JPH0681141A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0681141A JPH0681141A JP25348292A JP25348292A JPH0681141A JP H0681141 A JPH0681141 A JP H0681141A JP 25348292 A JP25348292 A JP 25348292A JP 25348292 A JP25348292 A JP 25348292A JP H0681141 A JPH0681141 A JP H0681141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- orientation
- content
- aluminum
- target
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウムスパッタリングターゲットに関
し、ＬＳＩの配線の信頼性向上を目的とする。 【構成】 アルミニウムスパッタリングターゲットの結
晶構造を、そのスパッタ表面において、Ｘ線回折法で測
定された結晶方位含有率の内（２００）方位含有率が他
の方位含有率よりも大きいように構成し、このターゲッ
トから得られる配線膜の（１１１）方位含有率を高くし
て、形成されるＬＳＩのアルミニウム配線の信頼性を向
上させる。
し、ＬＳＩの配線の信頼性向上を目的とする。 【構成】 アルミニウムスパッタリングターゲットの結
晶構造を、そのスパッタ表面において、Ｘ線回折法で測
定された結晶方位含有率の内（２００）方位含有率が他
の方位含有率よりも大きいように構成し、このターゲッ
トから得られる配線膜の（１１１）方位含有率を高くし
て、形成されるＬＳＩのアルミニウム配線の信頼性を向
上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングターゲ
ットに関し、詳しくは、アルミニウム又はアルミニウム
合金から成り、シリコンウエハ上の配線用として好適な
スパッタリングターゲットに関する。
ットに関し、詳しくは、アルミニウム又はアルミニウム
合金から成り、シリコンウエハ上の配線用として好適な
スパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体装置では、素子相互間
並びに素子と外部との間のアルミニウム配線は、まずス
パッタリング法によって１μm厚程度の一様な薄膜とし
て形成され、その後リソグラフィー等によって微細な配
線パターンに形成される。スパッタリング法において
は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるスパッ
タリングターゲットが使用される。形成されるアルミニ
ウム配線の断線耐性を増加させるため、アルミニウム合
金ターゲット内には、Ｓiをはじめとする種々の合金元
素が添加される。
並びに素子と外部との間のアルミニウム配線は、まずス
パッタリング法によって１μm厚程度の一様な薄膜とし
て形成され、その後リソグラフィー等によって微細な配
線パターンに形成される。スパッタリング法において
は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるスパッ
タリングターゲットが使用される。形成されるアルミニ
ウム配線の断線耐性を増加させるため、アルミニウム合
金ターゲット内には、Ｓiをはじめとする種々の合金元
素が添加される。
【０００３】また、一般的にアルミニウム或いはアルミ
ニウム合金は、結晶構造が面心立方格子であり、その結
晶方位として、（１１１）、（２００）、（２２０）、
及び（３１１）方位の４種類を含むことが知られてい
る。形成される薄膜の膜厚分布を良好にするために、ア
ルミニウム又はアルミニウム合金から成るターゲットの
スパッタ表面の結晶方位を様々に制御する試みも行われ
ている。
ニウム合金は、結晶構造が面心立方格子であり、その結
晶方位として、（１１１）、（２００）、（２２０）、
及び（３１１）方位の４種類を含むことが知られてい
る。形成される薄膜の膜厚分布を良好にするために、ア
ルミニウム又はアルミニウム合金から成るターゲットの
スパッタ表面の結晶方位を様々に制御する試みも行われ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム又はアル
ミニウム合金から成るスパッタリングターゲットにおい
ては、そのスパッタ面の結晶方位を制御する試みが行わ
れているものの、現在迄のところ、その結晶方位と、形
成される配線の信頼性との関係については未だ充分に解
明されておらず、その関係解明が望まれていた。
ミニウム合金から成るスパッタリングターゲットにおい
ては、そのスパッタ面の結晶方位を制御する試みが行わ
れているものの、現在迄のところ、その結晶方位と、形
成される配線の信頼性との関係については未だ充分に解
明されておらず、その関係解明が望まれていた。
