TWI525203B - Silver alloy sputtering target for forming conductive film and its manufacturing method - Google Patents
Silver alloy sputtering target for forming conductive film and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI525203B TWI525203B TW101111880A TW101111880A TWI525203B TW I525203 B TWI525203 B TW I525203B TW 101111880 A TW101111880 A TW 101111880A TW 101111880 A TW101111880 A TW 101111880A TW I525203 B TWI525203 B TW I525203B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- silver alloy
- mass
- sputtering target
- conductive film
- silver
- Prior art date
Links
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 171
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 114
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 96
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 68
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 59
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 58
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 47
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 45
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 30
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 18
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 149
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 45
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 41
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 25
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 22
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 3
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007531 graphite casting Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- -1 and further Chemical compound 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000001507 sample dispersion Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本發明係關於形成有機電致發光(EL)元件的反射電極膜或觸控面板的配線膜等之導電膜之用的銀合金濺鍍靶及其製造方法。進而詳言之，係關於大型的銀合金濺鍍靶。
有機EL(電致發光)元件，係使用對形成於有機EL發光層的兩側的陽極與陰極之間施加電壓，由陽極對有機EL膜注入正孔，由陰極注入電子，在有機EL發光層正孔與電子結合時會發光的原理之發光元件，作為顯示器裝置用途在最近幾年受到矚目。於此有機EL元件的驅動方式，有被動陣列方式，主動陣列方式。主動陣列方式，是藉由在一個畫素上設一個以上之薄膜電晶體，可以高速地進行切換，所以在高對比化，高精細化上是有利的，是可以發揮有機EL元件的特徵的驅動方式。
此外，光之取出方式，有由透明機板側取出光之底發射方式，以及在與基板相反之側取出光的頂發射方式，開口率高的頂發射方式對於高亮度化是有利的。
於圖2，顯示以反射電極為陽極的頂發射構造之層構成之例。此處，反射電極膜(在圖2，記載為「反射陽極膜」)，為了要效率高地反射以有機EL膜發出的光，以高反射率且耐蝕性高者為較佳。此外，作為電極以低電阻
為較佳。作為這樣的材料，已知有銀合金及鋁合金，為了得到更高亮度的有機EL元件，因可見光反射率很高，所以銀合金是優異的。此處，在對有機EL元件形成反射電極膜時，採用濺鍍法，使用銀合金濺鍍靶(專利文獻1)。
此外，除了有機EL元件用反射電極膜以外，在觸控面板的拉出配線等導電性膜，也檢討使用銀合金膜。作為這樣的配線膜，例如使用純銀的話，會產生遷移容易發生短路不良，所以檢討銀合金膜的採用。
[專利文獻1]國際公開2002/077317號公報
然而，前述從前的技術殘留有以下的課題。
亦即，伴隨著有機EL元件製造時之玻璃基板的大型化，使用於反射電極膜的銀合金靶也開始使用大型的靶材。此處，對大型的靶投入高電力進行濺鍍時，隨著靶的異常放電會發生被稱為「飛濺(splash)」的現象，會有由於溶融的微粒子附著於基板使配線或電極間短路，導致有機EL元件的生產率降低的問題。在頂放射方式的有機EL元件的反射電極膜，因為要成為有機EL發光層的下底層
，所以被要求更高的平坦性，有必要更加抑制飛濺(splash)。
此外，作為有機EL元件的反射電極膜被期待著高反射率，同時作為有機EL元件的反射電極膜及觸控面板的配線膜等之導電性膜，被要求著良好的膜的耐蝕性及耐熱性或是低的電阻。
本發明係有鑑於前述課題而完成之發明，目的在於提供伴隨著靶材的大型化，即使對靶材投入大電力也可以抑制飛濺(splash)，同時耐蝕性及耐熱性優異，可以形成低電阻的膜之導電模型成用銀合金濺鍍靶及其製造方法。
本案之發明人等，發現了藉由特定的製造方法，使導電膜形成用銀合金濺鍍靶的結晶粒的平均粒徑成為120~400μm的話，即使投入大電力也可以抑制飛濺(splash)。此外，發現了對銀添加適量的鎵或錫，可以提高膜的耐蝕性及耐熱性。
此外，本案之發明人等，發現了藉由對銀添加適量的銦及鎵或錫，使結晶粒的平均粒徑成為120~250μm的話，即使投入大電力也可以抑制飛濺(splash)。
亦即，本發明係由前述見解所得到者，為解決前述課題而採用了以下的構成。
相關於第1發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5
