CN113444914A - 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用 - Google Patents

一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用 Download PDF

Info

Publication number
CN113444914A
CN113444914A CN202110813070.9A CN202110813070A CN113444914A CN 113444914 A CN113444914 A CN 113444914A CN 202110813070 A CN202110813070 A CN 202110813070A CN 113444914 A CN113444914 A CN 113444914A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silver
based alloy
alloy
temperature
composite film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110813070.9A
Other languages
English (en)
Inventor
鄢展圣
杨智焕
侯庆龙
刘宇
陈晓达
张科
吴荣祯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Acetron New Materials Co ltd
Original Assignee
Fujian Acetron New Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Acetron New Materials Co ltd filed Critical Fujian Acetron New Materials Co ltd
Priority to CN202110813070.9A priority Critical patent/CN113444914A/zh
Publication of CN113444914A publication Critical patent/CN113444914A/zh
Priority to KR1020237008873A priority patent/KR20230051547A/ko
Priority to PCT/CN2022/106418 priority patent/WO2023001137A1/zh
Priority to TW111127032A priority patent/TWI833289B/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/021—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips involving a particular fabrication or treatment of ingot or slab
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C22C5/08—Alloys based on silver with copper as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/002—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working by rapid cooling or quenching; cooling agents used therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes

Abstract

本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用。本发明提供的银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。本发明的银基合金既有银优异的导电性、导热性，又有锌的抗腐蚀性能，使银基合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，保证银基合金在高温条件下减少岛状结构的形成，仍具有极高的反射率。本发明提供的银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和覆盖于银基合金薄膜两侧的氧化铟锡薄膜层。银合金复合薄膜在具有较高功函数的同时在较高温度下具有较高的反射率；将所述银合金复合薄膜作为OLED中的阳极能够提高OLED的发光效率。