【０００５】本発明は、上記に鑑み、アルミニウム又は
アルミニウム合金から成るターゲットのスパッタ面にお
ける結晶方位と、形成される配線の信頼性との関係につ
いて解明し、もって、ＬＳＩ等の電子デバイスのために
信頼性の高い配線を形成することができるスパッタリン
グターゲットを提供することを目的とする。
アルミニウム合金から成るターゲットのスパッタ面にお
ける結晶方位と、形成される配線の信頼性との関係につ
いて解明し、もって、ＬＳＩ等の電子デバイスのために
信頼性の高い配線を形成することができるスパッタリン
グターゲットを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
する本発明のスパッタリングターゲットは、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金から成り、そのスパッタ表面に
おいてＸ線回折法で測定された結晶方位含有率の内、
（２００）方位含有率が他の方位含有率よりも大きいこ
とを特徴とする。
する本発明のスパッタリングターゲットは、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金から成り、そのスパッタ表面に
おいてＸ線回折法で測定された結晶方位含有率の内、
（２００）方位含有率が他の方位含有率よりも大きいこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明者らは、特定の結晶方位を優先させ
た種々のスパッタリングターゲットを試作し、スパッタ
リングによってこれらターゲットから得られたアルミニ
ウム配線の信頼性について研究を重ねた。
た種々のスパッタリングターゲットを試作し、スパッタ
リングによってこれらターゲットから得られたアルミニ
ウム配線の信頼性について研究を重ねた。
【０００８】その結果、アルミニウム又はアルミニウム
合金から成るスパッタリングターゲットでは、Ｘ線回折
法によって測定されるスパッタ表面の結晶方位含有率の
内、（２００）方位含有率を、他の方位含有率よりも大
きくすることにより、このスパッタリングターゲットか
ら得られた薄膜中において、（１１１）方位含有率が高
くなり、従って、（１１１）方位と（２００）方位の結
晶含有比も大きくなるので、得られる配線の断線耐性が
増加し、その信頼性が向上するという知見を得た。本発
明は、この知見に基礎を置くものである。
合金から成るスパッタリングターゲットでは、Ｘ線回折
法によって測定されるスパッタ表面の結晶方位含有率の
内、（２００）方位含有率を、他の方位含有率よりも大
きくすることにより、このスパッタリングターゲットか
ら得られた薄膜中において、（１１１）方位含有率が高
くなり、従って、（１１１）方位と（２００）方位の結
晶含有比も大きくなるので、得られる配線の断線耐性が
増加し、その信頼性が向上するという知見を得た。本発
明は、この知見に基礎を置くものである。
【０００９】ここで、Ｘ線回折法による測定値から結晶
方位含有率を算出する方法について説明する。表−１
は、各回折線の測定強度から補正強度値を算出する様子
を示している。
方位含有率を算出する方法について説明する。表−１
は、各回折線の測定強度から補正強度値を算出する様子
を示している。
【表１】
【００１０】まず、Ｘ線回折計により各結晶方位（１１
１）〜（３１１）に対応する回折角における回折線の強
度Ｉを回折計により測定する。測定された各回折線の強
度値ａ〜ｄを、結晶方位の回折線の相対強度比Ｉ0（例
えばＡＳＴＭ No.4-0787 に記載されている）に基づい
て補正する。即ち、Ｉ／Ｉ0を補正強度値として算出す
る。なお、Ｘ線としては、例えばＣｕ−Ｋａ線を使用す
る。
１）〜（３１１）に対応する回折角における回折線の強
度Ｉを回折計により測定する。測定された各回折線の強
度値ａ〜ｄを、結晶方位の回折線の相対強度比Ｉ0（例
えばＡＳＴＭ No.4-0787 に記載されている）に基づい
て補正する。即ち、Ｉ／Ｉ0を補正強度値として算出す
る。なお、Ｘ線としては、例えばＣｕ−Ｋａ線を使用す
る。
【００１１】次に、上記によって得られた補正強度値か
ら、各方位含有率を夫々次のように算出する。 （１１１）方位含有率＝(a/100)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （２００）方位含有率＝(b/47)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （２２０）方位含有率＝(c/22)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （３１１）方位含有率＝(d/24)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)）