質量百分比(以下亦標示為「質量%」)，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以前述含量範圍之以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以即使在濺鍍中投入大電力，也可以抑制異常放電，抑制飛濺(splash)的發生。此外，藉由使用此導電膜形成用銀合金濺鍍靶進行濺鍍，可以得到具有良好的耐蝕性及耐熱性，進而低電阻的導電膜。
相關於第2發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，使銅、鎂之中的1種或2種以上含有前述範圍之量，所以可進一步抑制結晶粒的粗大化，同時可進而抑制膜的腐蝕導致的反射率降低。
相關於第3發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而鈰(Ce)、銪(Eu)之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，使鈰、銪之中的1種或2種以上含有前述範圍之量，所以可進一步抑制結晶粒的粗大化，同時可進而抑制膜的腐蝕導致的反射率降低。
相關於第4發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以前述含量範圍之以具有銦，以及鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以即使在濺鍍中投入大電力，也可以抑制異常放電，抑制飛濺(splash)的發生。此外，藉由
使用此導電膜形成用銀合金濺鍍靶進行濺鍍，可以得到具有良好的耐蝕性及耐熱性，進而低電阻的導電膜。
相關於第5發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，與銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，使銅、鎂之中的1種或2種以上含有前述範圍之量，所以可進一步抑制結晶粒的粗大化，同時可進而抑制膜的腐蝕導致的反射率降低。
相關於第6發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，特徵為：含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，與鈰、銪之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，使鈰、銪之中的1種或2種以上含有前述範圍之量，所以可進一步抑制結晶粒的粗大化，同時可進而抑制膜的腐蝕導致的反射率降低。
如申請專利範圍第7項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，係於第1至第6發明之任一，特徵為靶的表面具有0.25m2以上的面積。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶，適切用於大型的濺鍍靶的場合，前述的效果很顯著。
相關於第8發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係製作第1導電膜形成用銀合金濺鍍靶之方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，藉由反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟，所以即使是大型的靶也可以使結晶粒的粒徑的離散度為平均粒徑的20%以下。
相關於第9發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係於第2導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有1.5質量%以下，進而銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，熔解鑄造錠，進而含有銅、鎂之中的1種或2種合計在1.0質量%以下，所以可得到更進一步抑制結晶粒的粗大化之前述第2發明的銀合金濺鍍靶。
相關於第10發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係於第3導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有1.5質量%以下，進而鈰、銪之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，熔解鑄造錠，進而含有鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下，所以可得到更進一步抑制結晶粒的粗大化之前述第3發明的銀合金濺鍍靶。
相關於第11發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係製作第4導電膜形成用銀合金濺鍍靶之方法，係將含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，藉由反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟，所以即使是大型的靶也可以使結晶粒的粒徑的離散度為平均粒徑的20%以下。
相關於第12發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係製作第5導電膜形成用銀合金濺鍍靶之方法，係將含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，與銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，熔解鑄造錠，進而含有銅、鎂之中的1種或2種合計在1.0質量%以下，所以可得到更進一步抑制結晶粒的粗大化之前述第5發明的銀合金濺鍍靶。
相關於第13發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，特徵係製作第6導電膜形成用銀合金濺鍍靶之方法，係將含有銦0.1~1.5質量%，進而以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，與鈰、銪之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步
驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，熔解鑄造錠，進而含有鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下，所以可得到更進一步抑制結晶粒的粗大化之前述第6發明的銀合金濺鍍靶。
如申請專利範圍第14項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係於第8至第13之任一發明，特徵為前述熱間鐓粗(upsetting)鍛造的溫度為750~850℃。