Description

一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
技术领域
本发明属于OLED技术领域，具体涉及一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting diode)中文名称为有机发光二极管，是基于有机半导体材料的发光二极管。OLED由于具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现柔性和大面积、功耗低等优点，不但可以作为显示器件，在照明领域应用前景也十分好，OLED已经被视为21世纪最具前途的显示和照明产品之一。
OLED的基本结构通常是一种有机半导体层夹在两个电极之间的三明治结构，其中正极常采用薄而透明的具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)，负极通常采用低功函数的金属；当正负极外加电压时，有机半导体层内就会产生激子并发光。为了获得更高性能的OLED，有机半导体层通常包含多个层，如空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
在形成OLED发光层两侧的阳极与阴极之间施加电压，分别从阳极和阴极将空穴和电子注入OLED膜并且在OLED发光层结合后发光。OLED元件的驱动方式中存在无源矩阵方式和有源矩阵方式；有源矩阵方式能够通过在1个像素上设置1个以上的薄膜晶体管来进行高速转换。因此，有源矩阵方式为有利于高对比度、高清晰度且能够发挥OLED元件特征的驱动方式。并且，在光的提取方式中存在从透明基板侧提取光的底部发光方式和从基板的相反侧提取光的顶部发光方式，顶部发光方式有利于提高发光亮度。为了能进一步提升顶部发光型主动式有机发光二极管的效率，需要提高阳极材料的功函数(work function)和反射率。现有材料中反射率最高的金属为银，但银的功函数只有约4.2至4.7电子伏特(eV)，比起常用于制作阳极电极的铟锡氧化物(ITO)低了约0.6eV。故此，现有技术提供一种由一铟锡氧化物薄膜、一纯银薄膜及一铟锡氧化物薄膜依序重叠所构成的三层结构阳极(以下简称ITO/Ag/ITO阳极)，以达到同时具备高功函数及高反射率的特性的阳极的需求。
虽然ITO/Ag/ITO阳极可兼具有高反射率及高功函数的特性，但纯银薄膜层在经过约150℃的加热工艺后会发生凝聚(agglomeration)而形成岛状结构，从而降低反射率。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用，本发明提供的银基合金具有较高的耐温性经过较高温度后仍具有较高的反射率；本发明提供的银合金复合薄膜具有较高功函数的同时具有较高的反射率。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。
优选的，所述掺杂元素还包括铜。
优选的，所述银基合金中的晶粒的平均粒径小于150μm。
本发明还提供了上述技术方案所述银基合金的制备方法包括以下步骤：
将银源和掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭，所述掺杂源包括锌源；
将所述铸锭依次进行热处理、热锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银基合金。
优选的，所述掺杂源还包括铜源。
优选的，所述热处理的温度为600～850℃，时间为1～2h；
所述热锻造的温度为500～600℃；所述热锻造的总变形量为45～65％；
所述冷轧的温度为冷却后的温度；所述冷轧为多道次轧制，所述多道次轧制中的每道次的压下率独立为15～30％，所述多道次轧制的总压下率为50～65％。
优选的，所述冷却后温度为室温，所述冷却的冷却速率为200～1000℃/min。
优选的，所述再结晶处理的温度为350～500℃，时间为1.8～2.2h。
本发明还提供了一种银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和层叠于所述银基合金薄膜层两侧的氧化铟锡薄膜层；所述银基合金薄膜层由上述技术方案所述银基合金或上述技术方案所述制备方法制备得到的银基合金制备得到。
本发明还提供了上述技术方案所述银合金复合薄膜作为阳极在OLED中的应用。
本发明提供了一种银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。本发明提供的银基合金既有银优异的导电性、导热性，又有锌的抗腐蚀性能，同时在银中添加锌提高了银基合金的强度、硬度和抗蠕变性能，从而使银基合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，保证银基合金在高温条件下减少岛状结构的形成，仍具有极高的反射率。
本发明还提供了上述技术方案所述银基合金的制备方法包括以下步骤：将银源和掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭，所述掺杂源包括锌源；将所述铸锭依次进行热处理、热锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银基合金。本发明经过热处理提高合金的塑性；本发明经过热锻造改善合金的组织(晶粒较细的组织)，提高合金的力学性能和物理性能；本发明通过再结晶处理使合金中晶粒转变为等轴晶粒，降低合金的电阻率消除合金中的内应力。本发明在上述条件下制备得到的银基合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，能够减少制备得到的银基合金在高温条件下形成岛状结构。
本发明还提供了一种银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和覆盖于银基合金薄膜两侧的氧化铟锡薄膜层；所述银基合金薄膜层由上述技术方案所述银基合金或上述技术方案所述制备方法制备得到的银基合金制备得到。本发明提供的银合金复合薄膜在具有较高功函数的同时还具有较高的反射率，且在较高温度下仍具有较高的反射率；将所述银合金复合薄膜用于OLED中的阳极能够显著提高OLED的发光效率。
附图说明
图1为OLED的结构示意图；
