CN101660130B - 一种制备铌溅射靶材的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种制备铌溅射靶材的方法,其特征在于其制备过程的步骤依次包括:(1)将直径Φ300-330mm的铌锭,在900~1100℃温度下,挤压成直径为100-150mm的铌棒,控制挤压比大于7;(2)将铌棒加热至500~700℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;(3)将板坯进行中间退火,退火温度为900~1100℃,保温时间为1-2h;(4)将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;(5)将轧制后的成品退火。本发明的方法,采用大加工率高温挤压,使铌棒挤压过程中发生动态再结晶,使晶粒充分破碎,降低铸锭芯部与边缘的晶粒大小差异,保证了晶粒取向一致,终获得70%以上的[111]型织构。
Description
技术领域
一种制备铌溅射靶材的方法,特别涉及制备一种具有细小均匀晶粒和高[111]型织构含量的铌溅射靶材的方法。
背景技术
铌溅射靶材是制备薄膜材料的重要原料,在光学、电子、信息等高端产业中应用广泛,如船舶、化工、液晶显示器(LCD)、工业玻璃、照相机镜头、集成电路、信息存储、太阳能及耐热耐腐蚀高导电等镀膜工业中。随着溅射设备的不断更新及补充,对靶材需求量及质量要求日益提高,为了获得均匀的膜层厚度和较快的溅射速度,要求铌靶材具有高纯度、均匀细小的晶粒及强的[111]型织构等质量标准。目前,长期困扰铌溅射靶材质量的主要问题是晶粒均匀性和[111]型织构的高含量。
目前,为了制备出满足性能要求的铌溅射靶材,通常使用锻造设备进行镦粗、拔长相结合的开坯方式,达到破碎铸态组织,提高成品晶粒度的目的,然而此种方法对于晶粒尺寸均匀性及[111]型织构的生成效果欠佳,并且在生产过程中产品质量与成品率不易控制。
发明内容
本发明的目的就是针对上述已有技术存在的不足,提供一种能够得到晶粒细小均匀以及获得强的[111]型织构的,易于生产过程中的质量控制,生产效率高、且产品质量稳定的制备铌溅射靶材的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
一种制备铌溅射靶材的方法,其特征在于其制备过程的步骤依次包括:
(1)将直径Φ300-330mm的铌锭,在900~1100℃温度下,挤压成直径为100-150mm的铌棒,控制挤压比大于7;
(2)将铌棒加热至500~700℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;
(3)将板坯进行中间退火,退火温度为900~1100℃,保温时间为1-2h;
(4)将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;
(5)将轧制后的成品在850~950℃温度下退火,保温时间为1-1.5h。
本发明的一种制备铌溅射靶材的方法,采用大加工率高温挤压,使铌棒挤压过程中发生动态再结晶,通过此种方法达到晶粒充分破碎,降低铸锭芯部与边缘的晶粒大小差异,并保证晶粒取向一致,从而最终获得70%以上的[111]型织构。有效解决了铌溅射靶材生产铌靶晶粒均匀性及织构难题,可以生产厚度为5~20mm的铌方靶及圆靶,采用高温挤压,利于消除铸锭中心和外围晶粒尺寸的巨大差异,通过挤压过程中的动态再结晶可以起到细化晶粒,且生成强烈[111]型织构的作用,此方法生产出的铌溅射靶材在溅射镀膜过程中成膜速度快,膜层厚度均匀,可用于集成电路、工业玻璃、液晶显示器等工程领域。
附图说明
图1为采用本发明的方法制备铌靶(≠6×130×700光学用铌靶为例)金相照片。
具体实施方式
一种制备铌溅射靶材的方法,其制备过程的步骤依次包括:(1)将直径Φ300-330mm的铌锭,在900~1100℃温度下,挤压成直径为100-150mm的铌棒,控制挤压比大于7;(2)将铌棒加热至500~700℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;(3)将板坯进行中间退火,退火温度为900~1100℃,保温时间为1-2h;(4)将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;(5)将轧制后的成品在850~950℃温度下退火,保温时间为1-1.5h。
实施例1
使用规格为Φ330×600mm的三次电子束熔炼铌锭一支,在电炉中加热至700℃,保温4h,出炉后进感应炉加热至1100℃,均温后进卧式挤压机挤压到Φ120×L。下料得到Φ120×240mm铌棒坯,在电炉中加热到500℃,保温1h,在3T电液锤上镦锻整形成≠60×150×300的板坯,其中前两锤单道次加工率均大于30%。随后通过轧制、900℃,2h中间退火、850℃,1.5h成品退火、线切割等工序得到≠20×150×400的铌靶成品。本铌靶晶粒均匀细小,细晶区8.5级,粗晶区7级,通过EBSD测得[111]型织构总量达到了75%。
实施例2
使用规格为Φ320×450mm的三次电子束熔炼铌锭一支,在电炉中加热至700℃,保温4h,出炉后进感应炉加热至950℃,均温后进卧式挤压机挤压到Φ110×L。下料得到Φ110×215mm铌棒坯,在电炉中加热到600℃,保温1h,在3T电液锤上镦锻整形成≠45×130×350的板坯,其中前两锤单道次加工率均大 于30%。随后通过轧制、900℃,2h中间退火、900℃,1.5h成品退火、线切割等工序得到≠6×130×700的铌靶成品。本铌靶晶粒均匀细小,细晶区8.5级,粗晶区7.5级,通过EBSD测得[111]型织构总量达到了90%。
实施例3
使用规格为Φ320×500mm的三次电子束熔炼铌锭一支,在电炉中加热至700℃,保温4h,出炉后进感应炉加热至1000℃,均温后进卧式挤压机挤压到Φ130×L。下料得到Φ130×220mm铌棒坯,在电炉中加热到700℃,保温1h,在3T电液锤上镦锻整形成≠40×450×160的板坯,其中前三锤单道次加工率均大于30%。随后通过轧制、900℃,2h中间退火、900℃,1.5h成品退火、线切割等工序得到Φ450×8的铌靶成品。铌靶晶粒均匀细小,细晶区7级,粗晶区8.5级,通过EBSD测得[111]型织构总量达到了72%。
实施例4
直径Φ300mm的铌锭,在900℃温度下,挤压成直径为100mm的铌棒,控制挤压比大于7;将铌棒加热至500~600℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;将板坯进行中间退火,退火温度为900℃,保温时间为2h;(将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;将轧制后的成品在850℃温度下退火,保温时间为1.5h。铌靶晶粒均匀细小,细晶区7级,粗晶区8.5级,通过EBSD测得[111]型织构总量达到了72%。
实施例5
将直径Φ330mm的铌锭,在1100℃温度下,挤压成直径为150mm的铌棒,控制挤压比大于7;(2)将铌棒加热至600~700℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;(3)将板坯进行中间退火,退火温度为1100℃,保温时间为1h;(4)将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;(5)将轧制后的成品在950℃温度下退火,保温时间为1h。铌靶晶粒均匀细小,细晶区7级,粗晶区8.5级,通过EBSD测得[111]型织构总量达到了72%。
Claims (1)
1.一种制备铌溅射靶材的方法,其特征在于其制备过程的步骤依次包括:
(1)将直径Φ300-330mm的铌锭,在900~1100℃温度下,挤压成直径为100-110mm的铌棒,控制挤压比大于7;
(2)将铌棒加热至500~700℃均温后,使用空气锤镦锻整形为板坯,其中控制前两道次镦锻的加工率≥30%;
(3)将板坯进行中间退火,退火温度为900~1100℃,保温时间为1-2h;
(4)将退火后的板坯进行轧制,控制前两道次的加工率单道次大于35%,后续轧制加工率大于20%;
(5)将轧制后的成品在850~950℃温度下退火,保温时间为1-1.5h。
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