ら、各方位含有率を夫々次のように算出する。 （１１１）方位含有率＝(a/100)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （２００）方位含有率＝(b/47)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （２２０）方位含有率＝(c/22)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)） （３１１）方位含有率＝(d/24)／（(a/100)＋(b/47)＋
(c/22)＋(d/24)）
【００１２】本発明のスパッタリングターゲットでは、
上記の如く算出されたスパッタ表面の各結晶方位含有率
の内、（２００）方位含有率が他の方位含有率よりも大
きいことを特徴としている。このように、（２００）方
位含有率が他の方位含有率よりも大きいスパッタリング
ターゲットによると、このスパッタリングターゲットか
ら得られた薄膜においては、（１１１）方位含有率が大
きくなり、従って、（１１１）方位と（２００）方位の
含有比が大きくなるものである。しかして、（１１１）
方位と（２００）方位の含有比が大きい、ないしは回折
強度の比が大きいアルミニウム配線は、下記の如くその
信頼性が高いことが知られている。
上記の如く算出されたスパッタ表面の各結晶方位含有率
の内、（２００）方位含有率が他の方位含有率よりも大
きいことを特徴としている。このように、（２００）方
位含有率が他の方位含有率よりも大きいスパッタリング
ターゲットによると、このスパッタリングターゲットか
ら得られた薄膜においては、（１１１）方位含有率が大
きくなり、従って、（１１１）方位と（２００）方位の
含有比が大きくなるものである。しかして、（１１１）
方位と（２００）方位の含有比が大きい、ないしは回折
強度の比が大きいアルミニウム配線は、下記の如くその
信頼性が高いことが知られている。
【００１３】例えば、アルミニウム配線の電気的信頼性
を示すエレクトロマイグレーション寿命は、ＭＴＴＦ
（平均断線時間：Mean Time to Fail）で表される。こ
のＭＴＴＦは、Ｘ線回折で得られる（１１１）方位及び
（２００）方位に対応した回折強度の比Ｉ(111)／Ｉ
(200)によって、次のように表されることが報告されて
いる（三電技報 Vol 66 No.2 1992 116(246)）。 ＭＴＴＦ＝ｋ・（Ｓ／σ2）・log［Ｉ(111)／Ｉ(200)］ 但し、式中、ｋは定数、Ｓは平均結晶粒径、σは結晶粒
径の標準偏差である。このように、（１１１）方位と
（２００）方位の回折強度の比が大きいアルミニウム配
線は、その信頼性が高いものである。
を示すエレクトロマイグレーション寿命は、ＭＴＴＦ
（平均断線時間：Mean Time to Fail）で表される。こ
のＭＴＴＦは、Ｘ線回折で得られる（１１１）方位及び
（２００）方位に対応した回折強度の比Ｉ(111)／Ｉ
(200)によって、次のように表されることが報告されて
いる（三電技報 Vol 66 No.2 1992 116(246)）。 ＭＴＴＦ＝ｋ・（Ｓ／σ2）・log［Ｉ(111)／Ｉ(200)］ 但し、式中、ｋは定数、Ｓは平均結晶粒径、σは結晶粒
径の標準偏差である。このように、（１１１）方位と
（２００）方位の回折強度の比が大きいアルミニウム配
線は、その信頼性が高いものである。
【００１４】本発明のスパッタリングターゲットでは、
（２００）方位含有率を、他の３種類の方位含有率より
も高く設定することから、当然のこととして４種類全体
の２５％以上を占めるものであり、好適には、塑性加工
及び熱処理の条件選択により、３０〜７０％の間に設定
される。この含有率をあまり高く設定すると、例えば含
有率を８０％程度に設定する場合には、スパッタリング
により得られる薄膜の厚みが不均一となり、好ましくな
い。
（２００）方位含有率を、他の３種類の方位含有率より
も高く設定することから、当然のこととして４種類全体
の２５％以上を占めるものであり、好適には、塑性加工
及び熱処理の条件選択により、３０〜７０％の間に設定
される。この含有率をあまり高く設定すると、例えば含
有率を８０％程度に設定する場合には、スパッタリング
により得られる薄膜の厚みが不均一となり、好ましくな
い。
【００１５】本発明のスパッタリングターゲットの製造
において、アルミニウム又はアルミニウム合金材料（以
下単にアルミニウム材料ともいう）の結晶方位含有比率
を制御することは、特定の種類或いは条件に従う塑性加
工及び熱処理の組合わせによって行われる。この塑性加
工及び熱処理の種類及び条件は、そのターゲットを構成
するアルミニウム材料の純度、組成、或いは鋳造条件等
によって異なり、これら条件に合せて最適な組合わせが
定められる。なお、塑性加工としては、例えば圧延或い
は鍛造が、熱処理としては、例えばアニール（焼鈍）が
夫々採用される。
において、アルミニウム又はアルミニウム合金材料（以
下単にアルミニウム材料ともいう）の結晶方位含有比率
を制御することは、特定の種類或いは条件に従う塑性加
工及び熱処理の組合わせによって行われる。この塑性加
工及び熱処理の種類及び条件は、そのターゲットを構成
するアルミニウム材料の純度、組成、或いは鋳造条件等
によって異なり、これら条件に合せて最適な組合わせが
定められる。なお、塑性加工としては、例えば圧延或い
は鍛造が、熱処理としては、例えばアニール（焼鈍）が
夫々採用される。
【００１６】
【好適な実施の態様】本発明のスパッタリングターゲッ
トは、好適には以下のようにして得られる。まず、高純
度アルミニウム（例えば、純度９９．９９９％）を、そ
のまま或いは所定の合金元素を添加した後溶解し、連続
鋳造法により直径が１００〜２００mmの鋳塊を作成す
る。添加する合金元素としては、例えば、全重量比で
０．０１〜３％のＳi元素、或いは、それに加えて、全
重量比で０．０１〜３％のＣu、Ｔi、Ｐd、Ｚr、Ｈf、
及びＹ、Ｓcを含む希土類元素から成る元素の１種又は
２種以上が挙げられる。
トは、好適には以下のようにして得られる。まず、高純
度アルミニウム（例えば、純度９９．９９９％）を、そ
のまま或いは所定の合金元素を添加した後溶解し、連続
鋳造法により直径が１００〜２００mmの鋳塊を作成す
る。添加する合金元素としては、例えば、全重量比で
０．０１〜３％のＳi元素、或いは、それに加えて、全
重量比で０．０１〜３％のＣu、Ｔi、Ｐd、Ｚr、Ｈf、
及びＹ、Ｓcを含む希土類元素から成る元素の１種又は
２種以上が挙げられる。
【００１７】合金元素を添加した場合には、一次熱処理
として、４５０〜６００℃の温度で５時間以上の加熱を
行い、これによって合金元素の均質化を図った後、水冷
等によって急冷する。次に、鍛造、圧延等の塑性加工に
より３０〜９０％の圧縮を加える。更にその後、二次熱
処理として、２００〜５００℃で１０〜１００分間加熱
する。この圧縮加工及び二次熱処理の条件選択により、
ターゲット表面に平行な面の結晶方位比率を任意の値に
調整する。得られた素材を機械加工することにより、所
定のターゲット寸法に仕上げる。
として、４５０〜６００℃の温度で５時間以上の加熱を
行い、これによって合金元素の均質化を図った後、水冷
等によって急冷する。次に、鍛造、圧延等の塑性加工に
より３０〜９０％の圧縮を加える。更にその後、二次熱
処理として、２００〜５００℃で１０〜１００分間加熱
する。この圧縮加工及び二次熱処理の条件選択により、
ターゲット表面に平行な面の結晶方位比率を任意の値に
調整する。得られた素材を機械加工することにより、所
定のターゲット寸法に仕上げる。
【００１８】
【実施例】現在、ＬＳＩの配線に多用されているターゲ
ット材料である、Ｓiが１％、Ｃｕが０．５％、残余が
Ａｌ及び不純物という組成を有する合金材料から、本発
明の実施例のターゲットであるターゲット試料Ａ及びＢ
を試作した。また、比較のため、同じ組成の合金材料か
ら、結晶方位含有率の異なる比較例のターゲット試料Ｃ
を作成した。
ット材料である、Ｓiが１％、Ｃｕが０．５％、残余が
Ａｌ及び不純物という組成を有する合金材料から、本発
明の実施例のターゲットであるターゲット試料Ａ及びＢ
を試作した。また、比較のため、同じ組成の合金材料か
ら、結晶方位含有率の異なる比較例のターゲット試料Ｃ
を作成した。
【００１９】上記各試料は、以下の製造方法で製造し
た。まず、前記組成を有する合金を半連続鋳造法によっ
て得た。この合金を、一次熱処理として５４０℃で１２
時間の熱処理後、水中に投入して室温に迄急冷した。次
に、この材料について、圧縮率を９０％とする圧縮加工
を行った後、二次熱処理として５２０℃で１５分間の熱
処理を行うことにより、試料Ａのための素材を得た。ま
た、同様に水冷後の前記材料について、圧縮率を８０％
とする圧縮加工後、二次熱処理として４００℃で１５分
間の熱処理を行うことにより、試料Ｂのための素材を得
た。更に、前記水冷後の材料について、圧縮率を８０％
とする圧縮加工後、二次熱処理として２５０℃で１５分
間の熱処理を行うことにより、試料Ｃのための素材を得
た。
た。まず、前記組成を有する合金を半連続鋳造法によっ
て得た。この合金を、一次熱処理として５４０℃で１２
時間の熱処理後、水中に投入して室温に迄急冷した。次
に、この材料について、圧縮率を９０％とする圧縮加工
を行った後、二次熱処理として５２０℃で１５分間の熱
処理を行うことにより、試料Ａのための素材を得た。ま
た、同様に水冷後の前記材料について、圧縮率を８０％
とする圧縮加工後、二次熱処理として４００℃で１５分
間の熱処理を行うことにより、試料Ｂのための素材を得
た。更に、前記水冷後の材料について、圧縮率を８０％
とする圧縮加工後、二次熱処理として２５０℃で１５分
間の熱処理を行うことにより、試料Ｃのための素材を得
た。
【００２０】得られた各素材夫々から、各試料ターゲッ
トＡ〜Ｃを切り出した。各ターゲットの寸法は、直径を
２５０mm、厚みを１５mmとした。各試料ターゲットの夫
々について、スパッタ表面をＸ線回折計により測定し、
各測定値から夫々各結晶方位含有率を算出した。この含
有率を表−２に示す。
トＡ〜Ｃを切り出した。各ターゲットの寸法は、直径を
２５０mm、厚みを１５mmとした。各試料ターゲットの夫
々について、スパッタ表面をＸ線回折計により測定し、
各測定値から夫々各結晶方位含有率を算出した。この含
有率を表−２に示す。
【００２１】
【表２】
【００２２】引続き、各試料ターゲットを夫々、スパッ
タ装置によってスパッタリングし、シリコンウエハ上の
ＳiＯ2層上に薄膜として堆積させた。スパッタ装置とし
ては、日本真空技術株式会社製ＭＬＸ３０００を使用し
た。スパッタリング条件としては、Ａｒ圧力３×１０-3
Ｔorr、スパッタ電力６．５ｋＷ、ウエハ温度６０〜２
５０℃が採用された。また、薄膜を堆積するウエハの径
を６インチとし、堆積する各薄膜の厚みを夫々０．８μ
mとした。得られた各薄膜の一部についてアニールを行
った。各薄膜で、アニールを行わなかったもの、３５０
℃でアニールを行ったもの、４５０℃でアニールを行っ
たものの夫々について、（１１１）結晶方位と（２０
０）結晶方位の含有比（１１１）／（２００）を、Ｘ線
回折法による回折強度測定値から算出した。この結果を
表−３に示す。
タ装置によってスパッタリングし、シリコンウエハ上の
ＳiＯ2層上に薄膜として堆積させた。スパッタ装置とし
ては、日本真空技術株式会社製ＭＬＸ３０００を使用し
た。スパッタリング条件としては、Ａｒ圧力３×１０-3
Ｔorr、スパッタ電力６．５ｋＷ、ウエハ温度６０〜２
５０℃が採用された。また、薄膜を堆積するウエハの径
を６インチとし、堆積する各薄膜の厚みを夫々０．８μ
mとした。得られた各薄膜の一部についてアニールを行
った。各薄膜で、アニールを行わなかったもの、３５０
℃でアニールを行ったもの、４５０℃でアニールを行っ
たものの夫々について、（１１１）結晶方位と（２０
０）結晶方位の含有比（１１１）／（２００）を、Ｘ線
回折法による回折強度測定値から算出した。この結果を
表−３に示す。
【００２３】
【表３】
【００２４】図１に、表−１に示されたターゲットの
（２００）方位含有率と、表−３に示された薄膜の（１
１１）方位と（２００）方位の含有比との関係を示す。
同図に見るごとく、ターゲットの（２００）方位含有率
が大きいほど、薄膜の（１１１）方位と（２００）方位
の含有比が大きいことが理解できる。
（２００）方位含有率と、表−３に示された薄膜の（１
１１）方位と（２００）方位の含有比との関係を示す。
同図に見るごとく、ターゲットの（２００）方位含有率
が大きいほど、薄膜の（１１１）方位と（２００）方位
の含有比が大きいことが理解できる。
【００２５】アニールをしなかった上記各薄膜から、リ
ソグラフィーによって夫々幅２μm、長さ２mmの細線を
１０本づつ形成した。これら細線の信頼性試験を行うた
め、各細線に対し、電流密度が４×１０6アンペア／ｃ
ｍ2、通電時間が２００時間、ウエハ温度が２００℃の
条件で試験電流を流し、その通電の結果、断線の発生し
た細線を基にして断線率（％）を計算した。結果を表−
４に示す。
ソグラフィーによって夫々幅２μm、長さ２mmの細線を
１０本づつ形成した。これら細線の信頼性試験を行うた
め、各細線に対し、電流密度が４×１０6アンペア／ｃ
ｍ2、通電時間が２００時間、ウエハ温度が２００℃の
条件で試験電流を流し、その通電の結果、断線の発生し
た細線を基にして断線率（％）を計算した。結果を表−
４に示す。
【００２６】
【表４】
【００２７】（２００）結晶方位含有率が高い実施例の
ターゲットＡ（含有率４６％）及びＢ（含有率３６％）
から得られた薄膜の場合には、表−３及び図１に見るご
とく、薄膜中の（１１１）方位と（２００）方位の含有
比が充分に高く、またそれから得られる配線において
も、表−４に見るごとく、断線率も０である。しかし、
（２００）結晶方位含有率の低い比較例のターゲットＣ
（含有率７％）の場合には、表−３及び図１に見るごと
く、薄膜中の（１１１）方位と（２００）方位の含有比
が低く、且つ、表−４に見るごとく、断線率が１０％あ
り、配線としての信頼性に欠ける結果が生じている。
ターゲットＡ（含有率４６％）及びＢ（含有率３６％）
から得られた薄膜の場合には、表−３及び図１に見るご
とく、薄膜中の（１１１）方位と（２００）方位の含有
比が充分に高く、またそれから得られる配線において
も、表−４に見るごとく、断線率も０である。しかし、
（２００）結晶方位含有率の低い比較例のターゲットＣ
（含有率７％）の場合には、表−３及び図１に見るごと
く、薄膜中の（１１１）方位と（２００）方位の含有比
が低く、且つ、表−４に見るごとく、断線率が１０％あ
り、配線としての信頼性に欠ける結果が生じている。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
リングターゲットによると、スパッタ表面のＸ線回折法
により測定された結晶方位含有率の内、（２００）方位
含有率が他の方位含有率よりも大きいとした構成によ
り、このターゲットからスパッタリングによって得られ
る配線において、（１００）方位の含有率が大きくな
り、配線のエレクトロマイグレーション寿命が伸びるの
で、ＬＳＩ等の電子デバイスの配線の信頼性が向上す
る。
リングターゲットによると、スパッタ表面のＸ線回折法
により測定された結晶方位含有率の内、（２００）方位
含有率が他の方位含有率よりも大きいとした構成によ
り、このターゲットからスパッタリングによって得られ
る配線において、（１００）方位の含有率が大きくな
り、配線のエレクトロマイグレーション寿命が伸びるの
で、ＬＳＩ等の電子デバイスの配線の信頼性が向上す
る。
【図１】ターゲットの（２００）方位含有率と、薄膜に
おける（１１１）方位と（２００）方位の含有比との関
係を示すグラフである。
おける（１１１）方位と（２００）方位の含有比との関
係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム又はアルミニウム合金から
成り、そのスパッタ表面において、Ｘ線回折法で測定さ
れた結晶方位含有率の内（２００）方位含有率が他の方
位含有率よりも大きいことを特徴とするスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】 前記（２００）方位含有率が３０〜７０
％の範囲にあることを特徴とする請求項１記載のスパッ
タリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25348292A JPH0681141A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25348292A JPH0681141A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681141A true JPH0681141A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=17251999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25348292A Pending JPH0681141A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681141A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0925564A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Japan Energy Corp | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット |
| EP1932940A1 (en) | 2006-11-20 | 2008-06-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL-based alloy sputtering target and process for producing the same |
| JP2010132942A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | スパッタリングターゲット用アルミニウム板、及びその製造方法 |
| US9551065B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-01-24 | Kobe Steel, Ltd. | Al-based alloy sputtering target and Cu-based alloy sputtering target |
| KR20200020697A (ko) | 2017-06-22 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 유에이씨제이 | 스퍼터링 타깃재, 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃용 알루미늄판, 및 이의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25348292A patent/JPH0681141A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0925564A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Japan Energy Corp | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット |
| EP1932940A1 (en) | 2006-11-20 | 2008-06-18 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | AL-based alloy sputtering target and process for producing the same |
| JP2010132942A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | スパッタリングターゲット用アルミニウム板、及びその製造方法 |
| US9551065B2 (en) | 2011-02-04 | 2017-01-24 | Kobe Steel, Ltd. | Al-based alloy sputtering target and Cu-based alloy sputtering target |
| KR20200020697A (ko) | 2017-06-22 | 2020-02-26 | 가부시키가이샤 유에이씨제이 | 스퍼터링 타깃재, 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃용 알루미늄판, 및 이의 제조 방법 |
| US11618942B2 (en) | 2017-06-22 | 2023-04-04 | Uacj Corporation | Sputtering-target material, sputtering target, sputtering-target aluminum plate, and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3403918B2 (ja) | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 | |
| KR100568392B1 (ko) | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 | |
| JP2857015B2 (ja) | 高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット | |
| KR0135369B1 (ko) | 고순도티타늄 스퍼터링타겟 | |
| US6791188B2 (en) | Thin film aluminum alloy and sputtering target to form the same | |
| US8992748B2 (en) | Sputtering target | |
| JP2003073810A5 (ja) | ||
| US20140242401A1 (en) | Tantalum Sputtering Target and Method for Manufacturing Same | |
| KR101927574B1 (ko) | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
| US6197134B1 (en) | Processes for producing fcc metals | |
| JP2003243325A (ja) | 銅合金配線膜形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成した熱影響を受けることの少ない銅合金配線膜 | |
| JPH0681141A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP6293928B2 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JPH06128737A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2004084065A (ja) | 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| JP2712561B2 (ja) | スパッタリング用アルミニウムターゲット | |
| JP2901854B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
| JPH0215167A (ja) | マグネトロンスパッタリング用ターゲット | |
| JPH0790560A (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
| JP3177208B2 (ja) | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット | |
| JP2002069626A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| WO2022004789A1 (ja) | 銅合金塑性加工材、銅合金線材、電子・電気機器用部品、端子 | |
| JP4895481B2 (ja) | 抵抗薄膜および抵抗薄膜形成用のスパッタリングターゲット | |
| JPS62235452A (ja) | 半導体配線材料用Ｂ含有Ａｌ合金 | |
| JPS62228446A (ja) | 半導体配線材料用アルミニウム合金 |