅射特性。需要说明的是，图3是与图2同样的铜材料21的整体立体图(图3(a))及其分解立体图(图3(b)～图3(c))，与图2中的符号相同的符号表示与图2中的含义相同。

[1]结晶粒径

关于铜材料板中的结晶粒径，在上述部位31～36、41～46、51～56的面进行微组织观察，基于JIS H 0501(切割法)进行测定。

[2]硬度

关于铜材料板中的硬度，在上述部位31～36、41～46、51～56的面，基于JIS Z2244利用显微维氏硬度试验机进行测定。

[3]溅射特性

在图3所示的位置61～69，从所得到的铜材料板切下直径

英寸(15.24cm)、厚度6mm，并进行研磨而制成溅射靶。为了消除靶面的粗糙度的影响，将所有最大粗糙度Ra研磨为0.5～0.8μm使粗糙度一致。使用如上所述制作的溅射靶、利用DC磁控管溅射装置对膜厚0.7mm的日本电气硝子社制造的OA-10玻璃基板实施溅射，从而制成0.3μm膜厚的铜配线。溅射条件为将Ar气体压力设为0.4Pa，将放电功率设为12W/cm²。其后在真空中于300℃进行30分钟的热处理。对热处理后的铜配线的膜厚进行10点测定。在9片从同一板切下的靶材的总数90点中，将最大膜厚和最小膜厚的范围达到±7％的板记为“良”，将存在其以上的偏差的板记为“不良”。

上述[1]～[3]的结果示于表1-2。本发明例均呈现出良好的溅射特性。比较例5因杂质量多而溅射特性变得不良。比较例6、7、9和10因结晶粒径及其标准偏差偏离规定值而溅射特性变得不良。比较例8因结晶粒径和硬度的标准偏差均偏离规定值而溅射特性变得不良。

另外，比较例11(上述(2)项的发明的比较例)因偏离硬度算术平均值的规定值而无法得到均匀的厚度的膜，溅射特性变得不良。

表1-1

实施例2

(本发明例101～103、比较例105～108)

制作具有表2-1所示纯度的直径300mm×长度800mm的纯铜的铸块，作为热挤出用坯料。将上述坯料加热至表2-1所示的加热温度后进行挤出，继而立即将挤出材料以表2-1所示的冷却速度水冷至150℃以下，得到厚度22mm×宽度200mm的坯板。接下来对上述坯板进行冷轧，制作厚度20mm×宽度200mm×长度约12m的平板的本发明例101～103和比较例105～108的溅射靶用铜材料。

(本发明例104)

使挤出后板厚为27mm从而制成坯板，利用冷轧制成厚度20mm的平板，除此以外与本发明例101～103同样地制作本发明例104的溅射靶用铜材料。

(比较例109)

使挤出后板厚为30mm从而制成坯板，利用冷轧制成厚度20mm的平板，除此以外与本发明例101～103同样地制作比较例109的溅射靶用铜材料。

关于所得到的利用热挤出而成的平板，在与实施例1相同的位置，与实施例1同样地调查结晶粒径、硬度和溅射特性。结果示于表2-2。

如表2-2所示的结果那样，本发明例101～104均满足特性。比较例105因杂质量多而溅射特性变得不良。比较例106在热挤出时材料的变形阻力过高，材料无法很好地进行挤出从而无法得到样品。比较例107和108因偏离结晶粒径的算术平均值和标准偏差的规定而溅射特性变得不良。比较例109(上述(2)项的发明的比较例)因偏离硬度算术平均值的规定值而无法得到均匀的厚度的膜，溅射特性变得不良。

表2-1

符号的说明

1TFT元件

2玻璃基板

3扫描线

4栅电极

5绝缘膜

6非晶硅层

7掺杂磷的非晶硅层

8、9源极-漏极

10氮化硅的保护膜

11掺锡氧化铟膜

12阻隔层

21平板的铜材料

22板表面

23在板厚深度方向距板表面1/4板厚位置的与板表面平行的面

24在板厚深度方向距板表面1/2板厚位置的与板表面平行的面

25在板厚深度方向距板表面1/4板厚的位置

26在板厚深度方向距板表面1/2板厚的位置

上文已经对本发明与其实施方式一起进行了说明，但发明人认为，只要本申请中没有特别指定，则对用于说明本发明的任何细节并无限定，应该能够在不违反所附权利要求所示的发明宗旨和范围的条件下进行广泛的解释。

本申请主张基于2009年9月18日在日本提交的专利日本特愿2009-216579的优先权，本申请参考上述专利申请的内容，将其内容作为本说明书记载的一部分插入至本申请中。

Claims (4)

1.一种溅射靶用铜材料的制造方法，其是制造溅射靶用铜材料的方法，该制造方法的特征在于，

其包含在700℃～1000℃的加热温度下对纯度为99.99%以上的高纯度铜进行热轧或热挤出的工序、和在该热轧或热挤出后立即以50℃/秒以上的冷却速度进行水冷的工序，

并且，得到下述溅射靶用铜材料，该溅射靶用铜材料由所述高纯度铜构成，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内，

并且，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的硬度的算术平均值分别为51～100Hv，在各测定面内及各测定面之间，上述硬度的标准偏差为5Hv以内。

2.如权利要求1所述的溅射靶用铜材料的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括在该水冷之后以冷轧率的总和为30%以下的方式进行冷轧的工序。

3.一种溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料是通过在700℃～1000℃的加热温度下对纯度为99.99%以上的高纯度铜实施热轧或热挤出，并在该热轧或热挤出后立即以50℃/秒以上的冷却速度进行水冷而得到的，其纯度为99.99%以上，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的结晶粒径的算术平均值分别为100～200μm，在各测定面内和各测定面之间，结晶粒径的标准偏差为10μm以内，

并且，在溅射面、在板厚深度方向距该溅射面1/4板厚的位置的与溅射面平行的面、和在板厚深度方向距该溅射面1/2板厚的位置的与溅射面平行的面所测定的硬度的算术平均值分别为51～100Hv，在各测定面内及各测定面之间，上述硬度的标准偏差为5Hv以内。

4.如权利要求3所述的溅射靶用铜材料，其特征在于，该溅射靶用铜材料是通过在该水冷之后以冷轧率的总和为30%以下的方式进行冷轧而得到的。

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