亦即，在此導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，因為熱間鐓粗(upsetting)鍛造的溫度為750~850℃，所以可以使結晶粒的粒徑的離散度為平均粒徑的20%以下，同時使結晶粒的平均粒徑在400μm以下。進而，在含有銦0.1~1.5質量%之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，可以使結晶粒的平均粒徑在250μm以下。
根據本發明，可達到以下之效果。
根據本發明之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以前述含量範圍之含有鎵、錫之中的1種或2種之銀合金所構成，該銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以可抑制濺鍍中的飛濺(splash)的發生，同時具有良好的耐蝕性及耐熱性，可得低電阻的導電膜。
此外，根據本發明之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以含有前述含量範圍之銦，與鎵、錫之中的1種或2種之銀合金所構成，該銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以可抑制濺鍍中的飛濺(splash)的發生，同時具有良好的耐蝕性及耐熱性，可得低電阻的導電膜。
此外，根據本發明之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，即使是大型靶也可以抑制飛濺(splash)的發生，可以製造可形成良好的導電膜之銀合金濺鍍靶。
以下，參照圖1同時說明相關於本發明的導電膜形成用銀合金濺鍍靶及其製造方法之一實施型態。又，「%」在沒有特別說明時，此外排除數值固有的場合，是指質量%。
本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，係以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒(以下，稱為銀合金結晶粒)的平均粒徑為120~400μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
此外，本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，亦可以具有以鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量
%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成。
此外，亦可替代前述銅、鎂，而含有鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下。
此外，本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以含有銦0.1~1.5質量%，進而具有以鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒(以下，稱為銀合金結晶粒)的平均粒徑為120~250μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
此外，本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，亦可以具有以銦0.1~1.5質量%，進而鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成。
此外，亦可替代前述銅、鎂，而含有鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下。
此實施型態之濺鍍靶，靶表面(靶的供濺鍍之側之面)，具有0.25m2以上的面積，矩形靶的場合，至少一邊為500mm以上，長度的上限，由靶的操作性的觀點來看，以2500mm為佳。另一方面，寬幅的上限，由在冷間壓延步驟使用的壓延機一般可壓延的尺寸上限的觀點來看，以1700mm為佳。此外，靶的交換頻度的觀點來看，靶的
厚度以6mm以上為佳，磁控管濺鍍的放電安定性的觀點來看，以20mm以下為佳。
前述銀，具有使藉由濺鍍形成的有機EL元件的反射電極膜或觸控面板的配線膜降低電阻的效果。
前述鎵、錫以及銦，具有提高靶的硬度的效果，可以抑制機械加工時的翹曲。特別是，可以抑制靶表面具有0.25m2以上的面積的大型靶之機械加工時的翹曲。而且，鎵、錫及銦的適量添加，也有提高藉由濺鍍形成的導電膜的耐蝕性及耐熱性的效果。這是因為鎵、錫及銦，具有微細化膜中的結晶粒，同時減少膜的表面粗糙度，此外，固溶於銀提高結晶粒的強度，抑制熱導致結晶粒的粗大化，抑制膜的表面粗糙度的增大，或是抑制膜的腐蝕導致反射率降低等效果。亦即，使用本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶形成的反射電極膜或配線膜，可以提高膜的耐蝕性及耐熱性，所以有貢獻於有機EL元件的高亮度化或者改善觸控面板等的配線的可信賴性。
又，鎵、錫之中的1種或2種的合計含量限定於前述範圍的理由，是含有鎵、錫之中的1種或2種合計含有未滿0.1質量%，也無法得到前述記載之添加鎵、錫之效果，含有鎵、錫之中的1種或2種合計超過1.5質量%的話，膜的電阻會增加，或是濺鍍形成的膜的耐蝕性反而降低，是不欲見到的結果。亦即，膜的組成，依存於靶組成，所以銀合金濺鍍靶所含有的鎵、錫之中的1種或2種的合計含量被設定為0.1~1.5質量%，更佳者為定在0.2~1.0
質量%。
此外，銦含量限定於前述範圍的理由，是即使銦含有未滿0.1質量%，也無法得到前述記載之添加銦之效果，含有銦超過1.5質量%的話，膜的電阻會增加，或是濺鍍形成的膜的耐蝕性反而降低，是不欲見到的結果。亦即，膜的組成，依存於靶組成，所以銀合金濺鍍靶所含有的銦含量被設定為0.1~1.5質量%，更佳者為定在0.2~1.0質量%。
前述銅、鎂，固溶於銀，有防止結晶粒的粗大化的效果。特別是伴隨著靶的大型化，銀合金結晶粒，在靶中容易部分粗大化，引誘產生濺鍍中的飛濺(splash)，所以根據銅、鎂的添加來抑制銀合金結晶粒的粗大化，帶來顯著的效果。尚且，於濺鍍所形成之膜，適量的銅、鎂的添加，也有更進一步抑制熱導致的結晶粒的粗大化抑制膜的表面粗糙度的增大，或是進而抑制膜的腐蝕導致反射率的降低之效果。
又，銅、鎂的含量限定於前述範圍的理由，是銅、鎂之中的1種或2種以上合計含有超過1.0質量%的話，藉由濺鍍形成的膜的耐蝕性反而會降低，或膜的電阻會增加，所以不適用於電極膜或配線膜。亦即，濺鍍形成的膜的組成，依存於靶組成，所以銀合金濺鍍靶所含有的銅、鎂之中的1種或2種的合計含量被設定為1.0質量%以下，更佳者為定在0.3~0.8質量%。
前述鈰、銪，與銀之間形成金屬間化合物，金屬間化
合物偏析於結晶粒界，有防止結晶粒的粗大化的效果。特別是伴隨著靶的大型化，合金結晶粒，在靶中容易部分粗大化，引誘產生濺鍍中的飛濺(splash)，所以根據鈰、銪的添加來抑制銀合金結晶粒的粗大化，帶來顯著的效果。尚且，於濺鍍所形成之膜，也有更進一步抑制熱導致的結晶粒的粗大化抑制膜的表面粗糙度的增大，或是進而抑制膜的腐蝕導致反射率的降低之效果。