图2为实施例1～4和对比例1～3制备得到的银基合金的金相图，其中a为实施例1的金相图，b为实施例2的金相图，c为实施例3的金相图，d为实施例4的金相图，e为对比例1的金相图，f为对比例2的金相图，g为对比例3的金相图；
图3实施例5制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验前的SEM图；
图4为实施例5制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验后的SEM图；
图5为对比例4制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验前的SEM图；
图6为对比例4制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验后的SEM图；
图7为以对比例4的发射率为标准曲线，实施例5对比例5、6反射率对比曲线图。
具体实施方式
本发明提供了一种银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。
在本发明中，所述掺杂元素还优选包括铜，在本发明中，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，优选为0.22～0.5％，更优选为0.38～0.47％。在本发明中，所述铜和锌的质量比优选为0.8～1.2:1，更优选为1：1。
在本发明中，所述银基合金中的晶粒的平均粒径优选小于150μm，更优选为30～126μm，更进一步优选为50～100μm。
在本发明中，铜具有高导电高导热性、耐腐蚀性、适宜的强度、易加工成形性。当铜固溶于银锌合金中会细化合金的晶粒，使得合金强化，进一步提高合金的耐腐蚀性能。在本发明中，当锌与铜含量过高，不利于合金机械性能的提高，并且会提高合金的电阻率降低合金的反射率。
本发明还提供了上述技术方案所述银基合金的制备方法包括以下步骤：
将银源和掺杂源源进行熔炼和浇铸，得到铸锭，所述掺杂源包括锌源；
将所述铸锭依次进行热处理、热锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银基合金。
本发明将银源和掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭，所述掺杂源包括锌源。在本发明中，所述银源优选为银单质；所述锌源优选为锌单质。在本发明中，所述熔炼优选为真空熔炼，所述真空熔炼的真空度优选为1×10-4～1×10-2托，更优选为1×10-3～8×10-3托；所述真空熔炼的温度优选为1100～1300℃，更优选为1150～1200℃。本发明对所述熔炼的时间无特殊限定，只要能够使原料完全熔化即可。本发明对所述真空熔炼的装置无特殊要求，本发明实施例中采用真空感应熔炼炉。在本发明所述原料完全熔化后还优选包括：将熔化后的熔液在熔炼的温度下保温28～32min，优选为30min。
在本发明中，所述掺杂源还优选包括铜源，所述铜源优选为单质铜。
在本发明中，所述浇铸优选在模具中进行，所述模具的材质优选为铸铁。本发明对所述模具的形状和尺寸无特殊限定，根据所需铸锭的形状和尺寸进行设定即可。本发明对所述浇铸无特殊要求采用本领域常规的方式即可。
得到铸锭后，本发明将所述铸锭依次进行热处理、热锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银基合金。在本发明中，所述热处理的温度优选为600～850℃，更优选为700～800℃；所述热处理的时间优选为1～2h，更优选为1.5～1.8h。在本发明中，所述热锻造的温度优选为500～600℃，更优选为530～580℃；所述热锻造的总变形量优选为45～65％，更优选为50～60％。在本发明中，所述冷却后温度优选为室温，更优选为20～30℃；在本发明中，所述冷却优选为淬冷，所述淬冷的介质优选为水。在本发明中，所述冷却的冷却速率优选为200～1000℃/min，更优选为500～800℃/min。在本发明中，所述冷轧的温度优选为冷却后的温度；所述冷轧为多道次轧制，所述多道次轧制中的每道次的压下率独立地优选为15～30％，更优选为20～25％；所述多道次轧制的总压下率优选为50～65％，更优选为55～60％。在本发明中，相邻两道次冷轧延的轧延方向优选相差45°～90°，更优选为50°～80°。在本发明中，所述再结晶的温度优选为350～500℃，更优选为400～450℃；所述再结晶的时间优选为1.8～2.2h，更优选为2h。
本发明还提供了一种银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和层叠于所述银基合金薄膜层两侧的氧化铟锡薄膜层；所述银基合金薄膜层由上述技术方案所述银基合金或上述技术方案所述制备方法制备得到的银基合金制备得到。在本发明中，所述银基合金薄膜层的厚度优选为98～102nm，更优选为100nm；所述氧化铟锡薄膜层的厚度优选为9.8～10.2nm，更优选为10nm。在本发明中，所述银合金复合薄膜在波长为400～740nm的条件下的反射率优选为94.98～95.37％，更优选为95.05～95.29％。
在本发明中，所述银合金复合薄膜优选采用溅射镀膜的方式制备得到，具体包括以下步骤：
将氧化铟锡作为靶材在玻璃载体表面进行第一溅射镀膜，得到第一氧化铟锡薄膜层；
将银基合金作为靶材在第一氧化铟锡薄膜层表面进行第二溅射镀膜，得到银基合金薄膜层；
将氧化铟锡作为靶材在银基合金薄膜层表面进行第三溅射镀膜，得到所述银合金复合薄膜。
本发明对所述第一溅射镀膜、第二溅射镀膜和第三溅射镀膜的装置和方式无特殊限定，采用本领域常规的装置和方式即可。在本发明的实施例中所述第一溅射镀膜、第二溅射镀膜和第三溅射镀膜用气体独立的为氩气，所述氩气的流量独立的为20sccm；所述溅射镀膜用电源的功率独立的为200W；所述溅射镀膜的溅镀腔体的真空度独立的为5毫托。
在本发明中，所述银基合金薄膜层的厚度优选为98～102nm，更优选为100nm；所述第一氧化铟锡薄膜层和第二氧化铟锡薄膜层的厚度优选独立的为9.8～10.2nm，更优选为10nm。
本发明还提供了上述技术方案所述银合金复合薄膜作为阳极在OLED中的应用。在本发明中，所述OLED的结构示意图如图1所示，具体包括依次层叠的透明导电阴极、电子注入层、有机电致发光层、空穴注入层、反射银合金阳极和TFT基板。在本发明中，所述反射银合金阳极选用银合金复合薄膜。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的技术方案进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将银和锌(锌的质量百分含量为0.35％)置于真空感应熔炼炉中于真空度为1×10-3温度为1200℃的条件下进行真空熔炼，将熔炼得到的溶液在1200℃下保温30min后倒入一铸铁模具中冷却固化后取出，得到铸锭；
将所述铸锭在700℃热处理1.5h后，在550℃下进行热锻造(变形量为50％)；将热锻造后的产物在水中进行淬冷，按照500℃/min的冷却速度冷却至25℃；将冷却后合金进行多道次冷轧(每道次冷轧的压下率为20％，总压下率为60％，相邻两道次冷轧延的轧延方向相差50°)；将冷轧后合金在400℃再结晶2h，得到银基合金。
实施例2～4
按照实施例1的方法制备银基合金，不同之处在于，熔炼原料和配比按照表1进行熔炼。
对比例1～3
按照实施例1的方法制备银基合金，不同之处在于，熔炼原料和配比按照表1进行熔炼。
表1实施例1～4和对比例1～3制备银基合金的原料配比
Figure BDA0003169166870000071
对实施例1～4和对比例1～3制备得到的银基合金进行金相组织检测，得到金相图，如图2所示；其中a为实施例1的金相图，b为实施例2的金相图，c为实施例3的金相图，d为实施例4的金相图，e为对比例1的金相图，f为对比例2的金相图，g为对比例3的金相图。由图2可知本发明提供的银基合金的的平均晶粒尺寸为33～126μm。
实施例5
以氧化铟锡作为靶材在玻璃载体表面进行溅射镀膜，得到厚度为10nm的第一氧化铟锡薄膜层；
以实施例1制备得到的银基合金为靶材在第一氧化铟锡薄膜层表面溅射镀膜，得到厚度为100nm的银基合金薄膜层；
以氧化铟锡作为靶材在银基合金薄膜层表面进行溅射镀膜，得到氧化铟锡薄膜层厚度为10nm的银合金复合薄膜；溅射镀膜用气体为流量为20sccm的氩气，电源的功率为200W，溅镀腔体的真空度为5毫托。
实施例6
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用实施例2制备得到的银基合金。
实施例7
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用实施例3制备得到的银基合金。
实施例8
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用实施例4制备得到的银基合金。
对比例4
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用对比例1制备得到的银基合金。
对比例5
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用对比例2制备得到的银基合金。
对比例6
按照实施例5的方法制备银合金复合薄膜，不同之处在于，靶材采用对比例3制备得到的银基合金。
将实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜在温度为85℃，湿度为85％的条件下静置7天，进行可靠性实验。利用四探针测试仪分别检测实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜可靠性实验前后的方电阻，其结果列于表2中。
表2实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜的方电阻
Figure BDA0003169166870000091
本发明经过可靠性实验消除了银合金复合薄膜中应力，使银合金复合薄膜更紧密的结合，降低了银合金复合薄膜的方电阻。由表2中数据可知本发明提供的银合金复合薄膜经过可靠性实验后较可靠性实验前具有较低的方电阻，说明本发明提供的银合金复合薄膜经过可靠性实验后提高了复合薄膜的致密性。
将实施例5和对比例4进行可靠性实验前后的银基合金薄膜层进行扫描电镜检测，得到SEM图，如图3～6，其中图3为实施例5制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验前的SEM图；图4为实施例5制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验后的SEM图；图5为对比例4制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验前的SEM图；图6为对比例4制备得到的银合金复合薄膜中银基合金薄膜层进行可靠性实验后的SEM图。
由图3～6可知，对比例4制备得到的银合金复合薄膜经过高温高湿环境形成了较大的孔洞；本发明提供的银合金复合薄膜中的银基合金薄膜层具有了较高的耐蚀性，经过高温高湿环境产生了极小的孔洞。
将实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜在温度为85℃，湿度为85％的条件下静置7天进行可靠性实验。利用分光光度计(日本岛津，型号：UV2550)分别检测实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜可靠性实验前后的反射率，其中紫外光/可见光光谱仪的波长范围为400～740nm，其结果列于表3中。
表3实施例5～8和对比例4～6制备得到的银合金复合薄膜可靠性实验前后的反射率
Figure BDA0003169166870000101
由表3可知本发明提供的银合金复合薄膜具有较高的反射率。
按照表3中的数据以对比例4的发射率作为标准曲线，绘制实施例5对比例5、6反射率对比曲线图，如图7所示。
结合表2、3和图7可知，本发明提供的银合金复合薄膜具有较低的方电阻和较高的反射率，且具有较好的耐蚀性。
尽管上述实施例对本发明做出了详尽的描述，但它仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例，人们还可以根据本实施例在不经创造性前提下获得其他实施例，这些实施例都属于本发明保护范围。

Claims (10)

1.一种银基合金，包括银和掺杂元素，所述掺杂元素占银基合金的质量百分含量为0.01～0.8％，所述掺杂元素包括锌。
2.根据权利要求1所述银基合金，其特征在于，所述掺杂元素还包括铜。
3.根据权利要求1或2所述银基合金，其特征在于，所述银基合金中的晶粒的平均粒径小于150μm。
4.权利要求1～3任一项所述银基合金的制备方法包括以下步骤：
将银源和掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭，所述掺杂源包括锌源；
将所述铸锭依次进行热处理、热锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银基合金。
5.根据权利要求4所述制备方法，其特征在于，所述掺杂源还包括铜源。
6.根据权利要求4或5所述制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为600～850℃，时间为1～2h；
所述热锻造的温度为500～600℃；所述热锻造的总变形量为45～65％；
所述冷轧的温度为冷却后的温度；所述冷轧为多道次轧制，所述多道次轧制中的每道次的压下率独立为15～30％，所述多道次轧制的总压下率为50～65％。
7.根据权利要求4或5所述制备方法，其特征在于，所述冷却后温度为室温，所述冷却的冷却速率为200～1000℃/min。
8.根据权利要求4或5所述制备方法，其特征在于，所述再结晶处理的温度为350～500℃，时间为1.8～2.2h。
9.一种银合金复合薄膜，包括银基合金薄膜层和层叠于所述银基合金薄膜层两侧的氧化铟锡薄膜层；所述银基合金薄膜层由权利要求1～3任一项所述银基合金或权利要求4～8任一项所述制备方法制备得到的银基合金制备得到。
10.权利要求9所述银合金复合薄膜作为阳极在OLED中的应用。
CN202110813070.9A 2021-07-19 2021-07-19 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用 Pending CN113444914A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110813070.9A CN113444914A (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
KR1020237008873A KR20230051547A (ko) 2021-07-19 2022-07-19 은계 합금 및 그 제조방법, 은합금 복합박막 및 그 응용
PCT/CN2022/106418 WO2023001137A1 (zh) 2021-07-19 2022-07-19 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
TW111127032A TWI833289B (zh) 2021-07-19 2022-07-19 銀合金複合薄膜及其應用

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110813070.9A CN113444914A (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113444914A true CN113444914A (zh) 2021-09-28

