KR100568392B1

KR100568392B1 - 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법

Info

Publication number: KR100568392B1
Application number: KR1020047002714A
Authority: KR
Inventors: 마츠자키히토시; 다카기가츠토시; 나카이주니치; 나카네야스오
Original assignee: 가부시키가이샤 코베루코 카겐
Priority date: 2002-06-24
Filing date: 2003-06-23
Publication date: 2006-04-05
Also published as: KR20040044481A; TW200403348A; US20040238356A1; CN1545569A; TWI258514B; CN1238554C; WO2004001093A1; US20100065425A1

Abstract

특히 막 두께가 균일한 은 합금 박막을 스퍼터링법으로 형성하는데 유용한 은 합금 스퍼터링 타겟에 있어서, 임의의 4개의 개소에 대해 X선 회절법으로 결정 배향 강도를 구했을 때 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일하고, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차가 20% 이하인 은 합금 스퍼터링 타겟을 제공한다.

Description

은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법{SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}

본 발명은 스퍼터링법으로 박막을 형성할 때에 사용되는 은 합금 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 구체적으로는 막 두께나 성분 조성이 균일한 박막을 형성할 수 있는 은 합금 스퍼터링 타겟에 관한 것이다.

순은 또는 은 합금의 박막은 고반사율이면서도 저전기저항율이라는 특성을 갖기 때문에 광학 기록 매체의 반사막이나 반사형 액정 모니터의 전극·반사막 등에 적용되고 있다.

그러나, 순은의 박막은 공기 중에 장시간 노출된 경우나 고온 고습 하에 노출된 경우 박막 표면이 산화되기 쉽고, 은 결정립이 성장하거나 은 원자가 응집하거나 하는 등의 현상이 생기기 쉬워, 이에 따라 전도성의 열화나 반사율의 저하가 생기거나, 기판과의 밀착성이 열화되는 등의 문제가 발생한다. 따라서, 최근에는 순은 본래의 높은 반사율을 유지하면서 내식성 등을 향상시키기 위해 합금 원소가 첨가되는 개선이 다수 시도되고 있다. 또한, 이러한 박막의 개선과 더불어 은 합 금 박막 형성에 이용되는 타겟에 관해 검토가 이루어지고 있는데, 예컨대, 일본 특허 공개 제 2001-192752 호 공보에는 Ag를 주성분으로 하고, 내후성을 향상시키기 위해 Pd를 0.1 내지 3중량% 함유시키고, Pd 첨가에 의한 전기 저항율의 증가를 억제하도록 Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Ni, Co, Si로 이루어진 군으로부터 선택되는 다수의 원소를 0.1 내지 3중량%의 범위 내로 함유시킨 스퍼터링 타겟을 전자 부품용 금속 재료의 하나로서 나타내고 있다.

일본 특허 공개 제 1997-324264 호 공보에는 스퍼터링시 가스 분위기 중의 산소 등에 의한 악영향을 방지하고, 또한 내습성을 개선하도록 금을 0.1 내지 2.5at% 첨가하고, 금 첨가에 의한 광 투과율의 저하를 억제하도록 구리를 0.3 내지 3at%의 범위 내로 함유시킨 은 합금 스퍼터링 타겟, 또는 은 타겟의 일부에 금 및 구리를 상기 비율이 되도록 매립한 복합 금속으로 이루어진 스퍼터링 타겟이 제안되어 있다.

또한, 일본 특허 공개 제 2000-239835 호 공보에는 은 또는 은 합금의 스퍼터링 타겟에 있어서, 스퍼터링에 의한 성막시 타겟의 스퍼터링율을 높여 효율적으로 스퍼터링을 실시하기 위해 타겟의 결정 구조를 면심 입방 구조로 하고, 결정 배향을 ((111)+(200))/(220) 면배향 비율로 2.20 이상이 되게 하는 것이 제안되어 있다.

그러나, 스퍼터링법으로 형성된 박막이, 예컨대 편면 2층 구조의 DVD에서 반투과 반사막으로서 사용되는 경우, 막 두께가 100Å 정도로 대단히 얇고, 상기 박막의 막 두께의 균일성이 반사율, 투과율 등의 특성에 큰 영향을 준다는 점에서 특히 막 두께가 보다 균일한 박막을 형성하는 것이 중요시되고 있다. 또한, 차세대 광학 기록 매체의 반사막으로서 사용되는 경우, 기록시 레이저 파워에 의해 열을 빠르게 전도시켜야 한다는 점에서 우수한 광학 특성 뿐만 아니라 면내에서 균일하면서도 높은 열 전도율이 요구되고 있지만, 상기 특성을 만족시키기 위해 박막의 막 두께가 균일한 것 및 박막의 성분 조성이 균일한 것을 조건으로 하고 있다.

이러한 양태로 광학 기록 매체의 반사막이나 반투과 반사막 등으로 사용되는 박막을 스퍼터링법으로 형성하는데 있어서, 종래 기술에서와 같이 타겟의 조성이나 결정 배향도 비율을 제어하더라도 광학 기록 매체의 반사막으로서 고반사율이나 고열전도율 등의 특성을 발휘할 수 있는 막 두께 및 성분 조성이 균일한 박막을 확실히 수득할 수 없다는 점에서, 타겟을 보다 개선할 필요가 있다고 생각된다.

본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 막 두께나 성분 조성이 균일한 박막을 스퍼터링법으로 형성하는데 유용한 은 합금 스퍼터링 타겟을 제공하는데 있다.

발명의 요약

본 발명에 있어서 은 합금 스퍼터링 타겟이란 임의의 4개의 개소에 대해서 X선 회절법에 의해 결정 배향 강도를 구하고, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일하고, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차가 4개의 측정 개소에서 20% 이하인 것에 특징이 있다. 상기 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일한 것을 바람직한 형태로 한다.

한편, 상기 「가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차」는 다음과 같이 구한다. 즉, 임의의 4개의 개소에 대해서 X선 회절법으로 결정 배향 강도를 구하고, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X _a)의 평균: AVE(X_b/X_a)을 구한다. 그 다음, 4개의 측정 개소의 (X_b/X_a)의 최대치를 MAX(X_b/X_a)로 하고, (X_b/X_a)의 최소치를 MIN(X_b/X_a)로 하여 구한 하기 수학식 1 또는 2의 절대치 중 큰 것을 %로 나타낸 것이다.

또한, 본 발명의 은 합금 스퍼터링 타겟은 평균 결정 입경이 100㎛ 이하이고, 최대 결정 입경이 200㎛ 이하인 것을 만족하는 것이면 상기 타겟을 이용하여 형성되는 박막의 특성이 균일해지기 때문에 바람직하다. 특히, 결정립계 및/또는 결정립내에 은과 합금 원소의 화합물상이 존재하는 은 합금 스퍼터링 타겟인 경우, 상기 화합물상의 원 상당 직경이 평균 30㎛ 이하이고, 또한 상기 원 상당 직경의 최대치가 50㎛ 이하인 것을 바람직한 형태로 한다.

한편, 상기 「평균 결정 입경」이란 다음과 같은 측정 방법으로 구한 것이다. 즉, ① 50 내지 100배 광학 현미경 관찰 사진에 도 1a 및 1b에 나타낸 바와 같이 현미경 관찰 사진의 테두리의 끝에서 끝까지 직선을 여러 개 긋는다. 직선 수는 4개 이상으로 하는 것이 정량 정밀도의 관점에서 바람직하고, 직선을 긋는 방법은 예컨대 도 1a와 같은 우물정자(井) 형상 및 도 1b와 같은 방사상으로 할 수 있다. 그 다음, ② 직선상에 있는 결정립계의 수 n을 측정한다. 그리고 ③ 하기 수학식 3으로부터 평균 결정 입경 d를 구하고, 여러 개의 직선의 d로부터 평균치를 구한다.

상기 식에서,

d는 1개의 직선으로부터 구한 평균 결정 입경을 나타내고,

L은 1개의 직선의 길이를 나타내고,

n은 1개의 직선상의 결정립계의 수를 나타내고,

m은 배율을 나타낸다.

또한, 상기 「최대 결정 입경」은 50 내지 100배 광학 현미경의 시야에서 임의로 5개 이상의 개소를 관찰하여 전체 시야 합계 20㎜²의 범위 내에서 최대 결정 입경을 원 상당 직경으로 환산하여 구한 것이다.

상기 「결정립계 및/또는 결정립내에 존재하는 은과 합금 원소의 화합물상의 원 상당 직경의 평균」이란 100 내지 200배 광학 현미경의 시야에서 임의로 5개 이상의 개소를 관찰하여 전체 시야에서 합계 20㎜²의 범위 내에 있는 각 화합물상을 원 상당 직경으로 환산하고 이들의 평균치를 구한 것이다. 또한, 「은과 합금 원소의 화합물상의 원 상당 직경의 최대치」이란 상기 합계 20㎜²의 범위 내의 최대 화합물상의 원 상당 직경을 말한다.

본 발명은 상기 규정의 결정 배향을 만족시키는 은 합금 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법도 규정하고 있으며 가공율 30 내지 70%에서 냉간 가공 또는 온간 가공을 실시하고, 그 후 500 내지 600℃의 유지 온도 및 0.75 내지 3시간의 유지 시간의 조건으로 열 처리를 실시하는 것을 요건으로 한다. 한편, 결정 입경이 작은 은 합금 스퍼터링 타겟을 수득하기 위해서는 상기 열 처리를 500 내지 600℃의 유지 온도 및 하기 수학식 4의 범위 내의 유지 시간에서 실시하는 것이 추장된다:

상기 식에서,

T는 유지 온도(℃)이고,

t는 유지 시간(시간)을 나타낸다.

도 1a 및 1b는 타겟의 평균 결정 입경을 광학 현미경 관찰 사진으로부터 구하는 방법을 나타내는 도면이다.

도 2는 본 발명에서 규정한 열 처리 조건의 범위를 나타내는 도면이다.

도 3은 실시예 1의 본 발명예에서 수득된 타겟의 X선 회절법에 의한 결정 배향 강도의 측정 결과를 나타내는 도면이다.

도 4는 실시예 1의 비교예에서 수득된 타겟의 X선 회절법에 의한 결정 배향 강도의 측정 결과를 나타내는 도면이다.

도 5는 실시예 1에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

도 6은 실시예 2에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

도 7은 실시예 3에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

도 8은 실시예 5에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

도 9는 실시예 6에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

도 10은 실시예 7에서 수득된 Ag 합금 박막 중의 합금 원소의 함유량 분포(성분 조성 분포)를 나타내는 도면이다.

본 발명자들은, 전술한 바와 같은 상황 하에서 스퍼터링에 의해 막 두께나 성분 조성이 균일한 박막을 형성할 수 있는 은 합금 스퍼터링 타겟(이하, 간단히 「타겟」이라고 칭하기도 함)을 수득하기 위해 여러가지 관점에서 검토를 실시했다. 그 결과, 타겟의 결정 배향을 제어하는 것이 특히 효과적이라는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다. 이하, 본 발명에서는 타겟의 결정 배향을 규정한 이유에 관해서 상술한다.

먼저, 본 발명은 타겟의 임의의 4개의 개소에서 결정 배향 강도를 X선 회절법으로 구한 경우에 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일할 것을 필수 요건으로 한다.

즉, 본 발명은 가장 높은 결정 배향 강도를 나타내는 방위를 특별히 규정하지 않고, (111)면, (200)면, (220)면, (311)면 중 어떤 것이라도 가장 높은 결정 배향 강도를 나타내는 방위일 수 있지만, 이러한 최고 결정 배향 강도를 나타내는 방위가 임의의 4개의 측정 개소에서 동일할 필요가 있다. 이와 같이 임의의 위치에서 최고 결정 배향 강도를 나타내는 방위가 동일하면 스퍼터링시 기판에 도달하는 원자수가 기판면 내에서 균일해져 막 두께가 균일한 박막을 수득할 수 있다.

한편, 가장 높은 결정 배향 강도를 나타내는 방위가 (111)면이면 스퍼터링시 성막 속도를 높일 수 있기 때문에 바람직하다.

또한, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결 정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차가 4개의 측정 개소에서 20% 이하인 것이 바람직하다.

이는 가장 높은 결정 배향 강도를 나타내는 방위가 타겟의 임의의 위치에서 동일해도 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차가 과도하게 큰 경우에는 스퍼터링시 기판에 도달하는 원자수가 기판면내에서 불균일해져 막 두께가 균일한 박막을 수득하기가 어려워지기 때문이다. 상기 강도비의 편차가 10% 이하인 것이 보다 바람직하다.

한편, 타겟의 임의의 위치에 있어서 상기 편차가 규정 범위 내이면 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 방위가 측정 개소 사이에서 상이할 수도 있지만, 상기 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일한 것이 기판에 도달하는 원자수가 기판면내에서 균일해서 막 두께가 균일한 박막이 수득되기 때문에 바람직하다.

이와 같이 결정 배향을 규정함과 동시에 은 결정의 결정 입경이나 결정립계 및/또는 결정립내에 존재하는 은과 합금 원소의 화합물상의 크기를 제어하면 스퍼터링에 의해 막 두께나 성분 조성이 균일한 박막을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.

구체적으로는 타겟의 평균 결정 입경을 100㎛ 이하로 하고, 최대 결정 입경을 200㎛ 이하로 하는 것이 좋다.

상기 평균 결정 입경이 작은 타겟을 사용함으로써 막 두께가 균일한 박막을 용이하게 형성할 수 있고, 결과적으로 광학 기록 매체 등의 성능을 높일 수 있다. 상기 평균 결정 입경은 75㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 50㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 평균 결정 입경이 100㎛ 이하이더라도, 극단적으로 입경이 큰 결정립이 존재하는 경우에는 형성된 박막의 막 두께가 국소적으로 불균일해지기 쉽다. 따라서, 성능의 국소적인 열화가 억제된 광학 기록 매체를 수득하기 위해서는 박막 형성에 사용되는 타겟의 결정 입경을 최대로 200㎛ 이하로 억제하는 것이 좋고, 바람직하게는 150㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하로 하는 것이 좋다.

은 합금 스퍼터링 타겟의 결정립계 및/또는 결정립 내에 은과 합금 원소의 화합물상이 존재하는 경우에는 상기 화합물상의 크기도 함께 제어하는 것이 바람직하다.

상기 화합물상의 크기가 보다 작은 것이 형성된 박막의 성분 조성이 균일해지기 쉽기 때문에 바람직하고, 화합물상의 크기를 원 상당 직경으로 나타낸 경우에 그 평균이 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 원 상당 직경으로 환산해서 평균 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

또한, 그 크기가 평균 30㎛ 이하이더라도 극단적으로 큰 화합물상이 존재하는 경우에는 스퍼터링의 방전 상태가 불안정해지기 쉬워 성분 조성이 균일한 박막을 수득하기 어려워진다. 따라서, 최대 화합물상은 원 상당 직경으로 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

한편, 본 발명은 상기 화합물상의 성분 조성까지 특정한 것은 아니고, 예컨대 Ag-Nd계 합금 타겟에 존재하는 Ag₅₁Nd₁₄나 Ag₂Nd 등, Ag-Y계 합금 타겟에 존재하는 Ag₅₁Y₁₄나 Ag₂Y 등, Ag-Ti계 합금 타겟에 존재하는 AgTi 등이 제어의 대상이 되는 화합물상으로서 들 수 있다.

상기 규정의 결정 배향을 만족하는 타겟을 수득하기 위해서는 제조 공정에서 가공율 30 내지 70%로 냉간 가공 또는 온간 가공을 실시하는 것이 바람직하다. 이와 같은 냉간 가공 또는 온간 가공을 실시함으로써, 제품 형상이 거의 될 때까지 성형할 수 있는 동시에 가공 변형이 축적되어 이후의 열 처리로 재결정되어 결정 배향의 균일화를 꾀할 수 있다.

가공율이 30% 미만인 경우에는 부여되는 변형량이 부족하기 때문에 이후에 열 처리를 실시해도 부분적으로만 재결정이 되어 결정 배향의 균일화를 충분히 달성할 수 없다. 바람직하게는 35% 이상의 가공율로 냉간 가공 또는 온간 가공을 실시하는 것이 바람직하다. 한편, 가공율이 70%를 초과하면 열 처리시의 재결정 속도가 과도하게 빨라져 이 경우에도 결과적으로 결정 배향의 편차가 생기기 쉬워진다. 바람직하게는 가공율을 65% 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다.

한편, 상기 가공율이란 [(가공 전의 재료의 치수- 가공 후의 재료의 치수)/가공 전의 재료의 치수]× 100(%)를 말하고(이하 동일), 예컨대 판상 재료를 이용해 단조나 압연을 실시하여 판상인 것을 제조하는 경우에는 상기 「치수」로서 판 두께를 이용하여 가공율을 산출할 수 있다. 또한, 원주상 재료를 이용하여 판상인 것을 제조하는 경우에는 가공 방법에 따라 가공율의 산출 방법이 다른데, 예컨대 원주상 재료의 높이 방향으로 힘을 가하여 단조나 압연을 실시하는 경우에는 [(가공 전의 원주상 재료의 높이-가공 후의 판상 재료의 두께)/가공 전의 원주상 재료의 높이]× 100(%)으로부터 가공율을 구할 수 있고, 또한 원주상 재료의 직경 방향으로 힘을 가하여 단조나 압연을 실시하는 경우에는 [(가공 전의 원주상 재료의 직경-가공 후의 판상 재료의 두께)/가공 전의 원주상 재료의 직경]× 100(%)로부터 가공율을 구할 수 있다.

또한, 냉간 가공 또는 온간 가공 후 500 내지 600℃의 유지 온도 및 0.75 내지 3시간의 유지 시간의 조건으로 열 처리를 실시한다. 이렇게 열 처리를 실시함으로써 결정 배향의 균일화를 도모할 수 있다.

상기 유지 온도가 500℃ 미만이면 재결정되기까지의 소요 시간이 길어지고 유지 온도가 600℃를 초과하면 재결정 속도가 빨라져 재료의 변형량에 편차가 있는 경우 변형량이 큰 개소에서 재결정이 촉진되어 균일한 결정 배향을 수득하는 것이 곤란해지므로 바람직하지 못하다. 520 내지 580℃의 범위 내에서 열 처리를 실시하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 유지 온도가 적정 범위이더라도 유지 시간이 과도하게 짧은 경우에는 충분히 재결정이 실시되지 않고, 유지 시간이 과도하게 긴 경우에는 재결정이 계속 진행되어 균일한 결정 배향을 수득하는 것이 곤란해진다. 따라서, 유지 시간은 0.75 내지 3시간의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.

결정립의 미세화를 도모하기 위해서는 유지 온도를 500 내지 600℃(보다 바 람직하게는 520 내지 580℃), 유지 시간을 하기 수학식 4의 범위 내로 하여 열 처리를 실시하는 것이 바람직하다:

수학식 4

상기 식에서,

T는 유지 온도(℃)이고, t는 유지 시간(시간)을 나타낸다.

유지 시간은 상기 수학식 4의 범위 내에서도, 특히 하기 수학식 5에서 규정하는 범위 내로 하는 것이 추장된다. 열 처리에 있어서 상기 유지 시간 및 유지 온도의 바람직한 범위 및 보다 바람직한 범위는 도 2에 나타낸다.

상기 식에서,

T는 유지 온도(℃)이고, t는 유지 시간(시간)을 나타낸다.

본 발명에서는 타겟의 제조에 있어서 그밖의 조건까지 엄밀히 규정하고 있지는 않고, 예컨대 다음과 같은 양태로 타겟을 수득할 수 있다. 즉, 소정의 성분 조성을 갖는 은 합금 재료를 용해하고 주조하여 주괴를 수득한 후, 필요에 따라 열간 단조 또는 열간 압연 등의 열간 가공을 실시한다. 그 다음, 상기 조건으로 냉간 가공 또는 온간 가공 및 열 처리를 실시하고, 그 후 기계 가공을 실시하여 소정의 형상으로 하는 것이 추장되는 방법의 하나로서 들 수 있다.

상기 은 합금 재료의 용해는 저항 가열식 전기로에 의한 대기 용해나 진공 또는 불활성 분위기에서의 유도 용해 등을 적용하면 바람직하다. 은 합금의 용탕은 산소의 용해도가 높기 때문에 상기 대기 용해의 경우에는 흑연 도가니를 이용하면서 용탕 표면을 플럭스로 덮어 산화 방지를 충분히 해야할 필요가 있다. 산화 방지의 관점에서는 진공 또는 불활성 분위기하에서 용해를 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 주조 방법은 특별히 제한되지 않지만 금형 또는 흑연 주형을 이용하여 실시하는 주조 뿐만 아니라, 은 합금 재료와 반응하지 않는 것을 조건으로 내화물 및 사형 등을 사용하는 서냉 주조를 적용하는 것도 가능하다.

열간 가공은 필수적이지 않지만, 형상이 원주상인 것을 직방체상 또는 판형상으로 하는 경우에, 필요에 따라 열간 단조 또는 열간 압연 등을 실시할 수도 있다. 단, 열간 가공에 있어서의 가공율은 다음 공정인 냉간 가공 또는 온간 가공에서 규정한 가공율을 확보할 수 있는 범위 내로 할 필요가 있다. 냉간 가공 또는 온간 가공에서의 가공이 불충분하면 변형이 부족해져 재결정화를 일으킬 수 없고, 결과적으로 결정 배향이 균일화되지 않기 때문이다. 열간 가공을 실시하는 경우의 그 밖의 조건에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 가공 온도나 가공 시간은 통상 실시되는 범위 내로 하면 바람직하다.

한편, 이들 제조 조건은 조업하는데 있어서 미리 예비 실험을 실시하여 합금 원소의 종류나 첨가량에 따라 최적인 가공·열 처리 조건을 구해 놓는 것이 바람직하다.

본 발명은 타겟의 성분 조성까지 특정하는 것은 아니지만, 상기 타겟을 수득 하는데 있어서, 예컨대 하기와 같은 성분 조성인 것을 이용하는 것이 추장된다.

즉, 전술한 바와 같이, 본 발명의 타겟은 은을 베이스로 하기의 원소가 첨가된 것으로서, 합금 원소로서 형성되는 박막의 결정 입경을 미세화하여 열에 대해 안정화시키는데 유효한 Nd를 1.0at%(원자비를 의미함, 이하 동일) 이하, Nd와 동일한 효과를 발휘하는 희토류 원소(Y 등)를 1.0at% 이하, 형성되는 박막의 내식성을 향상시키는 효과를 갖는 Au를 2.0at%이하, Au와 동일하게, 수득된 박막의 내식성을 향상시키는 효과를 갖는 Cu를 2.0at% 이하인 범위 내로 하고 그 밖의 원소로서 Ti 또는 Zn을 1종 또는 2종 이상 첨가한 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 타겟은 타겟의 제조에 사용하는 원료 또는 타겟의 제조시의 분위기에 기인한 불순물 등이 본 발명에서 규정하는 결정 조직의 형성에 영향을 주지 않는 범위 내로 포함될 수도 있다.

본 발명의 타겟은, 예컨대 DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법 등의 임의의 스퍼터링법에도 적용할 수 있고, 약 20 내지 5000Å의 은 합금 박막을 형성하는데 효과적이다. 한편, 타겟의 형상은 이용하는 스퍼터링 장치에 따라 적절히 설계 변경할 수도 있다.

이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 물론 하기 실시예에 의해 제한되지 않고, 전후 취지에 적합한 범위에서 적당히 변경하여 실시할 수도 있는데, 그것들은 모두 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

실시예 1

은 합금재: Ag-1.0at%Cu-0.7at%Au

제조 방법:

① 본 발명예

유도 용해(Ar 분위기)→주조(금형을 이용하여 판 형상으로 주조함)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(520℃×2시간)→기계 가공(직경 200㎜, 두께 6㎜의 원판 형상).

② 비교예

유도 용해(Ar 분위기)→주조(금형을 이용하여 판 형상으로 주조함)→열간 압연(압연 개시시의 온도 700℃, 가공율 70%)→열 처리(500℃×1시간)→기계 가공(직경 200㎜, 두께 6㎜의 원판 형상).

수득된 타겟의 결정 배향에 관해 다음과 같이 조사했다. 즉, 타겟 표면의 임의의 4개의 개소에 대해 하기의 조건으로 X선 회절을 실시하고 결정 배향 강도를 조사한 결과, 본 발명예에 대해서 도 3의 측정 결과가 수득되고, 비교예에 대해서 도 4의 측정 결과가 수득되었다. 이러한 측정 결과로부터 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위 및 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위를 조사하고 전술한 바와 같이 하여 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 한편, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 4개의 개소에서 다른 경우는 편차를 구 하지 않았다(이하의 실시예에 대해서도 동일함).

X선 회절 장치: 이학 전기 제품 RINT 1500

타겟: Cu

관전압: 50㎸

관전류: 200㎃

주사 속도: 4°/분

시료 회전: 100회/분

또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 다음과 같이 조사했다. 즉, 기계 가공 후의 타겟으로부터 10㎜×10㎜×10㎜의 입방체 형상의 시료를 채취하여 관찰면을 연마한 후, 광학 현미경으로 50 내지 100배 관찰하여 사진 촬영을 실시하고, 상술한 방법으로 타겟의 평균 결정 입경과 최대 결정 입경을 구했다. 한편, 상기 현미경 관찰에서는 결정립을 용이하게 관찰할 수 있도록 광학 현미경에 적절히 편광을 걸었다. 이들 결과를 하기 표 1에 나타낸다.

그 다음, 수득된 각 타겟을 각각 이용하여 DC 마그네트론 스퍼터링법[Ar 가스압: 0.267 Pa(2mTorr), 스퍼터 파워: 1000W, 기판 온도: 실온]으로 막 두께가 평균 1000Å인 박막을 직경 12cm의 유리 기판상에 형성했다. 그리고 수득된 박막의 임의의 중심선의 끝에서부터 순차로 5개의 개소의 막 두께를 측정했다. 그 결과를 하기 표 1에 병기한다.

또한, 수득된 박막에 대해서 원판상의 박막 형성 기판의 임의의 중심선의 끝에서부터 순차적으로 X선 마이크로 분석법(EPMA)으로 합금 원소의 함유량 분포를 측정한 결과 도 5에 나타낸 결과가 수득되었다.

이들 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족하는 타겟을 스퍼터링하면 막 두께 분포가 일정하고 안정된 특성을 발휘할 수 있는 은 합금 박막이 수득됨을 알 수 있다. 한편, 상기 성분 조성의 타겟의 경우, 상기 도 5로부터 본 발명예와 비교예에서의 성분 조성 분포의 상위는 거의 볼 수 없었다.

실시예 2

은 합금재: Ag-0.8at%Y-1.0at%Au

제조 방법:

① 본 발명예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(700℃, 가공율 30%, 슬래브 제조)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(550℃×1.5시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

② 비교예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(650℃, 가공율 60%, 슬래브 제조)→열 처리(400℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

수득된 타겟에 대해서, 실시예 1과 동일하게 결정 배향 강도를 측정하고, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다.

또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1과 동일하게 조사했다. 한편, 본 실시예에서 이용한 은 합금재는 결정립계/결정립 내에 은과 합금 원소의 화합물상이 존재하는 것으로 상기 화합물상의 크기는 다음과 같이 조사했다.

즉, 상기 결정 입경의 측정과 동일한 양태의 시료의 관찰면을 연마한 후, 화합물의 윤곽을 명확하게 하기 위해 질산 등으로 시료 표면을 부식시키는 등 적당한 에칭을 실시한 후, 상술한 바와 같이 광학 현미경에 의해 100 내지 200배로 임의의 5개 이상의 개소를 관찰하여, 전체 시야로 합계 20㎜²의 범위 내에 존재하는 각 화합물상의 원 상당 직경을 구하고 그 평균치를 수득했다. 또한, 상기 합계 시야에서의 최대 화합물상의 원 상당 직경을 구했다.

상기 화합물상을 인식하기 어려운 경우에는 상기 광학 현미경 관찰 대신에 EPMA에 의한 면 분석(사상(寫像))을 실시하여, 통상의 화상 해석법으로 상기 화합물상 크기의 평균치 및 최대치를 구할 수도 있다. 이들 결과를 하기 표 2에 나타낸다.

그 다음, 수득된 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일하게 박막을 형성 하고, 수득된 박막의 막 두께 분포와 성분 조성 분포를 평가했다. 막 두께 분포를 하기 표 2에 나타내고, 성분 조성 분포를 도 6에 나타낸다.

이들 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족하는 타겟을 스퍼터링하면, 막 두께 분포가 일정하고 안정된 특성을 발휘할 수 있는 은 합금 박막이 수득됨을 알 수 있다. 또한, 도 6으로부터 타겟의 결정 입경을 본 발명에서 바람직한 범위 내로 하면 성분 조성 분포가 보다 균일한 박막을 형성할 수 있음을 알 수 있다.

실시예 3

은 합금재: Ag-0.4at%Nd-0.5at%Cu

제조 방법:

① 본 발명예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(700℃, 가공율 35%, 슬래브 제조)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(550℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

② 비교예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열 처리(500 ℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

수득된 타겟에 대해서 실시예 1과 동일하게 결정 배향 강도를 측정하고, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 3에 나타낸다.

또한, 수득된 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일하게 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 평가했다. 막 두께 분포를 하기 표 3에 나타내고, 성분 조성 분포를 도 7에 나타낸다.

이들 결과로부터 본 발명의 요건을 만족하는 타겟을 스퍼터링하면 막 두께 분포 및 성분 조성 분포가 일정하고 안정된 특성을 발휘할 수 있는 은 합금 박막이 수득됨을 알 수 있다.

실시예 4

다음으로 하기 표 4에 나타낸 성분 조성의 은 합금 재료를 이용하여 하기 표 4에 나타낸 여러가지 방법으로 타겟을 제조하고, 수득된 타겟의 결정 배향 강도를 상기 실시예 1과 동일하게 측정하여, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다.

또한, 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일하게 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 평가했다.

본 실시예에서는 형성된 박막의 임의의 중심선의 끝에서부터 순차로 5개의 개소의 막 두께를 측정하여 최소막 두께와 최대막 두께의 비(최소막 두께/최대막 두께)를 구하여 막 두께 분포의 평가를 실시하고, 상기 비가 0.90 이상인 경우를 막 두께가 거의 균일하다고 판단했다. 또한, 성분 조성 분포에 대해서는 다음과 같이 하여 평가했다. 즉, 은과 합금 원소 1종류의 2원계 은 합금의 경우에는 박막의 임의의 중심선의 끝에서부터 순차로 5개의 개소의 합금 원소의 함유량을 구하여, 합금 원소의 (함유량 최소치/함유량 최대치)로 성분 조성 분포의 평가를 실시하고, 은과 합금 원소 2종류의 3원계 은 합금인 경우에는 상기 2종의 합금 원소중(함유량 최소치/함유량 최대치)의 최저치를 나타내는 합금 원소의(함유량 최소치/함유량 최대치)로 평가를 실시하고, 상기 비가 0.90 이상인 경우를 성분 조성 분포가 거의 균일하다고 판단했다. 이들 측정 결과를 하기 표 4에 나타낸다.

상기 표 4 및 표 5로부터 다음을 고찰할 수 있다. 한편, 이하 번호는 상기 표 4 및 표 5에 있어서의 실험 번호를 나타낸다.

1 내지 7의 타겟은 본 발명의 요건을 만족한다는 점에서 스퍼터링법으로 박막의 형성에 이용된 경우, 막 두께 분포 및 성분 조성 분포가 균일하여 안정된 고반사율, 우수한 열전도성 등의 특성을 발휘할 수 있는 박막이 수득됨을 알 수 있다. 한편, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일하고, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위도 4개의 측정 개소에서 동일한 타겟인 경우에는 막 두께 분포가 보다 균일한 박막이 수득됨을 알 수 있다.

이에 대해, 8 내지 10은 본 발명의 요건을 만족하지 않고, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위가 측정 개소 모두에서 동일하지 않고, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차가 크고, 결정 입경도 크기 때문에 수득된 박막 중 어느 것도 막 두께 분포나 성분 조성 분포가 일정하지 않아 안정된 상기 특성의 발휘를 기대할 수 없다.

실시예 5

은 합금재: Ag-0.4at%Nd-0.5at%Cu

제조 방법:

① 본 발명예

유도 용해(Ar 분위기)→주조(금형을 이용하여 판형상으로 주조함)→열간 압 연(압연 개시시의 온도 650℃, 가공율 70%)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(500℃×2시간)→기계 가공(직경 200㎜, 두께 6㎜의 원판 형상).

② 비교예

유도 용해(Ar 분위기)→주조(금형을 이용하여 판형상으로 주조함)→열간 압연(압연 개시시의 온도 700℃, 가공율 40%)→열 처리(500℃ ×1시간)→기계 가공(직경 200㎜, 두께 6㎜의 원판 형상).

수득된 타겟의 결정 배향 강도를 실시예 1과 동일하게 측정하여, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 6에 나타낸다.

또한, 상기 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 상기 실시예 1과 동일하게 평가했다. 박막의 막 두께 분포를 하기 표 6에 나타내고, 성분 조성 분포를 도 8에 나타낸다.

이들 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족하는 금속 조직의 타겟을 스퍼터링에 이용하면 박막 면내의 막 두께 분포가 일정하고 안정된 특성을 발휘할 수 있는 은 합금 박막이 수득됨을 알 수 있다. 한편, 도 8로부터 본 발명예의 타겟의 성분 조성 분포가 비교예에서 보다 균일함을 알 수 있다.

실시예 6

은 합금재: Ag-0.8at% Y-1.0at%Au

제조 방법:

① 본 발명예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(700℃, 가공율 35%)→ 열간 가공(압연 개시시의 온도 700℃, 가공율 35%)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(550℃×1.5시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

② 비교예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(650℃, 가공율 40%, 원주 형상으로 성형함)→열 처리(400℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

수득된 타겟의 결정 배향 강도를 상기 실시예 1과 동일하게 측정하고, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 7에 나타낸다.

또한, 수득된 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 평가했다. 박막의 막 두께 분포를 하기 표 7에 나타내고, 성분 조성 분포를 도 9에 나타낸다.

이들 결과로부터, 본 발명의 요건을 만족하는 금속 조직의 타겟을 스퍼터링하면 막 두께 분포 및 성분 조성 분포가 일정하고 안정된 특성을 발휘할 수 있는 은 합금 박막이 수득됨을 알 수 있다.

실시예 7

은 합금재: Ag-0.5at%Ti

제조 방법:

① 본 발명예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열간 단조(700℃, 가공율 25%)→열간 압연(압연 개시시의 온도 650℃, 가공율 40%)→냉간 압연(가공율 50%)→열 처리(550℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

② 비교예

진공 유도 용해→주조(금형을 이용하여 원주상 잉곳을 제조함)→열 처리(500℃×1시간)→기계 가공(실시예 1과 동일한 형상으로 가공함).

실시예 1과 동일하게 수득된 타겟의 결정 배향 강도를 측정하여, 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 8에 나타낸다.

또한, 수득된 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 상기 실시예 1과 동일하게 측정했다. 박막의 막 두께 분포를 하기 표 8에 나타내고, 성분 조성 분포를 도 10에 나타낸다.

실시예 8

다음으로 하기 표 9에 나타낸 성분 조성의 은 합금 재료를 이용하여 하기 표 9에 나타낸 여러가지 방법으로 타겟을 제조하고, 상기 실시예 1과 동일하게 수득된 타겟의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 10에 나타낸다.

또한, 상기 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 상기 실시예 4와 동일하게 평가했다.

상기 표 9 및 표 10으로부터 다음을 고찰할 수 있다. 또한, 이하의 번호는 상기 표 9 및 표 10에서의 실험 번호를 나타낸다.

1 내지 7의 타겟은 본 발명의 요건을 만족한다는 점에서 스퍼터링법으로 박막 형성에 이용한 경우 막 두께 분포 및 성분 조성 분포가 균일하여 안정된 고반사율, 고열전도율 등의 특성을 발휘할 수 있는 박막이 수득됨을 알 수 있다. 이에 대해 8 및 9는 본 발명의 요건을 만족하지 않고, 수득된 박막 중 어느 것도 막 두께 분포나 조성 분포가 균일하지 않아 안정된 상기 특성의 발휘를 기대할 수 없다.

실시예 9

본 발명자들은 또한 하기 표 11에 나타낸 성분 조성의 은 합금 재료를 이용하여 표 11에 나타낸 여러가지 방법으로 타겟을 제조하여, 수득된 타겟의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)를 나타내는 방위, 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위, 및 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(X_a)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)의 강도비(X_b/X_a)의 편차를 구했다. 또한, 수득된 타겟의 금속 조직을 상기 실시예 1 및 2와 동일하게 조사했다. 이들 결과를 하기 표 12에 나타낸다.

또한, 수득된 각 타겟을 이용하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 박막을 형성하고, 수득된 박막의 막 두께 분포 및 성분 조성 분포를 상기 실시예 4와 동일하게 평가했다.

상기 표 11 및 표 12로부터 다음을 고찰할 수 있다. 한편, 이하의 번호는 표 11 및 표 12에서의 실험 번호를 나타낸다.

1 내지 5의 타겟은 본 발명의 요건을 만족한다는 점에서 스퍼터링법으로 박막의 형성에 이용된 경우 막 두께 분포 및 성분 조성 분포가 균일하여 안정된 고반사율, 고열전도율 등의 특성을 발휘할 수 있는 박막이 수득됨을 알 수 있다.

특히, 결정 배향, 및 타겟의 결정 입경 및 결정립계/결정립 내의 은과 합금 원소의 화합물상을 본 발명에서 바람직하다고 여기는 범위 내로 제어하면 막 두께 분포나 성분 조성 분포가 보다 균일한 박막을 형성할 수 있음을 알 수 있다.

이에 대해, 6 및 7은 본 발명의 요건을 만족하지 않고, 수득된 박막 중 어느 것도 막 두께 분포나 성분 조성 분포가 균일하지 않아 안정된 상기 특성의 발휘를 기대할 수 없다.

본 발명은, 상기한 바와 같이 구성되고, 막 두께 분포나 성분 조성 분포가 균일한 은 합금 박막을 스퍼터링법으로 형성하는데 유용한 타겟을 제공하는 것이다. 이러한 타겟을 이용하여 스퍼터링법으로 형성된 은 합금 박막은 안정된 고반사율이나 고열전도율 등의 특성을 발휘하여 일면 2층 구조의 DVD의 반투과 반사막이나 차세대 광학 기록 매체의 반사막과 같은 광학 기록 매체의 반사막이나 반사형 액정 모니터의 전극·반사막 등에 적용한 경우 이들의 성능을 보다 높일 수 있다.

Claims

은 합금 스퍼터링 타겟으로서, 상기 은 합금이 희토류 원소 1.0at% 이하, Au 2.0at% 이하, Cu 2.0at% 이하, Ti 0.5at% 이하 및 Zn 0.5at% 이하로부터 선택된 1종 이상을 포함하며, 잔부가 은 및 불가피적 불순물로 이루어진 것이고, 상기 은 합금 스퍼터링 타겟의 임의의 4개의 개소에 대해 X선 회절법에 의해 결정 배향 강도를 구하고, 가장 높은 결정 배향 강도(Xa)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일하고, 각 측정 개소에서의 가장 높은 결정 배향 강도(Xa)와 2번째로 높은 결정 배향 강도(Xb)의 강도비(Xb/Xa)의 편차가 20% 이하임을 특징으로 하는 은 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항에 있어서,

2번째로 높은 결정 배향 강도(X_b)를 나타내는 방위가 4개의 측정 개소에서 동일한 은 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항에 있어서,

평균 결정 입경이 100㎛ 이하이고, 최대 결정 입경이 200㎛ 이하인 은 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항에 있어서,

결정립계, 결정립내 또는 결정립계와 결정립내 둘 다에 존재하는 은과 합금 원소의 화합물상의 원 상당 직경이 평균 30㎛ 이하이고, 상기 원 상당 직경의 최대치가 50㎛ 이하인 은 합금 스퍼터링 타겟.
제 1 항에 따른 은 합금 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 있어서, 30 내지 70%의 가공율에서 냉간 가공 또는 온간 가공을 실시하고, 그 후 500 내지 600℃의 유지 온도 및 0.75 내지 3시간의 유지 시간의 조건으로 열 처리를 실시함을 특징으로 하는 은 합금 스퍼터링 타겟의 제조 방법.
제 5 항에 있어서,

상기 열 처리를 500 내지 600℃의 유지 온도 및 하기 수학식 4의 범위 내의 유지 시간에서 실시하는 은 합금 스퍼터링 타겟의 제조 방법:

수학식 4

상기 식에서,

T는 유지 온도(℃)이고, t는 유지 시간(시간)을 나타낸다.