又，把鈰、銪的含量限定於前述範圍的理由，是鈰、銪之中的1種或2種合計含有超過0.8質量%的話，在靶組織中，這些元素與銀之金屬間化合物的析出量增大，析出物的粒徑變得粗大，導致濺鍍時的異常放電增大因此不佳。亦即，濺鍍形成的膜的組成，依存於靶組成，所以銀合金濺鍍靶所含有的鈰、銪之中的1種或2種的合計含量被設定為0.8質量%以下，更佳者為定在0.3~0.5質量%。
此處，前述鎵、錫、銦、銅、鎂、鈰、銪的定量分析，係藉由感應耦合電漿分析法(ICP法)來進行的。
本實施型態之濺鍍靶中的銀合金結晶粒的平均粒徑，為120~400μm，較佳者為150~350μm。銀合金結晶粒的平均粒徑限定在前述範圍的理由，是平均粒徑比120μm還小的話，結晶粒徑的離散度變大，在大電力的濺鍍中，容易發生異常放電，變成會發生飛濺(splash)的緣故。另一方面，平均粒徑超過400μm的話，伴隨著靶材因濺鍍而消耗，各個結晶粒的結晶方位不同導致濺鍍速率
之差，會使濺鍍表面的凹凸變大，在大電力之濺鍍中，容易發生異常放電，容易發生飛濺(splash)。
含有銦之本實施型態之濺鍍靶中的銀合金結晶粒的平均粒徑，為120~250μm，較佳者為150~220μm。銀合金結晶粒的平均粒徑限定在前述範圍的理由，是平均粒徑比120μm還小的話，結晶粒徑的離散度變大，在大電力的濺鍍中，容易發生異常放電，變成會發生飛濺(splash)的緣故。另一方面，平均粒徑超過250μm的話，伴隨著靶材因濺鍍而消耗，各個結晶粒的結晶方位不同導致濺鍍速率之差，會使濺鍍表面的凹凸變大，在大電力之濺鍍中，容易發生異常放電，容易發生飛濺(splash)。
此處，銀合金結晶粒之平均粒徑，係如以下所述進行測定的。
首先，在濺鍍靶的濺鍍面內均等地由16處地點，採取一邊為10mm程度的正方體試樣。具體而言，是把濺鍍靶區分為縱4×橫4之16處所，由各部的中央部來採取。
又，在本實施型態，是以500×500(mm)以上的濺鍍面，亦即靶表面具有0.25m2以上的面積之大型靶為對象，所以記載著從作為大型靶之一般使用的矩形靶來採取試樣的採取法，但本實施型態，當然對於圓形靶的飛濺(splash)發生的抑制也可以發揮效果。此時，依照大型矩形靶之試樣採取法，在濺鍍靶的濺鍍面內均等地區分出16處所而進行採取。
其次，研磨各試片的濺鍍面側。此時，以#180~
#4000之耐水紙研磨之後，以3μm~1μm之磨粒進行拋光研磨。
進而，蝕刻到能夠以光學顯微鏡看到粒界的程度。此處，蝕刻液，使用過氧化氫與氨水的混合液，在室溫浸漬1~2秒，顯現出粒界。其次，針對各試樣，以光學顯微鏡攝影倍率為30倍的照片。
於各照片，將60mm之線段，成井字狀以20mm之間隔縱橫各拉出4條線，計算分別的直線所切斷的結晶粒的數目。又，線段之端的結晶粒以0.5個來計算。接著，以L=60000/(M．N)(此處M為實際倍率，N為切斷的結晶粒數的平均值)，來求出平均切片程度L(μm)。
接著，由求出的平均切片長度L(μm)，以d=(3/2)．L算出試樣的平均粒徑d(μm)。
如此，把由16處所採樣的試樣的平均粒徑的平均值，作為靶的銀合金結晶粒的平均粒徑。本實施型態之濺鍍靶之銀合金結晶粒的平均粒徑在120~400μm之範圍。含有銦之本實施型態之濺鍍靶之銀合金結晶粒的平均粒徑在120~250μm之範圍。
此銀合金結晶粒的粒徑的離散度，為銀合金結晶粒的平均粒徑的20%以下的話，可以更為確實地抑制濺鍍時之飛濺(splash)。
此處，粒徑的離散值，是特定在16處所求得的16個平均粒徑之中，與平均粒徑之偏差的絕對值(|[(某1處所的平均粒徑)-(16處所的平均粒徑)]|)成為最
大者，使用該特定的平均粒徑(特定平均粒徑)如以下所述地計算出。
|〔(特定平均粒徑)-(16處所之平均粒徑)〕|/(16處所之平均粒徑)×100(%)
如此，根據本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以前述含量範圍之具有以鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以即使在濺鍍中投入大電力，也可以抑制異常放電，抑制飛濺(splash)的發生。進而，根據本實施型態的導電膜形成用銀合金濺鍍靶，以前述含量範圍之具有以銦，以及鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下，所以即使在濺鍍中投入大電力，也可以抑制異常放電，抑制飛濺(splash)的發生。此外，藉由使用此導電膜形成用銀合金濺鍍靶進行濺鍍，可以得到具有良好的耐蝕性及耐熱性，進而低電阻的導電膜。本實施型態之濺鍍靶，特別是對於濺鍍靶尺寸為寬幅：500mm，長度：500mm、厚度6mm以上的大型靶的場合
是有效的。
其次，說明本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法。
本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，作為原料使用純度99.99質量%以上的銀，純度99.9質量%以上的鎵、錫。使用銦的場合，使用純度99.9質量%以上的銦。
首先，把銀及鎵在高真空或者惰性氣體氛圍下熔解，對所得到的熔湯添加特定含量的錫，其後，在真空或惰性氣體氛圍中熔解，製作鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀及不可避免的不純物所構成的銀合金熔解鑄造錠。
此外，把銀及鎵在高真空或者惰性氣體氛圍下熔解，對所得到的熔湯添加特定含量的銦及錫，其後，在真空或惰性氣體氛圍中熔解，製作含有銦0.1~1.5質量%，進而含鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀及不可避免的不純物所構成的銀合金熔解鑄造錠。
此處，銀的熔解，是一旦使氛圍為真空之後，在以氬氣置換的氛圍下進行，熔解後在氬氣氛圍中對銀及鎵的熔湯添加錫，或者對銀及鎵的熔湯添加銦及錫，從安定化銀與鎵、錫之組成比率，或者銀與銦、鎵、錫之組成比率的觀點來看，是較佳的。進而，鎵、錫是以預先製作的銀鎵、銀錫或者銀鎵錫之母合金的型態添加亦可。
其次，為了使銀合金結晶粒的平均粒徑成為特定值，把熔解鑄造錠進行熱間鍛造。熱間鍛造，是在750~850℃加熱1~3小時後，反覆進行6~20次之鍛錬成型比1/1.2~1/2之鐓粗(upsetting)鍛造為較佳。熱間斷造，以自由鍛造為更佳，例如，使鍛造方向逐次旋轉90度同時反覆進行為特佳。更詳細地說，如圖1所是，使用圓柱狀的錠1的場合，首先鍛造為角形之錠2。
其後，將角形之錠2，以每次鍛造後將鍛造方向旋轉90度的方式，反覆進行鍛造。此時，角形之錠2的縱、橫、高方向(圖2之x，y，z方向)之所有方向上進行鍛造的方式使其旋轉，就使錠全體之銀合金結晶粒的平均值成為特定值的觀點來看，是更佳的。此處，圖1所示的虛線的箭頭，均顯示鍛造方向，z為鑄造方向，x為對z旋轉90度之任一方向，y為對z及x成90度的方向。
此反覆之步驟，是為了要使本實施型態之濺鍍靶的銀合金結晶粒的平均粒徑成為所要的值，而且使銀合金結晶粒的粒徑的離散度在所要的範圍內之較佳的做法。反覆次數未滿6次的話，前述效果變成不充分。另一方面，反覆次數比20次更多，也不會更為提高抑制銀合金的結晶粒的粒徑離散度之效果。
此外，熱間之鐓粗(upsetting)鍛造的溫度不滿750℃的話，存在著微結晶所以粒徑的離散度抑制效果無法充分發揮所以不佳，而超過850℃的話會殘存粗大化的結晶導致無法充分發揮粒徑的離散度抑制效果所以不佳。又，