Family

ID=77816584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110813070.9A Pending CN113444914A (zh) 2021-07-19 2021-07-19 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20230051547A (zh)
CN (1) CN113444914A (zh)
WO (1) WO2023001137A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023001137A1 (zh) * 2021-07-19 2023-01-26 福建阿石创新材料股份有限公司 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
WO2024012225A1 (zh) * 2022-07-12 2024-01-18 华为技术有限公司 银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119773A (ja) * 1998-10-15 2000-04-25 Tsutomu Kirihara 装身具用銀合金
CN1257135A (zh) * 1999-12-23 2000-06-21 复旦大学 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
TW200424713A (en) * 2003-05-08 2004-11-16 Target Technology Co Llc Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor
TW201028490A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Solar Applied Mat Tech Corp Silver-gold alloy target, production method thereof and applications thereof
CN103572230A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 研创应用材料（赣州）有限公司 一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法
CN103667768A (zh) * 2013-12-24 2014-03-26 济源豫金靶材科技有限公司 一种银靶材制造方法
CN105316630A (zh) * 2014-06-04 2016-02-10 光洋应用材料科技股份有限公司 银合金靶材、其制造方法及应用该靶材的有机发光二极管
CN110318024A (zh) * 2019-07-29 2019-10-11 福建阿石创新材料股份有限公司 一种银铜合金靶材及其制备方法
CN113088749A (zh) * 2021-03-11 2021-07-09 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种银合金及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999001584A1 (fr) * 1997-07-02 1999-01-14 Mabuchi Motor Co., Ltd. Materiau pour contact par coulissement, materiau composite plaque, et moteur electrique a cc et de petite taille fabrique a l'aide de ce materiau
US20030227250A1 (en) * 2002-05-08 2003-12-11 Han Nee Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor
CN1238554C (zh) * 2002-06-24 2006-01-25 株式会社钢臂功科研 银合金溅射靶及其制造方法
CN101246758B (zh) * 2008-03-19 2011-09-14 重庆川仪自动化股份有限公司 用于弱电流的滑动电接触材料
JP6801264B2 (ja) * 2015-07-28 2020-12-16 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金膜とその製造方法、Ａｇ合金スパッタリングターゲットおよび積層膜
KR101679562B1 (ko) * 2016-05-12 2016-11-25 희성금속 주식회사 도전성 막 형성용 은 합금 조성물 및 이의 제조 방법
CN106947879B (zh) * 2017-04-11 2019-02-19 东北大学 用于真空磁控溅射银基合金靶材坯料及其制备方法和应用
CN113444914A (zh) * 2021-07-19 2021-09-28 福建阿石创新材料股份有限公司 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119773A (ja) * 1998-10-15 2000-04-25 Tsutomu Kirihara 装身具用銀合金
CN1257135A (zh) * 1999-12-23 2000-06-21 复旦大学 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
TW200424713A (en) * 2003-05-08 2004-11-16 Target Technology Co Llc Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor
TW201028490A (en) * 2009-01-16 2010-08-01 Solar Applied Mat Tech Corp Silver-gold alloy target, production method thereof and applications thereof
CN103572230A (zh) * 2013-11-05 2014-02-12 研创应用材料（赣州）有限公司 一种制备新型导电氧化铟锡锌薄膜的方法
CN103667768A (zh) * 2013-12-24 2014-03-26 济源豫金靶材科技有限公司 一种银靶材制造方法
CN105316630A (zh) * 2014-06-04 2016-02-10 光洋应用材料科技股份有限公司 银合金靶材、其制造方法及应用该靶材的有机发光二极管
CN110318024A (zh) * 2019-07-29 2019-10-11 福建阿石创新材料股份有限公司 一种银铜合金靶材及其制备方法
CN113088749A (zh) * 2021-03-11 2021-07-09 先导薄膜材料（广东）有限公司 一种银合金及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023001137A1 (zh) * 2021-07-19 2023-01-26 福建阿石创新材料股份有限公司 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
WO2024012225A1 (zh) * 2022-07-12 2024-01-18 华为技术有限公司 银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230051547A (ko) 2023-04-18
WO2023001137A1 (zh) 2023-01-26
TW202305149A (zh) 2023-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2023001137A1 (zh) 一种银基合金及其制备方法、银合金复合薄膜及其应用
EP2526577B1 (en) Electroluminescent devices for lighting applications
JP3797317B2 (ja) 透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI532856B (zh) A conductive film and a method for producing the same, and a sputtering target used therefor
TW200307757A (en) Transparent conductive thin film, process for producing the same, sintered target for producing the same, and transparent, electroconductive substrate for display panel, and organic electroluminescence device
TW201342684A (zh) 用於有機發光裝置的反射陽極電極及其製造方法
US11085110B2 (en) Mask and method of manufacturing the same
EP2375467B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
CN206116461U (zh) 一种采用低温镀膜tco作为阴极的oled膜层
TWI689121B (zh) 有機el顯示器用的反射陽極電極、薄膜電晶體基板、有機電致發光顯示器及濺鍍靶
JP4269986B2 (ja) 透明導電性薄膜製造用酸化物焼結体ターゲット、透明導電性薄膜、透明導電性基板、表示デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101405366B (zh) 有机发光器件的制备方法及使用该方法制备的有机发光器件
CN108777265A (zh) 一种电极及其制备方法和有机电致发光器件
TWI833289B (zh) 銀合金複合薄膜及其應用
CN103548420B (zh) 含有有机el显示器用的反射阳极电极的配线结构
US20050184650A1 (en) [organic electro-luminescent device and fabricating method thereof]
WO2024012225A1 (zh) 银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件
JP2013077547A (ja) 導電性膜及びその製造方法並びに導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5720816B2 (ja) 導電性膜
Hyung et al. Flexible top-emitting organic light-emitting diodes using semi-transparent multi-metal layers
CN205960031U (zh) 一种用izto氧化物作为阴阳极的全透光oled膜层
WO2015037582A1 (ja) 有機ｅｌ用反射電極膜、積層反射電極膜、及び、反射電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP6023404B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法
CN205828441U (zh) 具有三明治结构阳极的底发光式oled膜层
TWI650230B (zh) 反射電極及鋁合金濺鍍靶

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination