JP2001262327A - 磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い記録密度に対応できる面内、垂直の両方
式でも高い磁気特性、低ノイズ、記録安定性に優れた磁
気記録媒体の製造するためターゲット材と磁気記録媒体
を提供する。 【解決手段】 Ｃｏ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎｉ_ｘ１Ｐｔ
_ｘ２Ｃｒ_ｙＢ_ｚで示され、ｘ＝ｘ１＋ｘ２、ｘ１が１１
〜３０ａｔ％、ｘ２が８〜３０ａｔ％、ｘが２５ａｔ％
以上、ｙが１６〜２８ａｔ％、ｚが２〜１０ａｔ％でか
つ（ｙ＋ｚ）が２０ａｔ％以上の組成の磁気記録媒体形
成用スパッタリングターゲット材。このターゲット材を
用いてターゲット材と同一組成の磁性膜をもつ磁気記録
媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装
置、フロッピー（登録商標）ディスク装置等の磁気記録
装置に用いられる磁気記録媒体に用いられる磁性膜の製
造に用いられる磁気記録媒体形成用スパッタリングター
ゲット材と、それを用いて製造される磁気記録媒体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置等では磁性膜の
容易磁化方向を膜面内方向とした面内磁気記録方式が用
いられ、高密度記録化に伴い、再生感度の高い磁気抵抗
効果を用いた磁気ヘッド（ＭＲヘッド）さらに高感度な
巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）ヘッドに適応した磁気記録
媒体が必要とされている。現在ＣｏＣｒＰｔＴａ系の４
元系合金やこれにＮｂを添加した５元系合金を使用した
磁気記録媒体がＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ
３３，（１９９７）等に提案されている。高感度なＭ
Ｒ、ＧＭＲヘッドは磁性膜に高い保磁力とノイズの低減
が極めて重要な課題となっている。高い磁気特性を得る
ために、特開平４−２２１４１８号ではＰｔとＢを含有
したＣｏＣｒ系磁気記録媒体が、特開平５−２０５２４
２号ではＮｉ、Ｐｔ、Ｂを含有したＣｏＣｒ系磁気記録
媒体提案されている。これらの面内磁気記録媒体では、
ノイズの低減化には、低い残留磁束密度（Ｂｒ）とその
膜厚（ｔ）との積（Ｂｒ・ｔ）を要求し、さらに磁性膜
の結晶粒の均一微細化が必要となっている。さらに、高
密度記録化するためには面内磁気記録方式ではなく磁性
膜の容易磁化方向を膜厚方向に向けた垂直磁気記録方式
が数多く提案されている。近年ではＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ３５，（１９９９）においてはＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｍｏの磁性膜を用いた垂直磁気記録媒
体が、日本応用磁気学会誌、２３，Ｎｏ．４−２（１９
９９）ではＦｅ−ＰｔやＣｏ−Ｃｒ−Ｙ等が提案されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】低ノイズ化のために磁
性膜結晶粒界における非磁性成分を増加させて磁性粒子
の磁気的な孤立性を高めた磁束密度の低い組成が用いら
れ、これにより磁気的なエネルギーが低下し、熱緩和に
伴う記録安定性が問題となっている。しかし、上記のＣ
ｏＣｒＰｔ４元系、５元系の磁性膜では高い磁気特性と
低ノイズ性、記録安定性を維持することが難しい。ま
た、さらに高い記録密度に対応する垂直磁気記録には、
面内磁気記録用の磁性膜では高い磁気特性を得ることが
できないという問題があり、上述の新たな添加元素を加
えた磁性膜とする必要があり、これら上記の材質では信
頼性の確認が十分でなくすぐに実用化が難しいこと、さ
らに、ターゲット材を安定に製造することができない問
題点があった。本発明は上記課題を解決し、面内、垂直
の両方式でも高い磁気特性を得るのに好適なターゲット
材および磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するためにＣｏＣｒ系合金に種々添加元素を加えた組
成のターゲット材を作製し、スパッタリングにより磁性
膜を形成しその特性を調査した。その結果、高い磁気特
性、低ノイズ性、記録安定性を有する面内、垂直の両方
に用いることが可能な磁気記録媒体が得られるスパッタ
リングターゲット材の組成とその組織を見いだしたもの
である。その組成は従来のＣｏ−Ｃｒ系磁性膜にＮｉと
ＰｔとＢを含有させてその組成比を最適化したターゲッ
ト材を用いて、磁気記録媒体を形成することで可能とな
る。また、ターゲット材の組織である化合物の形態、結
晶配向性を最適化することで高い磁気特性と低ノイズ、
記録安定性を有する磁性膜を均一に安定的に形成するこ
とが可能となる知見を得ることができた。

【０００５】即ち、本発明は、組成がＣｏ
_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎｉ_ｘ１Ｐｔ_ｘ２Ｃｒ_ｙＢ_ｚで示さ
れ、ｘ＝ｘ１＋ｘ２、ｘ１が１１〜３０ａｔ％、ｘ２が
８〜３０ａｔ％、ｘが２５ａｔ％以上、ｙが１６〜２８
ａｔ％、ｚが２〜１０ａｔ％でかつ（ｙ＋ｚ）が２０ａ
ｔ％以上を満たす磁気記録媒体形成用スパッタリングタ
ーゲット材である。

【０００６】本発明のターゲット材においては、ターゲ
ット組織中に存在する、実質的にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ
からなる化合物相の連なる長さが１００μｍ以下の磁気
記録媒体形成用スパッタリングターゲット材であること
が好ましい。

【０００７】また、本発明のターゲット材のＸ線回折に
より確認できる回折線において、α−Ｃｏ（１１１）／
（２００）で示される強度比が２．７以上である磁気記
録媒体形成用スパッタリングターゲット材であることが
好ましい。

【０００８】また、本発明の磁気記録媒体は、上述した
本発明のターゲット材を用いてスパッタリングにより形
成した膜を磁性膜とした磁気記憶媒体であることが好ま
しい。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の磁気記憶媒体形成用スパッタリングターゲット
材の組成は、Ｎｉ濃度が１１〜３０ａｔ％、Ｐｔ濃度が
８〜３０ａｔ％、Ｃｒ濃度が１６〜２８ａｔ％、Ｂ濃度
が２〜１０ａｔ％とし、Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和が２５
ａｔ％以上、Ｃｒ濃度とＢ濃度の和が２０ａｔ％以上で
ある。

【００１０】Ｃｒ濃度を１６〜２８ａｔ％とするのは形
成された磁性膜が、１６ａｔ％未満では磁性膜結晶粒界
におけるＣｒ偏析による磁性粒子の磁気的な孤立性が不
十分となり、ノイズが増加するためであり、２８ａｔ％
を超えると磁気特性の低下と記録安定性が著しく低下す
るため、高密度磁気記録媒体としては適さないためであ
る。

【００１１】Ｎｉ濃度を１１〜３０ａｔ％とするのは１
１ａｔ％以下では磁気特性の向上効果が低く、３０ａｔ
％以上では磁気特性が低下してしまうためである。ま
た、Ｐｔ濃度を８〜３０ａｔ％とするのは８ａｔ％未満
では記録安定性の確保が難しく、３０ａｔ％以上ではノ
イズが増加してしまうためである。

【００１２】Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和を２５ａｔ％以上
とするのは、磁気特性の向上と熱安定性の両立を図るた
めである。また、Ｃｒ濃度とＢ濃度の和を２０ａｔ％以
上とするのは２０ａｔ％以下では高密度記録に対応する
低ノイズ性の維持が難しいためである。また、Ｎｉ濃度
とＰｔ濃度の和は２５〜４０ａｔ％、Ｃｒ濃度とＢ濃度
の和は２０〜３２ａｔ％が望ましい。これらの組成を超
えるとターゲット材の塑性加工性が低下し、安定に製造
することができなくなるためである。

【００１３】また、本発明のターゲット材は、その組織
中に存在する、実質的にＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂからなる
化合物相の連なる長さが１００μｍ以下であることが好
ましい。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ化合物相の連なる長さが
１００μｍ以下であることにより、割れの発生しないタ
ーゲット材を安定に製造することが可能となる。

【００１４】さらに、Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和を２５ａ
ｔ％以上とすることで、ターゲット材の組織を安定にα
−Ｃｏ（１１１）／（２００）で示される強度比を２．
７以上とすることが可能となり、膜特性の基板面内分布
を改善することが可能となる。

【００１５】本発明のターゲット材の製造には、原料で
あるＣｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂ各金属原料、または合
金をあらかじめ製造したマスタ−原料を所定の割合に秤
量し、溶解、鋳造した後に熱間で塑性加工し、さらに機
械加工を施して種々組成のターゲット材を作製すること
が好ましい。

【００１６】また、本発明は、磁気記録媒体形成用スパ
ッタリングターゲット材を用いてスパッタリングにより
形成する膜を磁性膜とした磁気記憶媒体とすることであ
る。さらに好ましくは、面内磁気記憶媒体、垂直磁気記
憶媒体の双方に用いられることが望ましい。磁性膜の膜
厚としては１０ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。１０ｎｍ以
下では急激に保磁力が低下し、３０ｎｍ以上では高感度
なＧＭＲヘッドの要求する低ノイズ性などの特性が得ら
れにくくなるためである。

【００１７】本発明のターゲット材を用いてスパッタリ
ングにより形成される膜を面内磁気記録媒体の磁性膜と
する場合は、膜面内での磁気特性を改善する目的で、磁
性膜と併せて下地膜が用いられる。下地膜としては、一
般的に体心立方晶のＣｒやＣｒにＴｉ、Ｍｏ等を加えた
Ｃｒ合金膜が用いられている。本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｂ系磁性膜も、これらのＣｒ合金下地膜を形
成することで、磁気特性を向上することが可能である。
さらにＣｒ−Ｗ合金系下地膜を用いると、より磁気特性
の向上が著しいため好ましい。

【００１８】その際のＷの含有量としては１０ａｔ％以
上３５ａｔ％以下が好ましく、さらにＴｉ、Ｂ等を５〜
１０ａｔ％含有させると、磁性膜の磁気特性の改善とさ
らにノイズ低減により効果がある。下地層の膜の厚みは
１ｎｍ〜１５ｎｍ、好ましくは２〜１０ｎｍとすること
が望ましい。このように数ｎｍ〜１５ｎｍの薄い下地膜
とすることで均一微細な下地膜を形成することが可能と
なり、その上に形成されるＣｏＮｉＣｒＰｔＢ磁性膜の
微細化を促進し、ノイズ低減に効果がある。

【００１９】また、磁性膜のＰｔ濃度が８〜３０ａｔ％
であるので、前記の通り、高い磁気特性が得られるもの
である。さらに、Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和が２５％以上
であると、より記録安定性に優れたものとなる。さらに
２５〜４０ａｔ％範囲であることが好ましい。

【００２０】本発明のターゲット材を用いてスパッタリ
ングにより形成される膜を磁性膜とした面内磁気記録媒
体の磁気特性としては、上記の磁性膜組成、下地膜組成
と膜厚とすることで、ＧＭＲヘッドが要求する高い磁気
特性である保磁力２４０ｋＡ／ｍ以上、保磁力角形比Ｓ
^＊が０．８以上、残留磁束密度膜厚積Ｂｒ・ｔとして８
０ｅｍｕ／ｃｃ以下の高密度記録に対応できる特性を達
成できるものが望ましい。

【００２１】また、本発明のターゲット材を用いてスパ
ッタリングにより形成される膜を垂直磁気記録媒体の磁
性膜とする場合は、一般的に膜面に垂直方向での磁気特
性を得るために、下地膜として軟磁性膜であるパーマロ
イ等が用いられたり、Ｔｉ−Ｃｒ合金膜等が用いられ
る。しかし、本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂター
ゲット材を用いて形成する磁性膜はこれらの下地膜上や
非晶質の膜上で膜面に垂直方向に高い磁気特性を得るこ
とが可能となり、高密度記録に対応できる磁気記録媒体
を安定に製造することが可能となる。