為了緩和藉由熱間鍛造形成的各稜及/或各角部之急速冷卻，在對錠本體之鍛鍊不造成影響的程度下，敲擊錠之該稜及/或該角部，適當地進行所謂的敲角的作法是較佳的。
其次，冷間壓延鍛造後之錠3至所要的厚度為止，成為板材4。在此冷間壓延之1流程(1遍)的壓下率為5~10%的話，由粒徑離散度的抑制效果來看是較佳的。反覆此冷間壓延，使總壓下率((冷間壓延前之錠的厚度-冷間壓延後之錠的厚度)/冷間壓延前之錠的厚度)，成為60~75%為止不斷地進行，從使總壓下率為特定值，且維持粒徑離散度的抑制效果的情況下，微細化結晶粒徑的觀點來看是較佳的。此外，要發揮前述效果，以進行10~20遍為佳。
前述冷間壓延後的熱處理，在550~650℃，進行1~2小時，從藉由再結晶化控制為特定的平均粒徑的觀點來看是較佳的。
將此熱處理後的板材4，藉由銑切加工、放電加工等機械加工至所要的尺寸，可以製造本實施型態之導電膜形成用銀合金濺鍍靶。機械加工後的靶之濺鍍面的算術平均表面粗糙度(Ra)，由抑制濺鍍時的飛濺(splash)的觀點來看以0.2~2μm為較佳。
其次，製作相關於本發明的導電膜形成用銀合金濺鍍
靶之實施例，說明評估的結果。
作為原料使用純度99.99質量%以上的銀，純度99.9質量%以上的鎵，在高頻真空熔解爐，以各成分成為表1所示的質量比的方式將銀與鎵裝填作為原料。熔解時之總質量約為300kg。
把真空處理室內進行真空排氣後置換為氬氣，熔解銀及鎵，將合金熔湯鑄造於石墨製鑄模。切除藉由鑄造製造之錠的上部之澆道部分，作為健全部分得到約260kg之錠( 290×370mm)。
將所得到之錠在800℃加熱1小時後，反覆逐次將鍛造方向旋轉90度，對鑄造方向：z、對z成90度的任意方向：x、對z及x成90度的方向：y之所有的方向，進行鍛造。每次之鍛鍊成型比為1/1.2~1/2，改變方向繼續進行19次之鐓粗(upsetting)鍛造。在第20次之鍛造展伸，成形為大約600×910×45(mm)之尺寸。
冷間壓延鍛造後之錠，得到大約為1200×1300×16(mm)之板材。冷間壓延之每1遍的壓下率為5~10%，總計進行13遍。此冷間壓延的總壓下率為70%。
此壓延後，在640℃加熱板材保持1小時，施以再結晶化處理。
接著，將此板材機械加工為1000×1200×12(mm)之
尺寸，成為本發明的實施例1之濺鍍靶。
針對前述機械加工後的實施例1之濺鍍靶，測定其翹曲。結果顯示於表2。
銀合金結晶粒之粒徑測定，從如前所述製造的實施例1之1000×1200×12(mm)之濺鍍靶，如前述本實施型態所記載的，由16處所之地點均等地採取試樣，測定由各試樣之濺鍍面所見的表面的平均粒徑，計算各試樣的平均粒徑的平均值之銀合金結晶粒的平均粒徑以及銀合金結晶粒的平均粒徑的離散度。平均粒徑的離散度的測定結果顯示於表1。此結果，於本實施例1的濺鍍靶，銀合金結晶粒的平均粒徑在120~400μm之範圍，銀合金結晶粒的粒徑的離散度為銀合金結晶粒的平均粒徑的20%以內。
由本實施例1之1000×1200×12(mm)之濺鍍靶的任意部分，切出直徑：152.4mm、厚度：6mm的圓板，焊接在銅製的背板上。將此焊接的濺鍍靶，作為濺鍍時的飛濺(splash)的評估用靶來使用，進行濺鍍中的異常放電次數的測定。結果顯示於表2。
又，在此異常放電次數的測定，於通常的磁控管濺鍍裝置，安裝前述焊接的評估用靶，排氣至1×10-4Pa之後，以氬氣壓：0.5Pa、投入電力：DC1000W、靶基板間距離：60mm之條件，進行了濺鍍。濺鍍時的異常放電次數，是藉由MKS儀器公司製造的DC電源(型號：RPDG-50A)之電弧計數功能，計測放電開始起算30分鐘的異常放電次數。結果顯示於表2。此結果，於本實施例1之濺鍍靶，異常放電次數在10次以下。
使用前述(3)所示的評估用靶，以與前述(2)相同的條件進行濺鍍，在20×20(mm)之玻璃基板上以100nm的膜厚成膜，得到銀合金膜。進而，為了評估耐熱性，將此銀合金膜，施以250℃，10分鐘的熱處理，此後，藉由原子間力顯微鏡測定銀合金膜的平均面粗糙度(Ra)。結果顯示於表2。此結果，顯示本實施例1之濺鍍靶製作之膜的平均面粗糙度Ra，在1nm以下。
為了評估耐蝕性，如前述(4-1)同樣進行而成膜之銀合金膜的反射率，在溫度80℃，濕度85%的恆溫高濕槽保持100小時後，藉由分光光度計進行了測定。結果顯示於表2。此結果，顯示本實施例1之濺鍍靶製作之銀合
金膜在波長550nm之絕對反射率，為90%以上。
測定與前述(4-1)同樣進行而成膜的銀合金膜的比電阻之結果顯示於表2。此結果，顯示本實施例1之濺鍍靶製作之銀合金膜的比電阻為3.34μΩ．cm之相當低的值。
除了表1所記載的成分組成及製造條件以外，與實施例1同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例2~9及比較例1~5之濺鍍靶後，與實施例1同樣處理，進行前述各種評估。這些結果顯示於表1及表2。
以表1所記載的鎵、錫之成分組成，與實施例1同樣處置熔解，在角形的石墨製模具鑄造，製作大約400×400×150(mm)之錠，進而將該錠在600℃加熱1小時後，熱間壓延，製作了先前技術例1之濺鍍靶。此外，與先前技術例1同樣，熱間壓延鑄造錠後，製作了進而施以600℃，2小時的熱處理之先前技術例2之濺鍍靶。使用這些先前技術例1及先前技術例2之濺鍍靶，與實施例1之評估同樣進行，實施了前述各種評估。這些結果顯示於表1及表2。
以記載於表1的鎵之配合比投入重量為7kg進行熔解，將合金熔湯在石墨鑄模鑄造，製作 80×110(mm)之錠，把所得到的錠與比較例7同樣的鐓粗(upsetting)鍛造次數(5次)，冷間壓延的壓下率加工，在施以熱處理得到220×220×11(mm)之板材。針對此參考例1，與前述之實施例及比較例同樣進行，實施了前述之各種評估。這些結果顯示於表1及表2。但是參考例1之濺鍍靶的尺寸，比前述實施例及比較例所製作的濺鍍靶還要小，所以不評估機械加工後的翹曲。
由表1可知，實施例1~9，銀合金結晶粒的平均粒徑為190~340μm，粒徑的離散度，為12~19%，相當良好。對此，在鎵為0.05質量%之比較例1，平均粒徑為410μm在所要的範圍以外。此外，在熱間鍛造溫度為700℃的比較例3，粒徑的離散度大到29%，在熱間鍛造的溫度為900℃的比較例4，平均粒徑大到450μm，粒徑的離散度也大到35%。
由表2可知，實施例1~9，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，在鎵為0.05質量%之比較例1，機械加工後的翹曲大到1.4mm，膜的表面粗糙度也大到2nm，同時波長550nm之絕對反射率小到87.5%。在錫為1.7質量%之比較例2，波長550nm之絕對反射率小到88.5%。此外，比較例1，比較
例3~5以及從前技術例1、2，異常放電次數多達22次以上。進而，在錫為1.7質量%之比較例2，膜的比電阻高達7.93μΩ．cm。
除了表3所記載的鎵、錫與銅、鎂的成分組成及製造條件以外，與實施例1同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例10~20及比較例6之濺鍍靶後，與實施例1同樣處理，進行前述各種評估。這些結果顯示於表3及表4。
由表3可知，實施例10~20，銀合金結晶粒的平均粒徑為130~260μm，粒徑的離散度，為11~17%，相當良好。
此外，由表4可知，實施例10~20，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，鎂為1.7重量%的比較例6，其他的特性都為良好，但波長550nm之絕對反射率為88.4%偏低，膜的比電阻高達7.81μΩ．cm。
除了表5所記載的鎵、錫與鈰、銪的成分組成及製造條件以外，與實施例1同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例21~28及比較例7之濺鍍靶後，與實施例1同樣處理，進行前述各種評估。這些結果顯示於表5及表6。
由表5可知，實施例21~28，銀合金結晶粒的平均粒徑為130~270μm，粒徑的離散度，為15~18%，相當良好。
此外，由表6可知，實施例21~28，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，銪為09重量百分比的比較例7，雖然其他特性都良好，但異常放電次數多達12次。
作為原料使用純度99.99質量%以上的銀，純度99.9質量%以上的銦，純度99.9質量%以上的鎵，在高頻真空熔解爐，以各成分成為表7所示的質量比的方式將銀與銦與鎵裝填作為原料。熔解時之總質量約為300kg。
把真空處理室內進行真空排氣後置換為氬氣，熔解銀及鎵之後，添加銦，將合金熔湯鑄造於石墨製鑄模。切除藉由鑄造製造之錠的上部之澆道部分，作為健全部分得到約260kg之錠( 290×370mm)。
所得到之錠，與實施例1同樣加熱、鍛造。
鍛造後之錠，與實施例1同樣冷間壓延。
壓延後，在580℃加熱板材保持1小時，施以再結晶化處理。
接著，將此板材機械加工為1000×1200×12(mm)之尺寸，成為本發明的實施例29之濺鍍靶。
與實施例1同樣進行，針對本實施例29之濺鍍靶進行了前述之各種評估(1)~(4)。其結果顯示於表7及表8。
除了表7所記載的成分組成及製造條件以外，與實施例29同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例30~42及比較例8~14之濺鍍靶後，與實施例29同樣處理，進行前述
各種評估。這些結果顯示於表7及表8。
以表7所記載的銦、鎵、錫之成分組成，與實施例29同樣處置熔解，在角形的石墨製模具鑄造，製作大約400×400×150(mm)之錠，進而將該錠在600℃加熱1小時後，熱間壓延，製作了先前技術例3之濺鍍靶。此外，與先前技術例3同樣，熱間壓延鑄造錠後，製作了進而施以600℃，2小時的熱處理之先前技術例4之濺鍍靶。使用這些先前技術例3及先前技術例4之濺鍍靶，與實施例29之評估同樣進行，實施了前述各種評估。這些結果顯示於表7及表8。
以記載於表7的銦、鎵之配合比投入重量為7kg進行熔解，將合金熔湯在石墨鑄模鑄造，製作 80×110(mm)之錠，把所得到的錠與比較例7同樣的鐓粗(upsetting)鍛造之次數(5次)，冷間壓延的壓下率加工，在施以熱處理得到220×220×11(mm)之板材。針對此參考例2，與前述之實施例及比較例同樣進行，實施了前述之各種評估。這些結果顯示於表7及表8。但是參考例2之濺鍍靶的尺寸，比前述實施例及比較例所製作的濺鍍靶還要小，所以不評估機械加工後的翹曲。
由表7可知，實施例29~42，銀合金結晶粒的平均粒徑為120~250μm，粒徑的離散度，為12~20%，相當良好。對此，在銦為0.05質量%之比較例8，平均粒徑為260μm在所要的範圍以外。此外，在熱間鍛造溫度為700℃的比較例12，粒徑的離散度大到23%，在熱間鍛造的溫度為900℃的比較例13，平均粒徑大到300μm，粒徑的離散度也大到22%。
鐓粗(upsetting)鍛造的次數為5次之比較例14，粒徑的離散度大到26%。此外，先前技術例3之粒徑的離散度大到86%。進而，先前技術例4，不僅平均粒徑大到330μm，粒徑的離散度也大到28%。
參考例2，與本發明特別有效的大型靶相比，係製造小型靶的場合之評估，即使是以熱間的鐓粗(upsetting)鍛造為5次之與比較例14幾乎同樣的條件來製作，粒徑的離散度也為14%，相當良好。
由表8可知，實施例29~42，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，在銦為0.05質量%之比較例8，機械加工後的翹曲大到1.9mm，膜的表面粗糙度也大到1.7nm。在銦為1.7質量%之比較例9，波長550nm之絕對反射率小到89.1%。此外，比較例8，比較例10，比較例12~14以及從前技術例3、4，異常放電次數多達22次以上。進而，在銦為1.7質量%之比較例9及錫為1.8質量%之比較例11，膜的比電阻高
達7μΩ．cm以上。
除了表9所記載的銦與鎵、錫與銅、鎂的組成成分及製造條件以外，與實施例29同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例43~52及比較例15之濺鍍靶後，與實施例29同樣處理，進行前述各種評估。這些結果顯示於表9及表10。
由表9可知，實施例43~52，銀合金結晶粒的平均粒徑為130~180μm，粒徑的離散度，為12~17%，相當良好。
此外，由表10可知，實施例43~52，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，鎂為1.7重量%的比較例15，其他的特性都為良好，但波長550nm之絕對反射率為89.8%稍微偏低，膜的比電阻高達8.20μΩ．cm。
除了表11所記載的銦與鎵、錫與鈰、銪的成分組成及製造條件以外，與實施例29同樣進行而製造濺鍍靶，得到實施例53~62及比較例16之濺鍍靶後，與實施例29同樣處理，進行前述各種評估。這些結果顯示於表11及表12。
由表11可知，實施例53~62，銀合金結晶粒的平均粒徑為130~200μm，粒徑的離散度，為13~18%，相當良好。
此外，由表12可知，實施例53~62，異常放電次數，機械加工後的翹曲，膜的表面粗糙度，波長550nm之絕對反射率，膜的比電阻等全部都是良好的結果。對此，銪為0.9重量百分比的比較例16，雖然其他特性都良好，但異常放電次數多達12次。
由以上，可知本發明的實施例1~62之導電膜形成用合金濺鍍靶，可以抑制異常放電，藉由濺鍍此濺鍍靶，可以提高反射率，而且膜的表面粗糙度也很小，可得優異性能的有機EL用之反射電極膜。此外，膜的比電阻也低，作為觸控面板的配線膜可得良好的特性。
又，本發明之技術範圍並不以前述實施型態及前述實施例為限定，在不逸脫本發明的趣旨的範圍可加以種種變更。
1‧‧‧圓柱狀之錠
2‧‧‧角形之錠
3‧‧‧鍛造後之錠
4‧‧‧板材
圖1係於相關於本發明之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法之一實施型態，顯示熱間鍛造方法之說明圖。
圖2係顯示以反射電極為陽極之頂發射構造的有機EL元件之簡易的層構成圖。
1‧‧‧圓柱狀之錠
2‧‧‧角形之錠
3‧‧‧鍛造後之錠
4‧‧‧板材
Claims (14)
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其特徵為：以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%(質量%)，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~400μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
- 如申請專利範圍第1項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其中替代前述銀的一部分，含有銅、鎂之中的1種或2種合計在1.0質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其中替代前述銀的一部分，含有鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其特徵為：以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而含有銦0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成的銀合金所構成，前述銀合金的結晶粒的平均粒徑為120~250μm，前述結晶粒的粒徑的離散度，為平均粒徑的20%以下。
- 如申請專利範圍第4項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其中替代前述銀的一部分，含有銦0.1~1.5質量%以及銅、鎂之中的1種或2種合計在1.0質量%以下。
- 如申請專利範圍第4項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其中替代前述銀的一部分，含有銦0.1~1.5質量%以及鈰、銪之中的1種或2種合計在0.8質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶，其中靶的表面具有0.25m2以上的面積。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第1項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第2項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第3項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而鈰、銪之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第4項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而含有銦0.1~1.5質量%，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第5項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法， 係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而含有銦0.1~1.5質量%以及銅、鎂之中的1種或2種合計含有1.0質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 一種導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其特徵係：申請專利範圍第6項所記載之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，係將以具有鎵、錫之中的1種或2種合計含有0.1~1.5質量%，進而含有銦0.1~1.5質量%以及鈰、銪之中的1種或2種合計含有0.8質量%以下，其餘部分為銀以及不可避免的不純物所構成的成分組成之熔解鑄造錠，依序進行：反覆6~20次熱間鐓粗(upsetting)鍛造的步驟、冷間壓延的步驟、熱處理的步驟、進行機械加工的步驟。
- 如申請專利範圍第8項之導電膜形成用銀合金濺鍍靶之製造方法，其中前述熱間鐓粗(upsetting)鍛造的溫度為750~850℃。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011084956A JP5830908B2 (ja) | 2011-04-06 | 2011-04-06 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2011084955A JP5830907B2 (ja) | 2011-04-06 | 2011-04-06 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201305353A TW201305353A (zh) | 2013-02-01 |
| TWI525203B true TWI525203B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=46968872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101111880A TWI525203B (zh) | 2011-04-06 | 2012-04-03 | Silver alloy sputtering target for forming conductive film and its manufacturing method |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140015432A (zh) |
| CN (1) | CN103443323B (zh) |
| SG (1) | SG193986A1 (zh) |
| TW (1) | TWI525203B (zh) |
| WO (1) | WO2012137461A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5522599B1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP5612147B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5850077B2 (ja) * | 2014-04-09 | 2016-02-03 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金膜及びＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット |
| TWI647323B (zh) * | 2014-05-23 | 2019-01-11 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 銀合金靶材及其製法與應用 |
| CN105316630B (zh) * | 2014-06-04 | 2020-06-19 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 银合金靶材、其制造方法及应用该靶材的有机发光二极管 |