【００２２】以上のように本発明のターゲット材は、現
在の面内磁気記録媒体、さらに高密度記録に対応する垂
直磁気記録媒体の安定かつ均一に製造することが可能と
なる。

【００２３】

【実施例】以下に実施例、比較例を挙げて本発明を詳細
に説明する。本発明はその範囲を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

【００２４】ターゲット材を製造するために、Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金、Ｃｏ−Ｂ合金、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒを原料とし
て、所定の組成となるように秤量し、真空誘導溶解炉に
て溶解、鋳造した後に、熱間で塑性加工し、さらに機械
加工を施して所定のサイズに加工して、種々組成のター
ゲット材を作製した。このターゲット材をスパッタ装置
に取り付けた。磁気記録媒体用基板には一般的に用いら
れているＮｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ合金基板（以
下Ａｌ合金基板）を用いた。その大きさは外径９５mm、
内径２５ｍｍ、厚み０．８mmのもので、鏡面研磨を行っ
たものを、一般に行われているテクスチャー処理を行い
使用した。この基板をスパッタ装置の基板ホルダーに取
り付けてスパッタ装置内に送り込み真空に排気し、基板
をヒーターにより約２５０℃に加熱した後に、Ｃｒ合金
下地膜、上記製造方法で作製したＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｎ
ｉ−Ｂ系磁性膜、保護膜であるカーボンを順次スパッタ
リングにより形成し、その後スパッタリング装置から取
り出し評価を行った。

【００２５】スパッタリングにおいてはターゲット材の
組成と膜組成はほぼ等しく、面内磁気記録媒体のよう
に、下地膜にＣｒやＣｒ合金を用いる場合膜組成の分析
は困難であるため、ターゲット材組成と膜特性の関係に
ついて以下検討した結果を報告する。

【００２６】（実施例１）組成の異なるＣｏ−Ｎｉ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｂのターゲット材を用いて、上記のように磁
性膜を形成し、その組成と磁気特性の関係について調査
を行った。Ｃｒ濃度を１８ａｔ％、Ｐｔ濃度を８ａｔ
％、Ｂ濃度を４ａｔ％としてＮｉ濃度を変化させた場合
の保磁力の変化を図１に示す。Ｎｉ濃度の増加に伴い保
磁力は増加し、１０ａｔ％以上で保磁力の増加が著しく
３０ａｔ％を超えると急激に低下することがわかる。

【００２７】（実施例２）次にＣｒ濃度について検討し
た。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ磁性膜において、Ｎｉ
濃度を２５ａｔ％、Ｐｔ濃度を１２ａｔ％、Ｂ濃度を６
ａｔ％としてＣｒ濃度変化させた場合の磁気ディスクを
作製して、媒体のノイズと信号強度の比であるＳ／Ｎの
変化を求めた結果を図２に示す。Ｃｒ濃度の増加に伴い
Ｓ／Ｎが向上している。Ｃｒ濃度が増加すると磁束密度
が低下して出力は低下するが、それ以上に磁気特性の向
上とノイズ成分の低下によりＳ／Ｎは向上したと考えら
れる。しかし、Ｃｒ濃度が２６ａｔ％を超えると急激に
Ｓ／Ｎが低下していることがわかる。

【００２８】（実施例３）次にＰｔ濃度依存性について
検討した。Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ磁性膜において
Ｎｉ濃度を２５ａｔ％、Ｃｒ濃度を２０ａｔ％、Ｂ濃度
を６ａｔ％としてＰｔ濃度変化させた場合の磁気ディス
クを作製して媒体の信号出力の温度による低下率を測定
した結果を図３に示す。Ｐｔ濃度が高くなると出力低下
率は低くなる。Ｐｔ濃度８ａｔ％以上、望ましくは１０
ａｔ％以上で温度による出力低下が少ない安定した記録
が行えることがわかる。

【００２９】（実施例４）Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ
磁性膜においてＣｒ濃度を２０ａｔ％、Ｂ濃度を６ａｔ
％としてＮｉ濃度とＰｔ濃度を種々変化させた場合の磁
気ディスクを作製して、Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和に対し
て、保磁力と信号出力の温度による低下率を測定した結
果を図４、図５に示す。Ｐｔ濃度は８ａｔ％以上につい
て検討した。Ｎｉ濃度とＰｔ濃度の和が高くなると保磁
力は増加し、５０ａｔ％で最大となりその後低下する。
出力低下率はＮｉ濃度とＰｔ濃度の和が２５ａｔ％以
上、望ましくは３０ａｔ％以上で出力低下は少なく安定
した記録が行えることがわかる。

【００３０】（実施例５）Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ
磁性膜においてＮｉを２０ａｔ％、Ｐｔを１４ａｔ％と
してＣｒ濃度とＢ濃度を種々変化させた場合の磁気ディ
スクを作製して、Ｃｒ濃度とＢ濃度の和に対して、Ｓ／
Ｎの変化を求めた結果を図６に示す。Ｃｒ濃度とＢ濃度
の和が増加するに伴い伴いＳ／Ｎが向上している。２０
ａｔ％以上望ましくは２２ａｔ％以上で３０ｄＢの高い
Ｓ／Ｎが得られていることがわかる。しかし３０ａｔ％
以上ではＳ／Ｎは急激に低下するため、Ｃｒ濃度とＢ濃
度の和は２０〜３０ａｔ％の間が望ましい。

【００３１】（実施例６）次にターゲット材の組織と製
造時の割れの発生と膜特性の関係について検討した。タ
ーゲット材組成は本発明のＣｏ−３０Ｎｉ−２２Ｃｒ−
１２Ｐｔ−６Ｂとして、所定の組成となるように原料を
秤量した後、種々の方法でターゲット材の製造を試み
た。

【００３２】一般的な真空誘導溶解炉で溶解し、厚み５
０ｍｍ、幅２００ｍｍ、高さ３００ｍｍの鋳型中に鋳造
した。その際の鋳造温度を１４５０℃、１５５０℃とし
て変化させて、その後１０００℃で加熱した後厚みを３
０ｍｍまで鍛造を行った。（以下、(1)とする） また、同様に鋳造した素材を１１００℃で２０時間加熱
後、厚みを２０ｍｍまで圧延を行った。（以下、(2)と
する） さらに、上記組成Ｃｏ−３０Ｎｉ−２２Ｃｒ−１２Ｐｔ
−６Ｂのインゴットを作製して、それをもとにガスアト
マイズ法により粉末を製造して、その粉末を金属製の容
器に充填し、４５０℃で真空脱気した後、熱間静水圧プ
レスで９５０℃、１５０ＭＰａの圧力で焼結を行い、そ
の後１０００℃に加熱して圧延を行った。（以下、(3)
とする）

【００３３】表１にターゲット製造時の割れの有無、ス
パッタした磁性膜の基板間の保磁力変動と、作製したタ
ーゲット材のミクロ組織を観察し、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−
Ｂ化合物の最大長について示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】ターゲット材の製造方法と必ずしも明確な
関連はないが、化合物の最大長が１００μｍ以上となる
とターゲット材が割れやすくなり製造できないととも
に、基板内の保磁力分布が大きくなってしまうことがわ
かる。このように、この化合物は非常に脆く、化合物が
分散していない場合、化合物相の部分での破断によりタ
ーゲット材が製造できなかったり、基板間の膜特性が大
きく変動してしまう。このため、この一つの化合物の長
片での最大長さは１００μｍ以下とすることが望まし
い。さらに、均一な膜特性を得るためには図７に示すよ
うにＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ化合物が分散した組織とする
ことがさらに望ましい。なお、図７において、黒色の部
分はＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂ化合物相であり、また、白色
の部分はＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ相である。

【００３６】（実施例７）次にターゲット材組成をＣｏ
−２５Ｎｉ−１８Ｃｒ−１０Ｐｔ−４Ｂとして、（実施
例６）と同様に溶解−鋳造法でインゴットを作製した。
その後、１１００℃で加熱し圧延した後に、それぞれ８
００℃、９００℃、１０５０℃で１時間の熱処理を行
い、ターゲット材を製造した。（以下、(４)とする） また、ガスアトマイズ法により上記インゴットから粉末
を製造して、その粉末を金属製の容器に充填し、４５０
℃で真空脱気した後、熱間静水圧プレスで９５０℃、１
５０ＭＰａの圧力で焼結を行い、ターゲット材を製造し
た（以下、(５)とする）。上記方法により製造したター
ゲット材について、ターゲット材の結晶性と膜特性の関
連について検討した。ターゲット材をＸ線回折装置によ
り各回折線を確認した。その際のＸ線回折強度比として
α−Ｃｏ（１１１）／（２００）を測定し、その強度比
と膜特性の中の磁性膜の基板内での保磁力変動の関係を
表２に示す。

【００３７】

【表２】

【００３８】製造方法との明確な相関はないが、強度比
が２．７以上となると基板内保磁力分布が少なくなり均
一な特性となっていることがわかる。このように、（１
１１）／（２００）強度比を２．７以上とすることで均
一な膜特性を得ることが可能となる。

【００３９】（実施例８）Ｃｏ−２０Ｃｒ−６Ｐｔ−４
Ｔａ、Ｃｏ−２４Ｃｒ−１０Ｐｔ−６Ｂ、と本発明例の
Ｃｏ−２５Ｎｉ−１８Ｃｒ−１０Ｐｔ−４Ｂ、Ｃｏ−２
０Ｎｉ−２３Ｃｒ−１４Ｐｔ−６Ｂのターゲット材を用
いて、実施例１と同様に15nmの厚さのＣｒ−２０Ｗ下地
膜上にＣｏＣｒ系磁性膜を２０ｎｍ形成した場合の膜面
内での保磁力とＮｉ−Ｔａ−Ｍｏ膜上にＣｏＣｒ系磁性
膜を形成した際の膜面に垂直方向の保磁力を測定した結
果を表３に示す。

【００４０】

【表３】

【００４１】本発明の組成範囲にあるＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ
−Ｐｔ−Ｂターゲット材を用いて磁性膜を形成すると面
内、垂直のいずれの場合でも高い磁気特性が得られてい
ることがわかる。

【００４２】

【発明の効果】以上に説明した如く、本発明のターゲッ
ト材を用いれば、高い磁気特性と低ノイズ、記録安定性
に優れた磁気記録媒体を製造することが可能となり、産
業上有用な効果がもたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＮｉ濃度と磁気特性の関
係を示す図である。

【図２】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＣｒ濃度とＳ／Ｎの関係
を示す図である。

【図３】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＰｔ濃度と再生出力低下
率の関係を示す図である。

【図４】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＮｉ濃度とＰｔ濃度の和
と磁気特性の関係を示す図である。

【図５】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＮｉ濃度とＰｔ濃度の和
と再生出力低下率の関係を示す図である。

【図６】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材を用いて形成した磁性膜のＣｒ濃度とＢ濃度の和と
Ｓ／Ｎの関係を示す図である。

【図７】本発明のＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂターゲッ
ト材の代表的組織を示す金属ミクロ組織写真（倍率：１
００倍）である。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 組成がＣｏ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎｉ_ｘ１
   Ｐｔ_ｘ２Ｃｒ_ｙＢ_ｚで示され、ｘ＝ｘ１＋ｘ２、ｘ１が
   １１〜３０ａｔ％、ｘ２が８〜３０ａｔ％、ｘが２５ａ
   ｔ％以上、ｙが１６〜２８ａｔ％、ｚが２〜１０ａｔ％
   でかつ（ｙ＋ｚ）が２０ａｔ％以上を満たすことを特徴
   とする磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット
   材。
2. 【請求項２】 ターゲット組織中に存在する、実質的に
   Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｂからなる化合物相の連なる長さが
   １００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載
   の磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット材。
3. 【請求項３】 Ｘ線回折により確認できる回折線におい
   て、α−Ｃｏ（１１１）／（２００）で示される強度比
   が２．７以上であることを特徴とする請求項１又は２に
   記載の磁気記録媒体形成用スパッタリングターゲット
   材。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３の何れかに記載のターゲ
   ット材を用いて、スパッタリングにより形成した膜を磁
   性膜としたことを特徴とする磁気記録媒体。