| KR101679562B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2016-11-25 | 희성금속 주식회사 | 도전성 막 형성용 은 합금 조성물 및 이의 제조 방법 |
| JP2019143242A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| CN112752863A (zh) * | 2018-10-03 | 2021-05-04 | 三菱综合材料株式会社 | 叠层膜及Ag合金溅射靶 |
| CN115341187B (zh) * | 2022-08-26 | 2024-03-12 | 中山智隆新材料科技有限公司 | 一种银合金靶材及其制备方法和应用 |
| CN115522094B (zh) * | 2022-09-22 | 2023-07-04 | 中山智隆新材料科技有限公司 | 一种多元掺杂的银合金靶材及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004192702A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 光記録媒体の反射膜用の銀合金 |
| JP3993530B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| DE10327336A1 (de) * | 2003-06-16 | 2005-01-27 | W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg | Legierung und deren Verwendung |
| JP4384453B2 (ja) * | 2003-07-16 | 2009-12-16 | 株式会社神戸製鋼所 | Ａｇ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| TWI325134B (en) * | 2004-04-21 | 2010-05-21 | Kobe Steel Ltd | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
| WO2006132415A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 反射率・透過率維持特性に優れた銀合金 |
| EP1889930A4 (en) * | 2005-06-10 | 2011-09-07 | Tanaka Precious Metal Ind | SILVER ALLOY HAVING EXCELLENT CHARACTERISTICS FOR PRESERVING THE POWER OF REFLECTION AND THE POWER OF TRANSMISSION |
| JP2009024212A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Mitsubishi Materials Corp | 光記録媒体の反射膜形成用高硬度Ａｇ合金スパッタリングターゲット |
| CN101660130B (zh) * | 2009-09-29 | 2011-06-01 | 西部金属材料股份有限公司 | 一种制备铌溅射靶材的方法 |
-
2012
- 2012-04-02 CN CN201280013584.5A patent/CN103443323B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-02 WO PCT/JP2012/002266 patent/WO2012137461A1/ja active Application Filing
- 2012-04-02 KR KR1020137026129A patent/KR20140015432A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-04-02 SG SG2013072731A patent/SG193986A1/en unknown
- 2012-04-03 TW TW101111880A patent/TWI525203B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103443323A (zh) | 2013-12-11 |
| WO2012137461A1 (ja) | 2012-10-11 |
| KR20140015432A (ko) | 2014-02-06 |
| CN103443323B (zh) | 2015-06-17 |
| SG193986A1 (en) | 2013-11-29 |
| TW201305353A (zh) | 2013-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI525203B (zh) | Silver alloy sputtering target for forming conductive film and its manufacturing method | |
| TWI576442B (zh) | 導電性膜形成用銀合金濺鍍靶材及其製造方法 | |
| TWI429762B (zh) | 導電膜形成用銀合金濺鍍靶及其製造方法 | |
| TWI385263B (zh) | Silver alloy target for forming reflective electrode film for organic electroluminescent element and manufacturing method thereof | |
| JP5533545B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法 | |
| KR101854009B1 (ko) | 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 | |
| TW201510258A (zh) | 銀合金濺鍍靶 | |
| JP5830907B2 (ja) | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5830908B2 (ja) | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5669014B2 (ja) | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TWI654323B (zh) | 銅合金濺鍍靶材及銅合金濺鍍靶材之製造方法 | |
| JP5669015B2 (ja) | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TW201627505A (zh) | 濺鍍靶及層合膜 | |
| TW201631168A (zh) | 銅基合金濺鍍靶材 | |
| JP6331824B2 (ja) | 銅合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |